CH444969A - Kontaktierte Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Kontaktierte Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

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CH444969A
CH444969A CH1653864A CH1653864A CH444969A CH 444969 A CH444969 A CH 444969A CH 1653864 A CH1653864 A CH 1653864A CH 1653864 A CH1653864 A CH 1653864A CH 444969 A CH444969 A CH 444969A
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disc
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carrier
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CH1653864A
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Paul Lepselter Martin
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Western Electric Co
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Description


  Kontaktierte Schaltungsanordnung und Verfahren     zu    deren Herstellung    Die Erfindung bezieht sich auf eine kontaktierte       Schaltungsanordnung    mit mindestens einem Scheibchen,  einer auf dessen Fläche angebrachten Isolierschicht mit  mindestens einer Öffnung zum Herstellen einer elektri  schen Verbindung zu den Scheibchen und auf ein  Verfahren zur Herstellung einer solchen integrierten  Schaltungsanordnung.  



  Die Erfindung hat besondere Bedeutung für die       Kontaktierung    von Halbleitern zwecks Herstellung inte  grierter Schaltungen. Die Technik integrierter Halbleiter  schaltungen hat sich in neuerer Zeit rapid entwickelt,  und die gegenwärtigen Hauptüberlegungen gehen dahin,  die elektrische Isolation zwischen den     einzelnen    Elemen  ten derartiger integrierter Schaltungen befriedigend       auszuführen.    Der Konstrukteur einer integrierten Schal  tung geht hierzu von der allgemeinen Alternative aus,  entweder einen     monolitischen    Halbleiterblock zu ver  wenden,

   in den die zwischen den Elementen vorgesehene  Isolation durch eindiffundierte Zonen bestimmten     Leit-          fähigkeitstyps    erhalten wird, oder durch Herstellen der  Anordnung aus einer Mehrzahl     einzelner    Halbleiterplätt  chen oder Scheibchen. Bei der     monolitischen    Ausfüh  rungsform     hängt    die Isolation zwischen einzelnen  Elementen vom     Leitfähigkeitstyp    des zwischenliegenden  Materials ab, und solche Vorrichtungen sind     hinsichtlich     gegenüber solche Zwischenschichten stattfindende elek  trische Kopplungen     anfällig.    Eine solche Kopplung ist  bei bestimmten Schaltungen und Anwendungsgebieten  tragbar.

   In vielen Fällen ist jedoch eine absolute  Isolation     zwischen    den     einzelnen    Elementen notwendig.  In diesen Fällen wird daher einem Aufbau aus     einzelnen     Scheibchen der Vorzug gegeben. Diese Technik erfor  derte jedoch bisher das Herstellen, Handhaben und  Verbinden     einzelner        Halbleiterscheibchen    äusserst klei  ner Abmessungen in .einem entsprechend komplizierten  Herstellungsvorgang. Ausserdem war die hierbei erreich  bare Packungsdichte der einzelnen Schaltungselemente    begrenzt.

   Es ist daher ein Weg erwünscht, auf dem die  bei der     monolitischen    Methode erreichbare hohe     Pak-          kungsdichte    der einzelnen Bauelemente zusammen mit  der beim Aufbau aus     Einzelscheibchen    erreichbaren  vollständigen elektrischen Isolation zwischen den einzel  nen Bauelementen .erhalten werden kann.  



  Die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung ist da  durch     gekennzeichnet,    dass eine Trägerelektrode mit  einem Kontaktteil, der über der Isolierschicht und der  Öffnung     liegt,    und einem abstehenden     Anschlussteil,    der  mit dem Kontaktteil ein Ganzes bildet, vorgesehen ist,  wobei der Anschlussteil einen Träger für das Scheibchen  bildet.  



  Dabei kann jedes Scheibchen     ein.    oder mehrere       aktive    oder passive Schaltungselemente, wie Transisto  ren, Dioden, Widerstände, Kondensatoren usw., enthal  ten.  



