JPH0378236A - キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH0378236A JPH0378236A JP1214165A JP21416589A JPH0378236A JP H0378236 A JPH0378236 A JP H0378236A JP 1214165 A JP1214165 A JP 1214165A JP 21416589 A JP21416589 A JP 21416589A JP H0378236 A JPH0378236 A JP H0378236A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｔ Ａ Ｂ （ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）法により半導体チップを搭載す
るためのキャリアテープ及びこのキャリアテープを用い
て半導体装置を製造する方法に関する。
ｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）法により半導体チップを搭載す
るためのキャリアテープ及びこのキャリアテープを用い
て半導体装置を製造する方法に関する。
第７Ａ図及び第７Ｂ図はそれぞれ半導体チップが搭載さ
れた従来のキャリアテープの平面図及び断面図である。
れた従来のキャリアテープの平面図及び断面図である。
キャリアテープは、ポリイミド等の絶縁材料から形成さ
れたフィルムけ）を有している。このフィルム（１）に
はその両側縁部に沿って複数のパーフォレーション孔（
６）が等間隔に配置されると共に幅方向中央部には半導
体チップ（２）を収容するための矩形状のセンタデバイ
ス孔（３）が形成されている。また、センタデバイス孔
（３）の周辺部には、複数のアウターリード孔（５）が
形成されている。このフィルム（１）上には銅からなる
複数のリード（４）が固着されている。これらのり−ド
（４）は、センタデバイス孔（３）とアウターリード孔
（５）との間のリードサポート部（））により支持され
、その先端部はインナーリード（４ａ）としてセンタデ
バイス孔（３）に張り出し、中央部は外部回路の電極に
接続されるアウターリード（４ｂ）としてアウターリー
ド孔（５）の上に位置している。さらに、各リード（４
）の後端部にはテストパッド（４Ｃ）が形成されている
。尚、リードサポート部（７）は隣接するアウターリー
ド孔（５）間に位置するブリッジ部（８）によりフィル
ム（１）に連結されている。
れたフィルムけ）を有している。このフィルム（１）に
はその両側縁部に沿って複数のパーフォレーション孔（
６）が等間隔に配置されると共に幅方向中央部には半導
体チップ（２）を収容するための矩形状のセンタデバイ
ス孔（３）が形成されている。また、センタデバイス孔
（３）の周辺部には、複数のアウターリード孔（５）が
形成されている。このフィルム（１）上には銅からなる
複数のリード（４）が固着されている。これらのり−ド
（４）は、センタデバイス孔（３）とアウターリード孔
（５）との間のリードサポート部（））により支持され
、その先端部はインナーリード（４ａ）としてセンタデ
バイス孔（３）に張り出し、中央部は外部回路の電極に
接続されるアウターリード（４ｂ）としてアウターリー
ド孔（５）の上に位置している。さらに、各リード（４
）の後端部にはテストパッド（４Ｃ）が形成されている
。尚、リードサポート部（７）は隣接するアウターリー
ド孔（５）間に位置するブリッジ部（８）によりフィル
ム（１）に連結されている。
第７Ｂ図に示すように、キャリアテープのセンタデバイ
ス孔（３）内において各リード（４）のインナーリード
（４ａ）に半導体チップ７２）のバンプ電極（２１）が
接続され、これらキャリアテープ及び半導体チップ（２
）によりテープキャリアが形成される。
ス孔（３）内において各リード（４）のインナーリード
（４ａ）に半導体チップ７２）のバンプ電極（２１）が
接続され、これらキャリアテープ及び半導体チップ（２
）によりテープキャリアが形成される。
このようなテープキャリアは、外力及び外部の環境から
半導体チップ（２）及びリード（４）等を保護するため
、例えば第８図に示すような上金型（１０ａ）及び下金
型（ｉｏｂ）を用いて樹脂パッケージにより封止される
。樹脂封止時には、まずテープキャリアが上金型（１０
ｍ）と下金型（１０ｂ）との間にセットされる。このと
き、半導体チップ（２）が下金型（ｉｏｂ）のキャビテ
ィハーフ（１２ｂ）内に収容されるようにテープキャリ
アの位置合わせを行う、その後、上金型＜１０ａ）と下
金型（１０ｂ）とを型締めし、上金型（１０ａ）のキャ
ビティハーフ（１２ａ）と下金型（ｔａｂ）のキャビテ
ィハーフ（１２ｂ）とにより形成されるキャビティ内に
上金型（１０ａ）の溝状のゲート（１３）及びゲートラ
ンド部（１３ａ）を介して熔融樹脂（１１）を注入する
。樹脂（１１）を硬化させると、第９図に示すような成
型物が得られる。この成型物を上金型（１０ａ）及び下
金型（１０ｂ）から取り出した後、ゲートブレイクと呼
ばれる工程により上金型（１０ｍ）のゲートランド部（
１３ａ）に対応する部分（ｌｌａ）で樹脂（１１）を折
って不用なゲート部の樹脂部分（ｔｔｂ）を取り除く、
さらに、各リード（４）をアウターリード（４ｂ）とテ
ストパッド（４ｃ）との間で切断すると共にフィルム（
１）のブリッジ部（８）を切断することにより半導体装
