JPS63273324A

JPS63273324A - 樹脂封止型回路装置の製造方法

Info

Publication number: JPS63273324A
Application number: JP10855687A
Authority: JP
Inventors: Sadao Yoshida; 吉田　定雄; Masami Minami; 南　雅美
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 1987-05-01
Filing date: 1987-05-01
Publication date: 1988-11-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型混成集積
回路装置等の樹脂封止型回路装置の製造方法に関し、更
に詳細には、耐圧の向上を容易に達成する方法に関する
。

［従来の技術］放熱支持板上にパワートランジスタチップとモノリシッ
クＩＣ基板とを固着し、樹脂で被覆した樹脂封止型回路
装置は既に開発されている。この様に大電力回路部分と
小電力回路部分とを一体化すれば、電子回路の大部分を
単一のハイブリッドＩＣで構成することができるにの種
の樹脂封止型回路装置は、リードフレームを使用し、且
つ金型を使用して形成する。

［発明が解決しようとする問題点コところで、複数種類の樹脂封止型回路装置が要求される
場合に、それぞれに対応した金型及びリードフレームを
作製すれば、必然的に完成品のコストが高くなる。

そこで、本発明の目的は、標準的な樹脂封止型回路装置
の一部を変形したものを専用の成形用型を使用しないで
標準的な成形用型を使用して得る方法を提供することに
ある。

［問題点を解決するための手段］上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、実施例を示す図面の符号を参照して説明すると、支
持板２と、複数の外部リード３〜１１と、前記複数の外
部リード３〜１１を相互に連続するタイバー１２と、前
記支持板２上に固着された半導体チップ２１及び／又は
回路基板装置２２と、前記半導体チップ２１及び／又は
回路基板装置２２と前記外部リード３〜１１の一部又は
全部とを接続する接続導体１５とを少なくとも有するリ
ードフレーム組立体２５を得る工程と、前記リードフレ
ーム組立体２５を成形用型２６に配置し、前記支持板２
、前記半導体チップ２１及び／又は回路基板装置２２、
前記接続導体１５及び前記外部リード３〜１１の接続部
１６を被覆する樹脂封止体１７を得るように前記型２６
の成形空所２８内に液状樹脂を注入し、固化させる工程
と、前記リードフレーム組立体２５の前記タイバー１２
を除去する工程とを含んでいる樹脂封止型回路装置の製
造方法において、前記複数の外部リード３〜１１が標準
的に形成されているものに連合する成形用型２６を用意
し、前記複数の外部リード３〜１１の中に含まれている
前記半導体チップ２１及び／又は回路基板装置２２に接
続することが不要な変形外部リード９を前記成形空所２
８の中に実質的に突出させずに、前記成形空所２８と前
記成形用型２６との境界又はこの近傍まで突出させ、１
１準的外部リードが配置される前記成形用型２６の渭２
９内に前記変形外部リード９を配置して前記成形空所２
８に液状樹脂を注入し、固化させ、しかる後、前記変形
外部リード９の全部を除去する樹脂封止型回路装置の製
造方法に係わるものである。なお、本願においては、半
導体チップ２１及び／又は回路基板装置２２に接続され
ないが他の外部リードと同じように成形用型２６に配置
される外部リードに似た形状部分を変形外部リード９と
呼ぶことにする。

［作用コ本発明の変形外部リード９は樹脂封止体１７から離間し
ているか又は樹脂封止体１７に実質的に被覆されないの
で、樹脂成形後に、この全部を容易に除去することがで
きる。変形外部リード９を全部除去することによって、
沿面距離を増大させることができる。標準的外部リード
に連合する成形用型２６を使用しているにも拘らず、変
形外部リード９が標準的外部リードのための渭２９に配
置されるので、この渭２９から成形樹脂が流出すること
はない。

［実施例］次に、本発明の実施例に係わる絶縁物封止型ハイブリッ
ドＩＣ及びその製造方法を第１図〜第５図に基づいて説
明する。このハイブリッドＩＣを製作する時には、標準
的なリードフレームをわずかに変形した第１図のリード
フレーム１を用意する。このリードフレーム１は、支持
板２と、複数の外部リード３．４．５．６．７．８．９
．１０．１１と、タイバー１２即ち細条連結部と、外部
リード３〜１１の端部側の第１の連結部１３と、支持板
２の上部側の第２の連結部１４とから成る。

