DE1282196B - Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge

Info

Publication number
DE1282196B
DE1282196B DEW38002A DEW0038002A DE1282196B DE 1282196 B DE1282196 B DE 1282196B DE W38002 A DEW38002 A DE W38002A DE W0038002 A DEW0038002 A DE W0038002A DE 1282196 B DE1282196 B DE 1282196B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
semiconductor
oxide
active metal
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEW38002A
Other languages
English (en)
Inventor
Martin Paul Lepselter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US331168A external-priority patent/US3287612A/en
Priority claimed from US347173A external-priority patent/US3271286A/en
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1282196B publication Critical patent/DE1282196B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D275/00—Heterocyclic compounds containing 1,2-thiazole or hydrogenated 1,2-thiazole rings
    • C07D275/04—Heterocyclic compounds containing 1,2-thiazole or hydrogenated 1,2-thiazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01N—PRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
    • A01N43/00—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing heterocyclic compounds
    • A01N43/72—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing heterocyclic compounds having rings with nitrogen atoms and oxygen or sulfur atoms as ring hetero atoms
    • A01N43/80—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing heterocyclic compounds having rings with nitrogen atoms and oxygen or sulfur atoms as ring hetero atoms five-membered rings with one nitrogen atom and either one oxygen atom or one sulfur atom in positions 1,2
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06L—DRY-CLEANING, WASHING OR BLEACHING FIBRES, FILAMENTS, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR MADE-UP FIBROUS GOODS; BLEACHING LEATHER OR FURS
    • D06L1/00—Dry-cleaning or washing fibres, filaments, threads, yarns, fabrics, feathers or made-up fibrous goods
    • D06L1/02—Dry-cleaning or washing fibres, filaments, threads, yarns, fabrics, feathers or made-up fibrous goods using organic solvents
    • D06L1/04—Dry-cleaning or washing fibres, filaments, threads, yarns, fabrics, feathers or made-up fibrous goods using organic solvents combined with specific additives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/764—Air gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53242—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being a noble metal, e.g. gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53242—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being a noble metal, e.g. gold
    • H01L23/53252—Additional layers associated with noble-metal layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
    • H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
    • H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0658—Vertical bipolar transistor in combination with resistors or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2201/00—Inorganic compounds or elements as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2201/02—Water
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2219/00—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2219/10—Heterocyclic compounds containing sulfur, selenium or tellurium compounds in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2219/00—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2219/10—Heterocyclic compounds containing sulfur, selenium or tellurium compounds in the ring
    • C10M2219/102—Heterocyclic compounds containing sulfur, selenium or tellurium compounds in the ring containing sulfur and carbon only in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2219/00—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2219/10—Heterocyclic compounds containing sulfur, selenium or tellurium compounds in the ring
    • C10M2219/104—Heterocyclic compounds containing sulfur, selenium or tellurium compounds in the ring containing sulfur and carbon with nitrogen or oxygen in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
    • C10M2219/00—Organic non-macromolecular compounds containing sulfur, selenium or tellurium as ingredients in lubricant compositions
    • C10M2219/10—Heterocyclic compounds containing sulfur, selenium or tellurium compounds in the ring
    • C10M2219/104—Heterocyclic compounds containing sulfur, selenium or tellurium compounds in the ring containing sulfur and carbon with nitrogen or oxygen in the ring
    • C10M2219/106—Thiadiazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
    • C10N2040/00—Specified use or application for which the lubricating composition is intended
    • C10N2040/20—Metal working
    • C10N2040/22—Metal working with essential removal of material, e.g. cutting, grinding or drilling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
    • H01L21/76289—Lateral isolation by air gap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
Int. CL:
HOIl
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1282 196
Aktenzeichen: P 12 82 196.4-33 (W38002)
Anmeldetag: 21. November 1964
Auslegetag: 7. November 1968
In der Halbleiterbauelement-Technologie gehen starke Bestrebungen dahin, die Schutzkapselung zu miniaturisieren, die im allgemeinen zur Sicherstellung einer langen, stabilen Betriebsdauer von Halbleiterbauelementen notwendig ist. In der einschlägigen Technik sind zahlreiche Beschichtungen, und zwar sowohl organische als auch anorganische, bekannt, wobei gegenwärtig Metall-Glas-Kapselungen in den verschiedensten Größen und Konfigurationen verwendet werden. In neuerer Zeit ist es bekanntgeworden, dielektrische Oxydfilme zum Passivieren und Schützen der aktiven Oberflächenbereiche der Halbleiterbauelemente zu verwenden. Jedoch haben die bekannten, vorstehend erwähnten Anordnungen sämtlich Nachteile. Die Verwendung von Metall-Glas-Kapselungen lassen die Größe und Kompliziertheit des Aufbaus sowie die Kosten der Halbleiterbauelemente ansteigen, während andererseits die verschiedenen Schutzschichtarten dahingehend unbefriedigend sind, daß sie mit der Zeit zu einer Leckbildung und Zerstörung führen.
Demgemäß ist es Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Halbleiterbauelement zu schaffen, bei dem die Notwendigkeit, eine Metall-Glas-Verkapselung vorzusehen, entfällt. Insbesondere sollen hierbei die aktiven Oberflächen eines Halbleiterbauelementes mit Hilfe niedergeschlagener dielektrischer Schichten und Metallschichten verschlossen werden. Hierbei soll zugleich die Herstellung von Halbleiterbauelementen vereinfacht und verbessert werden.