置が形成される。
半導体チップ（２）及びリード（４）等を保護するため
、例えば第８図に示すような上金型（１０ａ）及び下金
型（ｉｏｂ）を用いて樹脂パッケージにより封止される
。樹脂封止時には、まずテープキャリアが上金型（１０
ｍ）と下金型（１０ｂ）との間にセットされる。このと
き、半導体チップ（２）が下金型（ｉｏｂ）のキャビテ
ィハーフ（１２ｂ）内に収容されるようにテープキャリ
アの位置合わせを行う、その後、上金型＜１０ａ）と下
金型（１０ｂ）とを型締めし、上金型（１０ａ）のキャ
ビティハーフ（１２ａ）と下金型（ｔａｂ）のキャビテ
ィハーフ（１２ｂ）とにより形成されるキャビティ内に
上金型（１０ａ）の溝状のゲート（１３）及びゲートラ
ンド部（１３ａ）を介して熔融樹脂（１１）を注入する
。樹脂（１１）を硬化させると、第９図に示すような成
型物が得られる。この成型物を上金型（１０ａ）及び下
金型（１０ｂ）から取り出した後、ゲートブレイクと呼
ばれる工程により上金型（１０ｍ）のゲートランド部（
１３ａ）に対応する部分（ｌｌａ）で樹脂（１１）を折
って不用なゲート部の樹脂部分（ｔｔｂ）を取り除く、
さらに、各リード（４）をアウターリード（４ｂ）とテ
ストパッド（４ｃ）との間で切断すると共にフィルム（
１）のブリッジ部（８）を切断することにより半導体装
置が形成される。
しかしながら、第８図に示すように上金型（１０ａ）の
溝状のゲート（１３）はフィルム（１）の一つのアウタ
ーリード孔（５ａ）の上に位置しており、樹脂（１１）
はこのゲー） （１３）を介し第７Ａ図の矢印Ａに沿っ
てキャビティ内に注入される。このため、樹脂（１１）
はキャビティ内のみならずフィルム（１）のアウターリ
ード孔（５ａ）内にまで侵入し、ここに第９図に示すよ
うに不用な封止樹脂部分（ｌｉｅ）が形成されてしまう
。従って、樹脂封止後に不用な封止樹脂部分（ｌｉｅ）
を取り除く工程を必要とし、半導体装置の製造が繁雑に
なるという問題があった。
溝状のゲート（１３）はフィルム（１）の一つのアウタ
ーリード孔（５ａ）の上に位置しており、樹脂（１１）
はこのゲー） （１３）を介し第７Ａ図の矢印Ａに沿っ
てキャビティ内に注入される。このため、樹脂（１１）
はキャビティ内のみならずフィルム（１）のアウターリ
ード孔（５ａ）内にまで侵入し、ここに第９図に示すよ
うに不用な封止樹脂部分（ｌｉｅ）が形成されてしまう
。従って、樹脂封止後に不用な封止樹脂部分（ｌｉｅ）
を取り除く工程を必要とし、半導体装置の製造が繁雑に
なるという問題があった。
また、一般にリード（４）の厚さは３５μ糟程度と薄い
ために、封止樹脂部分（ｌｉｅ）を取り除く際にリード
（４）のアウターリード（４ｂ）が破損しやすく、半導
体装置の信頼性が低下するという問題もあった。
ために、封止樹脂部分（ｌｉｅ）を取り除く際にリード
（４）のアウターリード（４ｂ）が破損しやすく、半導
体装置の信頼性が低下するという問題もあった。
また、半導体装置の薄型化を図るために半導体チップ（
２）上部の樹脂厚を薄くすると、第９図に示すように、
上金型（１０ａ）のゲートランド部（１３ａ）に対応す
る部分（１’ｌａ）の樹脂厚さｔｌに比べて半導体装置
のパッケージ部となるフィルム（１）のリードサポート
部（７）上の樹脂（１１）の厚さ°ｔ２が薄くなる、こ
のため、ゲートブレイク工程においてパッケージ部分の
樹脂（１１）が欠けてしまい、半導体装置の品質が低下
する恐れがあるという問題も生じていた。
２）上部の樹脂厚を薄くすると、第９図に示すように、
上金型（１０ａ）のゲートランド部（１３ａ）に対応す
る部分（１’ｌａ）の樹脂厚さｔｌに比べて半導体装置
のパッケージ部となるフィルム（１）のリードサポート
部（７）上の樹脂（１１）の厚さ°ｔ２が薄くなる、こ
のため、ゲートブレイク工程においてパッケージ部分の
樹脂（１１）が欠けてしまい、半導体装置の品質が低下
する恐れがあるという問題も生じていた。
この発明はこのような開花点を解消するためになされた
もので、高信頼性で且つ高品質の半導体装置を容易に製
造することができるキャリアテープを提供することを目
的とする。
もので、高信頼性で且つ高品質の半導体装置を容易に製
造することができるキャリアテープを提供することを目
的とする。
また、この発明はこのようなキャリアテープを用いて半
導体装置を製造する方法を提供することも目的としてい
る。
導体装置を製造する方法を提供することも目的としてい
る。
この発明に係るキャリアテープは、半導体チップを収容
するためのセンタデバイス孔とこのセンタデバイス孔の
周辺に形成された複数のアウターリード孔と前記センタ
デバイス孔及び各アウターリード孔の間に位置するリー
ドサポート部と互いに隣接する一対のアウターリード孔
の間に位置して前記リードサポート部に連結され且つ前
記半導体チップの樹脂封止時に熔融樹脂の流通路となる
開口部及び四部のいずれか一方が形成された連結部とを
有する絶縁フィルムと、それぞれ前記絶縁フィルムのリ
ードサポート部上に支持されると共に一端部が前記セン
タデバイス孔に突出する複数のリードとを備えたもので
ある。
するためのセンタデバイス孔とこのセンタデバイス孔の
周辺に形成された複数のアウターリード孔と前記センタ
デバイス孔及び各アウターリード孔の間に位置するリー
ドサポート部と互いに隣接する一対のアウターリード孔
の間に位置して前記リードサポート部に連結され且つ前
記半導体チップの樹脂封止時に熔融樹脂の流通路となる
開口部及び四部のいずれか一方が形成された連結部とを
