DE4244115C2 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung - Google Patents
Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der HalbleitervorrichtungInfo
- Publication number
- DE4244115C2 DE4244115C2 DE4244115A DE4244115A DE4244115C2 DE 4244115 C2 DE4244115 C2 DE 4244115C2 DE 4244115 A DE4244115 A DE 4244115A DE 4244115 A DE4244115 A DE 4244115A DE 4244115 C2 DE4244115 C2 DE 4244115C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- boron
- semiconductor device
- layer
- silicon
- dose
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 72
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- -1 boron ions Chemical class 0.000 claims description 45
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 31
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 27
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 23
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26566—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation of a cluster, e.g. using a gas cluster ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/2658—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation of a molecular ion, e.g. decaborane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3215—Doping the layers
- H01L21/32155—Doping polycristalline - or amorphous silicon layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine
Halbleitervorrichtung, welche mit einer Fremdatomschicht
versehen ist, welche Ladungsträger hat, die durch einen
Niedrigtemperaturprozeß gebildet sind, und auf ein
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung,
welche Ladungsträger in einer Fremdatom-Diffusionsschicht
in Übereinstimmung mit einem Niedrigtemperaturprozeß
bilden kann.
Mit dem Fortschritt der Mikrominiaturisierung und höherer
Integration von MOS integrierten Schaltungselementen sind
die Gebiete der Leitungsabschnitte zum Verbinden
metallischer Drähte mit polykristallinen
Siliziumschichten, Gate-Elektroden,
Drain-Diffusionsschichten usw. extrem kleiner geworden.
Resultierend aus dieser Tendenz gibt es ein ernsthaftes
Problem, als daß der Kontaktwiderstand der Verdrahtung
mehr und mehr ansteigt.
Der Kontaktwiderstand pro Einheitsfläche ist bestimmt
durch die Differenz in der Austrittsarbeit zwischen dem
Metall und dem Halbleiter und weiterhin durch die
Konzentration der Fremdatomionen, welche in dem
Halbleitersubstrat elektrisch aktiviert sind. Um den
Kontaktwiderstand zu reduzieren, verkleinert man
vorzugsweise die Differenz in den Austrittsarbeiten
zwischen dem Metall und dem Halbleiter und vergrößert die
Fremdatomionenkonzentration des Halbleiters. Deshalb
kennt man bisher, z. B. aus "VLSI Technology", S. M. Sze, McGraw Hill, 1983, 242-253 als Verfahren zum Steigern der
Konzentration von Fremdatomionen, welche in dem
Halbleiter elektrisch aktiviert sind, das Verfahren des
Bildens einer aktivierten Fremdatomschicht durch Tempern
eines Halbleitersubstrats bei einer hohen Temperatur, in
welches Fremdatomionen implantiert worden sind.
Jedoch ist es bei dem oben erwähnten Verfahren nach dem
Stand der Technik des Implantierens von Fremdatomionen in
ein Halbleitersubstrat und anschließendes Tempern des
Halbleitersubstrats bei einer hohen Temperatur, so daß
die Fremdatomionen als Donatoren oder Akzeptoren
funktionieren können, unmöglich, die Konzentration der
aktivierten Fremdatomionen über die
Festkörperlöslichkeitsgrenze, welche an der
Tempertemperatur bestimmt ist, anzuheben. Da
dementsprechend die Fremdatomionen tiefer und tiefer
während der Hochtemperaturbehandlung eindiffundieren,
existiert insofern ein Problem, als daß die
Fremdatomkonzentration reduziert wird und die
Übergangstiefe der diffundierten Schicht tief wird.
Die DE-OS 20 53 785 offenbart ein Bordiffusionsverfahren für
Silizium, bei dem ein vorwiegend aus Sauerstoff bestehendes
Trägergas mittels einer Borverbindung mit Bor angereichert und
über die in einem Reaktionsraum angeordneten sowie auf
Diffusionstemperatur gebrachten Festkörper geleitet wird, wobei
dem Trägergas ein mit Borsäureester angereichertes inertes Gas
zugesetzt wird.
Aus der DE 31 51 437 A1 ist ein Verfahren zum Herstellen einer
vergrabenen Zenerdiode bekannt. Ausgehend von n-leitendem
Siliziumsubstrat wird nach dem Fotoprozess zum Herstellen der
Siliziumdioxidmaske für die Basis- und Emitterzonendiffusion
nach Aufbringen einer Fotolackschicht erneut ein Prozess zum
Herstellen eines Fensters vorgenommen, durch das Bor unter
Ausbildung eines p-dotierten Bereichs implantiert wird. Nach
Einbringen des für die Basisdiffusion erforderlichen
Dotierungsmaterials vom p-Leitungstyp wird in einem
Hochtemperaturprozess die p-leitende Basiszone und eine p+-
leitende Zone eindiffudiert, an deren Übergang zur danach
eingebrachten n+-leitenden Emitterzone der Zenerabbruch
stattfindet.
Angesichts dieser Probleme ist es deshalb Aufgabe der
vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung mit
einem hohen Aktivierungsgrad der
Fremdatomdiffusionsschicht und niedriger Diffusionstiefe
der Fremdatomschicht, sowie ein Verfahren zum Herstellen
der oben erwähnten Halbleitervorrichtung zu schaffen.
Die obige Aufgabe wird gelöst durch die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1
und das Verfahren nach Anspruch 4.
Bevorzugte Weiterbildungen finden sich in den Unteransprüchen.
Bei der Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden
Erfindung werden die Cluster ikosaedrischer Struktur,
welche jeweils aus zwölf Boratomen bestehen, in der
Fremdatomdiffusionsschicht des Halbleiters gebildet und
die gebildeten Cluster schaffen Löcher und dienen somit
als Akzeptoren. Die Cluster werden gebildet durch
Implantieren von Borionen oder durch Zerlegen einer
Verbindung mit Bor.
Bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung ist es
möglich, eine Fremdatomschicht des Lochleitungstyps mit
einer hohen Trägerkonzentration durch einen extremen
Niedrigtemperaturprozeß zu bilden, was zu vergleichen ist
mit dem Verfahren nach dem Stand der Technik, welches jedoch
einen relativen Hochtemperaturtemperprozeß erfordert.