  Die Schaltungsanordnung kann auch als integrierte  Schaltung mit mehreren Scheibchen ausgebildet sein,  wobei jeweils zwei benachbarte Scheibchen durch eine  Trägerelektrode verbunden sind, die eine solche Stärke  aufweist, dass die Scheibchen durch die Trägerelektro  den in fester räumlicher Beziehung zueinander gehalten  werden.

      Ein Verfahren zur Herstellung einer solchen inte  grierten Schaltungsanordnung ist dadurch gekennzeich  net, dass auf der Oberfläche einer Scheibe, die eine  Anzahl     einzelner    Scheibchen     enthält,    deren jedes minde  stens ein elektrisches Schaltungselement aufweist, und  die     eine    Isolierschicht mit Öffnungen zum Herstellen  elektrischer Verbindungen zu den Schaltungselementen  trägt, eine Trägerelektrode gebildet wird, welche über  der Isolierschicht     und    den Öffnungen liegende Kontakt  teile und ferner überstehende Anschlussteile aufweist,  die mit den Kontaktteilen ein Ganzes bilden,

   und dass       anschliessend    zwischen den Scheibchen und unterhalb      der überstehenden     Anschlussteile    befindliche Teile der  Scheibe weggeätzt werden.  



       Im    folgenden werden verschiedene     Möglichkeiten,     die elektrische Isolation der Scheibchen gegeneinander  zu erreichen im     einzelnen    beschrieben. Dabei können  nicht nur     verbesserte    integrierte Schaltungen hergestellt  werden, sondern es     kann    auch deren Herstellung  erheblich     vereinfacht    werden.

   Bei einem     Ausführungs-          beispiel    der Erfindung wird eine Halbleiterscheibe unter  Verwendung bekannter Maskier-,     Ätz-    und Diffusions  techniken mit dem Ziel behandelt, eine Schaltungsanord  nung mit einer Anzahl     einzelner    Schaltungselemente  innerhalb der Scheibe zu erzeugen. Zu diesem Zwecke  wird auf einer     Fläche    der     Scheibe        ein    die     einzelnen     Schaltungselemente verbindendes     Metallfilmmuster    als  Trägerelektrode niedergeschlagen.

   Diese wird hierbei 'auf       Oxydabdeckungen,        .die    auf der Oberfläche vorgesehen  sind, sowie durch dieselben hindurch auf der     Oberfläche     aufgebracht. Insbesondere kann hierzu     vorteilhaft        eine          Metallschichtanordnung,    die     beispielsweise    aufeinander  folgend eine Titan-,     eine        Platin-    und     eine    Goldschicht       enthält,    verwendet werden, wobei die Dicke der Gold  schicht in denjenigen Gebieten stark     vergrössert    wird,

       in     denen -die     Grenzen    zwischen den     einzelnen        Halbleiter-          scheibchen    der     integrierten    Schaltung     liegen.        Anschlies-          send        wird    die gegenüberliegende Oberfläche der Scheibe  mit einem Muster maskiert, das sich derart in Deckung  mit der integrierten     Schaltung    befindet, dass eine Entfer  nung des     Halbleitermaterials    ermöglicht wird, das zwi  schen den     einzelnen    Scheibchen liegt.

   Eine solche Ent  fernung kann     beispielsweise    mit     Hilfe    chemischer     Ätz-          verfahren    oder mit     Hilfe    mechanischen oder elektrischen  Bombardements erfolgen. Das gewählte     Materialabtra-          gungsverfahren        muss    derart sein, dass die die     einzelnen     Scheibchen verbindenden     Metallschichten    nicht     erodiert          werden.    So ist z.

   B. die     Fluorwasserstoff-Salpetersäure-          Standarmischung    ein zur Entfernung von     Silizium    geeig  netes, selbstbegrenzendes     Ätzmittel.     



  Bei diesem     Materialabtragverfahren    wird eine     inte-          grierte        Schaltungsanordnung    erhalten, bei der die  Scheibchen mit den darauf befindlichen Schaltungsele  menten aus einem einzigen Materialblock hergestellt  sind, aber in bestimmtem Abstand voneinander gehalten  werden und durch die starken Metallbrücken der  Trägerelektrode     mechanisch    gehaltert und elektrisch in  der gewünschten Weise miteinander verbunden sind.  