有する絶縁フィルムと、それぞれ前記絶縁フィルムのリ
ードサポート部上に支持されると共に一端部が前記セン
タデバイス孔に突出する複数のリードとを備えたもので
ある。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、センタ
デバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された
複数のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各
アウターリード孔の間に位置するリードサポート部と互
いに隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前
記リードサポート部に連結され且つ開口部及び凹部のい
ずれか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に
支持されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出
する複数のリードとを備えたキャリアテープの前記セン
タデバイス孔内に複数の電極を備えた半導体チップを位
置させ、前記複数のリードの一端部と前記半導体チップ
の複数の電極とを電気的に接続し、前記半導体チップを
金型のキャビティ内に収容し、前記絶縁フィルムの連結
部に形成された前記開口部及び凹部のいずれか一方を流
通路として熔融樹脂を前記金型のキャビティ内に注入し
、前記熔融樹脂を硬化させる方法である。
デバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された
複数のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各
アウターリード孔の間に位置するリードサポート部と互
いに隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前
記リードサポート部に連結され且つ開口部及び凹部のい
ずれか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に
支持されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出
する複数のリードとを備えたキャリアテープの前記セン
タデバイス孔内に複数の電極を備えた半導体チップを位
置させ、前記複数のリードの一端部と前記半導体チップ
の複数の電極とを電気的に接続し、前記半導体チップを
金型のキャビティ内に収容し、前記絶縁フィルムの連結
部に形成された前記開口部及び凹部のいずれか一方を流
通路として熔融樹脂を前記金型のキャビティ内に注入し
、前記熔融樹脂を硬化させる方法である。
この発明においては、キャリアテープの絶縁フィルムの
連結部に形成された開口部あるいは凹部が半導体チップ
の樹脂封止時に熔融樹脂の流通路となる。
連結部に形成された開口部あるいは凹部が半導体チップ
の樹脂封止時に熔融樹脂の流通路となる。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１Ａ図及び第１Ｂ図はそれぞれこの発明の第１実施例
に係るキャリアテープを示す平面図及び断面図である。
に係るキャリアテープを示す平面図及び断面図である。
このキャリアテープは、ポリイミド等から形成された絶
縁フィルム（１）を有している。この絶縁フィルム（１
）にはその両側縁部に沿って複数のパーフォレーション
孔（６）が等間隔に配置されると共に幅方向中央部には
半導体チップ（２）を収容するための矩形状のセンタデ
バイス孔（３）が開口している。また、センタデバイス
孔（３）の周辺部には、複数のアウターリード孔（５）
が形成されている。このフィルム（１）上には銅からな
る複数のリード（４）が固着されている。これらのリー
ド（４）は、センタデバイス孔（３）とアウターリード
孔（５）との間のリードサポート部（７）により支持さ
れ、その先端部はインナーリード （４ａ）としてセン
タデバイス孔（３）に張り出し、中央部は外部回路の電
極に接続されるアウターリード（４ｂ）としてアウター
リード孔（５）の上に位置している。さらに、各リード
（４）の後端部にはテストパッド（４ｃ）が形成されて
いる。尚、リードサポート部（７）はその四隅において
、それぞれ隣接するアウターリード孔（５）間に位置す
るブリッジ部（８）によりフィルム（１）に連結されて
いる。
縁フィルム（１）を有している。この絶縁フィルム（１
）にはその両側縁部に沿って複数のパーフォレーション
孔（６）が等間隔に配置されると共に幅方向中央部には
半導体チップ（２）を収容するための矩形状のセンタデ
バイス孔（３）が開口している。また、センタデバイス
孔（３）の周辺部には、複数のアウターリード孔（５）
が形成されている。このフィルム（１）上には銅からな
る複数のリード（４）が固着されている。これらのリー
ド（４）は、センタデバイス孔（３）とアウターリード
孔（５）との間のリードサポート部（７）により支持さ
れ、その先端部はインナーリード （４ａ）としてセン
タデバイス孔（３）に張り出し、中央部は外部回路の電
極に接続されるアウターリード（４ｂ）としてアウター
リード孔（５）の上に位置している。さらに、各リード
（４）の後端部にはテストパッド（４ｃ）が形成されて
いる。尚、リードサポート部（７）はその四隅において