Die Erfindung beruht auf der Entdeckung, daß die Grenzfläche zwischen einer Schicht eines aktiven Metalls, z. B. Titan oder Tantal, und eines dielektrischen Oxyds, z.B. Siliziumdioxyd, eine praktisch unüberwindbare Barriere für ein Hindurchdringen schädlicher Umgebungsatmosphäre bildet. Unter einem aktiven Metall wird hier ein Metall verstanden, das mit der Halbleiteroxydschicht, z. B. der Siliziumoxydschicht, in Reaktion tritt. Wesentlich ist hierbei, daß die Grenzfläche zwischen dem Aktivmetall und der Oxydschicht eine Oxydschicht des Aktivmetalls als Reaktionsprodukt dieser Reaktion aufweist. Demgemäß ist der erste Schritt zum hermetischen Verschließen einer Oberfläche eines Halbleiterbauelementes, an der pn-Übergangslinien zu Tage treten, darin, eine Halbleiteroxydschicht, z. B. eine Siliziumdioxydschicht, vorzusehen, auf der ihrerseits eine Schicht eines solcherart aktiven Metalls niedergeschlagen wird.
Der Schutz der Oberfläche wird jedoch erst vollständig, wenn eine zusätzliche Schicht eines Kontaktmetalls, z. B. Platin, Silber oder Gold oder eine Kom-Halbleiterbauelement mit
einer Schutzvorrichtung für seine pn-Übergänge
Anmelder:
Western Electric Company, Incorporated.
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. Fecht, Patentanwalt,
6200 Wiesbaden, Hohenlohestr. 21
Als Erfinder benannt:
Martin Paul Lepselter,
Franklin Park, N. J. (V, St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. y. Amerika vom 17. Dezember 1963
(331168)
bination hiervon, auf der Schicht aktiven Metalls vorgesehen ist, die die vertikale Projektion der darunterliegenden pn-Übergänge bedeckt und sich über diese hinaus erstreckt. Mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau wird eine seitliche, längs der Schichtgrenzflächen erfolgende Diffusion von Verunreinigungen durch die Kombination von Oxyd und aktivem Metall verhindert, während eine in Querrichtung durch die etwas poröse Schicht aus aktivem Metall und Oxyd hindurch erfolgende Diffusion durch die äußeren Kontaktmetallbeschichtungen, z. B. durch Platin, Silber und Gold, verhindert wird. Vorliegend soll also eine Folge von Schichten zum hermetischen Verschließen einer an eine Oberfläche
809 630/890
3 4
des Halbleiterkörpers zu Tage tretenden pn-Über- F i g. 5 eine teilweise schematische Draufsicht auf
gangslinie vorgesehen werden, die den Durchgang einen Transistor gemäß Erfindung und atmosphärischer Verunreinigungen (z.B. Natrium- Fig. 6 eine Schnittansicht der Anordnung nach
ionen) durch die Grenzfläche zwischen dem Halb- F i g. 5 in vergrößertem Maßstab, leiterkörper (oder dem Siliziumoxyd hierauf) und 5 In der Fig. 1 ist im Schnitt ein Teil einer HaIbdem Metall der Schichten hindurch zum pn-Über- leiterscheibe dargestellt, auf der eine Diode mit einem gang und damit eine Beeinträchtigung der elek- einzigen pn-übergang hergestellt worden ist. Die irischen Eigenschaften des letzteren verhindert. Die Unterlage 10 der Fig. 1 ist ein Teil einer halbleiten-Metalle sind dabei so zu wählen, daß die atmosphä- den einkristallinen Siliziumscheibe. Beim dargestellrischen Verunreinigungen die Grenzfläche mit Sicher- io ten Beispiel ist der Hauptteil der Scheibe n-leitend. heit nicht passieren können. Es ist zwar bekannt, Auf der oberen Oberfläche 12 der Scheibe ist eine Metallschichtfolgen auf Halbleiterkörpern vorzu- thermisch gewachsene Siliziumdioxydschicht 11 vorsehen; diese dienen aber nur zur Herstellung eines gesehen, in die ein kleines rundes Loch eingebracht guten ohmschen Kontakts. Demgegenüber ist vor- worden ist, so daß ein Teil der Oberfläche 12 freiliegend die Schichtfolge so auszuwählen und in 15 gelegt ist. Mit Hilfe einer Festkörperdiffusionsbehandsolcher geometrischer Ausdehnung aufzubringen, daß lung ist unter Verwendung eines Akzeptormaterial ein hermetischer Verschluß erhalten wird. enthaltenden Dampfes, z. B. Bortetrachlorid, eine
Demgemäß ist die Erfindung gerichtet auf ein kleine Zone 13 in ein p-leitendes Gebiet umdotieri Halbleiterbauelement mit einer an eine Oberfläche worden.
