JPH0680706B2 - キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH0680706B2 JPH0680706B2 JP1214165A JP21416589A JPH0680706B2 JP H0680706 B2 JPH0680706 B2 JP H0680706B2 JP 1214165 A JP1214165 A JP 1214165A JP 21416589 A JP21416589 A JP 21416589A JP H0680706 B2 JPH0680706 B2 JP H0680706B2
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、TAB（tape automated bonding）法により
半導体チップを搭載するためのキャリアテープ及びこの
キャリアテープを用いて半導体装置を製造する方法に関
する。
半導体チップを搭載するためのキャリアテープ及びこの
キャリアテープを用いて半導体装置を製造する方法に関
する。
第7A図及び第7B図はそれぞれ半導体チップが搭載された
従来のキャリアテープの平面図及び断面図である。キャ
リアテープは、ポリイミド等の絶縁材料から形成された
フィルム（１）を有している。このフィルム（１）には
その両側縁部に沿って複数のパーフォレーション孔
（６）が等間隔に配置されると共に幅方向中央部には半
導体チップ（２）を収容するための矩形状のセンタデバ
イス孔（３）が形成されている。また、センタデバイス
孔（３）の周辺部には、複数のアウターリード孔（５）
が形成されている。このフィルム（１）上には銅からな
る複数のリード（４）が固着されている。これらのリー
ド（４）は、センタデバイス孔（３）とアウターリード
孔（５）との間のリードサポート部（７）により支持さ
れ、その先端部はインナーリード（4a）としてセンタデ
バイス孔（３）に張り出し、中央部は外部回路の電極に
接続されるアウターリード（4b）としてアウターリード
孔（５）の上に位置している。さらに、各リード（４）
の後端部にはテストパッド（4c）が形成されている。
尚、リードサポート部（７）は隣接するアウターリード
孔（５）間に位置するブリッジ部（８）によりフィルム
（１）に連結されている。
従来のキャリアテープの平面図及び断面図である。キャ
リアテープは、ポリイミド等の絶縁材料から形成された
フィルム（１）を有している。このフィルム（１）には
その両側縁部に沿って複数のパーフォレーション孔
（６）が等間隔に配置されると共に幅方向中央部には半
導体チップ（２）を収容するための矩形状のセンタデバ
イス孔（３）が形成されている。また、センタデバイス
孔（３）の周辺部には、複数のアウターリード孔（５）
が形成されている。このフィルム（１）上には銅からな
る複数のリード（４）が固着されている。これらのリー
ド（４）は、センタデバイス孔（３）とアウターリード
孔（５）との間のリードサポート部（７）により支持さ
れ、その先端部はインナーリード（4a）としてセンタデ
バイス孔（３）に張り出し、中央部は外部回路の電極に
接続されるアウターリード（4b）としてアウターリード
孔（５）の上に位置している。さらに、各リード（４）
の後端部にはテストパッド（4c）が形成されている。
尚、リードサポート部（７）は隣接するアウターリード
孔（５）間に位置するブリッジ部（８）によりフィルム
（１）に連結されている。
第7B図に示すように、キャリアテープのセンタデバイス
孔（３）内において各リード（４）のインナーリード
（4a）に半導体チップ（２）のバンプ電極（21）が接続
され、これらキャリアテープ及び半導体チップ（２）に
よりテープキャリアが形成される。
孔（３）内において各リード（４）のインナーリード
（4a）に半導体チップ（２）のバンプ電極（21）が接続
され、これらキャリアテープ及び半導体チップ（２）に
よりテープキャリアが形成される。
このようなテープキャリアは、外力及び外部の環境から
半導体チップ（２）及びリード（４）等を保護するた
め、例えば第８図に示すような上金型（10a）及び下金
型（10b）を用いて樹脂パッケージにより封止される。
樹脂封止時には、まずテープキャリアが上金型（10a）
と下金型（10b）との間にセットされる。このとき、半
導体チップ（２）が下金型（10b）のキャビティハーフ
（12a）内に収容されるようにテープキャリアの位置合
わせを行う。その後、上金型（10a）と下金型（10b）と
を型締めし、上金型（10a）のキャビティーハーフ（12
a）と下金型（10b）のキャビティハーフ（12b）とによ
り形成されるキャビティ内に上金型（10a）の溝状のゲ
ート（13）及びゲートランド部（13a）を介して熔融樹
脂（11）を注入する。樹脂（11）を硬化させると、第９
図に示すような成型物が得られる。この成型物を上金型
（10a）及び下金型（10b）から取り出した後、ゲートブ
レイクと呼ばれる工程により上金型（10a）のゲートラ
ンド部（13a）に対応する部分（11a）で樹脂（11）を折
って不用なゲート部の樹脂部分（11b）を取り除く。さ
らに、各リード（４）をアウターリード（4b）とテスト
パッド（4c）との間で切断すると共にフィルム（１）の
ブリッジ部（８）を切断することにより半導体装置が形
成される。
半導体チップ（２）及びリード（４）等を保護するた
め、例えば第８図に示すような上金型（10a）及び下金
型（10b）を用いて樹脂パッケージにより封止される。
樹脂封止時には、まずテープキャリアが上金型（10a）