、それぞれ隣接するアウターリード孔（５）間に位置す
るブリッジ部（８）によりフィルム（１）に連結されて
いる。
また、四つのブリッジ部（８）のうちの一つは連結部（
１４）を構成しており、この連結部（１４）に開口部（
１５）が形成されている。開口部（１５）はモールド工
程時に樹脂パッケージにより封止される境界線を示すモ
ールドライン（１６）をまたぐように形成されており、
半導体チップ（２）の封止時に熔融樹脂の流通路となる
。
１４）を構成しており、この連結部（１４）に開口部（
１５）が形成されている。開口部（１５）はモールド工
程時に樹脂パッケージにより封止される境界線を示すモ
ールドライン（１６）をまたぐように形成されており、
半導体チップ（２）の封止時に熔融樹脂の流通路となる
。
次に、このような構造のキャリアテープを用いて半導体
装置を製造する方法を述べる。
装置を製造する方法を述べる。
まず、第１Ｂ図に示すように、表面上に複数のバンブ電
極（２１）が形成された半導体チップ（２）を、各バン
ブ電極（２１）と対応するリード（４）のインナーリー
ド（４ａ）との位置が合うようにキャリアテープのセン
タデバイス孔（３）内に位置させた後、バンブ電極（２
１）とインナーリード（４ａ）とを加熱圧着することに
よりこれらを電気的に接続する。これによりテープキャ
リアが形成される。
極（２１）が形成された半導体チップ（２）を、各バン
ブ電極（２１）と対応するリード（４）のインナーリー
ド（４ａ）との位置が合うようにキャリアテープのセン
タデバイス孔（３）内に位置させた後、バンブ電極（２
１）とインナーリード（４ａ）とを加熱圧着することに
よりこれらを電気的に接続する。これによりテープキャ
リアが形成される。
次に第２図に示すように、金型（１０）を構成する上金
型（ｌｏｃ）と下金型（１０ｄ）との間にテープキャリ
アをセットする。このとき、半導体チップ（２）が下金
型（１０ｄ）のキャビティハーフ（１２ｄ）内に収容さ
れるようにテープキャリアの位置合わせを行う。
型（ｌｏｃ）と下金型（１０ｄ）との間にテープキャリ
アをセットする。このとき、半導体チップ（２）が下金
型（１０ｄ）のキャビティハーフ（１２ｄ）内に収容さ
れるようにテープキャリアの位置合わせを行う。
尚、上金型（１０ｃ）には下金型（ＩＱｄ）のキャビテ
ィハーフ（１２ｄ）に対応するキャビティハーフ（１２
ｃ）が形成されると共にキャリアテープの連結部（１４
）に対応する位置にキャビティハーフ（１２ｃ）に向か
って溝形状のゲート（１７）が形成されている。このゲ
ー） （１７）はキャリアテープの連結部（１４）の幅
よりわずかに狭く開口部（１５）の幅とほぼ等しい幅を
有している。また、ゲート（１））とキャビティハーフ
（１２ｃ）との境界部は、キャリアテープの連結部（１
４）の開口部＜１５）に対応した位置にあり、ここにゲ
ートランド部（１７ａ）が形成されている。このゲート
ランド部（１７ａ）は上金型（１０ｃ）のパーティング
面（１８）とほぼ同じ高さに形成されている。
ィハーフ（１２ｄ）に対応するキャビティハーフ（１２
ｃ）が形成されると共にキャリアテープの連結部（１４
）に対応する位置にキャビティハーフ（１２ｃ）に向か
って溝形状のゲート（１７）が形成されている。このゲ
ー） （１７）はキャリアテープの連結部（１４）の幅
よりわずかに狭く開口部（１５）の幅とほぼ等しい幅を
有している。また、ゲート（１））とキャビティハーフ
（１２ｃ）との境界部は、キャリアテープの連結部（１
４）の開口部＜１５）に対応した位置にあり、ここにゲ
ートランド部（１７ａ）が形成されている。このゲート
ランド部（１７ａ）は上金型（１０ｃ）のパーティング
面（１８）とほぼ同じ高さに形成されている。
その後、上金型（１０ｃ）と下金型（１０ｄ）とを型締
めし、上金型（１０ｃ）のキャビティハーフ（１２ｃ）
と下金型（１０ｄ）のキャビティハーフ（１２ｄ）とに
より形成されるキャビティ内にゲート（１７）を介して
低圧トランスファー法によりエポキシ樹脂等の熔融樹脂
を注入する。上述したように、上金型（１０ｃ）に形成
された溝形状のゲート（１７）の幅はキャリアテープの
連結部（１４）の幅より狭いので、上金型（１０ｃ）及
び下金型（１０ｃｌ）を型締めした際にはゲート（１７
）はアウターリード孔（５）に連通せずに連結部（１４
）及び下金型（１０ｄ）のパーティング面（１９）によ
りその下部が閉じられる。従って、樹脂は第２図の矢印
Ｂに示すようにゲー） （１７）からゲートランド部（
１，７ａ）の下部に位置する連結部（１４）の開口部（
１５）を介してキャビティ内に導入される。すなわち、
樹脂〈１１）がキャリアテープのアウターリード孔（５
）に流出することが防止される。
めし、上金型（１０ｃ）のキャビティハーフ（１２ｃ）
と下金型（１０ｄ）のキャビティハーフ（１２ｄ）とに
より形成されるキャビティ内にゲート（１７）を介して
低圧トランスファー法によりエポキシ樹脂等の熔融樹脂
を注入する。上述したように、上金型（１０ｃ）に形成
された溝形状のゲート（１７）の幅はキャリアテープの
連結部（１４）の幅より狭いので、上金型（１０ｃ）及
び下金型（１０ｃｌ）を型締めした際にはゲート（１７
）はアウターリード孔（５）に連通せずに連結部（１４
）及び下金型（１０ｄ）のパーティング面（１９）によ
りその下部が閉じられる。従って、樹脂は第２図の矢印
Ｂに示すようにゲー） （１７）からゲートランド部（
１，７ａ）の下部に位置する連結部（１４）の開口部（
１５）を介してキャビティ内に導入される。すなわち、