seines Halbleiterkörpers tretenden pn-Übergangslinie, ao Als nächstes (s. F i g. 2) wird das Halbleiterbaueiner über dieser liegenden schützenden Halbleiter- element mit einer Schichtig eines aktiven Metalls, oxydschicht und einer einen Teil der Halbleiterober- üblicherweise mit Titan, beschichtet. Kathodisches fläche bloßlegenden Öffnung in der Halbleiteroxyd- Aufstäuben ist ein bei vergleichsweise niedriger Temschicht nahe der pn-Übergangslinie an der Halbleiter- peratur stattfindender Prozeß, aber es findet anfängoberfläche, und die Erfindung ist dadurch gekenn- 35 Hch eine Reaktion zwischen Titan und dem Siliziumzeichnet, daß zur hermetischen Abdichtung der pn- dioxydfilm statt, die zu dem hermetischen Ver-Übergangslinie an der Halbleiteroberfläche gegen schließen an den Oberflächen führt. Die Reaktion ist Umgebungseinflüsse auf dieser an sich bekannten jedoch bei diesen niedrigen Temperaturen begrenzt, Oxydschutzschicht eine die pn-Übergangsoberflächen- so daß kein wesentliches Eindringen des Metalls in linie überlappende Schicht aus einem aktiven Metall, 3° das Oxyd stattfindet. Auch wird ein elektrischer Konz. B. aus Titan, Tantal, Zirkon, Chrom, Vanadium takt der Titanschicht 15 zur p-Zonel3 zuverlässig oder Hafnium, und eine hierauf gelegene Schicht aus gebildet.
einem oder mehreren Kontaktmetallen, z. B. aus Pia- Wie ferner aus Fig. 2 hervorgeht, wird auf die
tin, Silber, Nickel Palladium, Rhodium oder Gold, Oberseite des Titanfilmes eine Schicht 1(5 eines Meangeordnet sind, wobei das Aktivmetall mit dem 35 tails, in diesem Falle Platin, aufgebracht, so daß eine Halbleiteroxyd in Reaktion tritt. hierauf erfolgende Oxydbildung ausgesetzt wird.
Ein bevorzugtes Herstellungsverfahren für das wenn der Titanfilm der Atmosphäre ausgesetzt wird. Halbleiterbauelement, bei dem durch eine Oxyd- Anschließend wird eine Schicht eines Kontaktmetalls, maske, die auf einer Oberfläche eines Bereichs des z. B. GoId3 abgeschieden, und zwar bequemerweise Halbleitermaterials von bestimmtem Leitungstypus 40 mit Hilfe eines Elektroformierprozesses unter Vergelegen ist, eine dotierende Verunreinigung zur BiI- Wendung von Masken, so daß die Größe des Golddung einer Zone des entgegengesetzten Leitungstypus kontakts etwa auf das Ausmaß begrenzt wird, das zur eindiffundiert wird, wobei die Zone einen Teil des Abdeckung der pn-Übergangsbegrenzungen notwenan die Oberfläche angrenzenden Bereichs annimmt, dig ist. Im einzelnen erstreckt sich die Goldschicht die Oxydmaske die Durchstoßlinie des die Zone defl- 45 über die vertikale Projektion des darunterliegenden nierenden pn-Übergangs auf der Oberfläche abdeckt pn-Übergangs hinaus. Jedoch kann dieser Verfahrensund die Oxydmaske mit einer Öffnung versehen ist, schritt relativ ungenau sein im Vergleich zu denjenidie einen Teil der Oberfläche der Zone des entgegen- gen Verfahrenssehritten, bei welchen innerhalb Gegesetzten Leitungstypus freigibt, ist dadurch gekenn- nauigkeitsgrenzen von 2,5 · 10~3 mm liegende Niezeichnet, daß anschließend eine Schicht eines Aktiv- 50 derschlagsmuster erzeugt werden müssen, wie dies metalls, z.B. Titan, Tantal, Zirkon, Niob, Chrom, bei einigen bekannten Halbleiterbauelementen der Vanadium oder Hafnium, derart in Kontakt mit der Fall ist.
Oberfläche innerhalb der Öffnung niedergeschlagen Schließlich werden (s. Fig. 3) die Randteile der
wird, daß die Öffnung sowie zumindest die Durch- abgeschiedenen Titan-Platin-Schicht 15, 16 entstoßlinie des pn-Übergangs überlappt werden, und 55 femt, und zwar durch einen als Rückstäuben bezeichsodann auf der Aktivmetallschicht eine weitere neten Vorgang, bei dem die dicke Goldschicht 17 Schicht zumindest eines Kontaktmetalls, z. B. Platin, wie als eine Maske wirkt. Bei diesem Verfahrens-Silber, Nickel, Palladium, Rhodium oder Gold, in schritt wird die Oberfläche des Halbleiterelementes einer die Durchstoßlinie des pn-Übergangs gleichfalls zur Kathode gemacht, so daß mit Hilfe des Ionenüberlappenden Ausdehnung niedergeschlagen wird. 6o bombardements das Material von der Oberfläche des
Im folgenden ist die Erfindung an Hand der Zeich- Halbleiterbauelementes entfernt wird, nung beschrieben; es zeigt Das Ergebnis des Rückstäubeprozesses ist eine
F i g. 1 bis 3 in Schnittansicht aufeinanderfolgende etwas dünnere äußere Goldschicht 17 mit darunter-Halbleiterbauelemente, wie sie mit Hilfe eines be- liegenden Titan-Platin-Schichten 15 und 16 in gleivorzugten erfindungsgemäßen Verfahrens erhalten 65 eher Abmessung. Alternativ kann eine Titan-Silberwerden, Kombination an Stelle von Titan—Platin verwendet Fig. 4 eine Draufsicht auf die Anordnung nach werden, und das Silber kann mit Ferrinitrat abgeätzt Fig. 3, werden. Gleicherweise können auch andere Metalle