Die Figuren zeigen im einzelnen:
Fig. 1A bis 1E Querschnittsansichten zum Zeigen des
Herstellungsprozesses der
Halbleitervorrichtung nach der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine graphische Darstellung zum Zeigen
eines Profils der
Ladungsträgerkonzentration in der
Tiefenrichtung in dem Kontaktabschnitt
der Halbleitervorrichtung nach der
vorliegenden Erfindung im Vergleich
mit der der Halbleitervorrichtung nach
dem Stand der Technik;
Fig. 3 eine graphische Darstellung zum Zeigen
von Profilen der
Ladungsträgerkonzentration in der
Tiefenrichtung, welche erhalten
werden, wenn die Halbleitervorrichtung
bei 550°C in einer
Stickstoffatmosphäre getempert wird,
wobei die Temperzeit ein Parameter
ist, im Vergleich mit denen, welche
vorher ohne Tempern erhalten wurden;
Fig. 4 eine graphische Darstellung zum Zeigen
der Beziehung zwischen der
Maximumladungsträgerkonzentration und
der Dosis, welche erhalten werden,
wenn die Vorrichtungsproben
ionenimplantiert werden in
verschiedenen Dosen und bei 550°C in
einer Stickstoffatmosphäre eine Stunde
lang getempert werden, im Vergleich
mit denen, die vor dem Tempern
erhalten werden;
Fig. 5 eine graphische Darstellung zum Zeigen
der Beziehung zwischen dem
Schichtwiderstand und der Dosis, wobei
die Beschleunigungsenergie für die
Ionenimplantation ein Parameter ist;
Fig. 6 eine graphische Darstellung zum Zeigen
eines Bereiches, in dem eine Schicht
mit niedrigem Widerstand gebildet
werden kann;
Fig. 7 eine graphische Darstellung zum Zeigen
von Profilen der
Ladungsträgerkonzentration in der
Tiefenrichtung, welche erhalten werden
mit der Tempertemperatur als
Parameter;
Fig. 8 eine graphische Darstellung zum Zeigen
des Resultats, welches erhalten wird
durch ein Infrarotabsorptionsspektrum-
Meßverfahren;
Fig. 9 eine typische Illustration zum Zeigen
einer Kristallstruktur, in welcher ein
Cluster ikosaedrischer Struktur
bestehend aus zwölf Boratomen
innerhalb eines Siliziumkristalls
vorliegt;
Fig. 10 eine graphische Darstellung zum Zeigen
von Profilen von Bor und
Ladungsträgerkonzentration in der
Tiefenrichtung, welche erhalten
werden, wenn Borionen in das Substrat
implantiert werden;
Fig. 11 eine graphische Darstellung zum Zeigen
der Beziehung zwischen der
Schichtladungsträgerkonzentration und
der Bordosis;
Fig. 12 eine graphische Darstellung zum Zeigen
der Beziehung zwischen der
Schichtladungsträgerkonzentration und
der Infrarotabsorptionsintensität,
welche verursacht wird durch die
Gegenwart der Cluster, welche jeweils
aus zwölf Borionen bestehen;
Fig. 13 eine graphische Darstellung zum Zeigen
von Profilen der
Ladungsträgerkonzentration in der
Tiefenrichtung, welche erhalten
werden, wenn die Vorrichtungsproben
getempert werden bei 550°C bis 900°C
eine Stunde lang in einer
Stickstoffatmosphäre;
Fig. 14 eine graphische Darstellung zum Zeigen
der Beziehung zwischen der
Schichtladungsträgerkonzentration und
der Bordosis in einem polykristallinen
Silizium;
Fig. 15A bis 15E Querschnittsansichten zum Zeigen des
Prozesses des Herstellens der
Halbleitervorrichtung nach der
vorliegenden Erfindung, bei Anwendung
auf eine polykristalline
Siliziumverdrahtung mit niedrigem
Widerstand, welche bei einer niedrigen
Temperatur gebildet wird;
Fig. 16 eine graphische Darstellung zum Zeigen
der Beziehung zwischen der
Ladungsträgerkonzentration und der
Borkonzentration in einem unter
Benutzung eines gemischten Borgases
abgeschiedenen Films; und
Fig. 17A bis 17C Querschnittsansichten des Prozesses
des Herstellens der
Halbleitervorrichtung nach der
vorliegenden Erfindung bei Anwendung
auf einen MOS-Transistor der
LDD-Struktur.
Die Ausführungsformen der Halbleitervorrichtung nach der
vorliegenden Erfindung werden im folgenden beschrieben.
Fig. 1A bis 1E zeigen exemplarische Schritte der
Herstellung eines Halbleitervorrichtungselements in
Übereinstimmung mit dem Verfahren nach der vorliegenden
Erfindung. Wie in Fig. 1A gezeigt, wird ein
Siliziumdioxidfilm 2 mit einer Dicke von 400 nm auf einem
einkristallinen Siliziumsubstrat 1 in Übereinstimmung mit
einer CVD-(CVD = chemical vapor deposition = chemische
Gasphasenabscheidung) Technik abgeschieden. Daraus
folgend, wie gezeigt in Fig. 1B, wird ein Kontaktloch 3
von einem 1 µm × 1 µm Quadrat in dem Siliziumdioxidfilm
2 durch einen Strukturierungsprozeß gebildet. Weiterhin
werden Borionen B+ in das einkristalline Siliziumsubstrat
1 unter Benutzung des Siliziumdioxidfilms 2 als Maske
unter den Bedingungen abgeschieden, daß die
Beschleunigungsenergie 35 keV und die Dosis
3 × 1016 cm-2 ist. Durch diese Ionenimplantation kann
eine Fremdatomdiffusionsschicht 4, wie in Fig. 1C
gezeigt, am gesamten Ort in dem Halbleitersubstrat 1
gebildet werden. Darauf wird das Halbleitersubstrat bei
550°C eine Stunde lang in einer trockenen
Stickstoffatmosphäre mit einem Heizofen getempert. Ein
Widerstandsheizofen wird als dieser Heizofen benutzt.
Weiterhin wird die Oberfläche des Halbleitersubstrats 1
geätzt mit einer Tiefe von ungefähr 100 nm unter
Benutzung einer Mischlösung von Flußsäure, Essigsäure und
Salpetersäure, so daß die Fremdatomdiffusionsschicht 4
ausgehoben wird bis etwa 100 nm von der Oberfläche des
Siliziumsubstrats 1, wie in Fig. 1D gezeigt. Darauf wird,
wie in Fig. 1E gezeigt, eine leitfähige Schicht 5 aus
einem metallischen Film mit einer Dicke von 800 nm auf
dem Substrat durch Abscheiden von Aluminium
beispielsweise unter Benutzung einer Sputtertechnik
abgeschieden. Weiterhin wird eine Elektrode gebildet
durch Strukturieren dieser leitfähigen Schicht 5 in
Ausrichtung mit dem Kontaktloch 3.
Der gemessene Kontaktwiderstandswert zwischen der
Aluminiumelektrode und der Fremdatomdiffusionsschicht,
welche in Übereinstimmung mit dem Verfahren der ersten
Ausführungsform gebildet wird, ist 8 × 10-8 Ohm cm2.
Um den Reduzierungseffekt des Kontaktwiderstands zu
untersuchen, welcher erhalten wird in Übereinstimmung mit
dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung im
Vergleich zu dem, welcher erhalten wird in
Übereinstimmung mit dem herkömmlichen Verfahren, werden
Borionen in ein Halbleitersubstrat unter derselben
Bedingung wie oben implantiert, und das
Halbleitersubstrat wird in einer Stickstoffatmosphäre
getempert (die Tempertemperatur ist 900°C, die Temperzeit
ist 30 Minuten und die Fremdatomdiffusionsschicht 4 wird
nicht geätzt). Das Meßresultat des Kontaktwiderstandswert
ist 4 × 10-7 Ohm cm2. Das zeigt, daß beim Verfahren nach
der vorliegenden Erfindung der Kontaktwiderstandswert
merklich reduziert werden kann im Vergleich zu dem, der
erhalten wird in Übereinstimmung mit dem herkömmlichen
Verfahren.
Weiterhin ist in dem Fall, in dem die Oberfläche des
Halbleitersubstrats nicht geätzt wird mit der Mischlösung
nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung, der
Kontaktwiderstand 1 × 10-7 cm2. Das zeigt, daß obwohl der
Kontaktwiderstandswert höher ist als in dem Fall, wo das
Ätzen bewirkt wird, der Kontaktwiderstandswert reduziert
werden kann auf 1/4 im Vergleich zu dem Fall des
Verfahrens nach dem Stand der Technik. Weiterhin kann
grob derselbe Kontaktwiderstandswert wie oben beschrieben
werden erhalten werden bezüglich der Kontaktlöcher
verschiedener Größen.