樹脂〈１１）がキャリアテープのアウターリード孔（５
）に流出することが防止される。
このようにして注入された樹脂を硬化させた後、上金型
（１０ｃ）及び下金型（１０ｄ）を開いて、第３図に示
すような成型物を取り出し、ゲートブレイク工程により
上金型（１０ｃ）のゲートランド部（１７ａ）に対応す
る部分（ｌｌｃｌ）で樹脂（１１）を折って不用なゲー
ト部の樹脂部分（ｌｌｂ）を取り除く。このとき、第３
図に示すように、キャリアテープの開口部（１５）内で
且つ半導体装置のパッケージ部となる樹脂（１１）の厚
さｔ４は上金型（１０ｃ）のゲートランド部（１７ａ）
に対応する部分（ｌｉｄ）の樹脂厚さｔ、に比べて厚く
なる。このため、ゲートブレイク工程においてパッケー
ジ部分の樹脂（１１）が欠ける恐れはない さらに、各リード（４）をアウターリード（４ｂ）とテ
ストパッド（４ｃ）との間で切断すると共にキャリアテ
ープのブリッジ部（８）及び連結部（１４）を切断する
ことにより半導体装置が得られる。
（１０ｃ）及び下金型（１０ｄ）を開いて、第３図に示
すような成型物を取り出し、ゲートブレイク工程により
上金型（１０ｃ）のゲートランド部（１７ａ）に対応す
る部分（ｌｌｃｌ）で樹脂（１１）を折って不用なゲー
ト部の樹脂部分（ｌｌｂ）を取り除く。このとき、第３
図に示すように、キャリアテープの開口部（１５）内で
且つ半導体装置のパッケージ部となる樹脂（１１）の厚
さｔ４は上金型（１０ｃ）のゲートランド部（１７ａ）
に対応する部分（ｌｉｄ）の樹脂厚さｔ、に比べて厚く
なる。このため、ゲートブレイク工程においてパッケー
ジ部分の樹脂（１１）が欠ける恐れはない さらに、各リード（４）をアウターリード（４ｂ）とテ
ストパッド（４ｃ）との間で切断すると共にキャリアテ
ープのブリッジ部（８）及び連結部（１４）を切断する
ことにより半導体装置が得られる。
以上説明したように、樹脂封止時にキャリアテープのア
ウターリード孔（５）内に樹脂（１１）が侵入すること
が防止されるので、封止後に不用な封止樹脂を取り除く
必要はなく、従ってリード（４）のアウターリード（４
ｂ）を破損する恐れもなくなる。
ウターリード孔（５）内に樹脂（１１）が侵入すること
が防止されるので、封止後に不用な封止樹脂を取り除く
必要はなく、従ってリード（４）のアウターリード（４
ｂ）を破損する恐れもなくなる。
また、ゲートブレイク工程においてパッケージ部分の樹
脂（１１）が欠けることを防止することができる。
脂（１１）が欠けることを防止することができる。
尚、上記の実施例では、上金型（１０ｃ）に形成された
ゲートランド部（１７ａ）がパーティング面（１８）と
ほぼ同じ高さを有しでいたが、樹脂封止時に熔融樹脂（
１１）がキャリアテープの開口部け５）内で且つこのゲ
ートランド部と下金型（１’Ｏｄ）のパーティング面（
１９）との間を流通し得る高さであればよく、上金型（
１０ｃ）のパーティング面（１８）より高くても、ある
いはパーティング面（１８）より下方に突出していても
よい。
ゲートランド部（１７ａ）がパーティング面（１８）と
ほぼ同じ高さを有しでいたが、樹脂封止時に熔融樹脂（
１１）がキャリアテープの開口部け５）内で且つこのゲ
ートランド部と下金型（１’Ｏｄ）のパーティング面（
１９）との間を流通し得る高さであればよく、上金型（
１０ｃ）のパーティング面（１８）より高くても、ある
いはパーティング面（１８）より下方に突出していても
よい。
また、キャリアテープの連結部（１４）に形成する樹脂
（１１）の流通路としては開口部に限るものではなく、
第４図に示すように、連結部（２４）の上面に形成され
た凹部（２５）であってもよい、この場合、樹脂封止時
には第５図の矢印Ｃに示すように熔融樹脂が上金型（１
０ｃ）のゲート（１７）からゲートランド部（１７ａ）
の直下に位置するキャリアテープの凹部（２５）内を介
してキャビティへ注入される。
（１１）の流通路としては開口部に限るものではなく、
第４図に示すように、連結部（２４）の上面に形成され
た凹部（２５）であってもよい、この場合、樹脂封止時
には第５図の矢印Ｃに示すように熔融樹脂が上金型（１
０ｃ）のゲート（１７）からゲートランド部（１７ａ）
の直下に位置するキャリアテープの凹部（２５）内を介
してキャビティへ注入される。
さらに、キャリアテープの連結部を設ける位置はブリッ
ジ部（８）に限定されるものではない。例えば、第６図
に示すように、一つのアウターリード孔（５１）を分断
してリードサポート部（７）に連結するように連結部（
３４）を形成することもできる。
ジ部（８）に限定されるものではない。例えば、第６図
に示すように、一つのアウターリード孔（５１）を分断
してリードサポート部（７）に連結するように連結部（
３４）を形成することもできる。
この場合にも、連結部（３４）にモールドライン（１６
）をまたぐように開口部（３５）あるいは凹部が形成さ
れる。
）をまたぐように開口部（３５）あるいは凹部が形成さ
れる。
また、半導体チップ（２）が大型化してリードサポート
部（７）の−辺の長さが所定値以上に長くなった場合に
は、自重によるリードサポート部（７）の垂れ下がりを
防止するために、センタデバイス孔（３）を挟んで対向
する一対のアウターリード孔（５）あるいは四つの全て
のアウターリード孔（５）にそれぞれアウターリード孔
（５）を分断してリードサポート部（７）に連結された
センタータイバーを形成することがある。そこで、これ
らのセンタータイバーのうちの一つを連結部として利用