  Man kann hierbei die Nutzanwendung aus der  Entdeckung ziehen dass die     Grenzfläche    zwischen einer  Schicht eines      aktiven         Metalles,    z. B. Titan oder       Tontal,    und einem     dielektorischen    Oxyd, z. B. Silizium  dioxyd, eine praktisch     unüberwindbare    Barriere gegen  ein Eindringen     schädlicher    Substanzen bildet. Halbleiter  bauelemente der     Schaltung    können     pn-Übergänge    haben,  welche die     Oberfläche    schneiden.

   Die aktive     Oberfläche     eines solchen Halbleiterbauelementes,     d.    h. eine Oberflä  che, die durch     pn-Übergänge        geschnitten    wird,     kann     hermetisch abgedichtet werden, und zwar durch Auf  bringen einer     Siliziumdioxydsdhicht    und darüber     einer     Schicht eines  aktiven      Metalles.     



  Darüber hinaus kann ein weiterer     Schutz    der aktiven       Oberfläche    erhalten werden durch Aufbringen einer  zusätzlichen Schicht eines     Kontaktmetalles,    z. B. Platin,  Silber oder Gold oder     einer    Kombination hiervon, auf  der Oberseite der Schicht aktiven     Metalles,    die die  vertikalen Projektionen der     darunterliegenden        pn-Über-          gänge    abdeckt, sowie sich über dieselben hinaus    erstreckt.

   Bei einem solchen Aufbau wird ein     seitliches,     längs der     Schichtengrenzflächen    erfolgendes     Eindringen     von Verunreinigungen durch die Kombination von Oxyd  und aktivem Metall verhindert, während eine in  Querrichtung durch die etwas poröse Schicht des aktiven       Metalles    und die     Oxydschicht    hindurch erfolgende  Diffusion durch die äusseren     Kontaktmetallbeschichtun-          gen,    z. B. durch die Platin-, Silber- und/oder Gold  schicht, ausgeschlossen wird.  



  Bei Verwendung der vorstehend beschriebenen       Oxydschichten    Schichten aktiven     Metalles    und Kontakt  metalles zur Bildung der starken Verbindungen zwischen  den     einzelnen    Scheibchen werden nicht nur eine  mechanische Halterung und eine elektrische Verbindung  erreicht, sondern die Scheibchen werden zugleich herme  tisch in einem einfachen Arbeitsgang abgedichtet.  



  Im folgenden ist die Erfindung anhand der Zeich  nung beispielsweise beschrieben. Es zeigen:       Fig.    1 eine perspektivische Ansicht, teilweise ge  schnitten, eines Teiles .einer integrierten Schaltung;       Fig.    2 eine Draufsicht auf eine integrierte Schal  tung;       Fig.    3 das     Schaltbild    der Anordnung nach     Fig.    2.  



  In der     Fig.    1 sind Teile von sechs Scheibchen einer  integrierten Schaltung dargestellt. Es sei bemerkt,     dass     die Figur im Interesse der Klarheit eine nicht     masstabs-          gerechte    Vergrösserung darstellt. Es sind nur vier der       Halbleiterscheibchen    11, 12, 13     und    14 so weit  dargestellt, dass ihre mechanische und     elektrische     Verbindung zu sehen ist.

   Die Teile der Scheibchen 40  und 41 zeigen die mögliche Weiterführung der Anord  nung.     Im        einzelnen    können die     Halbleiterscheibchen    11,  12, 13 und 14 aus einem     Silizium-Einkristall    bestehen;  sie sind aus einer Scheibe herausgearbeitet, die etwa  0,076 bis 0,127 mm dick und etwa 645     mm2    gross  ist.  