Weiterhin ist bei dem Verfahren der vorliegenden
Erfindung, wenn das Kontaktloch gebildet wird durch
Ausheben der Oberfläche der Fremdatomdiffusionsschicht 4
durch Ätzen der Oberfläche des Halbleitersubstrats unter
Benutzung einer Mischlösung ohne irgendein Tempern nach
der Borionenimplantation, der Kontaktwiderstandswert
8 × 10-8 Ohm cm2. Das zeigt, daß der
Kontaktwiderstandswert ebenfalls merklich reduziert
werden kann in dem oben erwähnten Fall.
Danach wird die Ladungsträgerkonzentration an dem
Kontaktabschnitt, welcher gebildet ist in Übereinstimmung
mit dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung, das
heißt, das Profil der Konzentration der aktivierten
Fremdatome in der Tiefenrichtung untersucht durch
Messen der Lochkonzentration. Fig. 2 zeigt das
geprüfte Profil davon, welches zeigt, daß eine
Ladungsträgerkonzentration so hoch wie 6 × 1020 cm-3
erhalten werden kann nahe der Oberfläche des Kontaktlochs
unter der Bedingung der vorliegenden Erfindung.
Demgegenüber ist beim Verfahren nach dem Stand der
Technik, wobei das Substrat bei 900°C 30 Minuten lang in
einer Stickstoffgasatmosphäre getempert wird, die
Ladungsträgerkonzentration in dem Kontaktabschnitt so
niedrig wie etwa 1 × 1020 cm-3.
Um zusätzlich die Beziehung zwischen dem Tempern nach der
Ionenimplantation und dem Ätzen detailliert zu
untersuchen, wird das Ladungsträgerprofil untersucht für
die Proben, bei denen die Ionen unter denselben
Bedingungen implantiert werden wie im Fall des Verfahrens
der vorliegenden Erfindung (i. e. Borionen werden
implantiert in das einkristalline Siliziumsubstrat unter
den Bedingungen, daß die Beschleunigungsenergie 35 keV
und die Dosis 3 × 1016 cm-2 ist) und danach wird das
Tempern bewirkt bei 550°C in einer Stickstoffatmosphäre
in verschiedener Dauer im Vergleich mit dem Fall, in dem
kein Tempern bewirkt wird. Die Untersuchungsresultate
sind in Fig. 3 gezeigt.
Fig. 3 zeigt, daß es möglich ist, eine
Ladungsträgerkonzentration so hoch wie etwa 6 × 1020 cm-3
an der Tiefenposition von etwa 0,1 bis 0,15 µm
unabhängig von der Gegenwart oder Abwesenheit des
Temperns und Zeitdauer des Temperns zu halten. Weiterhin
zeigt diese Darstellung, daß, falls kein Tempern
durchgeführt wird, die Ladungsträgerkonzentration so
niedrig wie 1 × 1019 cm-3 an der Oberfläche ist. Wenn
jedoch Tempern eine Stunde lang ausgeführt wird, kann die
Ladungsträgerkonzentration auf einen Wert von etwa
2 × 1020 cm-3 angehoben werden.
Deshalb ist es möglich, den Kontaktwiderstandswert von
weniger als 1 × 10-7 Ohm cm2 zu realisieren, welcher
erforderlich sein kann dafür, daß die zukünftigen
Halbleitervorrichtungen hinreichend mikrominiaturisiert
werden können, durch Bestimmen der
Ladungsträgerkonzentration zu mehr als 2 × 1020 cm-3 an
der Oberfläche der Fremdatomdiffusionsschicht, welche
erhalten wird, bevor das Kontaktloch gebildet wird,
unabhängig von der Gegenwart oder Abwesenheit des
Ätzprozesses.
Weiterhin zeigt Fig. 4 die Beziehung zwischen der
Maximumladungsträgerkonzentration und der Dosis, welche
erhalten wird aus den Meßresultaten der
Ladungsträgerkonzentrationsprofile. Diese
Ladungsträgerkonzentrationsprofile werden erhalten unter
Benutzung der Proben, welche gebildet werden durch
Implantieren von Borionen in ein einkristallines
Siliziumsubstrat bei 35 keV mit verschiedenen Dosen und
getempert werden bei 550°C eine Stunde lang in einer
Stickstoffatmosphäre, im Vergleich mit den Proben, welche
ohne Tempern gebildet werden.
Die Darstellung zeigt, daß es möglich ist, einen Bereich
zu erhalten, in dem die Ladungsträgerkonzentration so
hoch wie 2 × 1020 cm-3 oder mehr ist, wobei ein
Übergangsbereich zwischen einem Bereich niedriger
Ladungsträgerkonzentration und dem Bereich hoher
Ladungsträgerkonzentration vorliegt, unabhängig vom
Tempern bei 550°C eine Stunde lang in der
Stickstoffatmosphäre, solange die Dosis 1,5 × 1016 cm-2
oder mehr ist. Weiterhin zeigt die Darstellung, daß die
Maximumladungsträgerkonzentration von 4 × 1020 cm-3
leicht realisiert werden kann.
Weiterhin wird verstanden, daß die
Spitzenborkonzentration, welche erhalten wird, wenn Bor
ionenimplantiert wird, mit einer Beschleunigungsenergie
von 35 keV und mit einer Dosis von 1,5 × 1016 cm-2, 1,5 ×
1021 cm-3 ist, und eine weitere Spitzenborkonzentration
von mehr als 1,5 × 1021 cm-3 notwendig ist, unabhängig
von der Beschleunigungsenergie, um die
Maximumladungsträgerkonzentration von mehr als
2 × 1020 cm-3 zu erhalten. In diesem Fall zeigt sich, daß
60% oder mehr der Borionen beinhaltet sind in Clustern,
welche aus zwölf Boratomen bestehen.
Um weiterhin die Beziehung zwischen der
Beschleunigungsenergie zum Implantieren von Ionen und
dem Schichtwiderstand zu untersuchen, werden die
Schichtwiderstandswerte gemessen unmittelbar nach der
Ionenimplantation bezüglich verschiedener
Beschleunigungsenergien von 35, 20 und 60 keV. Fig. 5
zeigt die Beziehung, wobei der Schichtwiderstandswert als
die Ordinate und die Bordosis als die Abszisse
aufgetragen ist. Diese Darstellung zeigt, daß, um den
Schichtwiderstand grob zu 5 × 102 Ohm/, wie erhalten
bei der Beschleunigungsenergie von 35 keV und einer
Dosis von 1,5 × 1016 cm-2, zu erhalten, die Dosis von
1,3 × 1016 cm-2 nötig ist bei der Beschleunigungsenergie
20 keV und die Dosis von 1,8 × 1016 cm-2 notwendig ist
bei der Beschleunigungsenergie von 60 keV. Wenn die
Borbeschleunigungsenergie anwächst, wird die
Tiefenverteilung der implantierten Borionen erhöht.
Weiterhin zeigt Fig. 6 die Beziehung zwischen der Dosis,
die erforderlich ist, um die Schicht mit dem niedrigen
Widerstand zu erzeugen, und der Beschleunigungsenergie.
Diese Darstellung zeigt, daß die Dosis, die erforderlich
ist, um die Schicht mit dem niedrigen Widerstand zu
erhalten, ansteigt mit ansteigender
Beschleunigungsenergie, woraus resultierend die Gestalt
der Schicht mit dem niedrigen Widerstand nicht nur von
der Dosis aller implantierter Borionen abhängt, sondern
auch von der Konzentration der existierenden Boratome.
Die Beschleunigungsenergie ist insbesondere nicht
beschränkt, jedoch ist es möglich, 5 bis 100 keV nunmehr
in der Praxis anzuwenden.