することもできる。
部（７）の−辺の長さが所定値以上に長くなった場合に
は、自重によるリードサポート部（７）の垂れ下がりを
防止するために、センタデバイス孔（３）を挟んで対向
する一対のアウターリード孔（５）あるいは四つの全て
のアウターリード孔（５）にそれぞれアウターリード孔
（５）を分断してリードサポート部（７）に連結された
センタータイバーを形成することがある。そこで、これ
らのセンタータイバーのうちの一つを連結部として利用
することもできる。
さらに、連結部は一つに限るものではなく、リードサポ
ート部（ア）に複数の連結部を連結させて各連結部に形
成された開口部あるいは四部をそれぞれ流通路として複
数箇所から熔融樹脂を注入してもよい。
ート部（ア）に複数の連結部を連結させて各連結部に形
成された開口部あるいは四部をそれぞれ流通路として複
数箇所から熔融樹脂を注入してもよい。
以上説明したように、この発明に係るキャリアテープは
、半導体チップを収容するためのセンタデバイス孔とこ
のセンタデバイス孔の周辺に形成された複数のアウター
リード孔と前記センタデバイス孔及び各アウターリード
孔の間に位置するリードサポート部と互いに隣接する一
対のアウターリード孔の間に位置して前記リードサポー
ト部に連結され且つ前記半導体チップの樹脂封止時に熔
融樹脂の流通路となる開口部及び凹部のいずれが一方が
形成された連結部とを有する絶縁フィルムと、それぞれ
前記絶縁フィルムのリードサポート部上に支持されると
共に一端部が前記センタデバイス孔に突出する複数のリ
ードとを備えているので、高信頼性且つ高品質の半導体
装置を容易に製造することができる。
、半導体チップを収容するためのセンタデバイス孔とこ
のセンタデバイス孔の周辺に形成された複数のアウター
リード孔と前記センタデバイス孔及び各アウターリード
孔の間に位置するリードサポート部と互いに隣接する一
対のアウターリード孔の間に位置して前記リードサポー
ト部に連結され且つ前記半導体チップの樹脂封止時に熔
融樹脂の流通路となる開口部及び凹部のいずれが一方が
形成された連結部とを有する絶縁フィルムと、それぞれ
前記絶縁フィルムのリードサポート部上に支持されると
共に一端部が前記センタデバイス孔に突出する複数のリ
ードとを備えているので、高信頼性且つ高品質の半導体
装置を容易に製造することができる。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、センタ
デバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された
複数のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各
アウターリード孔の間に位置するリードサポート部と互
いに隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前
記リードサポート部に連結され且つ開口部及び凹部のい
ずれか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に
支持されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出
する複数のリードとを備えたキャリアテープの前記セン
タデバイス孔内に複数の電極を備えた半導体チップを位
置させ、前記複数のリードの一端部と前記半導体チップ
の複数の電極とを電気的に接続し、前記半導体チップを
金型のキャビティ内に収容し、前記絶縁フィルムの連結
部に形成された前記開口部及び凹部のいずれが一方を流
通路として熔融樹脂を前記金型のキャビティ内に注入し
、前記熔融樹脂を硬化させるので、信頼性が高く且つ品
質の優れた半導体装置が容易に得られる。
デバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された
複数のアウターリード孔と前記センタデバイス孔及び各
アウターリード孔の間に位置するリードサポート部と互
いに隣接する一対のアウターリード孔の間に位置して前
記リードサポート部に連結され且つ開口部及び凹部のい
ずれか一方が形成された連結部とを有する絶縁フィルム
と、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に
支持されると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出
する複数のリードとを備えたキャリアテープの前記セン
タデバイス孔内に複数の電極を備えた半導体チップを位
置させ、前記複数のリードの一端部と前記半導体チップ
の複数の電極とを電気的に接続し、前記半導体チップを
金型のキャビティ内に収容し、前記絶縁フィルムの連結
部に形成された前記開口部及び凹部のいずれが一方を流
通路として熔融樹脂を前記金型のキャビティ内に注入し
、前記熔融樹脂を硬化させるので、信頼性が高く且つ品
質の優れた半導体装置が容易に得られる。
第１Ａ図はこの発明の第１実施例に係るキャリアテープ
を示す平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図のＩ−１線断面図、
第２図及び第３図はそれぞれ第１実施例のキャリアテー
プを用いて半導体装置を製造する方法を工程順に示す断
面図、第４図は第２実施例に係るキャリアテープを示す
断面図、第５図は第２実施例のキャリアテープを用いて