in Kombination mit Titan verwendet werden ein- auf der viele je gleiche Halbleiterbauelemente gleichschließlich Nickel, Palladium und Rhodium. Der in zeitig hergestellt werden. Die einzelnen Halbleiter-F i g. 3 dargestellte Aufbau kann dann vom übrigen bauelemente werden dann durch Unterteilen der Teil der Scheibe abgetrennt und als Diode konfek- Scheibe erhalten. Es sei bemerkt, daß der besseren tioniert werden, und zwar durch Befestigen von Zu- 5 Übersicht halber die F i g. 6 eine nicht maßstabsführleitungen an der Goldschicht 17 und an der un- gerechte Vergrößerung darstellt, teren Oberfläche 21 des Siliziumkörpers, die — wie Der ursprünglich η-leitende Teil 61 des Plättchens
allgemein bekannt ist — unter Verwendung von Nik- bildet die Kollektorzone des fertigen Halbleiterbaukel oder Gold geeignet metallplattiert ist, so daß die elementes. Die p-leitende Basiszone 62, die durch Befestigung eines bandähnlichen Metalleiters auf io den pn-übergang 63 definiert ist, wird durch Eineinem großen Oberflächengebiet ermöglicht wird. diffundierenlassen eines Akzeptormaterials herge-Vom elektrischen Standpunkt aus gesehen haben stellt. Dieses Eindiflundieren erfolgt durch eine auf Versuche gezeigt, daß das Halbleiterbauelement keine der Oberfläche vorgesehene Oxydmaske hindurch, weitere Verkapselung benötigt. Die Kombination der Nachfolgend wird die Maske so abgeändert, daß eine Schichten aus Kontaktmetall, aktivem Metall und 15 Eindiffusion einer kleineren η-leitenden Zone 64 erOxyd führen zu einem vollständigen Langzeitschutz möglicht wird, die durch den pn-übergang 65 defider Oberfläche. niert ist. Die Zone 64 stellt die Emitterzone des Tranin vielen Fällen kann aber eine weitere Beschich- sistors dar. Diese Verfahrensschritte sind üblich und tung zum Erhalt eines mechanischen Schutzes und in der Herstellungstechnik diffundierter Übergangseiner leichteren Handhabung von Vorteil sein. ao transistoren bekannt.
Verschiedene Variationen sind möglich. Beispiels- Der nächste Verfahrensschritt ist die Bildung eines
weise kann die Anordnung einer kurzen Warm- Siliziumoxydfilmes als Schicht 66 auf der Oberfläche behandlung nach der Abscheidung der Schicht ak- 80 des Plättchens. In die Oxydschicht 66 werden eine tiven Metalls, z. B. der Titanschicht, unterzogen wer- Reihe Öffnungen so eingebracht, daß eine Abscheiden. Hierdurch erhält man einen guten ohmschen as dung voneinander im Abstand liegender Kontakte erKontakt auf der Oberfläche der p-Zone 13, und wenn möglicht wird, und zwar zweier Kollektorkontakte 69 die Wärmebehandlung kurz ist, reagiert nur ein klei- und 70, eines Basiskontaktes 68 in Ringform und ner Teil der Gesamtdicke der Oxydschicht mit dem eines Emitterkontaktes 67. Jeder dieser Kontakte Titanfilm. Daher sind die Dicken der Oxydschicht weist Mehrfach-Metallschichten auf, die die Oxyd- und der Schicht aktiven Metalls noch ausreichend, 30 schicht 66 und die Begrenzungen der pn-Übergänge die notwendige Isolation zusammen mit einer her- schützend überlagern, wie dies vorstehend beschriemetisch abgedichteten Grenzfläche zwischen Oxyd ben worden ist. Hierbei wird die erste auf jeden die- und Metall sicherzustellen. ser Kontakte aufgebrachte Schicht, eine Titanschicht,
Entsprechend einer weiteren Diodenausführungs- durch eine zusätzliche Platinschicht und Goldschicht form können die Titan-Platin-Gold-Schichten 15, 16, 35 ergänzt, wodurch die Schutzabdeckung über den Be-17 bis zu einer Kante des Plättchens und über die- grenzungen der pn-Übergänge vervollständigt wird, selbe hinweg in Form eines Bandes weitergeführt Die Metallschichten haben typischerweise folgende werden. Anschließend wird auf die Metallschichten Dicken:
eine zweite Oxydschicht niedergeschlagen, die sich Titan 1000 A
über die vertikale Projektion der darunterliegenden 40 Platin 5 000 A
pn-Übergänge hinaus erstreckt. Dann wird über diese Gold 120 000 A
Oxydschicht begrenzter Ausdehnung eine letzte
Schutzabdeckung, bestehend aus den drei vorstehend Es sei insbesondere bemerkt, daß sich sowohl der
erwähnten Metallen, abgeschieden, Dieser äußere Emitter- als auch der Basiskontakt über die vertikale Oxyd-Metall-Schutz hat dann kappenförmige Konfi- 45 Projektion der gesamten Basis- bzw. Emitterüberguration. gangsbegrenzungen hinaus erstrecken, wodurch ein
Ferner können außer Titan und Tantal noch wei- Schutz gegen eine in Querrichtung erfolgende Eintere Metalle für die auf der Oxydschicht aufliegende diffusion schädlicher Verunreinigungen sicherge-Schicht verwendet werden. Diese Metalle sind hierin stellt ist.