  Wie aus der Schnittansicht der     Fig.    1 ersichtlich ist,  wird die Halbleiterscheibe einer Reihe     Diffusionsschritte     mit dem Ziel unterworfen,     planare    Halbleiterbauelemen  te zu erzeugen, wie diese für die jeweilige Schaltung       gewünscht    sind. So weist beispielsweise das letzte  Scheibchen 11 eine     ni--Emitterzone    21 auf, ferner       zwischenliegende    p- und     n-Zonen    22 bzw. 23, wiederum  gefolgt von einer als Unterlage dienenden     n+-Zone    24.

    Der sich hierauf beziehende Herstellungsvorgang soll im       einzelnen    nicht     beschrieben    werden, da er nicht Bestand  teil der     Erfindung    ist. Die hierfür in Frage     kommenden     Techniken,     einschliesslich        epitaxialer        Auftragung,    ge  folgt von Maskier- und     Diffusionsschritten,    sind allge  mein bekannt. Wie bereits bemerkt, können sowohl  aktive Elemente, z. B. Transistoren und Dioden, als auch  passive Elemente, z. B. Widerstände und Kondensato  ren, in die Scheibe eingearbeitet, z. B.     eindiffundiert,     werden.  



  Auf die Diffusionsbehandlung folgend, wird die  Halbleiterscheibe mit     einem    Verbindungen herstellenden       Metallfilmmuster    versehen, das beispielsweise mit     Hilfe     von aus der Dampfphase erfolgendem Abscheiden durch       Metallmasken    hindurch oder durch mittels photochemi  scher Verfahren hergestellter Masken hindurch erzeugt  wird. Wie aus der Zeichnung hervorgeht, ist jedes       einzelne    Scheibchen auf einer Seite, ausgenommen die  Teile, an denen die Metallelektroden angesetzt sind, mit  einem     Siliziumdioxydfihn    bedeckt.

   So ist beispielsweise  beim Scheibchen 11 die     Verbindung    zur     ni--Zone    21  mit     Hilfe    des Kontaktteils 18 und zur     p-Zone    22 mit           Hilfe    des Kontaktteils 17, hergestellt. Eine Verbindung  zur     n-Zone    24 geschieht über den Kontaktteil 25.       Eine    Verbindung zum benachbarten     Halbleiterscheib-          chen    12 ist, wie aus der Zeichnung hervorgeht, mit     Hilfe     des verdickten     Anschlussteiles    19 hergestellt.

   Die Ver  bindung vom Kontaktteil 17 erfolgt über den verdickten  Anschlussteil 20 zur Oberfläche des Scheibchens 14. In       ähnlicher    Weise verläuft eine Verbindung vom Kontakt  teil 25 zum Kontaktteil 27, der den     Anschluss    an die     p-          Zone    29 des Scheibchens 13 bildet, über den verdickten       Anschluss-    oder Verbindungsteil 26. Die Oberfläche der       Halbleiterscheibchen    11, 12, 13 ist, ausgenommen an  den Teilen, an denen die Kontaktteile aufgebracht sind,       mit    einer     Siliziumdioxydschicht    15, 16, 28 unterschiedli  cher Dicke bedeckt.  



  Wie aus der     Fig.    1 hervorgeht, liegen die     Anschluss-          teile    der Trägerelektrode über der     Oxydbeschichtung.     Jeder der verdickten     Anschluss-    oder Verbindungsteile  19, 20 und 26 ist aus Gold aufgebaut, und zwar auf     einer     Unterlage, die aus Titan- und Platinschichten besteht.  Normalerweise können die anfänglichen Schichten aus  Titan und Platin etwa 1000     bzw.    5000 A     (Angströmein-          heiten)    dick sein. Die Goldschicht ist andererseits viele  Male dicker; ihre Dicke liegt im     Einzelfall    oberhalb etwa  <B>100000</B> A.

   Während der Herstellung wird normaler  weise die Dicke des     Halbleiterscheibehens    reduziert, um  die zwischen den     Schei'bchen    zu entfernende     Silizium-          menge    zu verringern.

