JPH04164344A - フィルムキャリアテープ - Google Patents
フィルムキャリアテープInfo
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- JPH04164344A JPH04164344A JP29158490A JP29158490A JPH04164344A JP H04164344 A JPH04164344 A JP H04164344A JP 29158490 A JP29158490 A JP 29158490A JP 29158490 A JP29158490 A JP 29158490A JP H04164344 A JPH04164344 A JP H04164344A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フィルムキャリアテープに関し、特に半導体
装置の製造用に用いるフィルムキャリアテープに関する
。
装置の製造用に用いるフィルムキャリアテープに関する
。
従来、この種のフィルムキャリアテープは第６図に示す
様に搬送及び位置決め用のスプロケットホール２、半導
体チップ１１が入るためのデバイスホール５及びアウタ
ーリード８下のアウターリードホール６を有するポリイ
ミド等の絶縁フィルム１上に銅等の金属箔を接着し、金
属箔をエツチング等により所望の形状のインナーリード
３、アウターリード８、及び電気選別用バッド４が形成
されているものである。
様に搬送及び位置決め用のスプロケットホール２、半導
体チップ１１が入るためのデバイスホール５及びアウタ
ーリード８下のアウターリードホール６を有するポリイ
ミド等の絶縁フィルム１上に銅等の金属箔を接着し、金
属箔をエツチング等により所望の形状のインナーリード
３、アウターリード８、及び電気選別用バッド４が形成
されているものである。
このフィルムキャリアテープを用いた半導体装置の製造
方法は、第７図（ａ）、（ｂ）に示すように、あらかじ
め電極端子上に金属突起物であるバンプ１２を設けた半
導体チップ１１を準備し、次にフィルムキャリアテープ
上のインナーリード３と半導体チップ１１上のバンブ１
２とを位置合わせし、熱圧着法又は共晶法等によりイン
ナーリードボンディングし、フィルムキャリ−アテーブ
の状態で電気選別用パッド４に接触子を接触させて電気
選別やバイアス試験を実施する。ここで絶縁フィルム１
の枠であるサスペンダー７はインナーリード３及びアウ
ターリード８の′変形防止として機能する。又、樹脂１
３をボッティングして樹脂封止を行ない信頼性を向上さ
せ機械的に保護することが一般的に行なわれている。そ
の後アウターリード８を所望の長さに切断し、次いで第
９図に示す様に、例えばプリント基板１５上に接着剤１
６により固定後、アウターリード８をプリント基板１０
上のポンディングパッド１７にアウターリードボンディ
ングされる。、これらのフィルムキャリアテープを用い
た半導体装置はボンディングがリード数と無関係に一度
で可能であるため、スピードが速いことスプロケットホ
ールを用いた搬送１位置決めが可能でしかもリール状で
の使用が可能なため作業の自動化が容易であることをさ
らに薄い絶縁フィルム及び金属箔を用いるため非常に薄
く、小型でありしかも軽量の半導体装置が提供できる等
の利点を有している。
方法は、第７図（ａ）、（ｂ）に示すように、あらかじ
め電極端子上に金属突起物であるバンプ１２を設けた半
導体チップ１１を準備し、次にフィルムキャリアテープ
上のインナーリード３と半導体チップ１１上のバンブ１
２とを位置合わせし、熱圧着法又は共晶法等によりイン
ナーリードボンディングし、フィルムキャリ−アテーブ
の状態で電気選別用パッド４に接触子を接触させて電気
選別やバイアス試験を実施する。ここで絶縁フィルム１
の枠であるサスペンダー７はインナーリード３及びアウ
ターリード８の′変形防止として機能する。又、樹脂１
３をボッティングして樹脂封止を行ない信頼性を向上さ
せ機械的に保護することが一般的に行なわれている。そ
の後アウターリード８を所望の長さに切断し、次いで第
９図に示す様に、例えばプリント基板１５上に接着剤１
６により固定後、アウターリード８をプリント基板１０
上のポンディングパッド１７にアウターリードボンディ
ングされる。、これらのフィルムキャリアテープを用い
た半導体装置はボンディングがリード数と無関係に一度
で可能であるため、スピードが速いことスプロケットホ
ールを用いた搬送１位置決めが可能でしかもリール状で
の使用が可能なため作業の自動化が容易であることをさ
らに薄い絶縁フィルム及び金属箔を用いるため非常に薄
く、小型でありしかも軽量の半導体装置が提供できる等
の利点を有している。
上述した従来のフィルムキャリアテープは、信頼性向上
及び機械的保護のために行なう樹脂によるポツティング
を行なう際、アウターリードホールが存在している部分
では第７図（ａ）の様にサスペンダーの端部で樹脂が表
面張力によりそれ以上、即ちアウターリードホール内に
流出することはないがアウターリードホールが存在しな
い部分即ちタイバー９の部分では第７図（ｂ）の様に樹
脂がタイバー９上に流出するため半導体チップ上にポツ
ティングされた封止樹脂１３の膜厚が不安定となる。又
、プリント基板等に実装するためにタイバーを切断する
際タイバー９上に流出した封止樹脂１３によりタイバー
９の絶縁フィルム１の実質的な膜厚が厚くなり、又この
封止樹脂１３は通常、硬いために切断金型の摩耗が早く
、場合によっては破損に至るという欠点がある。これを
防止するため第８図の様にサスペンダー７上の樹脂封止
を行なう領域の外側にあらかじめ、スクリーン印刷等の
方法によりソルダーレジスト１４を塗布しておき、これ
を樹脂止めとして利用する方法−があるが、この場合ス
クリーン印刷を行なう工程でマスク等によるインナーリ
ード３又はアウターリード８を変形させてしまうことが
あるためフィルムキャリアテープ製造歩留が低下する。
及び機械的保護のために行なう樹脂によるポツティング
を行なう際、アウターリードホールが存在している部分
では第７図（ａ）の様にサスペンダーの端部で樹脂が表
面張力によりそれ以上、即ちアウターリードホール内に
流出することはないがアウターリードホールが存在しな
い部分即ちタイバー９の部分では第７図（ｂ）の様に樹
脂がタイバー９上に流出するため半導体チップ上にポツ
ティングされた封止樹脂１３の膜厚が不安定となる。又
、プリント基板等に実装するためにタイバーを切断する
際タイバー９上に流出した封止樹脂１３によりタイバー
９の絶縁フィルム１の実質的な膜厚が厚くなり、又この
封止樹脂１３は通常、硬いために切断金型の摩耗が早く
、場合によっては破損に至るという欠点がある。これを
防止するため第８図の様にサスペンダー７上の樹脂封止
を行なう領域の外側にあらかじめ、スクリーン印刷等の
方法によりソルダーレジスト１４を塗布しておき、これ
を樹脂止めとして利用する方法−があるが、この場合ス
クリーン印刷を行なう工程でマスク等によるインナーリ
ード３又はアウターリード８を変形させてしまうことが
あるためフィルムキャリアテープ製造歩留が低下する。
又、ソルダーレジスト１４中の不純物イオンにより信頼
性に悪影響を与えるという欠点があった。
性に悪影響を与えるという欠点があった。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、樹脂
の膜厚が安定し、タイバーの切断金型の寿命を短かくす
ることのないフィルムキャリアテープをコストの増大な
く提供しようとするものである。
の膜厚が安定し、タイバーの切断金型の寿命を短かくす
ることのないフィルムキャリアテープをコストの増大な
く提供しようとするものである。
本発明のフィルムキャリアテープは、搬送及び位置決め
用スプロケットホールと、半導体チップが入るためのデ
バイスホール及び外部との電気的接続を行なうためのア
ウターリードが設けられるアウターリードホールとを少
なくとも有する絶縁フィルム上に金属により形成された
リードと該リードに接続された電気選別用パッドを少な
くとも有し、さらに前記デバイスホールと前記アウター
リードホールの間に存在する前記絶縁フィルムの枠であ
るサスペンダーと該サスペンダーの支えであるタイバー
を有するフィルムキャリアテープに於て、前記タイバー
付近の前記サスペンダー上に前記金属により形成された
樹脂止めブロックを備えている。
用スプロケットホールと、半導体チップが入るためのデ
バイスホール及び外部との電気的接続を行なうためのア
ウターリードが設けられるアウターリードホールとを少
なくとも有する絶縁フィルム上に金属により形成された
リードと該リードに接続された電気選別用パッドを少な
くとも有し、さらに前記デバイスホールと前記アウター
リードホールの間に存在する前記絶縁フィルムの枠であ
るサスペンダーと該サスペンダーの支えであるタイバー
を有するフィルムキャリアテープに於て、前記タイバー
付近の前記サスペンダー上に前記金属により形成された
樹脂止めブロックを備えている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示すフィルムキャリア
テープの平面図である。
テープの平面図である。
本実施例ではスプロケットホール２のデバイスホール５
及びアウターリードホール６を有する絶縁フィルム１上
に従来例同様のインナーリード３、アウターリード８及
び電気選別用パッド４以外にサスペンダー７の各コーナ
一部のタイバー９付近４ケ所に矩形の樹脂止めブロック
１０（アウターリード８と同し程度の幅め金属片）か設
けられている。この樹脂止めブロック１０を設けたフィ
ルムキャリアテープとバンプ１２を設けた半導体チップ
１１とをインナーリードボンデインクした後、樹脂でボ
ッティングした場合、第２図に示す様に封止樹脂１３は
樹脂止めブロック１０により、タイバーへ流れることか
できず半導体チップ上の膜厚を所望の厚さに保つことが
可能となる。
及びアウターリードホール６を有する絶縁フィルム１上
に従来例同様のインナーリード３、アウターリード８及
び電気選別用パッド４以外にサスペンダー７の各コーナ
一部のタイバー９付近４ケ所に矩形の樹脂止めブロック
１０（アウターリード８と同し程度の幅め金属片）か設
けられている。この樹脂止めブロック１０を設けたフィ
ルムキャリアテープとバンプ１２を設けた半導体チップ
１１とをインナーリードボンデインクした後、樹脂でボ
ッティングした場合、第２図に示す様に封止樹脂１３は
樹脂止めブロック１０により、タイバーへ流れることか
できず半導体チップ上の膜厚を所望の厚さに保つことが
可能となる。
例えば、サスペンダー幅０．５ｍｍ、タイバー幅０．７
５ｍｍ、タイバー長１．７ｍｍのフィルムキャリアテー
プにて実験を行なったところ樹脂止めブロック１０のな
いものでは約８０％のものかタイバー全体に樹脂が流出
したが樹脂止めフロック１０を設けた場合、タイバーに
流出するものかほとんどなく、サスペンダー幅か狭いも
のては若干流出するかその場合も流出量は樹脂止めブロ
ックのないものに比べ非常に少なくなるため封止樹脂１
３の膜厚も樹脂止めブロックかない場合に比べ安定した
。その後、タイバー９及びアウターリード８を切断（第
３図）シ、従来例同様第９図に示す様に実装を行なうか
、この実装前のタイバー９の切断時に封止樹脂１３の流
出か従来に比べ非常に少ないため金型を著しく劣化させ
ることがない。又、樹脂止めブロックはインナーリード
３及びアウターリード８等のパターンと同時に形成する
ことが可能であるためコストの増大はない。
５ｍｍ、タイバー長１．７ｍｍのフィルムキャリアテー
プにて実験を行なったところ樹脂止めブロック１０のな
いものでは約８０％のものかタイバー全体に樹脂が流出
したが樹脂止めフロック１０を設けた場合、タイバーに
流出するものかほとんどなく、サスペンダー幅か狭いも
のては若干流出するかその場合も流出量は樹脂止めブロ
ックのないものに比べ非常に少なくなるため封止樹脂１
３の膜厚も樹脂止めブロックかない場合に比べ安定した
。その後、タイバー９及びアウターリード８を切断（第
３図）シ、従来例同様第９図に示す様に実装を行なうか
、この実装前のタイバー９の切断時に封止樹脂１３の流
出か従来に比べ非常に少ないため金型を著しく劣化させ
ることがない。又、樹脂止めブロックはインナーリード
３及びアウターリード８等のパターンと同時に形成する
ことが可能であるためコストの増大はない。
第４図及び第５図はそれぞれ本発明の第２及び第３の実
施例を示す平面図である。尚、図はタイバー付近のみを
示Ｉ−たちのである。
施例を示す平面図である。尚、図はタイバー付近のみを
示Ｉ−たちのである。
第１の実施例ては１本の矩形片であった樹脂止めブロッ
クをより効果を増すため、複数本にしたものである。又
、第５図の第３の実施例では円弧状としたものである。
クをより効果を増すため、複数本にしたものである。又
、第５図の第３の実施例では円弧状としたものである。
樹脂止めブロックは隣接するリード又は、サスペンダー
７の端部に接触して設けることがてきないため、樹脂止
めブロックとリード及びサスペンダ一端部にすき間があ
ること、樹脂の粘度によっては１本では止めることが難
かしい場合等にこれらの実施例のように、ブロックを２
重、３重に設けることにより確実に樹脂を止めることか
できる。この様に樹脂止めブロックの形状や数について
は実施例のものに限定されるわけではないことは言うま
でもない。
７の端部に接触して設けることがてきないため、樹脂止
めブロックとリード及びサスペンダ一端部にすき間があ
ること、樹脂の粘度によっては１本では止めることが難
かしい場合等にこれらの実施例のように、ブロックを２
重、３重に設けることにより確実に樹脂を止めることか
できる。この様に樹脂止めブロックの形状や数について
は実施例のものに限定されるわけではないことは言うま
でもない。
以上説明したように本発明は、絶縁フィルム上の金属箔
をエツチング加工等によりインナーリード、アウターリ
ードおよび電気選別用パッドを形成する際、同時に樹脂
止めブロックをタイバー付近のサスペンダー上に設ける
ことによりリード切断に使用する金型の寿命を短かくす
ることかなく、又封止樹脂の膜厚が安定したフィルムキ
ャリアテープを使用した半導体装置の製造をコストを増
大させることなく提供できる効果がある。
をエツチング加工等によりインナーリード、アウターリ
ードおよび電気選別用パッドを形成する際、同時に樹脂
止めブロックをタイバー付近のサスペンダー上に設ける
ことによりリード切断に使用する金型の寿命を短かくす
ることかなく、又封止樹脂の膜厚が安定したフィルムキ
ャリアテープを使用した半導体装置の製造をコストを増
大させることなく提供できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図、第２図は
第１の実施例による半導体装置の製造工程の説明に使用
する断面図、第３図は第１の実施例を使用した半導体装
置の平面図、第４図および第５図はそれぞれ本発明の第
２及び第３の実施例を示す平面図、第６図は従来例を示
す平面図、第７図〜第９図は従来例を使用した半導体装
置の製造方法を説明するための断面図てあり、第７図（
ａ＞、（ｂ）はそれぞれ第６図のＡ−Ａ線相当部、Ｂ−
Ｂ線相当部の断面図である。 １・・・絶縁フィルム、２・・スプロケットホール、３
・インナーリード、４・・電気選別用バット、５・・
・デバイスホール、６・・アウターリドホール、７・・
サスペンダー、８・ アウターリード５９・・・タイバ
ー、１０・・・樹脂止めブロック、１１・・半導体チッ
プ、１２・・・ハンプ、１３・・封止樹脂、１４・・・
ソルダーレジスト、１５・・プリント基板、１６・・接
着剤、１７・・・ホンディングパッド。
第１の実施例による半導体装置の製造工程の説明に使用
する断面図、第３図は第１の実施例を使用した半導体装
置の平面図、第４図および第５図はそれぞれ本発明の第
２及び第３の実施例を示す平面図、第６図は従来例を示
す平面図、第７図〜第９図は従来例を使用した半導体装
置の製造方法を説明するための断面図てあり、第７図（
ａ＞、（ｂ）はそれぞれ第６図のＡ−Ａ線相当部、Ｂ−
Ｂ線相当部の断面図である。 １・・・絶縁フィルム、２・・スプロケットホール、３
・インナーリード、４・・電気選別用バット、５・・
・デバイスホール、６・・アウターリドホール、７・・
サスペンダー、８・ アウターリード５９・・・タイバ
ー、１０・・・樹脂止めブロック、１１・・半導体チッ
プ、１２・・・ハンプ、１３・・封止樹脂、１４・・・
ソルダーレジスト、１５・・プリント基板、１６・・接
着剤、１７・・・ホンディングパッド。
Claims (1)
- 搬送及び位置決め用スプロケットホールと、半導体チ
ップが入るためのデバイスホール及び外部との電気的接
続を行なうためのアウターリードが設けられるアウター
リードホールとを少なくとも有する絶縁フィルム上に金
属により形成されたリードと該リードに接続された電気
選別用パッドを少なくとも有し、さらに前記デバイスホ
ールと前記アウターリードホールの間に存在する前記絶
縁フィルムの枠であるサスペンダーと該サスペンダーの
支えであるタイバーを有するフィルムキャリアテープに
於て、前記タイバー付近の前記サスペンダー上に前記金
属により形成された樹脂止めブロックを設えたことを特
徴とするフィルムキャリアテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291584A JP2546431B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | フィルムキャリアテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291584A JP2546431B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | フィルムキャリアテープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164344A true JPH04164344A (ja) | 1992-06-10 |
| JP2546431B2 JP2546431B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=17770828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2291584A Expired - Lifetime JP2546431B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | フィルムキャリアテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546431B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684644A1 (en) * | 1994-05-25 | 1995-11-29 | Nec Corporation | Method for manufacturing bump leaded film carrier type semiconductor device |
| US7804161B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-09-28 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and dam for resin |
| US8018057B2 (en) * | 2007-02-21 | 2011-09-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with resin layers and wirings and method for manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS641247A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Tape carrier |
| JPH02105547A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2291584A patent/JP2546431B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS641247A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Tape carrier |
| JPH02105547A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684644A1 (en) * | 1994-05-25 | 1995-11-29 | Nec Corporation | Method for manufacturing bump leaded film carrier type semiconductor device |
| US5683942A (en) * | 1994-05-25 | 1997-11-04 | Nec Corporation | Method for manufacturing bump leaded film carrier type semiconductor device |
| US5905303A (en) * | 1994-05-25 | 1999-05-18 | Nec Corporation | Method for manufacturing bump leaded film carrier type semiconductor device |
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| US7804161B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-09-28 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and dam for resin |
| US8432025B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-04-30 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and plurality of dams |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546431B2 (ja) | 1996-10-23 |
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