と下金型（10b）との間にセットされる。このとき、半
導体チップ（２）が下金型（10b）のキャビティハーフ
（12a）内に収容されるようにテープキャリアの位置合
わせを行う。その後、上金型（10a）と下金型（10b）と
を型締めし、上金型（10a）のキャビティーハーフ（12
a）と下金型（10b）のキャビティハーフ（12b）とによ
り形成されるキャビティ内に上金型（10a）の溝状のゲ
ート（13）及びゲートランド部（13a）を介して熔融樹
脂（11）を注入する。樹脂（11）を硬化させると、第９
図に示すような成型物が得られる。この成型物を上金型
（10a）及び下金型（10b）から取り出した後、ゲートブ
レイクと呼ばれる工程により上金型（10a）のゲートラ
ンド部（13a）に対応する部分（11a）で樹脂（11）を折
って不用なゲート部の樹脂部分（11b）を取り除く。さ
らに、各リード（４）をアウターリード（4b）とテスト
パッド（4c）との間で切断すると共にフィルム（１）の
ブリッジ部（８）を切断することにより半導体装置が形
成される。
しかしながら、第８図に示すように上金型（10a〕の溝
状のゲート（13）はフィルム（１）の一つのアウターリ
ード孔（5a）の上に位置しており、樹脂（11）はこのゲ
ート（13）を介して第7A図の矢印Ａに沿ってキャビティ
内に注入される。このため、樹脂（11）はキャビティ内
のみならずフィルム（１）のアウターリード孔（5a）内
にまで侵入し、ここに第９図に示すように不用な封止樹
脂部分（11c）が形成されてしまう。従って、樹脂封止
後に不用な封止樹脂部分（11c）を取り除く工程を必要
とし、半導体装置の製造が繁雑になるという問題があっ
た。
状のゲート（13）はフィルム（１）の一つのアウターリ
ード孔（5a）の上に位置しており、樹脂（11）はこのゲ
ート（13）を介して第7A図の矢印Ａに沿ってキャビティ
内に注入される。このため、樹脂（11）はキャビティ内
のみならずフィルム（１）のアウターリード孔（5a）内
にまで侵入し、ここに第９図に示すように不用な封止樹
脂部分（11c）が形成されてしまう。従って、樹脂封止
後に不用な封止樹脂部分（11c）を取り除く工程を必要
とし、半導体装置の製造が繁雑になるという問題があっ
た。
また、一般にリード（４）の厚さは35μｍ程度と薄いた
めに、封止樹脂部分（11c）を取り除く際にリード
（４）のアウターリード（4a）が破損しやすく、半導体
装置の信頼性が低下するという問題もあった。
めに、封止樹脂部分（11c）を取り除く際にリード
（４）のアウターリード（4a）が破損しやすく、半導体
装置の信頼性が低下するという問題もあった。
また、半導体装置の薄型化を図るために半導体チップ
（２）上部の樹脂厚を薄くすると、第９図に示すよう
に、上金型（10a）のゲートランド部（13a）に対応する
部分（11a）の樹脂厚さt1に比べて半導体装置のパッケ
ージ部となるフィルム（１）のリードサポート部（７）
上の樹脂（11）の厚さt2が薄くなる。このため、ゲート
ブレイク工程においてパッケージ部分の樹脂（11）が欠
けてしまい、半導体装置の品質が低下する恐れがあると
いう問題も生じていた。
（２）上部の樹脂厚を薄くすると、第９図に示すよう
に、上金型（10a）のゲートランド部（13a）に対応する
部分（11a）の樹脂厚さt1に比べて半導体装置のパッケ
ージ部となるフィルム（１）のリードサポート部（７）
上の樹脂（11）の厚さt2が薄くなる。このため、ゲート
ブレイク工程においてパッケージ部分の樹脂（11）が欠
けてしまい、半導体装置の品質が低下する恐れがあると
いう問題も生じていた。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、高信頼性で且つ高品質の半導体装置を容易に製
造することができるキャリアテープを提供することを目
的とする。
もので、高信頼性で且つ高品質の半導体装置を容易に製
造することができるキャリアテープを提供することを目
的とする。
また、この発明はこのようなキャリアテープを用いて半
導体装置を製造する方法を提供することも目的としてい
る。
導体装置を製造する方法を提供することも目的としてい
る。
この発明に係るキャリアテープは、半導体チップを収容
するためのセンタデバイス孔とこのセンタデバイス孔の
周辺に形成された複数のアウターリード孔と前記センタ
デバイス孔及び各アウターリード孔の間に位置するリー
ドサポート部と互いに隣接する一対のアウターリード孔
の間に位置して前記リードサポート部に連結され且つ前
記半導体チップの樹脂封止時に熔融樹脂の流通路となる
開口部及び凹部のいずれか一方が形成された連結部とを
有する絶縁フィルムと、それぞれ前記絶縁フィルムのリ
ードサポート部上に支持されると共に一端部が前記セン
タデバイス孔に突出する複数のリードとを備えたもので
ある。
するためのセンタデバイス孔とこのセンタデバイス孔の
周辺に形成された複数のアウターリード孔と前記センタ
デバイス孔及び各アウターリード孔の間に位置するリー
ドサポート部と互いに隣接する一対のアウターリード孔
の間に位置して前記リードサポート部に連結され且つ前
記半導体チップの樹脂封止時に熔融樹脂の流通路となる
開口部及び凹部のいずれか一方が形成された連結部とを
有する絶縁フィルムと、それぞれ前記絶縁フィルムのリ
ードサポート部上に支持されると共に一端部が前記セン
タデバイス孔に突出する複数のリードとを備えたもので
ある。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、センタ
デバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された