Weiterhin zeigt Fig. 7 die Ladungsträgerprofile der
Fremdatomdiffusionsschicht 4 in der Tiefenrichtung,
welche erhalten werden, wenn Borionen in einkristalline
Siliziumsubstrate bei einer Beschleunigungsenergie von
35 keV und einer Dosis von 3 × 1016 cm-2 implantiert
werden und weiterhin die Substrate getempert werden eine
Stunde lang bei verschiedenen Temperaturen. Die
Darstellung zeigt, daß die Ladungsträgerkonzentration in
der Tiefe von etwa 0,1 bis 0,15 µm von der Oberfläche
der Fremdatomdiffusionsschicht 4 aus abnimmt mit
ansteigender Tempertemperatur.
Wie in den Fig. 3 bis 7 gezeigt, wird die
Maximumladungsträgerkonzentration erhalten, wenn das
Substrat bei 600°C oder weniger getempert wird oder wenn
kein Tempern durchgeführt wird. Deshalb kann die höhere
Ladungsträgerkonzentration in der Oberfläche des
Halbleitersubstrats realisiert werden durch Ätzen der
Substratoberfläche um etwa 100 nm nach dem Tempern unter
den oben erwähnten Bedingungen. Daraus resultierend kann
bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eine Schicht
4 mit hoher Ladungsträgerkonzentration in dem
Kontaktabschnitt wie gezeigt in Fig. 1 gebildet werden,
und der Kontaktwiderstandswert kann auf 8 × 10-8 Ohm cm2
reduziert werden.
Weiterhin existiert sogar bei einer Tempertemperatur von
700°C, da die Tiefe der Diffusionsschicht nicht erhöht
wird und zusätzlich die Maximumladungsträgerkonzentration
2 × 1020 cm-3 oder mehr ist, kein spezielles Problem,
wenn der Kontaktwiderstand reduziert wird. Wenn
andererseits, wie gezeigt in Fig. 7, die Tempertemperatur
700°C oder mehr ist, nimmt die Ladungsträgerkonzentration
ab, da die Boratome interdiffundiert und weiter
deaktiviert werden. Doch ist der
Ladungsträgerkonzentrationswert, der bei 700°C erhalten
wird, überlegen im Vergleich zum
Ladungsträgerkonzentrationswert nach dem Stand der
Technik, der erhalten wird durch Tempern der
Ionenimplantationsschicht mit niedriger Dosis
(e. g. 1 × 1016 cm-2 oder weniger) bei 700°C.
Wenn weiterhin die Siliziumionen implantiert werden, wird
die Oberfläche davon in einen amorphen Zustand versetzt
und weiterhin die Borionen implantiert werden, was
verschieden ist von dem Verfahren nach der vorliegenden
Erfindung, werden weder die hohe Ladungsträgeraktivierung
sofort nach der Ionenimplantation noch das bemerkenswerte
elektrische Verhalten mit der Dosis von 1 × 1016 cm-2 als
Grenze beobachtet. Das zeigt, daß die Ionenimplantation
unter der Kristallbedingung (einkristallin oder
polykristallin) unverzichtbar ist, um die Schicht mit der
hohen Ladungsträgerkonzentration bei einer niedrigen
Temperatur zu erhalten.
Hierin wird der Grund, warum solch ein bemerkenswerter
Effekt, daß die flache Diffusionsschicht der hohen
Ladungsträgerkonzentration gebildet werden kann, wenn die
Tempertemperatur niedriger als 700°C ist (vorzugsweise
niedriger als 600°C) wie oben beschrieben, weiter
untersucht.
Zunächst wird, um den Status des Bors zu untersuchen, die
Beschleunigungs energie bei 35 keV fixiert, und Borionen
werden implantiert in ein einkristallines
Siliziumsubstrat in Dosen von 3 × 1018 cm-2,
5 × 1016 cm-2 und 1 × 1017 cm-2. Das
Infrarotabsorptionsspektrum wurde gemessen für die
jeweiligen Proben.
Fig. 8 zeigt die Meßresultate. In der Zeichnung sind die
drei charakteristischen Kurven für den Absorptionsgrad
für die jeweiligen Dosen dargestellt und konzentriert
nahe den Wellenzahlen von 900 cm-1 und 740 cm-1. Diese
Darstellung zeigt, daß die Absorptionsgrade bei den
speziellen Wellenzahlen von (nahe 680, 800 und 930 cm-1)
ansteigen mit ansteigender Bordosis. Die Absorptionsgrade
bei den Wellenzahlen entsprechen den Clustern
ikosaedrischer Struktur, wobei jedes aus zwölf Boratomen
besteht. Das heißt, ein Teil der implantierten Borionen
stellt eine ikosaedrische Struktur bestehend aus zwölf
Borionen dar.
Fig. 9 zeigt ein typisches Beispiel eines Clusters einer
ikosaedrischen Struktur bestehend aus zwölf Boratomen,
welch ein Siliziumatome implantiert wurden, wobei fünf
Siliziumatome von dem Kristallgitter des einkristallinen
Siliziums mit einem regulären Tetraäder entfernt sind,
und ein Cluster mit ikosaedrischer Struktur ersetzt ist
für die entfernten Siliziumatome. In diesem Fall ist die
Differenz in der Größe zwischen den fünf Siliziumatomen
und dem Borcluster ikosaedrischer Struktur weniger als
10%. Der Cluster ikosaedrischer Struktur bestehend aus
zwölf Boratomen hat zwölf ungepaarte Elektronen;
andererseits hat das einkristalline Siliziumgitter, von
dem fünf Atome entfernt sind, zwölf ungepaarte
Elektronen, so daß es möglich ist, ein Ersetzen zu
realisieren, ohne eine ungepaarte Bindung zu schaffen.
Bei der oben erwähnten Absorptionsspektrummessung wird,
wenn Borionen in das Siliziumsubstrat implantiert werden,
das Substrat mit Wasser gekühlt, um die
Substrattemperatur zwischen Raumtemperatur und 80°C zu
halten. Weiterhin wird, um den Einfluß der
Substrattemperatur zu prüfen, das Substrat durch
flüssigen Stickstoff vor der Borionenimplantation
gekühlt. Daraus resultierend werden die
Infrarotabsorptionseigenschaften, welche die Gegenwart
von Clustern bestehend aus Boratomen anzeigen, nicht
gefunden. Das mag daran liegen, daß, wenn das Substrat
gekühlt wird, die Schicht, in welche die Ionen
implantiert werden, in einen amorphen Zustand gebracht
wird.
Fig. 10 zeigt die Bor- und Ladungsträgerkonzentration in
der Tiefenrichtung von der Oberfläche des
Halbleitersubstrats aus. Die Substratproben werden
erhalten durch Implantieren von Borionen bei einer
Temperatur zwischen Raumtemperatur und 80°C. Weiterhin
wurden diese Halbleitersubstratproben nicht getempert.
Fig. 11 zeigt eine charakteristische Kurve, die die
Beziehung zwischen den Ladungsträgerkonzentrationen und
den Dosen darstellt. In der Zeichnung werden die
Ladungsträgerkonzentrationen gemessen für verschiedene
Proben und verschiedene Dosen. Fig. 11 zeigt, daß es
möglich ist, lochleitende Halbleitersubstrate hoher
Ladungsträgerkonzentrationen zu erhalten, falls die
Bordosis 1 × 1016 cm-2 oder mehr ist und weiterhin die
Ladungsträgerkonzentration grob ein Sechstel (1/6) der
Bordosis ist.