allgemein als aktive Metalle bezeichnet; es sind dies 50 Zur Komplettierung des Aufbaues und zur Schafbestimmte Metalle der Gruppe IVA, VA und VIA fung äußerer Zuleitungen wird eine weitere Siliziumdes Periodischen Systems. Als Beispiel seien Titan, oxydschicht 71 auf der ganzen Oberfläche des HaIb-Zirkon, Hafnium, Vanadium, Tantal, Niob und leiterbauelementes abgeschieden. Wiederum werden Chrom genannt. in dieser Schicht 71 öffnungen eingebracht, so daß
Nachfolgend ist ein weiteres Ausführungsbeispiel 55 die Kontakte freigelegt werden. Im einzelnen werden beschrieben, und zwar der in den F i g. 5 und 6 dar- ein metallischer Emitterkontakt 72, ein Basiskontakt gestellte Transistor. Nach F i g. 5 weist der Transistor 73 und Kollektorelektroden 74 und 75 in der Form 60 eine schematisch angedeutete Emitteranschluß- des am besten aus F i g. 5 ersichtlichen Musters nieleitung E auf, ferner eine Basisanschlußleitung B so- dergeschlagen. Jede dieser Elektroden ist wiederum wie zwei Kollektorelektroden, die an eine gemein- 60 aus einer Schichtfolge, bestehend aus Titan, Platin same Kollektoranschlußleitung C herausgeführt sind. und Gold, zusammengesetzt, und zwar in gleicher Diese Leitungen sind lediglich für die Darstellung der Weise wie die zuerst aufgebrachten darunterliegengegenseitigen Beziehung der auf der Vorrichtung auf- den Kontakte für die einzelnen Transistorzonen, gebrachten Metallelektroden schematisch angedeutet. Diese Konfiguration liefert die notwendige elektrische Das Halbleiterbauelement weist (s. Fig. 6) ein 65 Trennung der entsprechenden Transistorelektroden, halbleitendes, einkristallines Siliziumplättchen auf, Demgemäß sind die Begrenzungen der pn-Über-
das ursprünglich η-leitend war. Zumeist ist das dar- gänge 63 und 65, wo sie die Oberfläche 80 des Halbgestellte Plättchen Bestandteil einer größeren Scheibe, leiterplättchens schneiden, durch eine Metall-Oxyd-
Grenzfläche geschützt, die der Durchdringung jeg-Ücher schädlicher Ionen längs dieser Grenzfläche einen vergleichsweise langen zu durchquerenden Weg entgegensetzt. Ferner verhindert die darüber-Iiegende Schicht aus vergleichsweise starkem Metall 5 eine durch die aufeinanderfolgenden Schichfen hindurch erfolgende vertikale Durchdringung, die die Betriebskennlinie des Hälbleiterbauelementes ungünstig beeinflussen könnte.
Die vorstehend beschriebene Schutzschichtanord- ίο riung ist in ähnlicher Weise auf die sogenannten linear aufgebauten Transistoren anwendbar, bei denen die Basis- und Emitterelektroden durch benachbarte schmale Metallstreifen gebildet sind. Bei einer Vorrichtung dieser Art werden die Basis- und Emitter-Zuleitungen auf gegenüberliegenden Seiten des Halbleiterbauelementes angebracht, und zwar unter Verwendung der vorstehend beschriebenen Titan-Platin-Gold-Mehrfachschicht. Es wird jedoch über den aktiven Mittelteil des Halbleiterbauelementes, wie dieser durch die vertikale Projektion der Begrenzungen der Übergänge repräsentiert wird, die vorstehend erwähnte »Kappenkonfiguration« als letzte Schutzabdeckung vorgesehen, die aus einer Oxydschicht und einer darüberliegenden dichten Metallschicht besteht.
Die relativ starken Metalleiter bilden im einzelnen eine vollständig befriedigende mechanische Halterung für die einzelnen Halbleiterbauelemente 60 während und nach der Trennung derselben. Wie vorstehend erwähnt worden ist, wird eine große Anzahl einzelner Halbleiterbauelemente gleichzeitig auf einer einzigen Scheibe hergestellt. Schließlich wird, nachdem die Metallzuleitungen abgeschieden worden sind, die Scheibe umgedreht, und es wird eine Maske, z.B. eine Wachs- oder eine Goldmaske, auf der Scheibenrückseite in Ausrichtung mit den Gebieten der einzelnen Halbleiterbauelemente aufgebracht. Die Scheibe wird dann einfach mit einem Ätzmittel behandelt, z.B. mit der bekannten Fluorwasserstoff-Salpetersäure-Mischung, das die nicht von der Maske abgedeckten Teile des Siliziumhalbleitermaterials angreift. Folglich werden die Begrenzungen zwischen den einzelnen Halbleiterbauelementen herausgeätzt, ausgenommen der starken Metallzuleitungen oder Laschen, die eine vollständige Halterung für die resultierenden Halbleiterplättchen bilden. Obgleich das angeführte Ätzmittel die Titanzwischenschicht angreifen wird, liefern die vollständig ätzbeständigen dickeren Platin- und Goldschichten mehr als ausreichende Festigkeit.