複数のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各
アウターリード孔の間に位置するリードサポート部と互
いに隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前
記リードサポート部に連結され且つ開口部及び凹部のい
ずれか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に
支持されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出
する複数のリードとを備えたキャリアテープの前記セン
タデバイス孔内に複数の電極を備えた半導体チップを位
置させ、前記複数のリードの一端部と前記半導体チップ
の複数の電極とを電気的に接続し、前記半導体チップの
金型のキヤビティ内に収容し、前記絶縁フィルムの連結
部に形成された前記開口部及び凹部のいずれか一方を流
通路として熔融樹脂を前記金型のキヤビティ内に注入
し、前記熔融樹脂を硬化させる方法である。
デバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された
複数のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各
アウターリード孔の間に位置するリードサポート部と互
いに隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前
記リードサポート部に連結され且つ開口部及び凹部のい
ずれか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に
支持されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出
する複数のリードとを備えたキャリアテープの前記セン
タデバイス孔内に複数の電極を備えた半導体チップを位
置させ、前記複数のリードの一端部と前記半導体チップ
の複数の電極とを電気的に接続し、前記半導体チップの
金型のキヤビティ内に収容し、前記絶縁フィルムの連結
部に形成された前記開口部及び凹部のいずれか一方を流
通路として熔融樹脂を前記金型のキヤビティ内に注入
し、前記熔融樹脂を硬化させる方法である。
この発明においては、キャリアテープの絶縁フィルムの
連結部に形成された開口部あるいは凹部が半導体チップ
の樹脂封止時に熔融樹脂の流通路となる。
連結部に形成された開口部あるいは凹部が半導体チップ
の樹脂封止時に熔融樹脂の流通路となる。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明す
る。
る。
第1A図及び第1B図はそれぞれこの発明の第１実施例に係
るキャリアテープを示す平面図及び断面図である。この
キャリアテープは、ポリイミド等から形成された絶縁フ
ィルム（１）を有している。この絶縁フィルム（１）に
はその両側縁部に沿って複数のパーフォレーション孔
（６）が等間隔に配置されると共に幅方向中央部には半
導体チップ（２）を収容するための矩形状のセンタデバ
イス孔（３）が開口している。また、センタデバイス孔
（３）の周辺部には、複数のアウターリード孔（５）が
形成されている。このフィルム（１）上には銅からなる
複数のリード（４）が固着されている。これらのリード
（４）は、センタデバイス孔（３）とアウターリード孔
（５）との間のリードサポート部（７）により支持さ
れ、その先端部はインナーリード（4a）としてセンタデ
バイス孔（３）に張り出し、中央部は外部回路の電極に
接続されるアウターリード（4b）としてアウターリード
孔（５）の上に位置している。さらに、各リード（４）
の後端部にはテストパッド（4c）が形成されている。
尚、リードサポート部（７）はその四隅において、それ
ぞれ隣接するアウターリード孔（５）間に位置するブリ
ッジ部（８）によりフィルム（１）に連結されている。
るキャリアテープを示す平面図及び断面図である。この
キャリアテープは、ポリイミド等から形成された絶縁フ
ィルム（１）を有している。この絶縁フィルム（１）に
はその両側縁部に沿って複数のパーフォレーション孔
（６）が等間隔に配置されると共に幅方向中央部には半
導体チップ（２）を収容するための矩形状のセンタデバ
イス孔（３）が開口している。また、センタデバイス孔
（３）の周辺部には、複数のアウターリード孔（５）が
形成されている。このフィルム（１）上には銅からなる
複数のリード（４）が固着されている。これらのリード
（４）は、センタデバイス孔（３）とアウターリード孔
（５）との間のリードサポート部（７）により支持さ
れ、その先端部はインナーリード（4a）としてセンタデ
バイス孔（３）に張り出し、中央部は外部回路の電極に
接続されるアウターリード（4b）としてアウターリード
孔（５）の上に位置している。さらに、各リード（４）
の後端部にはテストパッド（4c）が形成されている。
尚、リードサポート部（７）はその四隅において、それ
ぞれ隣接するアウターリード孔（５）間に位置するブリ
ッジ部（８）によりフィルム（１）に連結されている。
また、四つのブリッジ部（８）のうちの一つは連結部
（14）を構成しており、この連結部（14）に開口部（1
5）が形成されている。開口部（15）はモールド工程時
に樹脂パッケージにより封止される境界線を示すモール
ドライン（16）をまたぐように形成されており、半導体
チップ（２）の封止時に熔融樹脂の流通路となる。