Weiterhin werden basierend auf der in Fig. 8 gezeigten
Spektralcharakteristik die Absorptionsintensität aufgrund
der Gegenwart der Cluster ikosaedrischer Struktur, wobei
jedes aus zwölf Boratomen besteht, geprüft in Beziehung
zur Schichtladungsträgerkonzentration. Fig. 12 zeigt, daß
die Intensität der Infrarotabsorption grob proportional
zur Schichtladungsträgerkonzentration ist. Das ist so,
weil die Cluster, die jeweils aus zwölf Boratomen
bestehen, als Akzeptoren dienen.
Die oben erwähnten Resultate können vernünftig erklärt
werden unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die
Cluster aus den zwölf Boratomen als Doppelakzeptoren
funktionieren. In diesem Zusammenhang offenbart D. W.
Bullet, daß der Cluster ikosaedrischer Struktur bestehend
aus zwölf Boratomen ein Doppelion ist, nämlich in AIP
Conf. Proc., 170, S. 21-28 (1991), "Der elektronische Ursprung
von Unordnung in Bor und borreichen Boriden". Diese
Literaturstelle unterstützt, daß die Cluster
ikosaedrischer Struktur jeweils aus zwölf Boratomen in
der oben erwähnten Fremdatomschicht erzeugt werden können
und weiterhin die Cluster als Doppelakzeptoren
funktionieren.
Um weiterhin die Beziehung zwischen den oben erwähnten
Clustern und dem Tempern zu studieren, werden die Proben
hergestellt durch Implantieren von Borionen in die
Substrate bei 35 keV und bei einer Dosis von
1 × 1017 cm-2. Einige Proben werden nicht getempert, und
einige Proben werden getempert in trockener
Stichstoffatmosphäre bei 550°C, 700°C und 900°C. Die
Ladungsträgerkonzentration in der Tiefenrichtung werden
gemessen für diese Proben, wobei die Tempertemperatur ein
Parameter ist.
Fig. 13 zeigt die charakteristischen Kurven für die
Ladungsträgerkonzentration, welche so erhalten werden.
Aus Fig. 13 ist ersichtlich, daß die
Ladungsträgerkonzentration abnimmt mit ansteigender
Tempertemperatur. Das kann erklärt werden unter
Berücksichtigung der Tatsache, daß die Cluster jeweils
bestehend aus zwölf Borionen nicht als Doppelakzeptoren
funktionieren. Das ist so, weil, wenn die Cluster
ikosaedrischer Struktur jeweils bestehend aus zwölf
Boratomen mit Silizium kombiniert werden, zwei Boratome
unter den zwölf Boratomen durch Siliziumatome ersetzt
werden, so daß eine chemische Verbindung mit einer
Struktur B10Si2 erhalten werden kann. Diese Verbindung
ist elektrisch neutral und wird nicht als Akzeptor
funktionieren. Deshalb ist es wichtig, um die Cluster
ikosaedrischer Struktur jeweils bestehend aus zwölf
Boratomen vor dem Abnehmen zu bewahren, nicht die
Tempertemperatur nach dem Dotieren aus 700°C oder höher
zu setzen, bei der die strukturelle Transformation
fortschreitet. In diesem Fall sind, da eine Struktur
B11Si, in der Borion der zwölf Borionen ersetzt wird
durch ein Siliziumatom als ein einzelner Akzeptor
funktioniert, Temperbedingungen für die übrige
B11Si-Struktur effektiv, um die
Ladungsträgerkonzentration zu erhöhen.
Hier wird die Beziehung zwischen dem polykristallinen
Siliziumfilm und dem Cluster ikosaedrischer Struktur
jeweils bestehend aus zwölf Boratomen studiert werden.
Ein polykristalliner Siliziumfilm mit einer Dicke von
400 nm wird gebildet auf einem thermisch oxidierten Film
mit einer Dicke von 300 nm gebildet auf einem
einkristallinem Siliziumsubstrat unter Benutzung von LP
(LP = low pressure = Niedrigdruck) CVD (CVD = chemical
vapor deposition = chemische Gasphasenabscheidung)
Technik. Borionen werden implantiert in diesem
Siliziumfilm mit einer Beschleunigungsenergie von 35 keV
und mit einer Dosis von 1 × 1017 cm-2. In diesem Zustand
wird bestätigt, daß der Status der Boratome Cluster
ikosaedrischer Struktur jeweils bestehend aus zwölf
Boratomen beinhaltet. Fig. 14 zeigt die Beziehung
zwischen der Schichtladungsträgerkonzentration und der
Bordosis.
Bei einem Vergleichen der Charakteristik des
polykristallinen Siliziumfilms, der in Fig. 14 gezeigt
ist, mit der des einkristallinen Siliziumfilms, der in
Fig. 11 gezeigt ist, wird verstanden, daß die
Ladungsträgerkonzentration des polykristallinen
Siliziumfilms niedriger als die des einkristallinen
Siliziumfilms bei der gleichen Dosis ist. Das mag daran
liegen, daß obwohl die Cluster ikosaedrischer Struktur
bestehend aus zwölf Boratomen als Akzeptor funktionieren,
die erzeugten Ladungsträger elektrisch deaktiviert werden
durch die Gegenwart der kristallinen Korngrenzen in dem
polykristallinen Silizium.
Jedoch ist es möglich, eine Verdrahtung mit polykristallinem
Silizium niedrigen Widerstands bei niedrigen
Temperaturen zu bilden unter Benutzung der Tatsache, daß
es möglich ist, Cluster ikosaedrischer Struktur jeweils
bestehend aus zwölf Boratomen zu bilden.
Zum Beispiel wird im Fall einer zweiten Ausführungsform,
wie gezeigt in den Fig. 15A bis 15E ein
Siliziumdioxidfilm 22 und eine Diffusionsschicht 23
gebildet auf der Oberfläche von einkristallinem Silizium
21, wie gezeigt in Fig. 15A. Weiterhin wird ein
nichtdotierter (hoher Widerstand) polykristalliner
Siliziumfilm 24 mit einer Dicke von 200 nm, in dem keine
Fremdatome enthalten sind, abgeschieden auf der
Oberfläche der oben erwähnten Halbleitervorrichtung, wie
in Fig. 15B gezeigt. Weiterhin wird ein Photolack 25
darauf angewendet und der angewendete Photolack wird so
strukturiert, daß nur die Fläche, an dem der Widerstand
zu erniedrigen ist, ausgesetzt ist, wie in Fig. 15C
gezeigt. Borionen werden implantiert in das Substrat,
welches so erhalten wurde, mit einer
Beschleunigungsenergie von 35 keV und einer Dosis von
1 × 1017 cm-2. Daraus resultierend wird nur die Fläche
26, in die Borionen implantiert werden, ein
polykristalliner Siliziumfilm mit einem niedrigen
Widerstand einschließlich Borionen mit hoher
Konzentration. Weiterhin ist es möglich, eine Verdrahtung mit
polykristallinem Silizium zu bilden durch einen
Niedrigtemperaturprozeß, bei dem die maximale
Prozeßtemperatur nicht die Temperatur zum Abscheiden
polykristallinen Siliziums überschreitet. Weiterhin ist
der Widerstand (spezifischer Widerstand) des
polykristallinen Siliziums 10-1 Ohm cm in dem Bereich, wo
die Borionen implantiert werden und 105 Ohm cm in dem
Bereich, wo keine Borionen implantiert werden. Deshalb
unterscheidet sich der Widerstand beträchtlich zwischen
diesen beiden. Nachdem weiterhin die Borionen implantiert
worden sind, kann die Fläche, wo Ionen nicht implantiert
wurden, entfernt werden oder nicht entfernt werden gemäß
der Struktur der Vorrichtungselemente. Weiterhin zeigt
Fig. 15E ein Beispiel, in dem die Vorrichtung so
strukturiert wird, daß nur der polykristalline
Siliziumfilm 26 mit dem niedrigen Widerstand
zurückbleibt.