   Demgemäss     kann    die fertige Halb  leiteranordnung 10, von der ein Teil in     Fig.    1 dargestellt  ist, einen etwa 0,025 bis 0,05     mm    dicken Halbleiterteil  besitzen, bei dem ferner die     einzelnen    Scheibchen 11, 12,  13 und 14 durch dicke     Anschlussteile    19, 20 und 26 in  gegenseitigem Abstand gehalten werden, die     vorteilhaf-          terweise    etwa 0,0125 mm dick sind. Im     Einzelfall     können die Dicken der     Anschlussteile    zwischen etwa  0,0063 und 0,0254 mm entsprechend der geforderten  mechanischen Stabilität liegen.  



  Ein besseres Verständnis der Vorteile dieser beson  deren Struktur ergibt sich aus einer Erläuterung  verschiedener alternativer     Herstellungsmethoden.    Wie  vorstehend     erwähnt,    sind diejenigen     anfänglichen    Fabri  kationsschritte üblich und allgemein bekannt, die eine  diffundierte Halbleiterscheibe     liefern,    auf der eine       Siliziumoxydschicht    aufgebracht ist, und zwar     mit        Hilfe     entweder irgendeines der verschiedenen     Aufdampfver-          fahren    oder mit     Hilfe    thermischer Züchtungsverfahren.

    Die     oxydbeschichtete        Oberfläche    wird dann unter Ver  wendung     photochemischer    Verfahren     maskiert.    Hierbei  wird ein Muster entwickelt, das zum Abscheiden der  Kontaktteile 17, 18; 25 und<B>27</B> dient.     Anschliessend     werden eine     Titanschicht    und eine Platinschicht auf der  maskierten     Oberfläche    abgeschieden.  



  Entsprechend einer Herstellungstechnik wird im  nächsten     Verfahrensschritt    die Scheibe     nochmals    mas  kiert, wobei nur     diejenigen    Teile frei bleiben auf denen  die dicken     Anschlussteile    19, 20     und    26 der Trägerelek  troden     herzustellen    sind. Auf     diese    nicht maskierten  Teile wird eine starke     Goldbeschichtung    aufgebracht mit  dem Ziel, die     Anschlussteile    bis zu einer für die  gewünschte mechanische Festigkeit     ausreichenden    Stär  ke aufzubauen.

   Die Oberfläche wird dann     erneut    mas  kiert, wobei das gesamte     Elektrodengebiet        einschliesslich     der Kontaktteile 17, 18, 25 und 27     unabgedeckt    bleibt.  Diese     unmaskierten    Gebiete werden dann mit     einer          wieteren    dünnen Goldschicht überzogen, so dass ein       Goldschutzüberzug    über das gesamte Gebiet der Träger  elektroden entsteht.    Es sei bemerkt, dass die Trägerelektrode auch Teile  aufweist, die sich über die Ränder der     eigentlichen     integrierten Schaltung     hinaus    erstrecken.

   Solche vor  springenden leitenden Teile dienen in bequemer Weise  zum Herstellen äusserer Anschlüsse an die integrierte  Schaltung.  



  Es gibt verschiedene Möglichkeiten, wie das zwi  schen den     einzelnen        Halbleiterscheibchen    gelegene       Halbleitermaterial    entfernt werden kann. Nach einem  Verfahren kann die kontaktierte Seite der Scheibe     unter     Verwendung photochemischer Verfahren maskiert wer  den, wonach die Scheibe, falls sie aus Silizium besteht,       mit        Hilfe    des bereits genannten Standardätzmittels,       nämlich    einer Mischung aus     Fluorwasserstoffsäure    und  Salpetersäure, abgeätzt wird.

   Hierdurch werden die nicht  maskierten Silizium- und     Siliziumdioxydteile        entfernt,     nicht aber die Anschlussteile 19, 20 und 26.     Vorteilhaft     wird die gesamte Fläche, auf der die Trägerelektroden  aufgebracht sind, maskiert, und zwar unter Verwendung  von Wachs oder anderem     ätzbeständigem    Material. Ist  dieses Material relativ dick, beispielsweise von 0,076 bis  0,127 mm, so findet bei diesem     Ätzvorgang    eine gewisse       Hinterschneidung    des maskierten Halbleitermaterials  statt. Es muss daher beim     Entwurf    der Anordnung dieser       Hinterschneidung    Rechnung getragen werden.  