（14）を構成しており、この連結部（14）に開口部（1
5）が形成されている。開口部（15）はモールド工程時
に樹脂パッケージにより封止される境界線を示すモール
ドライン（16）をまたぐように形成されており、半導体
チップ（２）の封止時に熔融樹脂の流通路となる。
次に、このような構造のキャリアテープを用いて半導体
装置を製造する方法を述べる。
装置を製造する方法を述べる。
まず、第1B図に示すように、表面上に複数のバンプ電極
（21）が形成された半導体チップ（２）を、各バンプ電
極（21）と対応するリード（４）のインナーリード（4
a）との位置が合うようにキャリアテープのセンタデバ
イス孔（３）内に位置させた後、バンプ電極（21）とイ
ンナーリード（4a）とを加熱圧着することによりこれら
を電気的に接続する。これによりテープキャリアが形成
される。
（21）が形成された半導体チップ（２）を、各バンプ電
極（21）と対応するリード（４）のインナーリード（4
a）との位置が合うようにキャリアテープのセンタデバ
イス孔（３）内に位置させた後、バンプ電極（21）とイ
ンナーリード（4a）とを加熱圧着することによりこれら
を電気的に接続する。これによりテープキャリアが形成
される。
次に第２図に示すように、金型（10）を構成する上金型
（10a）と下金型（10d）との間にテープキャリアをセッ
トする。このとき、半導体チップ（２）が下金型（10
d）のキャビティハーフ（12d）内に収容されるようにテ
ープキャリアの位置合わせを行う。尚、上金型（10a）
には下金型（10d）のキャビティハーフ（12d）に対応す
るキャビティハーフ（12c）が形成されると共にキャリ
アテープの連結部（14）に対応する位置にキャビティハ
ーフ（12c）に向って溝形状のゲート（17）が形成され
ている。このゲート（17）はキャリアテープの連結部
（14）の幅よりわずかに狭く開口部（15）の幅とほぼ等
しい幅を有している。また、ゲート（17）とキャビティ
ハーフ（12c）との境界部は、キャリアテープの連結部
（14）の開口部（15）に対応した位置にあり、ここにゲ
ートランド部（17a）が形成されている。このゲートラ
ンド部（17a）は上金型（10c）のパーティング面（18）
とほぼ同じ高さに形成されている。
（10a）と下金型（10d）との間にテープキャリアをセッ
トする。このとき、半導体チップ（２）が下金型（10
d）のキャビティハーフ（12d）内に収容されるようにテ
ープキャリアの位置合わせを行う。尚、上金型（10a）
には下金型（10d）のキャビティハーフ（12d）に対応す
るキャビティハーフ（12c）が形成されると共にキャリ
アテープの連結部（14）に対応する位置にキャビティハ
ーフ（12c）に向って溝形状のゲート（17）が形成され
ている。このゲート（17）はキャリアテープの連結部
（14）の幅よりわずかに狭く開口部（15）の幅とほぼ等
しい幅を有している。また、ゲート（17）とキャビティ
ハーフ（12c）との境界部は、キャリアテープの連結部
（14）の開口部（15）に対応した位置にあり、ここにゲ
ートランド部（17a）が形成されている。このゲートラ
ンド部（17a）は上金型（10c）のパーティング面（18）
とほぼ同じ高さに形成されている。
その後、上金型（10c）と下金型（10d）とを型締めし、
上金型（10c）のキャビティハーフ（12c）と下金型（10
d）のキャビティハーフ（12d）とにより形成されるキャ
ビティ内にゲート（17）を介して低圧トランスファー法
によりエポキシ樹脂等の熔融樹脂を注入する。上述した
ように、上金型（10c）に形成された溝形状のゲート（1
7）の幅はキャリアテープの連結部（14）の幅より狭い
ので、上金型（10c）及び下金型（10d）を型締めした際
にはゲート（17）はアウターリード孔（５）に連通せず
に連結部（14）及び下金型（10d）のパーティング面（1
9）によりその下部が閉じられる。従って、樹脂は第２
図の矢印Ｂに示すようにゲート（17）からゲートランド
部（17a）の下部に位置する連結部（14）の開口部（1
5）を介してキャビティ内に導入される。すなわち、樹
脂（11）がキャリアテープのアウターリード孔（５）に
流出することが防止される。
上金型（10c）のキャビティハーフ（12c）と下金型（10
d）のキャビティハーフ（12d）とにより形成されるキャ
ビティ内にゲート（17）を介して低圧トランスファー法
によりエポキシ樹脂等の熔融樹脂を注入する。上述した
ように、上金型（10c）に形成された溝形状のゲート（1
7）の幅はキャリアテープの連結部（14）の幅より狭い
ので、上金型（10c）及び下金型（10d）を型締めした際
にはゲート（17）はアウターリード孔（５）に連通せず
に連結部（14）及び下金型（10d）のパーティング面（1
9）によりその下部が閉じられる。従って、樹脂は第２
図の矢印Ｂに示すようにゲート（17）からゲートランド
部（17a）の下部に位置する連結部（14）の開口部（1
5）を介してキャビティ内に導入される。すなわち、樹
脂（11）がキャリアテープのアウターリード孔（５）に
流出することが防止される。
このようにして注入された樹脂を硬化させた後、上金型
（10c）及び下金型（10d）を開いて、第３図に示すよう
な成型物を取り出し、ゲートブレイク工程により上金型
（10c）のゲートランド部（17a）に対応する部分（11
d）で樹脂（11）を折って不用なゲート部の樹脂部分（1
1b）を取り除く。このとき、第３図に示すように、キャ
リアテープの開口部（15）内で且つ半導体装置のパッケ
ージ部となる樹脂（11）の厚さt4は上金型（10c）のゲ