９本の外部リード３〜１１の内で中央の外部リード７は
支持板２に連結されている。７本の外部リード３〜６．
８．１０．１１は最終的に支持板２に連結されないもの
であり、内部リード線から成る内部接続導体１５の接続
部１６をそれぞれ有している。変形外部リード９は最終
的に除去されるべきものであり、タイバー１２から支持
板２に向かって僅かに突出している０本発明においては
、この変形外部リード９の長さが極めて重要な意味を有
する。他の外部リード３〜６．８．１０．１１との比較
から明らかな如く、変形外部リード９は内部接続導体１
５の接続部１６を有しておらず、これ等よりも雉く形成
されている。即ち、変形外部リード９はこの先端が点線
で示す樹脂封止体１７の外周面に接するか又はこの近傍
に位置する長さに形成されている。

９本の外部リード３〜１１はインチピッチ（２゜５４ｍ
ｍ）で互いに並置される標準的リードフレームの変形で
ある。即ち、標準的外部リードのリードフレームにおい
ては破線９ａ、９ｂで示す部分にリードが設けられてい
るが、本発明ではこれが除去されている。この様な変形
リードフレーム１は、標準的リードフレームに基づいて
容易に製作することができる。

支持板２には２つの取付孔１８が設けられ、第１の連結
部１３には送り孔１９が設けられ、第２の連結部１４と
支持板２との境界にはこれ等の分離を容易にするための
貫通孔２０が設けられている。

支持板２の上には、パワートランジスタチップから成る
半導体チヅプ２１及び回路基板装置２２が半田（図示せ
ず）により固着されている。半導体チップ２１及び回路
基板装置２２はワイヤボンディングされたＡＩ線から成
る内部接続導体１５によって外部リード３〜６．８．１
０．１１に接続されている。なお、半導体チップ２１及
び回路基板装置２２は保護樹脂２３．２４によって被覆
されている。第１及び第２の連結部１３．１４には、複
数のハイブリッドＩＣを同時に構成するために支持板２
及び外部リード３〜１１が更に多く連結されている。

第１図に示すリードフレーム組立体２５は、第２図及び
第３図に示す標準的金型２６に配置される。金型２６は
上金型２７ａと下金型２７ｂとから成り、相互間に成形
空所即ちキャビティ２８を有する。また、下金型２７ｂ
の上面には、外部リード３〜１１や連結部１３．１４を
挿入するための溝２９、樹脂注入用のランナ３０及びゲ
ート３１が設けられている。

キャビティ２８の中には、支持板２、外部リード３〜８
．１０．１１の一部、半導体チップ２１、回路基板装置
２２、内部接続導体１５が配置されている０本発明に従
う変形外部リード９はキャビティ２８中に実質的に突出
せず、溝２９の中に配置されている。更に詳細には、変
形外部リード９の先端がキャビティ２８から０．１〜０
゜２−だけ離れて位置するように変形外部リード９の長
さが決定されている。

しかる後、リー・ドフレーム１を上金型２７ａと下金型
２７ｂとで挟持し、ゲート３１からキャビティ２８内に
エポキシ樹脂から成る流動化した熱硬化性ｔＭ詣を押圧
注入し、固化させることにより樹脂封止体１７を得る。

金型２６は、第１区で破線９ａで示す部分を有する標準
的リードフレームに連合するように形成されたものであ
るので、破線９ａに対応する部分にも外部リード配置用
の消２９を有するが、ここには変形外部リード９が挿入
されるので、この溝２９を通って樹脂が流出することは
ない。

第４図は樹脂封止体１７を設けた後の組立体２５を金型
２６から取り出した状態を示す、この状態では、タイバ
ー１２、第１の連結部１３、第１１図に示す第２の連結
部１４、及び変形外部リード９が不要なものとして残っ
ている。そこで、タイバー１２、第１の連結部１３、変
形外部リード９は切断によって除去し、第２の連結部１
４は貫通孔２０によって弱くなっている部分を引き裂く
ことによって除去する。この時、変形外部リード９は樹
脂封止体１７から０．１〜０．２ｍｍ程度離れているの
で、樹脂封止体１７に残存しないように除去され、第５
図に示す樹脂封止型ハイブリッドＩＣが完成する。