  Ein weiteres Verfahren besteht darin, die Dicke der       Siliziumscheibe    von 0,076 bis 0,127 mm durch mechani  sche oder chemische Methoden auf     etwa    0,0254 bis  0,0508 mm zu reduzieren. Dies hat den Vorteil, dass die       dünnere    Scheibe gegenüber infrarotem Licht praktisch  transparent ist.

   Es kann daher auf der gegenüberliegen  den Fläche der dünnen Scheibe leicht eine Maske  angebracht werden, und zwar durch Ausrichten der  Maske relativ zum auf der oberen Oberfläche vorgesehe  nen Muster, unter     Beobachtung    durch die Scheibe  hindurch unter einem     Infrarot-Mikroskop.        Anschlies-          send    kann, wie oben beschrieben worden, eine     ätzbestän-          dige    Maske in Verbindung mit     einem    Ätzmittel verwen  det werden.

   Da in diesem     Falle    das     Siliziunimaterial          dünner    ist, wird es beim     Ätzvorgang    weniger hinter  schnitten, und der Abstand zwischen den     einzelnen     Scheibchen kann daher     kleiner    gemacht werden.  



  Gemäss einem weiteren Verfahren     wird    als Maske  auf der Rückseite     eine    Goldschicht     verwendet;    die nicht  maskierten, zwischen den     einzelnen    Scheibchen gelege  nen     Siliziumteile    werden dann durch     Abtragungsverfah-          ren    entfernt, die in der einschlägigen Technik bekannt  sind. Ausser diesen     Abtragungsverfahren    können auch  andere     Verfahren,    z. B.     kathodisches    Zerstäuben und       Elektronenstrahlbearbeitutng,    angewendet werden.  



       Eine    derart hergestellte integrierte Schaltung kann in  den Fällen weiter in Teile zerschnitten werden, in denen  in die ganze Scheibe sich wiederholende gleichartige  Schaltungsanordnungen gleichzeitig eingearbeitet worden  sind.  



  In     Fig.    1 ist     eine    Grenzschicht zwischen einer p- und  einer     n-Zone    im     Halbleiterscheibchen    11     unterhalb    des  verdickten     Anschlussteils    19 dargestellt. Zum hermeti  schen Abschliessen des     pn-Überganges        wird    der An  schlussteil 19     vorteilhaft    so hergestellt, dass die den     pn-          übergang    abdeckende     Oxydschicht    zunächst mit einem   aktiven  Metall beschichtet wird.

   Solche  aktiven   Metalle befinden sich     in    den     Gruppen        IVB,    VB und     VIB     des periodischen Systems, und zwar sind dies insbeson  dere     Titan,        Zirkon,        Hafnium,        Vanadium,        Tantal,        Niob     und Chrom.

   Die Grenzfläche zwischen Oxyd und     einem     dieser aktiven Metalle oder einer Kombination derselben      bildet, wie gefunden worden ist, eine praktisch unüber  windbare Schranke gegen ein Eindringen     schädlicher     Substanzen, die den     pn-Ubergang    angreifen könnten. Im       enizelnen    wurde gefunden, d ass beispielsweise eine 1000  A dicke     Titanschicht    ein Eindringen     schädlicher    Sub  stanzen zuverlässig verhindert.  



  Der Anschlussteil 19 wird     dann    durch Beschichten  der Schicht aktiven     Metalles,    z. B. einer     Titanschicht,          mit    einer     Kontaktmetallschicht,    z. B. einer Platin-,  Silber-, Nickel-, Palladium-,     Rhodium-    oder Gold  schicht, fertiggestellt. Die Kontaktschicht, meist Gold, ist  im allgemeinen über 100 000 A dick und hat die  mechanische Festigkeit, die zum Halten der getrennten  Schaltungselemente in gegenseitigem Abstand voneinan  der notwendig ist. Sie sorgt zugleich für die gewünschte  elektrische Verbindung.  