ートランド部（17a）に対応する部分（11d）の樹脂厚さ
t3に比べて厚くなる。このため、ゲートブレイク工程に
おいてパッケージ部分の樹脂（11）が欠ける恐れはな
い。
（10c）及び下金型（10d）を開いて、第３図に示すよう
な成型物を取り出し、ゲートブレイク工程により上金型
（10c）のゲートランド部（17a）に対応する部分（11
d）で樹脂（11）を折って不用なゲート部の樹脂部分（1
1b）を取り除く。このとき、第３図に示すように、キャ
リアテープの開口部（15）内で且つ半導体装置のパッケ
ージ部となる樹脂（11）の厚さt4は上金型（10c）のゲ
ートランド部（17a）に対応する部分（11d）の樹脂厚さ
t3に比べて厚くなる。このため、ゲートブレイク工程に
おいてパッケージ部分の樹脂（11）が欠ける恐れはな
い。
さらに、各リード（４）をアウターリード（4b）とテス
トパッド（4c）との間で切断すると共にキャリアテープ
のブリッジ部（８）及び連結部（14）を切断することに
より半導体装置が得られる。
トパッド（4c）との間で切断すると共にキャリアテープ
のブリッジ部（８）及び連結部（14）を切断することに
より半導体装置が得られる。
以上説明したように、樹脂封止時にキャリアテープのア
ウターリード孔（５）内に樹脂（11）が侵入することが
防止されるので、封止後に不用な封止樹脂を取り除く必
要はなく、従ってリード（４）のアウターリード（4b）
を破損する恐れもなくなる。また、ゲートブレイク工程
においてパッケージ部分の樹脂（11）が欠けることを防
止することができる。
ウターリード孔（５）内に樹脂（11）が侵入することが
防止されるので、封止後に不用な封止樹脂を取り除く必
要はなく、従ってリード（４）のアウターリード（4b）
を破損する恐れもなくなる。また、ゲートブレイク工程
においてパッケージ部分の樹脂（11）が欠けることを防
止することができる。
尚、上記の実施例では、上金型（10c）に形成されたゲ
ートランド部（17a）がパーティング面（18）とほぼ同
じ高さを有していたが、樹脂封止時に熔融樹脂（11）が
キャリアテープの開口部（15）内で且つこのゲートラン
ド部と下金型（10d）のパーティング面（19）との間を
流通し得る高さであればよく、上金型（10c）のパーテ
ィング面（18）より高くても、あるいはパーティング面
（18）より下方に突出していてもよい。
ートランド部（17a）がパーティング面（18）とほぼ同
じ高さを有していたが、樹脂封止時に熔融樹脂（11）が
キャリアテープの開口部（15）内で且つこのゲートラン
ド部と下金型（10d）のパーティング面（19）との間を
流通し得る高さであればよく、上金型（10c）のパーテ
ィング面（18）より高くても、あるいはパーティング面
（18）より下方に突出していてもよい。
また、キャリアテープの連結部（14）に形成する樹脂
（11）の流通路としては開口部に限るものではなく、第
４図に示すように、連結部（24）の上面に形成された凹
部（25）であってもよい。この場合、樹脂封止時には第
５図の矢印Ｃに示すように熔融樹脂が上金型（10c）の
ゲート（17）からゲートランド部（17a）の直下に位置
するキャリアテープの凹部（25）内を介してキャビティ
へ注入される。
（11）の流通路としては開口部に限るものではなく、第
４図に示すように、連結部（24）の上面に形成された凹
部（25）であってもよい。この場合、樹脂封止時には第
５図の矢印Ｃに示すように熔融樹脂が上金型（10c）の
ゲート（17）からゲートランド部（17a）の直下に位置
するキャリアテープの凹部（25）内を介してキャビティ
へ注入される。
さらに、キャリアテープの連結部を設ける位置はブリッ
ジ部（８）に限定されるものではない。例えば、第６図
に示すように、一つのアウターリード孔（51）を分断し
てリードサポート部（７）に連結するように連結部（3
4）を形成することもできる。この場合にも、連結部（3
4）にモールドライン（16）をまたぐように開口部（3
5）あるいは凹部が形成される。
ジ部（８）に限定されるものではない。例えば、第６図
に示すように、一つのアウターリード孔（51）を分断し
てリードサポート部（７）に連結するように連結部（3
4）を形成することもできる。この場合にも、連結部（3
4）にモールドライン（16）をまたぐように開口部（3
5）あるいは凹部が形成される。
また、半導体チップ（２）が大型化してリードサポート
部（７）の一辺の長さが所定値以上に長くなった場合に
は、自重によるリードサポート部（７）の垂れ下がりを
防止するために、センタデバイス孔（３）を挟んで対向
する一対のアウターリード孔（５）あるいは四つの全て
のアウターリード孔（５）にそれぞれアウターリード孔
（５）を分断してリードサポート部（７）に連結された
センタータイバーを形成することがある。そこで、これ
らのセンタータイバーのうちの一つを連結部として利用
することもできる。
部（７）の一辺の長さが所定値以上に長くなった場合に
は、自重によるリードサポート部（７）の垂れ下がりを
防止するために、センタデバイス孔（３）を挟んで対向
する一対のアウターリード孔（５）あるいは四つの全て
のアウターリード孔（５）にそれぞれアウターリード孔
（５）を分断してリードサポート部（７）に連結された
センタータイバーを形成することがある。そこで、これ
らのセンタータイバーのうちの一つを連結部として利用
することもできる。
さらに、連結部は一つに限るものではなく、リードサポ
ート部（７）に複数の連結部を連結させて各連結部に形
成された開口部あるいは凹部をそれぞれ流通路として複