Hier wird im folgenden der Fall erklärt werden, in dem
die Cluster ikosaedrischer Struktur jeweils bestehend aus
zwölf Boratomen gebildet werden können unter Benutzung
eines Mischgases. Ein dünner Siliziumfilm einschließlich
Bor wird abgeschieden auf einem Siliziumsubstrat von der
Oberfläche, von der ein natürlicher Oxidfilm hinreichend
entfernt wird, in Übereinstimmung mit einer LPCVD-Technik
mit einem Mischgas von Disilan und Diboran als
Quellenmaterialien. Die Abscheidebedingungen sind: die
Flußmenge des Disilans ist 100 SCCM, die Flußmenge des
Diborans ist 20 SCCM, der Druck ist 13,3 Pa und die
Temperatur ist 570°C.
Fig. 16 zeigt die Beziehung zwischen der
Ladungsträgerkonzentration und der Borkonzentration in
dem Abscheidungsfilm. Fig. 16 zeigt, daß wenn die
Borkonzentration niedrig ist, die
Ladungsträgerkonzentration mit der Borkonzentration
übereinstimmt, wie gezeigt durch eine durchgezogene
Linie; wenn jedoch die Borkonzentration hoch ist, ist die
Ladungsträgerkonzentration niedriger als die
Borkonzentration bis hinab zu einem Sechstel der
Borkonzentration. Diese Resultate können gut erklärt
werden unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die
Cluster bestehend jeweils aus zwölf Boratomen gebildet
werden und die gebildeten Cluster als Doppelakzeptoren
funktionieren, wie im Fall des vorher erwähnten
Beispiels. In diesem Fall kann die Gegenwart der Cluster
bestehend aus zwölf Boratomen jeweils bestätigt werden
durch Infrarotabsorptionsmessungen.
Wenn weiterhin die Abscheidungstemperatur 540°C ist, wird
die Beziehung zwischen der Borkonzentration und der
Ladungsträgerkonzentration, wie gezeigt durch eine
gestrichelte Linie in Fig. 16. Im Vergleich mit dem Fall,
in dem die Abscheidungstemperatur 570°C ist, zeigt diese
gestrichelte Linie an, daß die Ladungsträgerkonzentration
extrem reduziert ist in dem Bereich, in dem die
Borkonzentration hoch ist. Das mag daran liegen, daß wenn
die Abscheidungstemperatur hoch ist, das Diboran leicht
aufgelöst wird, so daß die Cluster jeweils bestehend aus
zwölf Boratomen gebildet werden können. Wenn andererseits
die Abscheidungstemperatur niedrig ist, wird das Diboran
nicht aufgelöst in der Gasphase und zusätzlich werden die
Atome auf der Substratoberfläche nicht leicht bewegt, so
daß die Borcluster nicht leicht gebildet werden.
Obwohl weiterhin in der oben erwähnten ersten und zweiten
Ausführungsform das Bor als die Fremdatomsubstanz zum
Ionenimplantieren verwendet wird, kann derselbe Effekt
natürlich auch erhalten werden, wenn andere Ionen, wie
zum Beispiel BF+, BF2 + usw., welche Boratome beinhalten,
benutzt werden.
Nachdem bei der ersten Ausführungsform der
Siliziumdioxidfilm abgeschieden ist, werden die
Ionenimplantation und das Tempern bewirkt. Jedoch ist es
möglich, die Ionenimplantation und das Tempern zu
bewirken, bevor der Siliziumdioxodfilm abgeschieden wird.
Weiterhin können verschiedene Meßtechniken wie zum
Beispiel Trockenätzen angewendet werden, um die
Siliziumoberfläche zu ätzen. Weiterhin kann der
Siliziumdioxidfilm ersetzt werden durch einen anderen
Film, wie zum Beispiel einem Siliziumnitridfilm.
Als für die Elektrode benutztes Metall können nicht nur
verschiedene Metalle, wie zum Beispiel Kupfer, Wolfram
Titan usw. benutzt werden, sondern ebenfalls beliebige
leitfähige Verbindungen, ohne auf Aluminium beschränkt zu
sein. Wenn insbesondere eine Verbindung einschließlich
Silizium, wie zum Beispiel ein Silizid als Elektrode oder
als Basismaterial für die Elektrode benutzt wird, ist es
möglich, da die Grenzfläche zwischen der Verbindung und
dem Silizium angesiedelt werden kann in dem Bereich, in
dem Fremdatome aktiviert werden durch die Reaktion
zwischen den zweien, wenn die Verbindung erzeugt wird,
den Ätzprozeß für die Substratoberfläche zu eliminieren.
In diesem Fall wird beispielsweise, nachdem Borionen in
ein Substrat implantiert worden sind, Nickel darauf
gesputtert; das Substrat wird bei 550°C getempert, um
eine Legierung zwischen dem gesputterten Nickel und dem
Siliziumsubstrat zu erzeugen, so daß eine
Nickelsilizidschicht gebildet werden kann. Weiterhin kann
das Verfahren der vorliegenden Erfindung ebenfalls
angewendet werden auf Kontakte zwischen zwei Halbleitern.
Weiterhin kann das Verfahren des Bildens der aktivierten
Fremdatomschicht, welche niedrig in der Diffusionstiefe
und hoch in der Konzentration ist, wie bei der ersten und
zweiten Ausführungsform beschrieben, natürlich angewendet
werden auf das Verfahren zum Bilden einer
Diffusionsschicht der Halbleitervorrichtung.
Fig. 17A bis 17C zeigen den Prozeß einer dritten
Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden
Erfindung, wobei das Verfahren angewandt auf eine
Herstellung eines MOS-Transistors, durch eine LAD
(LAD = lightly doped drain = leichtdotierte Drain)
Struktur. In Fig. 17A bis 17C sind die gleichen
Referenzzeichen beibehalten für die ähnlichen Elemente
oder Abschnitte, welche die gleichen Funktionen wie die
der ersten Ausführungsform, wie gezeigt in Fig. 1,
haben.
Wie gezeigt in Fig. 17A wird ein n-Typ Siliziumsubstrat 1
mit (100) Orientierung und einem Widerstand von 4 bis
6 Ohm cm benutzt und weiterhin ein elementisolierender
und trennender Film 2a von etwa 0,6 µm, darauf gebildet
in Übereinstimmung mit dem gewöhnlichen selektiven
Oxidationsverfahren. Darauffolgend wird ein Gate-Oxidfilm
mit einer Dicke von 10 nm darauf gebildet in
Übereinstimmung mit dem thermischen Oxidationsverfahren.
Weiterhin wird ein Fremdatom dotierter polykristalliner
Siliziumfilm 12 mit einer Dicke von 100 nm als Gate
gebildet und zusätzlich wird ein Wolframsilizidfilm 13
mit einer Dicke von 300 nm als Verdrahtungsschicht
darauffolgend gebildet. Weiterhin wird ein
Siliziumdioxidfilm 14 mit einer Dicke von 150 nm gebildet
auf der Oberfläche davon in Übereinstimmung mit der
LPCVD-Technik. Darauf werden diese Filme geätzt durch ein
reaktives Ätzverfahren, um die Gate-Elektrode zu
strukturieren.
Weiterhin werden die Borionen implantiert unter Benutzung
der gebildeten Gate-Elektrode als Maske, um eine p-Typ
Fremdatomschicht 15 niedriger Konzentration in einem
Sourcebereich und einem Drainbereich zu bilden. In diesem
Fall sind die Ionenimplantationsbedingungen die
folgenden: die Beschleunigungsenergie ist 10 keV und die
Dosis ist 5 × 1013 cm-2 als Beispiel. Die
Temperbedingungen nach der Ionenimplantation sind 700°C
dreißig Minuten lang.