       In        Fig.    2 ist eine Draufsicht auf eine integrierte  Schaltung 50 dargestellt, die vier Transistoren und fünf  Widerstände aufweist und ein     invertiertes         UND -          Gatter        bildet,    das zum Aufbau einer logischen Schaltung  geeignet ist. Drei     Halbleiterscheibchen    51, 52 und 53  sind     im        Abstand    voneinander durch starke Anschluss  oder Verbindungsteile 54, 55, 56, 57, 58 und 59  gehalten, die im folgenden auch kurz     Anschlussteile     genannt werden sollen.  



  In     Fig.    3 ist das Schaltbild der     integrierten    Schaltung  nach     Fig.    2 dargestellt, wobei soweit wie     möglich     identische     Bezugsziffern    verwendet sind. Vier Eingangs  leitungen werden durch starke     Anschlussteile    62, 63, 64  und 65 gebildet, die je mit einem im Scheibchen 53  vorgesehenen     Eingangswiderstand        .81,    82, 83 bzw. 84  verbunden sind. Jede Eingangsleitung ist mit der  Basiselektrode 68, 69, 70; 71 eines     diffundierten        npn-          Flächentransistors    84, 85, 86 bzw. 87 verbunden.

   Die       Emitter    der Transistoren sind über eine gemeinsame  Leitung 67 mit dem äusseren Leiter 61 verbunden. Die  Kollektoren der vier Transistoren sind     mit    einem  gemeinsamen Leiter 66 verbunden, der seinerseits mit  einem im Scheibchen 51 eingearbeiteten Widerstand 80  verbunden ist, zu dem der äussere Leiter 60 führt.  



  Die     integrierte    Schaltung 50 wird als Teil     einer     grossen Anzahl gleicher Schaltungen aus einer einzigen  Halbleiterscheibe hergestellt. Der Abstand zwischen den  Scheibchen 51, 52 und 53 kann in der     Grössenordnung     von 0,0125 mm liegen, und die ganze Vorrichtung hat  eine sehr hohe mechanische Stabilität wegen der durch  die starken     Anschluss-    und Verbindungsteile vorgesehe  nen Halterung.

   Die doppelstreifige     Verbindung    über die       Anschlussteile    54 und 55 zwischen dem gemeinsamen       Kollektoranschluss    und dem Scheibchen 51 dient sowohl  zur     mechanischen    Halterung als auch zur Herstellung  eines nach aussen führenden     Elektrodenanschlusses    für  die Kollektoren.  



  Durch die Verwendung der starken äusseren     An-          schlussteile    60-65     gemäss        Fig.    2 können Verbindungen  mit anderen Schaltungsteilen leicht und einfach herge  stellt werden, und zwar durch Befestigen oder Anlöten  anderer Elektroden oder Leiter !an diese     Anschlussteile.     



  Ferner können die starken Anschlussteile auch auf  beiden Seiten des     Unterlagsmaterials    aufgebracht wer  den. Bei     bestimmten    Schaltungsausführungen kann es  notwendig sein, eine Verbindung von der einen Flachsei  te zur anderen Flachseite durch die Unterlage hindurch  zu führen. Es ist daher für den Entwurf einer Schaltung       grösstmöglichste    Freizügigkeit     vorhanden.    Im allgemei  nen     erfordert    eine     derartige    Konfiguration chemische  Ätzmittel zur Entfernung des zwischenliegenden Halblei-         termaterials,    insbesondere in Schaltungen, die sich durch  besonders hohe     Packungsdichte    auszeichnen.

   Es kann  auch im     einen    oder anderen Fall notwendig werden, als       Zufluss-    oder Abflussöffnungen dienende     Durchbre-          chungen    in den starken     Anschlussteilen    selbst vorzuse  hen, um einen ausreichenden     Ätzmittelfluss    zu erhal  ten.  