数箇所から熔融樹脂を注入してもよい。
ート部（７）に複数の連結部を連結させて各連結部に形
成された開口部あるいは凹部をそれぞれ流通路として複
数箇所から熔融樹脂を注入してもよい。
以上説明したように、この発明に係るキャリアテープ
は、半導体チップを収容するためのセンタデバイス孔と
このセンタデバイス孔の周辺に形成された複数のアウタ
ーリード孔と前記センタデバイス孔及び各アウターリー
ド孔の間に位置するリードサポート部と互いに隣接する
一対のアウターリード孔の間に位置して前記リードサポ
ート部に連結され且つ前記半導体チップの樹脂封止時に
熔融樹脂の流通路となる開口部及び凹部のいずれか一方
が形成された連結部とを有する絶縁フィルムと、それぞ
れ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に支持される
と共に一端部が前記センタデバイス孔に突出する複数の
リードとを備えているので、高信頼性且つ高品質の半導
体装置を容易に製造することができる。
は、半導体チップを収容するためのセンタデバイス孔と
このセンタデバイス孔の周辺に形成された複数のアウタ
ーリード孔と前記センタデバイス孔及び各アウターリー
ド孔の間に位置するリードサポート部と互いに隣接する
一対のアウターリード孔の間に位置して前記リードサポ
ート部に連結され且つ前記半導体チップの樹脂封止時に
熔融樹脂の流通路となる開口部及び凹部のいずれか一方
が形成された連結部とを有する絶縁フィルムと、それぞ
れ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に支持される
と共に一端部が前記センタデバイス孔に突出する複数の
リードとを備えているので、高信頼性且つ高品質の半導
体装置を容易に製造することができる。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、センタ
デバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された
複数のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各
アウターリード孔の間に位置するリードサポート部と互
いに隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前
記リードサポート部に連結され且つ開口部及び凹部のい
ずれか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に
支持されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出
する複数のリードとを備えたキャリアテープの前記セン
タデバイス孔内に複数の電極を備えた半導体チップを位
置させ、前記複数のリードの一端部と前記半導体チップ
の複数の電極とを電気的に接続し、前記半導体チップを
金型のキャビティ内に収容し、前記絶縁フィルムの連結
部に形成された前記開口部及び凹部のいずれか一方を流
通路として熔融樹脂を前記金型のキャビティ内に注入
し、前記熔融樹脂を硬化させるので、信頼性が高く且つ
品質の優れた半導体装置が容易に得られる。
デバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された
複数のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各
アウターリード孔の間に位置するリードサポート部と互
いに隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前
記リードサポート部に連結され且つ開口部及び凹部のい
ずれか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に
支持されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出
する複数のリードとを備えたキャリアテープの前記セン
タデバイス孔内に複数の電極を備えた半導体チップを位
置させ、前記複数のリードの一端部と前記半導体チップ
の複数の電極とを電気的に接続し、前記半導体チップを
金型のキャビティ内に収容し、前記絶縁フィルムの連結
部に形成された前記開口部及び凹部のいずれか一方を流
通路として熔融樹脂を前記金型のキャビティ内に注入
し、前記熔融樹脂を硬化させるので、信頼性が高く且つ
品質の優れた半導体装置が容易に得られる。
第1A図はこの発明の第１実施例に係るキャリアテープを
示す平面図、第1B図は第1A図のＩ−Ｉ線断面図、第２図
及び第３図はそれぞれ第１実施例のキャリアテープを用
いて半導体装置を製造する方法を工程順に示す断面図、
第４図は第２実施例に係るキャリアテープを示す断面
図、第５図は第２実施例のキャリアテープを用いて半導
体装置を製造する方法を示す断面図、第６図は第３実施
例に係るキャリアテープを示す平面図、第7A図は従来の
キャリアテープの平面図、第7B図は第7A図のII−II線断
面図、第８図及び第９図はそれぞれ従来の半導体装置を
製造する工程を示す断面図である。 図において、（１）は絶縁フィルム、（２）は半導体チ
ップ、（３）はセンタデバイス孔、（４）はリード、
（4a）はインナーリード、（５）はアウターリード孔、
（７）はリードサポート部、（10）は金型、（11）は樹
脂、（12c）及び（12d）はキャビティハーフ、（14）、
（24）及び（34）は連結部、（15）及び（35）は開口
部、（21）はバンプ電極、（25）は凹部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