Die Ausführungsbeispiele wurden zwar an Hand von Silizium als das Halbleitermaterial beschrieben. Die Erfindung ist aber hierauf nicht beschränkt, sie kann auch bei Verwendung anderer Halbleitermaterialien, z. B. Germanium oder Galliumarsenid, eingesetzt werden. Allgemein gesprochen ist das Kriterium hierfür, daß der Halbleiter ein solcher sein soll, auf dem ein haftender Isolator abgeschieden werden kann. Auch ist die Erfindung nicht auf spezielle Halbleiterbauelementformen beschränkt; sie kann vielmehr bei zahlreichen Halbleiterbauelementformen einschließlich Dioden, Transistoren und eindiffundierter Widerstände Verwendung finden.
Die Erfindung ist also überall dort vorteilhaft anwendbar, wo pn-Übergangsbegrenzungen eine Oberfläche schneiden und wo es wünschenswert ist, eine solche Oberfläche gegen die Umgebungsatmosphäre abzuschließen; "Auch ist die Erfindung bei Halbleiterbauelementen nutzbringend, bei denen es vorteilhaft ist, Anschlußleitungen in Bandform zwischen Schutzschichten geeignet abgedichteter Oxydabdeckungen herauszuführen, wobei solche Leitungen selbst aus ätzbeständigem Material bestehen und eine mechanische Halterung für nachfolgende Fabrikationsschritte bilden.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit einer an eine Oberfläche seines Halbleiterkörpers tretenden pn-Übergangslinie, einer über dieser liegenden schützenden Halbleiteroxydschicht und einer einen Teil der Halbleiteroberfläche bloßlegenden Öffnung in der Halbleiteroxydschicht nahe der pn-Übergangslinie an der Halbleiteroberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß zur hermetischen Abdichtung der pn-Ubergangslinie an der Halbleiteroberfläche gegen Umgebungseinflüsse auf dieser an sich bekannten Oxydschutzschicht (11) ein die pn-Übergangsoberflächenlinie überlappende Schicht (15) aus einem aktiven Metall, z. B. aus Titan, Tantal, Zirkon, Chrom, Vanadium oder Hafnium, und eine hierauf gelegene Schicht aus einem oder mehreren Kontaktmetallen (16, 17), z.B. aus Platin, Silber, Nickel, Palladium, Rhodium oder Gold, angeordnet sind, wobei das Aktivmetall mit dem Halbleiteroxyd in Reaktion tritt.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktivmetallschicht (15) sich über die durch die Oxydschichtöffnung bloßgelegte Halbleiteraußenfläche erstreckt und in Kontakt mit derselben steht.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch ϊ oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Aktivmetallschicht eine 1000 A dicke Titanschicht vorgesehen ist und als Kontaktmetall eine 5000A dicke Platinschicht, gefolgt von einer 120 000 Ä dicken Goldschicht.
4. Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauelementes nach den Ansprüchen 1 bis 3, bei dem durch eine Oxydmaske, die auf einer Oberfläche eines Bereichs des Halbleitermaterials von bestimmtem Leitungstypus gelegen ist, eine dotierende Verunreinigung zur Bildung einer Zone des entgegengesetzten Leitungstypus eindiffundiert wird, wobei die Zone einen Teil des an die Oberfläche angrenzenden Bereichs einnimmt, die Oxydmaske die Durchstoßlinie des diese Zone definierenden pn-Übergangs auf der Oberfläche abdeckt und die Oxydmaske mit einer öffnung versehen ist, die einen Teil der Oberfläche der Zone des entgegengesetzten Leitungstypus freigibt, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend eine Schicht eines Aktivmetalls, z. B. Titan, Tantal, Zirkon, Niob, Chrom, Vanadium oder Hafnium, derart in Kontakt mit der Oberfläche innerhalb der Öffnung niedergeschlagen wird, daß die Öffnung sowie zumindest die Durchstoßlinie des pn-Übergangs überlappt werden, und sodann auf der Aktivmetallschicht eine weitere Schicht eines Kontaktmetalls, z. B. Platin, Silber, Nickel, Palladium, Rhodium oder Gold, in einer die Durchstoßlinie des pn-Übergangs gleichfalls überlappenden Ausdehnung niedergeschlagen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend die nicht von der Kontaktmetallschicht abgedeckten Bereiche der Aktivmetallschicht wieder entfernt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivmetall im Wege einer kathodischen Zerstäubung niedergeschlagen wird.