  Die Verwendung starker     Anschluss-    und Verbin  dungsteile in     bandförmigen        Konfigurationen    ermöglicht  deren Verwendung in     Mikrowellenübertragungskreisen.     Die Möglichkeit der Einarbeitung von     .erfindungsgemäs-          sen    Halbleiteranordnungen dieser Art in Bandleiter ist  ein besonderer Vorteil.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH I Kontaktierte Schaltungsanordnung mit mindestens einem Scheibchen, einer auf dessen Fläche angebrachten Isolierschicht mit mindestens einer Öffnung zum Herstel len einer elektrischen Verbindung zu dem Scheibchen, dadurch gekennzeichnet, dass eine Trägerelektrode mit einem Kontaktteil (17, 18, 25, 27), der über der Isolierschicht (15, 16, 28) und der Öffnung liegt, und einem abstehenden Anschlussteil (19, 20, 26), der mit dem Kontaktteil ein Ganzes bildet, vorgesehen ist, wobei der Anschlussteil einen Träger für das Scheibchen bildet.
    UNTERANSPRACHE 1. Anordnung nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass das Scheibchen aus Halbleitermate rial besteht. 2. Anordnung nach Patentanspruch I, dadurch ge kennzeichnet, dass die Trägerelektrode aus mehreren Schichten besteht. 3. Anordnung nach Unteranspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerelektrode als dem Scheibchen nächster Schicht eine Titanschicht, ferner eine Zwischenschicht aus Platin und eine äussere Schicht aus Gold aufweist. 4.
    Anordnung nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite eines Scheibchens etwa 0,25 mm beträgt und der Anschlussteil der Trägerelek trode eine Dicke zwischen 105 und 107 Angströmein- heiten und eine Breite zwischen 0,025 und 0,13 mm hat. 5. Anordnung nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass sie als integrierte Schaltung mit mehreren Scheibchen ausgebildet ist, wobei jeweils zwei benachbarte Scheibchen durch eine Trägerelektrode verbunden sind, die eine solche Stärke aufweist, dass die Scheibchen durch die Trägerelektroden in fester räumli cher Beziehung zueinander gehalten werden.
    6. Anordnung nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass sie als integrierte Schaltung mit mehreren Halbleiterscheibchen ausgebildet ist, wobei jeweils zwei benachbarte Halbleiterscheibchen durch eine Trägerelektrode verbunden sind, die eine solche Stärke aufweist, dass die Scheibchen in fester räumlicher Zuordnung zueinander gehalten werden.
    PATENTANSPRUCH II Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schal tungsanordnung nach Patentanspruch I, dadurch ge kennzeichnet, dass auf der Oberfläche einer Scheibe, die eine Anzahl einzelner Scheibchen enthält, deren jedes mindestens ein elektrisches Schaltungselement aufweist, und die eine Isolierschicht mit Öffnungen zum Herstellen elektrischer Verbindungen zu den Schaltungselementen trägt, eine Trägerelektrode gebildet wird,
    welche über der Isolierschicht und den Öffnungen liegende Kontakt teile und ferner überstehende Anschlussteile aufweist, die mit dem Kontaktteilen ein Ganzes bilden, und dass anschliessend zwischen den Scheibchen und unterhalb der überstehenden Auschlussteile befindliche Teile der Scheibe weggeätzt werden. UNTERANSPRÜCHE 7. Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass man Scheibchen aus Halbleiterma terial verwendet und die Trägerelektrode aus mehreren Schichten aufbaut. B.
    Verfahren nach Unteranspruch 7, dadurch ge kennzeichnet, dass auf der Halbleiterscheibe zuerst eine Schicht aus Titan, dann eine Zwischenschicht aus Platin und eine äussere Schicht aus Gold erzeugt werden. 9. Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerelektrode je zwischen zwei benachbarten Scheibchen mit einem Kontaktteil auf jedem Scheibchen und einem die Scheibchen verbinden den überbrückenden Teil erzeugt wird. 10. Verfahren nach Unteranspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerelektrode zwischen zwei Halbleiterscheibchen erzeugt wird.
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