示す平面図、第1B図は第1A図のＩ−Ｉ線断面図、第２図
及び第３図はそれぞれ第１実施例のキャリアテープを用
いて半導体装置を製造する方法を工程順に示す断面図、
第４図は第２実施例に係るキャリアテープを示す断面
図、第５図は第２実施例のキャリアテープを用いて半導
体装置を製造する方法を示す断面図、第６図は第３実施
例に係るキャリアテープを示す平面図、第7A図は従来の
キャリアテープの平面図、第7B図は第7A図のII−II線断
面図、第８図及び第９図はそれぞれ従来の半導体装置を
製造する工程を示す断面図である。 図において、（１）は絶縁フィルム、（２）は半導体チ
ップ、（３）はセンタデバイス孔、（４）はリード、
（4a）はインナーリード、（５）はアウターリード孔、
（７）はリードサポート部、（10）は金型、（11）は樹
脂、（12c）及び（12d）はキャビティハーフ、（14）、
（24）及び（34）は連結部、（15）及び（35）は開口
部、（21）はバンプ電極、（25）は凹部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
フロントページの続き (72)発明者 竹村 誠次 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社北伊丹製作所内 (72)発明者 道井 一成 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社北伊丹製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】半導体チップを収容するためのセンタデバ
イス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された複数
のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各アウ
ターリード孔の間に位置するリードサポート部と互いに
隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前記リ
ードサポート部に連結され且つ前記半導体チップの樹脂
封止時に熔融樹脂の流通路となる開口部及び凹部のいず
れか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、 それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に支持
されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出する
複数のリードと を備えたことを特徴とするキャリアテープ。 - 【請求項２】センタデバイス孔とこのセンタデバイス孔
の周辺に形成された複数のアウターリード孔と前記セン
タデバイス孔及び各アウターリード孔の間に位置するリ
ードサポート部と互いに隣接する一対のアウターリード
孔の間に位置して前記リードサポート部に連結され且つ
開口部及び凹部のいずれか一方が形成された連結部とを
有する絶縁フィルムと、それぞれ前記絶縁フィルムのリ
ードサポート部上に支持されると共に一端部が前記セン
タデバイス孔に突出する複数のリードとを備えたキャリ
アテープの前記センタデバイス孔内に複数の電極を備え
た半導体チップを位置させ、 前記複数のリードの一端部と前記半導体チップの複数の
電極とを電気的に接続し、 前記半導体チップを金型のキャビティ内に収容し、 前記絶縁フィルムの連結部に形成された前記開口部及び
凹部のいずれか一方を流通路として熔融樹脂を前記金型
のキャビティ内に注入し、 前記熔融樹脂を硬化させる ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214165A JPH0680706B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US07/444,973 US5196917A (en) | 1989-08-22 | 1989-12-04 | Carrier tape |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214165A JPH0680706B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0378236A JPH0378236A (ja) | 1991-04-03 |
| JPH0680706B2 true JPH0680706B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16651312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1214165A Expired - Fee Related JPH0680706B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5196917A (ja) |
| JP (1) | JPH0680706B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536756A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用テープキヤリア及びその製造方法 |
| JP3226628B2 (ja) * | 1992-10-15 | 2001-11-05 | 三菱電機株式会社 | テープキャリア、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