10
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1000 115; österreichische Patentschrift Nr. 3 106 486;
französische Patentschriften Nr. 1298 148, 1262176;
britische Patentschriften Nr. 938 181, 940520; USA.-Patentschriften Nr. 2705 768, 2 858489, 973 466, 3 158 788, 3 063 023, 3 184 824.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 630/890 10.68 © Bundesdruckerei Berlin
DEW38002A 1963-12-17 1964-11-21 Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge Pending DE1282196B (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US331168A US3287612A (en) 1963-12-17 1963-12-17 Semiconductor contacts and protective coatings for planar devices
US347173A US3271286A (en) 1964-02-25 1964-02-25 Selective removal of material using cathodic sputtering
US388039A US3335338A (en) 1963-12-17 1964-08-07 Integrated circuit device and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1282196B true DE1282196B (de) 1968-11-07

Family

ID=27436936

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW38002A Pending DE1282196B (de) 1963-12-17 1964-11-21 Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge
DEW38017A Pending DE1266406B (de) 1963-12-17 1964-11-24 Verfahren zum Herstellen mechanisch halternder und elektrisch leitender Anschluesse an kleinen Plaettchen, insbesondere an Halbleiterplaettchen
DE1964W0038104 Pending DE1515321A1 (de) 1963-12-17 1964-12-08 Selektive Material-Entfernung mit Hilfe kathodischer Zerstaeubung

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW38017A Pending DE1266406B (de) 1963-12-17 1964-11-24 Verfahren zum Herstellen mechanisch halternder und elektrisch leitender Anschluesse an kleinen Plaettchen, insbesondere an Halbleiterplaettchen
DE1964W0038104 Pending DE1515321A1 (de) 1963-12-17 1964-12-08 Selektive Material-Entfernung mit Hilfe kathodischer Zerstaeubung

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3335338A (de)
BE (3) BE657021A (de)
CH (3) CH427044A (de)
DE (3) DE1282196B (de)
FR (3) FR1417621A (de)
GB (2) GB1082317A (de)
IL (3) IL22370A (de)
NL (4) NL6413364A (de)
SE (1) SE325334B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2319883B2 (de) * 1972-04-28 1979-08-23 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Verfahren zum Herstellen von Leitermustern auf einer Halbleiteranordnung

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3475664A (en) * 1965-06-30 1969-10-28 Texas Instruments Inc Ambient atmosphere isolated semiconductor devices
US3396312A (en) * 1965-06-30 1968-08-06 Texas Instruments Inc Air-isolated integrated circuits
US3448349A (en) * 1965-12-06 1969-06-03 Texas Instruments Inc Microcontact schottky barrier semiconductor device
US3388048A (en) * 1965-12-07 1968-06-11 Bell Telephone Labor Inc Fabrication of beam lead semiconductor devices
DE1283970B (de) * 1966-03-19 1968-11-28 Siemens Ag Metallischer Kontakt an einem Halbleiterbauelement
US3426252A (en) * 1966-05-03 1969-02-04 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive device including beam leads
US3489961A (en) * 1966-09-29 1970-01-13 Fairchild Camera Instr Co Mesa etching for isolation of functional elements in integrated circuits
US3493820A (en) * 1966-12-01 1970-02-03 Raytheon Co Airgap isolated semiconductor device
US3621344A (en) * 1967-11-30 1971-11-16 William M Portnoy Titanium-silicon rectifying junction
US3523221A (en) * 1968-05-07 1970-08-04 Sprague Electric Co Bi-metal thin film component and beam-lead therefor
GB1263381A (en) * 1968-05-17 1972-02-09 Texas Instruments Inc Metal contact and interconnection system for nonhermetic enclosed semiconductor devices
US3658489A (en) * 1968-08-09 1972-04-25 Nippon Electric Co Laminated electrode for a semiconductor device
US3574932A (en) * 1968-08-12 1971-04-13 Motorola Inc Thin-film beam-lead resistors
US3590479A (en) * 1968-10-28 1971-07-06 Texas Instruments Inc Method for making ambient atmosphere isolated semiconductor devices
NL159822B (nl) * 1969-01-02 1979-03-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
US3654000A (en) * 1969-04-18 1972-04-04 Hughes Aircraft Co Separating and maintaining original dice position in a wafer
US3647585A (en) * 1969-05-23 1972-03-07 Bell Telephone Labor Inc Method of eliminating pinhole shorts in an air-isolated crossover
US3641402A (en) * 1969-12-30 1972-02-08 Ibm Semiconductor device with beta tantalum-gold composite conductor metallurgy
US3639811A (en) * 1970-11-19 1972-02-01 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor with bonded electrical contact
FR2119930B1 (de) * 1970-12-31 1974-08-19 Ibm
US3918079A (en) * 1971-01-22 1975-11-04 Signetics Corp Encapsulated beam lead construction for semiconductor device and assembly and method
US3765970A (en) * 1971-06-24 1973-10-16 Rca Corp Method of making beam leads for semiconductor devices
DE2165844C2 (de) * 1971-12-31 1983-02-17 Elena Vadimovna Moskva Chrenova Integrierte Schaltung
US3787710A (en) * 1972-01-25 1974-01-22 J Cunningham Integrated circuit structure having electrically isolated circuit components
JPS5745061B2 (de) * 1972-05-02 1982-09-25
US4042950A (en) * 1976-03-01 1977-08-16 Advanced Micro Devices, Inc. Platinum silicide fuse links for integrated circuit devices
US4257061A (en) * 1977-10-17 1981-03-17 John Fluke Mfg. Co., Inc. Thermally isolated monolithic semiconductor die
US4204218A (en) * 1978-03-01 1980-05-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Support structure for thin semiconductor wafer
DE3122387A1 (de) * 1981-06-05 1982-12-23 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg "glasumhuellte halbleiterdiode und verfahren zur herstellung"
JPS60253958A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Sharp Corp センサ
US5763782A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 British Technology Group Limited Micromechanical sensor
FR2784230B1 (fr) * 1998-10-05 2000-12-29 St Microelectronics Sa Procede de realisation d'un isolement inter et/ou intra-metallique par air dans un circuit integre et circuit integre obtenu