半導体装置を製造する方法を示す断面図、第６図は第３
実施例に係るキャリアテープを示す平面図、第７Ａ図は
従来のキャリアテープの平面図、第７Ｂ図は第７Ａ図の
■−■線断面図、第８図及び第９図はそれぞれ従来の半
導体装置を製造する工程を示す断面図である。 図において、（１）は絶縁フィルム、（２）は半導体チ
ップ、（３）はセンタデバイス孔、（４）はリード、（
４ａ）はインナーリード、（５）はアウターリード孔、
（７）はリードサポート部、（１０）は金型、（１１）
は樹脂、（１２ｃ）及び（１２ｄ）はキャビティハーフ
、（１４）、（２４）及び（３４）は連結部、（１５）
及び（３５）は開口部、（２１）はバンプ電極、（２５
）は凹部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図のＩ−１線断面図、
第２図及び第３図はそれぞれ第１実施例のキャリアテー
プを用いて半導体装置を製造する方法を工程順に示す断
面図、第４図は第２実施例に係るキャリアテープを示す
断面図、第５図は第２実施例のキャリアテープを用いて
半導体装置を製造する方法を示す断面図、第６図は第３
実施例に係るキャリアテープを示す平面図、第７Ａ図は
従来のキャリアテープの平面図、第７Ｂ図は第７Ａ図の
■−■線断面図、第８図及び第９図はそれぞれ従来の半
導体装置を製造する工程を示す断面図である。 図において、（１）は絶縁フィルム、（２）は半導体チ
ップ、（３）はセンタデバイス孔、（４）はリード、（
４ａ）はインナーリード、（５）はアウターリード孔、
（７）はリードサポート部、（１０）は金型、（１１）
は樹脂、（１２ｃ）及び（１２ｄ）はキャビティハーフ
、（１４）、（２４）及び（３４）は連結部、（１５）
及び（３５）は開口部、（２１）はバンプ電極、（２５
）は凹部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体チップを収容するためのセンタデバイス孔
とこのセンタデバイス孔の周辺に形成された複数のアウ
ターリード孔と前記センタデバイス孔及び各アウターリ
ード孔の間に位置するリードサポート部と互いに隣接す
る一対のアウターリード孔の間に位置して前記リードサ
ポート部に連結され且つ前記半導体チップの樹脂封止時
に熔融樹脂の流通路となる開口部及び凹部のいずれか一
方が形成された連結部とを有する絶縁フィルムと、それ
ぞれ前記絶縁フィルムのリードサポート部上に支持され
ると共に一端部が前記センタデバイス孔に突出する複数
のリードと を備えたことを特徴とするキャリアテープ。 - （２）センタデバイス孔とこのセンタデバイス孔の周辺
に形成された複数のアウターリード孔と前記センタデバ
イス孔及び各アウターリード孔の間に位置するリードサ
ポート部と互いに隣接する一対のアウターリード孔の間
に位置して前記リードサポート部に連結され且つ開口部
及び凹部のいずれか一方が形成された連結部とを有する
絶縁フィルムと、それぞれ前記絶縁フィルムのリードサ
ポート部上に支持されると共に一端部が前記センタデバ
イス孔に突出する複数のリードとを備えたキャリアテー
プの前記センタデバイス孔内に複数の電極を備えた半導
体チップを位置させ、 前記複数のリードの一端部と前記半導体チップの複数の
電極とを電気的に接続し、 前記半導体チップを金型のキャビティ内に収容し、 前記絶縁フィルムの連結部に形成された前記開口部及び
凹部のいずれか一方を流通路として熔融樹脂を前記金型
のキャビティ内に注入し、 前記熔融樹脂を硬化させる ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214165A JPH0680706B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US07/444,973 US5196917A (en) | 1989-08-22 | 1989-12-04 | Carrier tape |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214165A JPH0680706B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0378236A true JPH0378236A (ja) | 1991-04-03 |
| JPH0680706B2 JPH0680706B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16651312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1214165A Expired - Fee Related JPH0680706B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5196917A (ja) |
| JP (1) | JPH0680706B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536756A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用テープキヤリア及びその製造方法 |
| JP3226628B2 (ja) * | 1992-10-15 | 2001-11-05 | 三菱電機株式会社 | テープキャリア、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