この樹脂封止型ハイブリッドＩＣでは外部り−ド８と１
０との間に変形外部リード９が全く存在していないので
、外部リード８と１０との間の絶縁耐圧に関係する沿面
距離が大きい。従って、一対の外部リード８と１０との
間の耐圧が高くなる。

もし、第６国に示す如く変形外部リード９の一部を含む
ように樹脂封止体１７を設けるか、第７図に示す如く変
形外部リード９を他の外部リード３〜６．８．１０．１
１と全く同一形状で残在させると、変形外部リード９が
電気的接続に無関係であっても、外部リード８と１０と
の間の沿面距離を低下させ、耐圧向上を妨害する。

［変形例］本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。

（１）　本発明に係わる変形外部リード９を第１図の破
線９ｂで示す部分を有するように形成してもよい、リー
ドフレーム状態で破線９ｂの部分を有しても、最終的に
除去されるので全く問題がない。

（２）　支持板２に単数又は複数の半導体チップ２１の
みを配置する場合、又は回路基板装置２２のみを配置す
る場合にも適用可能である。

（３）　変形外部リード９の先端を実施例のようにキャ
ビティ２８から０゜１〜０．２間離すと、これを容易に
除去すること、及びパリを少なくすることが可能になる
。従って上記の範囲設定することが最も望ましいが、こ
の範囲に限ることなく、変形外部リード９の先端をキャ
ビティ２８と金型２６との境界又はこの近傍から選ばれ
た別の場所に位置させてもよい。

（４）　支持板２を複数個有し、これ等を共通の樹脂封
止体１７で被覆する場合にも適用可能である。

［発明の効果］上述から明らかな如く、標準的成形用型を使用して変形
されたリード配列の樹脂封止型回路装置を容易に作製す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係わるリードフレーム組立体
を示す平面図、第２図は成形中の状態を第１図の■−■線に相当する部
分で示す断面図、第３図は成形中の状態を第１図の■−■線に相当する部
分で示す断面図、第４図は成形後のリードフレーム組立体の一部を示す斜
視図、第５図は完成した樹脂封止型ハイブリッドＩＣの一部を
示す斜視図、第６図及び第７図は従来の樹脂封止型ハイブリッドＩＣ
をそれぞれ示す平面図である。１・・・リードフレーム、２・・・支持板、３〜８．１
０．１１・・・外部リード、９・・・変形外部リード、
１２・・・タイバー、１５・・・内部接続導体、１７・
・・樹脂封止体、２１・・・半導体チップ、２２・・・
回路基板装置、２６・・・金型、２８・・・キャビティ
。

Claims

【特許請求の範囲】［１］支持板（２）と、複数の外部リード（３〜１１）
と、前記複数の外部リード（３〜１１）を相互に連続す
るタイバー（１２）と、前記支持板（２）上に固着され
た半導体チップ（２１）及び／又は回路基板装置（２２
）と、前記半導体チップ（２１）及び／又は回路基板装
置（２２）と前記外部リード（３〜１１）の一部又は全
部とを接続する接続導体（１５）とを少なくとも有する
リードフレーム組立体（２５）を得る工程と、前記リー
ドフレーム組立体（２５）を成形用型（２６）に配置し
、前記支持板（２）、前記半導体チップ（２１）及び／
又は回路基板装置（２２）、前記接続導体（１５）及び
前記外部リード（３〜１１）の接続部（１６）を被覆す
る樹脂封止体（１７）を得るように前記型（２６）の成
形空所（２８）内に液状樹脂を注入し、固化させる工程
と、前記リードフレーム組立体（２５）の前記タイバー（１
２）を除去する工程とを含んでいる樹脂封止型回路装置の製造方法において、前記複数の外部リード（３〜１１）が標準的に形成され
ているものに連合する成形用型（２６）を用意し、前記複数の外部リード（３〜１１）の中に含まれている
前記半導体チップ（２１）及び／又は回路基板装置（２
２）に接続することが不要な変形外部リード（９）を前
記成形空所（２８）の中に実質的に突出させずに、前記
成形空所（２８）と前記成形用型（２６）との境界又は
この近傍まで突出させ、標準的外部リードが配置される
前記成形用型（２６）の溝（２９）内に前記変形外部リ
ード（９）を配置して前記成形空所（２８）に液状樹脂
を注入し、固化させ、しかる後、前記変形外部リード（９）の全部を除去する
ことを特徴とする樹脂封止型回路装置の製造方法。