Danach wird, wie gezeigt in Fig. 17B, ein
Siliziumoxidfilm 16 mit einer Dicke von 100 nm als
Gate-Elektrodenseitenwand gebildet. Dieser
Seitenwandoxidfilm 16 kann erhalten werden durch
Abscheiden eines Siliziumdioxidfilms mit einer Dicke von
etwa 150 nm auf der gesamten Oberfläche davon durch die
CVD-Technik und darauffolgendes Ätzen der gesamten
Oberfläche davon mittels der anisotropen
Trockenätztechnik.
Weiterhin werden, wie gezeigt in Fig. 17C, Borionen
implantiert in die p-Typ Fremdatomschicht 15 in dem
Source- und Drainbereich, um eine Diffusionsschicht 4
mit hoher Konzentration zu bilden. Die
Ionenimplantationsbedingungen sind wie folgt: Die
Beschleunigungsenergie ist 35 keV und die Dosis ist
2 × 1016 cm-2 als Beispiel. Nach der Ionenimplantation
wird das Substrat nicht getempert.
Darauf wird ein Siliziumoxidfilm 17 auf der gesamten
Oberfläche durch die CVD-Technik gebildet. Weiterhin
werden, wie in Fig. 17C gezeigt, Kontaktlöcher 3 in dem
Siliziumoxidfilm 17 durch anisotropes Trockenätzen
geöffnet. Nachdem die Siliziumoberfläche der geöffneten
und freigelegten Kontaktlöcher abgeätzt ist um 100 nm
durch das Trockenätzen, wird ein 800 nm dicker
Aluminiumfilm 5 einschließlich 0,5 Gew.-% Silizium und
Kupfer jeweils abgeschieden. Nach Strukturierung mit
diesem Aluminiumfilm als Elektrode wird die Vorrichtung
getempert bei 450°C fünfzehn Minuten lang in einer
Stickstoffatmosphäre einschließlich 10% Wasserstoff.
Weiterhin kann die Siliziumoberfläche geätzt werden durch
ein Naßätzen wie im Fall der ersten Ausführungsform.
Bezüglich des MOS-Transistorelements mit einer Kanallänge
von 0,8 µm, einer Kanalbreite von 1,1 µm und einem
Kontaktdurchmesser von 0,8 µm (eine Seite), welche wie
oben beschrieben hergestellt wird, werden der
Kanalwiderstand und der Kontaktwiderstand gemessen. Die
Meßresultate sind jeweils 2000 Ohm und 2 Ohm.
Demgegenüber sind in dem Fall, in dem Borionen
implantiert werden in die freigelegte Oberfläche des
Substrats im Source- und Drainbereich 15 jeweils mit
gewöhnlicher Beschleunigungsenergie 35 keV und
gewöhnlicher Dosis 5 × 1015 cm-2 und weiterhin die
Vorrichtung getempert wird nach der Ionenimplantation bei
850°C dreißig Minuten lang, der Kanalwiderstand und der
Kontaktwiderstand des Elements von der gleichen Größe
jeweils 2000 und 30 Ohm.
Wie oben beschrieben, ist es nach dem Verfahren nach der
vorliegenden Erfindung möglich, den Kontaktwiderstand der
Halbleiterelemente beträchtlich zu reduzieren. Die
Differenz zwischen dem Kanalwiderstand und dem
Kontaktwiderstand sinkt mit abnehmender Elementgröße.
Wenn die Elementgröße auf 1/k reduziert wird, steigt der
Kontaktwiderstand etwa um das k2-fache, trotz der
Tatsache, daß der Kanalwiderstand sich nicht ändert.
Dementsprechend wird im Fall kleinerer Elemente als den
in der obigen Ausführungsform gezeigten das Verfahren des
Reduzierens des Kontaktwiderstandswert in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung effektiver. Da weiterhin
die Prozeßtemperatur niedrig ist, kann das Verfahren der
vorliegenden Erfindung vorzugsweise angewandt auf
sogenannte Vielschichtverbindungssubstrate.
Weiterhin ist es, obwohl bei den oben erwähnten
Ausführungsformen die Fremdatomschicht mit hoher
Konzentration direkt gebildet wird auf der Oberfläche des
einkristallinen Siliziumsubstrats möglich, die
vorliegende Erfindung auf den Fall anzuwenden, in dem
eine einkristalline Siliziumschicht weiter gebildet wird
auf einem einkristallinem Siliziumsubstrat in
Übereinstimmung mit der CVD-Technik, um ein neues
Substrat zu erhalten. Weiterhin kann das Verfahren der
Erfindung angewendet werden auf verschiedene Abschnitte,
bei denen ein Übergang, der flach in der Diffusion und
hoch in der Aktivität ist, erforderlich ist, ohne nur auf
Kontaktabschnitte begrenzt zu sein.
Wie oben beschrieben, ist es bei der
Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung, da die
Halbleitervorrichtung die Fremdatomschicht mit Boratomen
in Form von Clustern ikosaedrischer Struktur jeweils
bestehend aus zwölf Boratomen enthält, möglich, die
Diffusionsschicht niedrig in der Tiefe und hoch in der
Aktivität zu bilden. Zusätzlich kann beim
Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung, da das
Verfahren die Schritte des Dotierens von Boratomen in die
Fremdatomschicht des Halbleitersubstrats bei hoher
Konzentration, so daß die Cluster ikosaedrischer Struktur
jeweils bestehend aus zwölf Boratomen, in der
Fremdatomschicht gebildet werden können, um nach dem
folgenden Prozeß zu bleiben, die Diffusionsschicht
niedrig in der Tiefe und hoch in der Aktivität gestaltet
werden, was die Funktionstüchtigkeit der nächsten
Generation von LSIs in bemerkenswerter Weise verbessern
kann.
Claims (11)
1. Halbleitervorrichtung mit:
- - einer ersten Siliziumschicht (1); und
- - einer in der Siliziumschicht (1) gebildeten mit Borionen dotierten zweiten Siliziumschicht (4), wobei zumindest ein Teil der Borionen in Form von Clustern ikosaedrischer Struktur, jeweils bestehend aus zwölf Boratomen, vorliegt.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Siliziumschicht (1) durch ein
Siliziumsubstrat gebildet ist.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Siliziumschicht ein
polykristalliner Siliziumfilm (26), gebildet auf einem
Siliziumsubstrat (21), ist.
4. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
einem der vorhergehenden Ansprüche mit den Schritten:
- - Bilden einer mit Borionen dotierten Schicht (4) in einer Siliziumschicht (1) in einer Konzentration, so daß zumindest ein Teil der Borionen in Form von Clustern ikosaedrischer Struktur, jeweils bestehend aus zwölf Borionen, beinhaltet ist; und
- - Bilden eines Funktionsabschnittes unter Benutzung der gebildeten Halbleiterschicht (4).
5. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Siliziumschicht durch ein Siliziumsubstrat (21) und der
Funktionsabschnitt durch eine Diffusionsschicht auf einer
Oberfläche des Siliziumsubstrats (21) gebildet wird.
6. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Siliziumschicht durch eine polykristalline Siliziumschicht
(26) gebildet wird und der Funktionsabschnitt als
Kontaktierungsschicht ausgebildet wird.
7. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dotierung der
Schicht (4) mit Borionen durch Ionenimplantation
durchgeführt wird.
8. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Ionenimplantation ausgeführt wird innerhalb eines
Hochdosisbereichs oberhalb einer linearen
charakteristischen Kurve, erhalten durch Verbinden einer
ersten Dosis 1,3 × 1016 cm-2 bei einer
Beschleunigungsenergie von 20 keV, einer zweiten Dosis
von 1,5 × 1016 cm-2 bei einer Beschleunigungsenergie von
35 keV und einer dritten Dosis 1,8 × 1016 cm-2 bei einer
Beschleunigungsenergie von 60 keV.
9. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 4, gekennzeichnet durch einen Temperschritt zum
Aufheizen der dotierten Schicht (4), so daß der Teil der
gebildeten Cluster mit ikosaedrischer Struktur
zurückbleibt.
10. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperschritt
in einem Ofen bei 700°C oder weniger ausgeführt wird.
11. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 7, gekennzeichnet durch einen Schritt des Ätzens
einer Oberfläche der Schicht (4) bis zu einer Tiefe, wo
ein Spitzenwert der Borkonzentration existiert, nach der
Ionenimplantation.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34654491 | 1991-12-27 | ||
| JP32940192A JP3313432B2 (ja) | 1991-12-27 | 1992-12-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4244115A1 DE4244115A1 (en) | 1993-07-01 |
| DE4244115C2 true DE4244115C2 (de) | 2000-07-13 |
Family
ID=26573186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4244115A Expired - Fee Related DE4244115C2 (de) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5413943A (de) |
| JP (1) | JP3313432B2 (de) |
| KR (1) | KR960000177B1 (de) |
| DE (1) | DE4244115C2 (de) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW297142B (de) * | 1993-09-20 | 1997-02-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| JPH08203842A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2917894B2 (ja) * | 1996-02-28 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6239441B1 (en) * | 1997-01-20 | 2001-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device |
| US6370502B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-04-09 | America Online, Inc. | Method and system for reduction of quantization-induced block-discontinuities and general purpose audio codec |
| JP3960174B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2007-08-15 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7238597B2 (en) * | 2002-09-27 | 2007-07-03 | Brontek Delta Corporation | Boron ion delivery system |
| US7582537B2 (en) | 2004-12-15 | 2009-09-01 | Lg Electronics Inc. | Zener diode and methods for fabricating and packaging same |
| US7598163B2 (en) * | 2007-02-15 | 2009-10-06 | John Callahan | Post-seed deposition process |
| CZ2008395A3 (cs) * | 2008-06-23 | 2009-09-09 | Ústav anorganické chemie AV CR, v. v. i. | Zpusob ochrany stríbrných a medených povrchu proti korozi |
| JP5793456B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法、基板 |
| US9972489B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-05-15 | SemiNuclear, Inc. | Composition and method for making picocrystalline artificial borane atoms |
| US11651957B2 (en) | 2015-05-28 | 2023-05-16 | SemiNuclear, Inc. | Process and manufacture of low-dimensional materials supporting both self-thermalization and self-localization |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2053785A1 (en) * | 1970-06-02 | 1971-12-16 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Boron doped silicon mfr - using boron enriched oxygen atmos - at diffusion temp |
| DE3151437A1 (de) * | 1981-12-24 | 1983-07-07 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | "verfahren zum herstellen einer vergrabenen zenerdiode" |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2627855A1 (de) * | 1976-06-22 | 1977-12-29 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit wenigstens zwei, einen pn-uebergang bildenden zonen unterschiedlichen leitungstyps sowie verfahren zu dessen herstellung |
| US4329773A (en) * | 1980-12-10 | 1982-05-18 | International Business Machines Corp. | Method of making low leakage shallow junction IGFET devices |
| US4732866A (en) * | 1984-03-12 | 1988-03-22 | Motorola Inc. | Method for producing low noise, high grade constant semiconductor junctions |
| US4968634A (en) * | 1988-05-20 | 1990-11-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Fabrication process for photodiodes responsive to blue light |
| US5178980A (en) * | 1991-09-03 | 1993-01-12 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members with a fullerene compound |
| US5108954A (en) * | 1991-09-23 | 1992-04-28 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing contact resistance at silicide/active area interfaces and semiconductor devices produced according to the method |
| US5213986A (en) * | 1992-04-10 | 1993-05-25 | North American Philips Corporation | Process for making thin film silicon-on-insulator wafers employing wafer bonding and wafer thinning |
-
1992
- 1992-12-09 JP JP32940192A patent/JP3313432B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-24 DE DE4244115A patent/DE4244115C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-26 KR KR1019920025602A patent/KR960000177B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-12-28 US US07/997,363 patent/US5413943A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-23 US US08/392,481 patent/US5598025A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2053785A1 (en) * | 1970-06-02 | 1971-12-16 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Boron doped silicon mfr - using boron enriched oxygen atmos - at diffusion temp |
| DE3151437A1 (de) * | 1981-12-24 | 1983-07-07 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | "verfahren zum herstellen einer vergrabenen zenerdiode" |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| BULLET, D.W.: In: AIP Conf.Proc., 170, (1991) S. 21-28 * |
| RUGE, I.: Halbleiter-Technologie, Springer-Verlag,Berlin 1975, S. 140-147 * |
| SZE, S.M.: "VLSI Technology", Mc Graw Hill, 1983, S. 242-253 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05243555A (ja) | 1993-09-21 |
| US5413943A (en) | 1995-05-09 |
| KR960000177B1 (ko) | 1996-01-03 |
| US5598025A (en) | 1997-01-28 |
| KR930014767A (ko) | 1993-07-23 |
| DE4244115A1 (en) | 1993-07-01 |
| JP3313432B2 (ja) | 2002-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4406849C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors mit einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich und einer Silicidschicht | |
| DE4406861B4 (de) | Ohmsche Kontaktstruktur für eine hochintegrierte Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren | |
| EP0123309B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von stabilen, niederohmigen Kontakten in integrierten Halbleiterschaltungen | |
| DE3311635C2 (de) | ||
| DE4010618C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE3419080A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines feldeffekttransistors | |
| DE3211761A1 (de) | Verfahren zum herstellen von integrierten mos-feldeffekttransistorschaltungen in siliziumgate-technologie mit silizid beschichteten diffusionsgebieten als niederohmige leiterbahnen | |
| DE102004056022A1 (de) | Verfahren zur Bildung eines Nickelsalicids und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements unter Verwendung desselben | |
| DE4244115C2 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung | |
| DE1903961B2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE4229628A1 (de) | Halbleitereinrichtung vom stapeltyp und verfahren zur herstellung einer solchen | |
| DE3541587A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines duennen halbleiterfilms | |
| DE7233274U (de) | Polykristalline siliciumelektrode fuer halbleiteranordnungen | |
| DE3129558C2 (de) | ||
| EP0005185B1 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen | |
| DE10154835A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE3122437A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines mos-bauelements | |
| DE3743591C2 (de) | ||
| DE4420052A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Gates in einer Halbleitereinrichtung | |
| DE3625860A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem kontakt und vorrichtung zur herstellung derselben | |
| DE2225374B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines mos-feldeffekttransistors | |
| DE3931127C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung | |
| DE4409875C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines MOS Transistors unter Verwendung einer doppelt dotierten Schicht | |
| DE4313625A1 (de) | Gleichrichterkontakt auf Basis von amorphem Silicium auf Diamant und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2654979B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: MURAKOSHI, ATSUSHI, KAWASAKI, KANAGAWA, JP MIZUSHIMA, ICHIRO, YOKOHAMA, KANAGAWA, JP WATANABE, MASAHARU, KAWASAKI, KANAGAWA, JP YOSHIKI, MASAHIKO, YOKOHAMA, KAQNAGAWA, JP |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |