TWI838632B - 引線框架及其製造方法以及引線框架封裝件的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供引線框架及其製造方法以及引線框架封裝件的製造方法。引線框架具有透過蝕刻形成的沿著厚度方向貫穿的貫穿部，以及在長邊方向延伸的一對側面，所述一對側面具備沿著所述厚度方向彼此相鄰的剪切面和斷裂面。

Description

引線框架及其製造方法以及引線框架封裝件的製造方法

本發明涉及引線框架及其製造方法以及引線框架封裝件的製造方法。

引線框架基材透過在設有抗蝕膜的基礎上進行蝕刻而被加工為預定的圖案。如果將引線框架基材浸泡於蝕刻液，則基材的側部的中心部凹陷的現象已被公眾所知。如果產生這種凹陷，則形成凹陷的突起在搬送中和後續製程時容易斷裂而產生金屬片。如果這種金屬片附著到引線框架以及用所述引線框架形成的引線框架封裝件，則會成為發生短路的重要原因。為了抑制這種情況，在日本特開2005-142333號公報提出的技術中，使用相對配置的輥，將蝕刻處理後的引線框架基材的寬度方向端部壓潰。

引線框架封裝件的微細化和高性能化不斷發展。與此相伴，引線框架也需要具有更高的可靠性。因此，還需要抑制以往不成為問題的微細金屬片的產生。

在此，本發明的一個方式提供可抑制微細金屬片的產生的引線框架及其製造方法。此外，本發明的一個方式提供透過使用可抑制微細金屬片的產生的引線框架，從而能製造可靠性優異的引線框架封裝件的製造方法。

引線框架具有透過蝕刻形成的沿著厚度方向貫穿的貫穿部，以及在長邊方向延伸的一對側面，所述一對側面具備沿著所述厚度方向彼此相鄰的剪切面和斷裂面。

引線框架的製造方法具有用模具將帶狀的引線框架基材的側部沿著厚度方向切斷的切斷製程，所述帶狀的引線框架基材具有透過蝕刻形成的沿著所述厚度方向貫穿的貫穿部。

引線框架封裝件的製造方法包括：在上述的引線框架或透過上述的製造方法得到的引線框架上設置半導體元件的製程；對所述半導體元件進行樹脂密封而製作樹脂密封體的製程；以及將所述樹脂密封體單片化的製程。

以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。

在下面的詳細說明中，出於說明的目的，為了提供對所公開的實施方式的徹底的理解，提出了許多具體的細節。然而，顯然可以在沒有這些具體細節的前提下實施一個或更多的實施方式。在其它的情況下，為了簡化製圖，示意性地示出了公知的結構和裝置。

本發明的一個方式的引線框架具有透過蝕刻形成的沿著厚度方向貫穿的孔部（貫穿部），以及在長邊方向延伸的一對側面，所述一對側面具備沿著所述厚度方向彼此相鄰的剪切面和斷裂面。在所述引線框架中，在長邊方向延伸的一對側面具備剪切面和斷裂面。因此，減少了由蝕刻產生的突起。因此，在加工所述引線框架時以及用所述引線框架製造引線框架封裝件時，可以抑制突起折斷而產生微細金屬片。

優選上述引線框架的在長邊方向延伸的所述一對側面具有沿著所述厚度方向延伸的凹陷部。具有這種凹陷部的側面能抑制在相同位置上的重複切斷。由此，可以抑制毛刺和切削屑的產生以及伴隨切斷失誤的變形等。因此，可以進一步提高引線框架的可靠性。

在上述引線框架中，優選沿著所述厚度方向的所述剪切面的長度與沿著所述厚度方向的所述斷裂面的長度之比為1以上。由此，可以充分提高側面的尺寸精度。

在上述引線框架中，優選在長邊方向延伸的所述一對側面中的所述剪切面和所述斷裂面，在雙方的側面中沿著所述厚度方向以相同順序排列。由此，在用輸送輥等搬送引線框架時，可以順暢地搬送引線框架。

在上述引線框架中，優選上述貫穿部包含導孔。所述導孔的內壁面具有沿著厚度方向彼此相鄰的剪切面和斷裂面。例如可以透過採用模具的切料加工來形成這種導孔。在這種情況下，與透過蝕刻形成導孔的情況相比，能夠減少形成於導孔的成為產生微細金屬片的重要原因的突起。因此，在為了定位而將銷插入導孔時，能夠抑制內壁面被刮掉而產生微細金屬片。

本發明的一個方式的引線框架的製造方法具有用模具將帶狀的引線框架基材的側部沿著厚度方向切斷的切斷製程，所述帶狀的引線框架基材具有透過蝕刻形成的沿著所述厚度方向貫穿的貫穿部。

如果進行引線框架基材的蝕刻，則有時在側部會產生成為微細金屬片的重要原因的突起。在上述製造方法中，用模具將蝕刻過的引線框架基材的側部切斷。因此，可以除去側部中的突起。因此，按照這種製造方法得到的引線框架，能夠抑制在切斷製程後的製程等中突起折斷而產生微細金屬片。

優選上述製造方法還具有形成上述貫穿部並透過蝕刻來除去所述引線框架基材的側部的至少一部分的蝕刻製程。此外，優選在切斷製程中用所述模具將透過蝕刻而露出的所述引線框架基材的所述側部切斷。按照這種製造方法得到的引線框架，能夠抑制在切斷製程後的製程等中突起折斷而產生微細金屬片。

上述製造方法中，優選透過用所述模具將所述引線框架基材的所述側部切斷而得到的切斷面，具備沿著厚度方向彼此相鄰的剪切面和斷裂面。此外，上述製造方法中，優選沿著所述引線框架的厚度方向的剪切面的長度與沿著所述厚度方向的斷裂面的長度之比為1以上。由此，可以充分提高側面的尺寸精度。

在上述的切斷側部的切斷製程中，優選透過使用具有突出部的所述模具將所述引線框架基材的所述側部切斷，從而在切斷面形成從一方的主面到達另一方的主面的凹陷部。由此，在分為多次用模具切斷側部的情況下，可以抑制二次切削導致的毛刺和切削屑的產生以及伴隨切斷失誤的變形等。因此，可以進一步提高引線框架的可靠性。

上述製造方法中，優選上述貫穿部包含導孔。而且，在上述切斷製程中，優選由使用所述模具切斷的上述引線框架基材的所述側部中的所述導孔對所述引線框架基材進行定位，來切斷所述引線框架基材的所述側部。如果是這種側部，則不受引線框架的結構的制約，能夠以高自由度設定導孔的個數和尺寸。由此，引線框架基材的位置對準精度提高，所以能夠提高加工精度。此外，可以有效利用模具，所以能夠減少模具成本和設備成本。

本發明的一個方式的引線框架封裝件的製造方法包括：在上述的任意的引線框架或利用上述的任意的製造方法得到的引線框架上設置半導體元件的製程；對所述半導體元件進行樹脂密封而製作樹脂密封體的製程；以及將樹脂密封體單片化的製程。

上述引線框架封裝件的製造方法由於採用上述的任意的引線框架，所以在製造引線框架封裝件時，能夠抑制微細金屬片的產生。因此，例如能夠減少因微細金屬片混入樹脂密封體的內部而產生的短路等故障。因此，可以製造可靠性優異的引線框架封裝件。

按照本發明的上述方式，能夠提供一種可抑制微細金屬片的產生的引線框架及其製造方法。此外，能夠提供一種透過使用可抑制微細金屬片的產生的引線框架，從而能製造可靠性優異的引線框架封裝件的引線框架封裝件的製造方法。

以下，有時參照附圖，說明一些實施方式。但是，以下的實施方式是用於說明本發明的技術的例示，並不是旨在將本發明的技術限定於以下的內容。在說明中，針對相同部件或具有相同功能的部件使用相同附圖標記，有時省略重複說明。另外，各構件的尺寸比率不限於圖示的比率。

圖1是一個實施方式的引線框架的立體圖。引線框架100呈長方體形狀，具有矩形的一對主面10、在長邊方向延伸的一對側面12和在短邊方向延伸的一對側面14。主面10具有區域50，在區域50形成有多個單位框架。本實施方式中，劃分為三個區域50。對此，區域50的個數沒有特別限定，可以是一個，也可以是四個以上。沿著長邊方向的側面12的長度例如可以為200～400mm。此外，沿著短邊方向的側面14的長度例如可以為40～150mm。引線框架100的厚度可以為0.05～1mm。

引線框架100在區域50的外側具有相當於貫穿部的導孔20。導孔20可以用於在製造引線框架100時或加工引線框架100時的定位。另外，導孔20的個數和形狀沒有特別限定。導孔20在厚度方向上貫穿引線框架100。在另一些實施方式中也可以不具有導孔20。

圖2是引線框架100的一部分的俯視圖。區域50具有九個（三個×三個）單位框架55。各單位框架55具有在一對主面10相對的方向、即引線框架100的厚度方向上貫穿的貫穿部。透過蝕刻形成貫穿部。另外，主面10中的區域50的個數以及單位框架55的個數沒有特別限定。相鄰的單位框架55借助繫條56彼此連接。

單位框架55包括：配置在中央部的焊盤（pad）51；配置在焊盤51周圍的也被稱為內引線的多個端子52；以及支撐焊盤51的支撐條54。支撐條54的前端與焊盤51連接。支撐條54的後端與配置在端子52周圍的繫條56連接。支撐條54透過從大致矩形的焊盤51的四角放射狀延伸並連接於繫條56，從而支撐焊盤51。單位框架55中的除了焊盤51、端子52、支撐條54和繫條56以外的部分是透過蝕刻形成的貫穿部。

圖3是被沿著厚度方向切斷的引線框架100的切斷面的光學顯微鏡照片。本發明的技術中的“厚度方向”是指與引線框架100的主面10正交的方向。圖3表示引線框架100的切斷面中的引線框架100的側部附近的切斷面。如圖3的照片所示，引線框架100的側面12具有沿著引線框架100的厚度方向彼此相鄰的剪切面22和斷裂面24。可以透過使用模具將引線框架基材切斷來形成彼此相鄰的剪切面22和斷裂面24。由此，能夠充分減少由於蝕刻而在引線框架100的側部產生的突起。因此，在加工引線框架100時以及使用引線框架100製造引線框架封裝件時，可以抑制突起折斷而產生微細金屬片。

引線框架100的側面14也與側面12同樣，可以具有沿著厚度方向彼此相鄰的剪切面22和斷裂面24。即，引線框架的四方的側面全部可以具有沿著厚度方向彼此相鄰的剪切面22和斷裂面24。由此，能夠進一步減少由於利用蝕刻而在引線框架100的側部產生的突起。

在引線框架100的沿著長邊方向延伸的一對側面12中，剪切面22和斷裂面24可以在雙方的側面12中沿著厚度方向以相同順序排列。由此，在使用輸送輥等搬送引線框架100時，可以順暢地搬送引線框架100。從同樣的觀點考慮，四方的側面中的剪切面22和斷裂面24也可以在四方的側面中沿著厚度方向以相同順序排列。在這種情況下，由於各個主面10的四角中的形狀容易一致，因此還可以提高形狀的均勻性。

圖4表示了收容架的一例。在使用引線框架100製作引線框架封裝件時，引線框架100或其加工品被收容於所述收容架。收容架30在晶片鍵合和引線鍵合等各製程的前後收容多個引線框架100。在收容架30的內側壁設有用於支撐引線框架100的突起狀的支撐部32。由此，收容架30可以將多個引線框架100收容成彼此不接觸地沿著上下方向排列。

在製造引線框架封裝件的各製程中，引線框架100被收容於收容架30。在從收容架30沿著A1方向取出引線框架100時，或沿著與A1方向相反的方向將引線框架100收容於收容架30時，引線框架100的側面12與收容架30的內側壁彼此摩擦地接觸。因此，如果在引線框架100的側面12存在突起或毛刺，則由於側面12與內側壁的接觸，會產生微細金屬片。如果如此產生的金屬片落到下方的引線框架100上，則成為在封裝化的引線框架中發生短路的重要原因。本實施方式的引線框架100可以充分抑制這種金屬片的產生。

引線框架100中的四方的側面可以整體由剪切面22和斷裂面24構成，也可以局部包含與剪切面和斷裂面不同的面。作為這種面，例如可以列舉用於構成透過蝕刻形成的狹縫（凹部）的面。這種狹縫可以形成為從一方的主面到達另一方的主面。例如，在進行切料加工之前形成有狹縫的情況下，可以減少切斷的部分。因此，不僅小型的衝床也能實施切斷，而且可以延長衝頭的壽命。構成狹縫的側面透過蝕刻形成。這種側面通常不與收容架30和組裝裝置等接觸。因此，所述側面可以不具備剪切面22和斷裂面24雙方。

圖1和圖2所示的導孔20與側面12、14同樣，可以具有沿著厚度方向彼此相鄰的剪切面22和斷裂面24。可以透過採用模具的切料加工形成這種導孔20。透過如此形成導孔20，相比於透過蝕刻形成導孔20的情況，能夠抑制在導孔20的內壁面形成突起。因此，在為了定位而將銷插入導孔20時，能夠抑制內壁面被刮掉而產生微細金屬片。

沿著引線框架100的厚度方向的剪切面22的長度與沿著引線框架100的厚度方向的斷裂面24的長度之比可以是1以上，也可以是2以上，還可以是3以上。由此，可以充分提高引線框架100的側面12、14中的尺寸精度。另一方面，從充分抑制模具切料的故障產生的觀點考慮，優選剪切面22的長度與斷裂面24的長度之比在4以下。例如可以透過改變用模具實施切斷時的衝模與衝頭之間的間隙，來調整剪切面22的長度與斷裂面24的長度之比。

引線框架100的位於剪切面22側的主面10的端部10A（圖3）可以彎曲成朝向另一方的主面10側。由此，在將引線框架100收容於後述收容架30時，可以抑制端部10A與收容架的內部接觸。由此，可以進一步抑制微細金屬片的產生。在製作引線框架封裝件時，半導體元件可以設置在斷裂面24側的主面10。由此，在製造引線框架封裝件的一系列製程中，端部10A成為下方側。因此，可以在由輸送輥等構成的搬送通道上順暢地搬送引線框架100。

引線框架100的位於斷裂面24側的主面10的周緣10B相比於剪切面22與斷裂面24的邊界部26更為凹陷。由此，在將引線框架100收容於後述收容架30時，可以抑制周緣10B與收容架的內部接觸。由此，可以進一步抑制微細金屬片的產生。

引線框架100可以在主面10具有鍍膜。鍍膜的厚度例如可以為0.2～3μm。鍍膜例如構成為包含一個或多個金屬層。所述金屬層例如構成為包含從鎳、銅、鈀、銀和金組成的群中選擇的至少一種金屬或所述金屬的合金。作為鍍膜，具體可以列舉僅含銅鍍層作為金屬層的電解鍍膜以及具有包含鎳層、鈀層和金層的層疊結構的電解鍍膜。

以下說明引線框架的製造方法的一個實施方式。本實施方式的引線框架的製造方法包括：蝕刻製程，透過對帶狀的引線框架基材進行蝕刻，從而在引線框架基材上形成沿著厚度方向貫穿的貫穿部；以及切斷製程，用模具將透過蝕刻而露出的引線框架基材的側部切斷。

在蝕刻製程中，透過蝕刻形成貫穿部，並透過蝕刻而除去所述引線框架基材的側部的至少一部分。即，在蝕刻製程中，透過把塗布有抗蝕劑的銅制的引線框架基材浸泡在蝕刻液中，從而在引線框架基材的預定的位置形成貫穿部。貫穿部是預定形狀的貫穿孔。透過形成這種貫穿部，從而形成預定形狀的焊盤、端子、支撐條和繫條等。此時，引線框架基材的側面通常未被抗蝕膜覆蓋。因此，引線框架基材的側部也被蝕刻。在蝕刻製程中，可以一併蝕刻形成後續製程中用於進行引線框架基材與模具的位置對準的導孔。

圖5是表示透過將蝕刻製程後的引線框架基材110沿著其厚度方向（與主面131正交的方向）切斷而得到的切斷面的一部分（引線框架基材110的側部附近）的掃描型電子顯微鏡照片。在蝕刻製程中，引線框架基材110的側面112的中央部被蝕刻而凹陷。由此，在上端部112A和下端部112B形成有突起。

圖6是用於說明將蝕刻製程中得到的引線框架基材110的側部切斷的切斷製程的圖。在切斷製程中，用模具將透過蝕刻而露出的引線框架基材110的側部沿著厚度方向切斷。如圖6所示，引線框架基材110（111）以預定的進給寬度沿著行進方向A2移動。在切斷區域40配置有模具（未圖示）。在切斷區域40中，引線框架基材111被模具沿著切斷線23切斷。由此，除去了引線框架基材110的側面112中的突起狀的毛刺（圖5），得到了具備圖3所示的側面12的引線框架基材111，該側面12具有剪切面22和斷裂面24。如此，透過用模具將引線框架基材110的側部切斷而得到的切斷面，具備沿著厚度方向彼此相鄰的剪切面22和斷裂面24。用於切斷引線框架基材110的側部的模具可以採用通常的衝頭和衝模。

將引線框架基材110的側部25切斷並除去時，可以透過將銷插入圖6所示的導孔20，從而進行引線框架基材110（111）與模具的定位。即，可以利用引線框架基材110的側部25中的導孔20對引線框架基材110進行定位，來切斷側部25。本實施方式中，導孔20設置於引線框架基材110的雙方的側部25。對此，導孔20的位置和個數沒有特別限定。導孔也可以設置於引線框架基材110的側部25。

如此，透過在從引線框架基材110的成為引線框架的部分切離的側部25設置導孔，從而可以在抑制引線框架100的產品形狀受到制約的情況下設置導孔。因此，導孔的個數和尺寸可以自由設定。因此，在將引線框架基材110切斷時，能夠在側部25的適當位置設置適當個數的導孔，該導孔用於進行引線框架基材110與模具的定位。因此，能夠以較高的位置精度切斷側部25。

在將導孔設置於側部25的情況下，能使用相同模具製造多種引線框架100。其結果，在製造種類不同的多個引線框架的情況下，能共用切斷製程中的模具。因此，能夠減少模具的個數。因此，能夠降低引線框架的製造成本和設備成本。

在另一實施方式中，可以透過模具的切料加工形成導孔20。這種導孔20與透過蝕刻形成的導孔相比，能夠減少內壁面上產生的突起。由此，能夠抑制為了定位而將銷插入導孔20時產生微小的金屬片。在此，例如可以利用蝕刻在引線框架基材110的側部25形成導孔並用所述導孔進行定位，使用模具來設置導孔20。由此，能以較高的位置精度設置導孔20。可以在切斷製程之前進行使用模具設置導孔20的製程，也可以在切斷製程時進行使用模具設置導孔20的製程。

圖7是用於說明引線框架的製造方法的變形例的圖。所述變形例中，在切斷區域41設有俯視呈L形的衝頭60。L型的衝頭60具有突出部61，突出部61朝向與引線框架基材110的側面12相對的方向突出。在衝頭60的下方設有具備缺口部的衝模（未圖示），所述缺口部呈與突出部61互補的形狀。進入切斷區域41的引線框架基材110的側部25被具有上述形狀的衝頭60和衝模的模具切斷。此時，在被模具切斷的引線框架的切斷面（側面12）上，利用突出部61，與剪切面和斷裂面一起形成凹陷部90，所述凹陷部90從引線框架基材111A的一方的主面10到達另一方的主面10。可以在凹陷部90也形成剪切面和斷裂面。

引線框架基材110比衝頭60長。因此，在使引線框架基材110沿著行進方向A2移動的同時，多次透過模具重複進行切斷。即，採用衝頭60和衝模切斷側部25後，使引線框架基材110（111A）沿著行進方向A2移動。此時的移動距離設定為比衝頭60沿著行進方向A2的長度略短的距離。圖7中虛線表示的衝頭軌跡60A表示引線框架基材110（111A）移動之前的衝頭60與引線框架基材111A的位置關係。

透過設定這樣的錯位，從而在引線框架基材110（111A）移動之後切斷側部25時，衝頭60的頂端部62位於移動前透過切斷側部25而形成的凹陷部90的上方（或旁邊）。因此，即使分為多次透過模具進行側部25的切斷，也可以抑制產生被重複切斷的部分。由此，可以抑制二次切削導致的毛刺或切削屑的產生以及伴隨切斷失誤的變形等。另外，凹陷部90的大小和間隔沒有特別限定。

在形成有凹陷部90的一對側面12中，可以在雙方的側面12中沿著厚度方向以相同順序排列剪切面22和斷裂面24。由此，在用輸送輥等搬送引線框架基材111A以及將引線框架基材111A切斷而得到的引線框架100時，可以抑制凹陷部90鉤掛於輸送輥以及變形。

透過用模具把切斷製程中切斷側部25而得到的引線框架基材111（111A）沿著短邊方向切斷，從而得到圖1所示的引線框架100。從引線框架基材111A得到的引線框架100在一對側面具有從一方的主面到達另一方的主面的凹陷部90。在用模具沿著短邊方向切斷的切斷面（側面14）上，也形成有剪切面和斷裂面。所述切斷面（側面14）也可以具有凹陷部90。如此，可以得到在四方的側面具有剪切面和斷裂面，能充分抑制在製造引線框架封裝件時的微細金屬片的產生的引線框架。

另外，引線框架的製造方法不限於上述的實施方式。例如，可以透過在將引線框架基材110沿著短邊方向切斷之後，將引線框架基材110的沿著長邊方向的側部切斷，從而得到引線框架100。此外，也可以在蝕刻製程和切斷製程之間進行在引線框架基材110的表面形成鍍膜的鍍層製程。

一個實施方式的引線框架封裝件的製造方法包括：在引線框架設置半導體元件的製程；透過對半導體元件進行樹脂密封而製作樹脂密封體的製程；以及將樹脂密封體單片化的製程。以下作為一例，說明製造圖8的引線框架封裝件300的情況。

在設置半導體元件92的製程中，例如使用銀漿料等金屬漿料將半導體元件92黏結於引線框架100的各單位框架55的焊盤51（芯片鍵合）。接著，用鍵合線94將半導體元件92的電極焊盤（未圖示）與端子52之間連接（引線鍵合）。接下來，將包含單位框架55的引線框架100配置到模塑模具內。而後，將樹脂組合物（例如，環氧樹脂等熱固性樹脂組合物）注入模塑模具內並加熱，使樹脂組合物固化。透過將如此得到的樹脂密封體單片化，從而得到具備密封樹脂70的引線框架封裝件300。密封樹脂70將單位框架55（引線框架）上搭載的半導體元件92以及連接半導體元件92與端子52的鍵合線94密封。

在引線框架封裝件300的製造方法中，在芯片鍵合的前後和/或引線鍵合的前後等，將引線框架100收容於圖4所示收容架30。在本實施方式的製造方法中，能夠減少將引線框架100收容於收容架30時以及把引線框架100從收容架30取出時產生的微細金屬片。由此，被樹脂密封的金屬片減少。因此，可以充分抑制引線框架100產品化後發生短路等故障。

以上，說明了一些實施方式。但是，本發明的技術完全不限於上述方式。例如，引線框架（引線框架基材）不限於QFN型，也可以是DFN型或QFP型。即，引線框架（引線框架基材）只要是經過蝕刻得到的引線框架（引線框架基材）即可。此外，形成於引線框架（引線框架基材）的單位框架的形狀和個數沒有特別限定。

（實施例）

參照實施例和比較例，進一步具體說明本發明的技術內容。另外，本發明的技術不限於以下的實施例。

（實施例1）

準備了透過蝕刻而形成有單位框架的QFN型的引線框架基材（銅制）。在所述引線框架基材的表面形成了鍍膜。隨後，用具備圖7所示的衝頭60的模具將引線框架基材的側部沿著厚度方向切斷。隨後，在引線框架基材的主面，以覆蓋區域50的方式黏貼防止樹脂洩漏膠帶。而後，利用通常的模具將引線框架基材沿著寬度方向切斷。如此，製作了10個圖1所示的引線框架（長度：250mm，寬度：70mm，厚度0.2mm）。所述引線框架在主面具有包含透過蝕刻形成的單位框架55（參照圖2）的區域50。而且，四個側面分別具備沿著厚度方向相鄰的剪切面和斷裂面。此外，在一方的主面上，以覆蓋區域50的方式黏貼防止樹脂洩漏膠帶。

將引線框架收容於圖4所示的收容架。隨後，針對引線框架重複進行兩次芯片鍵合和引線鍵合的作業。在各作業的開始前和結束後，將引線框架收容於收容架。即，利用以下的一系列製程處理引線框架。

收容架→芯片鍵合（第一次）→收容架→引線鍵合（第一次）→收容架→芯片鍵合（第二次）→收容架→引線鍵合（第二次）→收容架。

在各製程的結束時點，目視確認各引線框架的四角以及長邊方向的中心部有無金屬片。針對每個製程計數了產生的金屬片的個數。其結果如表1所示。

（比較例1）

以不使用模具切斷引線框架基材的側部的方式製作了引線框架。另外，透過使用比實施例1寬度更小的引線框架基材，從而將引線框架的尺寸設為與實施例1相同（長度：250mm，寬度：70mm，厚度：0.2mm）。使用所述引線框架進行與實施例1相同的一系列製程，針對每個製程計數了產生的金屬片的個數。其結果如表1所示。表1的數值表示金屬片的個數。

（表1）

目視確認的時機	實施例1	比較例1
芯片鍵合（第一次）結束後	0	4
引線鍵合（第一次）結束後	0	8
芯片鍵合（第二次）結束後	0	6
引線鍵合（第二次）結束後	0	12

如表1所示，在用模具切斷側部的實施例1的引線框架中，能夠充分減少金屬片的產生。另一方面，在比較例1中，確認了各製程中產生了金屬片。

按照本發明的技術，提供一種可抑制微細金屬片的產生的引線框架及其製造方法。此外，提供一種透過使用可抑制微細金屬片的產生的引線框架，從而能製造可靠性優異的引線框架封裝件的製造方法。

出於示例和說明的目的已經給出了所述詳細的說明。根據上面的教導，許多變形和改變都是可能的。所述的詳細說明並非沒有遺漏或者旨在限制在這裡說明的主題。儘管已經透過文字以特有的結構特徵和/或方法過程對所述主題進行了說明，但應當理解的是，權利要求書中所限定的主題不是必須限於所述的具體特徵或者具體過程。更確切地說，將所述的具體特徵和具體過程作為實施權利要求書的示例進行了說明。

雖然本發明以前述之諸項實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

10:主面 100:引線框架 10A:端部 10B:周緣 110、111、111A:引線框架基材 112、12、14:側面 112A:上端部 112B:下端部 20:導孔 22:剪切面 23:切斷線 24:斷裂面 25:側部 26:邊界部 30:收容架 32:支撐部 40、50:區域 41:切斷區域 51:焊盤 52:端子 54:支撐條 55:單位框架 56:繫條 60:衝頭 60A:衝頭軌跡 61:突出部 62:頂端部 90:凹陷部 A1、A2:方向

圖1是一個實施方式的引線框架的立體圖。 圖2是一個實施方式的引線框架的一部分的俯視圖。 圖3是將一個實施方式的引線框架沿著厚度方向切斷而得到的切斷面的掃描型電子顯微鏡照片。 圖4是表示收容引線框架或其加工品的收容架的一例的圖。 圖5是一個實施方式的引線框架的製造方法中的蝕刻製程之後的引線框架基材的切斷面的掃描型電子顯微鏡照片。 圖6是用於說明一個實施方式的引線框架的製造方法的圖。 圖7是用於說明引線框架的製造方法的變形例的圖。 圖8是表示引線框架封裝件的一例的斷面圖。

10:主面

100:引線框架

12、14:側面

20:導孔

50:區域

Claims (10)

1. 一種引線框架，具有：透過蝕刻形成的沿著厚度方向貫穿的貫穿部，以及在長邊方向延伸的一對側面，其中，所述一對側面具備沿著所述厚度方向彼此相鄰的剪切面和斷裂面，在短邊方向上，所述剪切面比所述斷裂面更位於外側。
2. 如請求項1所述之引線框架，其中在長邊方向延伸的所述一對側面具有從一方的主面到達另一方的主面的凹陷部。
3. 如請求項1或2所述之引線框架，其中沿著所述厚度方向的所述剪切面的長度與沿著所述厚度方向的所述斷裂面的長度之比為1以上。
4. 如請求項1或2中任意一項所述之引線框架，其中在長邊方向延伸的所述一對側面中的所述剪切面和所述斷裂面，在雙方的側面中沿著所述厚度方向以相同順序排列。
5. 如請求項1或2中任意一項所述之引線框架，其中，所述貫穿部包含導孔，所述導孔的內壁面具有沿著厚度方向彼此相鄰的剪切面和斷裂面。
6. 一種引線框架的製造方法，具有用模具將帶狀的引線框架基材的側部沿著厚度方向切斷的切斷製程，其中所述帶狀的引線框架基材具有透過蝕刻形成的沿著所述厚度方向貫穿的貫穿部，透過用所述模具將所述引線框架基材的所述側部切斷而得到的切斷面，具備沿著厚度方向彼此相鄰的剪切面和斷裂面，在短邊方向上，所述剪切面比所述斷裂面更位於外側。
7. 如請求項6所述之引線框架的製造方法，還具有：透過蝕刻形成所述貫穿部並透過蝕刻除去所述引線框架基材的側部的至少一部分的蝕刻製程，其中，在所述切斷製程中，用所述模具將透過蝕刻而露出的所述引線框架基材的所述側部切斷。
8. 如請求項6或7中任意一項所述之引線框架的製造方法，其中在所述切斷製程中，透過使用具有突出部的所述模具將所述引線框架基材的所述側部切斷，從而在切斷面形成從一方的主面到達另一方的主面的凹陷部。
9. 如請求項6或7中任意一項所述的引線框架的製造方法，其中，所述貫穿部包含導孔， 在所述切斷製程中，由使用所述模具切斷的所述引線框架基材的所述側部中的所述導孔對所述引線框架基材進行定位，來切斷所述引線框架基材的所述側部。
10. 一種引線框架封裝件的製造方法，包括：在請求項1~5中任意一項所述的引線框架，或透過請求項6~9中任意一項所述的製造方法得到的引線框架上設置半導體元件的製程；對所述半導體元件進行樹脂密封而製作樹脂密封體的製程；以及將所述樹脂密封體單片化的製程。