| JP3329073B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2002-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| SG68542A1 (en) * | 1993-06-04 | 1999-11-16 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US5760465A (en) * | 1996-02-01 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Electronic package with strain relief means |
| CN1171298C (zh) * | 1996-11-21 | 2004-10-13 | 株式会社日立制作所 | 半导体器件 |
| US5969427A (en) | 1998-02-05 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Use of an oxide surface to facilitate gate break on a carrier substrate for a semiconductor device |
| US20020043389A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-18 | Selvarajan Murugan | Virtual gate design for thin packages |
| US6632704B2 (en) * | 2000-12-19 | 2003-10-14 | Intel Corporation | Molded flip chip package |
| SG115569A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-10-28 | Micron Technology Inc | Tape substrates with mold gate support structures that are coplanar with conductive traces thereof and associated methods |
| EP2273348A1 (fr) * | 2009-07-10 | 2011-01-12 | EM Microelectronic-Marin SA | Procédé de fabrication d'un verre à touches capacitives pour un instrument electronique, et instrument comprenant un tel verre |
| US10020211B2 (en) * | 2014-06-12 | 2018-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer-level molding chase design |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3029667A1 (de) * | 1980-08-05 | 1982-03-11 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Traegerelement fuer einen ic-baustein |
| US4915607A (en) * | 1987-09-30 | 1990-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame assembly for an integrated circuit molding system |
| JPH0783036B2 (ja) * | 1987-12-11 | 1995-09-06 | 三菱電機株式会社 | キヤリアテープ |
| US4967260A (en) * | 1988-05-04 | 1990-10-30 | International Electronic Research Corp. | Hermetic microminiature packages |
| US5018003A (en) * | 1988-10-20 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device |
-
1989
- 1989-08-22 JP JP1214165A patent/JPH0680706B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-04 US US07/444,973 patent/US5196917A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5196917A (en) | 1993-03-23 |
| JPH0680706B2 (ja) | 1994-10-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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