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2705768A (en) * 1953-05-11 1955-04-05 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating devices and method of fabrication
DE1000115B (de) * 1954-03-03 1957-01-03 Standard Elektrik Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit PN-UEbergang
US2858489A (en) * 1955-11-04 1958-10-28 Westinghouse Electric Corp Power transistor
US2973466A (en) * 1959-09-09 1961-02-28 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor contact
FR1262176A (fr) * 1959-07-30 1961-05-26 Fairchild Semiconductor Dispositif semi-conducteur et conducteur
FR1298148A (fr) * 1960-12-09 1962-07-06 Western Electric Co Fabrication de dispositifs semi-conducteurs
US3063023A (en) * 1959-11-25 1962-11-06 Bell Telephone Labor Inc Modulated oscillator and low impedance diode construction therefor
GB938181A (en) * 1959-07-30 1963-10-02 Fairchild Camera Instr Co Improvements in or relating to semiconductor devices
GB940520A (en) * 1961-01-23 1963-10-30 Gen Electric Improvements in semiconductor devices
US3158788A (en) * 1960-08-15 1964-11-24 Fairchild Camera Instr Co Solid-state circuitry having discrete regions of semi-conductor material isolated by an insulating material
US3184824A (en) * 1963-03-27 1965-05-25 Texas Instruments Inc Method for plating a support for a silicon wafer in the manufacture of a semiconductor device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2705768A (en) * 1953-05-11 1955-04-05 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating devices and method of fabrication
DE1000115B (de) * 1954-03-03 1957-01-03 Standard Elektrik Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit PN-UEbergang
US2858489A (en) * 1955-11-04 1958-10-28 Westinghouse Electric Corp Power transistor
FR1262176A (fr) * 1959-07-30 1961-05-26 Fairchild Semiconductor Dispositif semi-conducteur et conducteur
GB938181A (en) * 1959-07-30 1963-10-02 Fairchild Camera Instr Co Improvements in or relating to semiconductor devices
US2973466A (en) * 1959-09-09 1961-02-28 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor contact
US3063023A (en) * 1959-11-25 1962-11-06 Bell Telephone Labor Inc Modulated oscillator and low impedance diode construction therefor
US3158788A (en) * 1960-08-15 1964-11-24 Fairchild Camera Instr Co Solid-state circuitry having discrete regions of semi-conductor material isolated by an insulating material
FR1298148A (fr) * 1960-12-09 1962-07-06 Western Electric Co Fabrication de dispositifs semi-conducteurs
GB940520A (en) * 1961-01-23 1963-10-30 Gen Electric Improvements in semiconductor devices
US3184824A (en) * 1963-03-27 1965-05-25 Texas Instruments Inc Method for plating a support for a silicon wafer in the manufacture of a semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2319883B2 (de) * 1972-04-28 1979-08-23 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Verfahren zum Herstellen von Leitermustern auf einer Halbleiteranordnung
DE2319883C3 (de) * 1972-04-28 1982-11-18 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Verfahren zum Herstellen von Leitermustern auf einer Halbleiteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
FR1417695A (fr) 1965-11-12
DE1515321A1 (de) 1969-06-26
IL22465A (en) 1968-07-25
IL22370A (en) 1968-07-25
US3335338A (en) 1967-08-08
IL22419A (en) 1968-05-30
CH444969A (de) 1967-10-15
GB1082319A (en) 1967-09-06
DE1266406B (de) 1968-04-18
NL6414107A (de) 1965-06-18
BE657023A (de) 1965-04-01
GB1082317A (en) 1967-09-06
NL134170C (de) 1900-01-01
FR1417621A (fr) 1965-11-12
BE657021A (de) 1965-04-01
CH426042A (de) 1966-12-15
NL6414441A (de) 1965-06-18
SE325334B (de) 1970-06-29
BE657022A (de) 1965-04-01
CH427044A (de) 1966-12-31
NL6413364A (de) 1965-06-18
FR1417760A (fr) 1965-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1282196B (de) Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge
DE1614283C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2215357A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil
DE2133184A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen
DE2357376B2 (de) Mesa-thyristor und verfahren zu seiner herstellung
DE2500235C2 (de) Ein-PN-Übergang-Planartransistor
DE1258518B (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer gelochten Isolierschicht ueber einer eingelassenen Zone
DE1194500B (de) Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von eingesetzten streifenfoermigen Zonen eines Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum Herstellen
DE3100979C2 (de) Planares Halbeiterbauelement
DE2501074A1 (de) Transistoreinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2504846A1 (de) Halbleiteranordnung mit gleichrichtender grenzschicht
DE1188209B (de) Halbleiterbauelement
DE2608813A1 (de) Niedrigsperrende zenerdiode
DE1813551C3 (de) Hochfrequenz-Planartransistor
DE2361171A1 (de) halbleitervorrichtung
DE2105164C2 (de) Halbleiterbauelement mit Basis- und Emitterzone und Widerstandsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1514656A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern
DE2250989A1 (de) Verfahren zur bildung einer anordnung monolithisch integrierter halbleiterbauelemente
DE1194501B (de) Streifenfoermige durch eine Isolierschicht von dem Halbleiterkoerper getrennte Zuleitung zu einer Elektrode eines Halbleiterbauelements, Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen
AT227779B (de) Gekapselte Halbleiterdiode mit PN-Übergang
DE2028632A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1957774C (de) Verfahren zum Herstellen einer gleichrichtenden Halbleiteranordnung
DE1789171C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1639254C (de) Feldeffekthalbleiteranordnung mit isoliertem Gatter und einem Schaltungselement zur Verhinderung eines Durchschlags sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1514865C (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977