| SG68542A1 (en) * | 1993-06-04 | 1999-11-16 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP3329073B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2002-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5760465A (en) * | 1996-02-01 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Electronic package with strain relief means |
| WO1998022980A1 (fr) * | 1996-11-21 | 1998-05-28 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication |
| US5969427A (en) * | 1998-02-05 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Use of an oxide surface to facilitate gate break on a carrier substrate for a semiconductor device |
| US20020043389A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-18 | Selvarajan Murugan | Virtual gate design for thin packages |
| US6632704B2 (en) * | 2000-12-19 | 2003-10-14 | Intel Corporation | Molded flip chip package |
| SG115569A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-10-28 | Micron Technology Inc | Tape substrates with mold gate support structures that are coplanar with conductive traces thereof and associated methods |
| EP2273348A1 (fr) * | 2009-07-10 | 2011-01-12 | EM Microelectronic-Marin SA | Procédé de fabrication d'un verre à touches capacitives pour un instrument electronique, et instrument comprenant un tel verre |
| US10020211B2 (en) * | 2014-06-12 | 2018-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer-level molding chase design |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3051195C2 (de) * | 1980-08-05 | 1997-08-28 | Gao Ges Automation Org | Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten |
| US4915607A (en) * | 1987-09-30 | 1990-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame assembly for an integrated circuit molding system |
| JPH0783036B2 (ja) * | 1987-12-11 | 1995-09-06 | 三菱電機株式会社 | キヤリアテープ |
| US4967260A (en) * | 1988-05-04 | 1990-10-30 | International Electronic Research Corp. | Hermetic microminiature packages |
| US5018003A (en) * | 1988-10-20 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device |
-
1989
- 1989-08-22 JP JP1214165A patent/JPH0680706B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-04 US US07/444,973 patent/US5196917A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0378236A (ja) | 1991-04-03 |
| US5196917A (en) | 1993-03-23 |
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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