JPS63255953A - 絶縁物封止型回路装置 - Google Patents

絶縁物封止型回路装置

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JPS63255953A
JPS63255953A JP62090429A JP9042987A JPS63255953A JP S63255953 A JPS63255953 A JP S63255953A JP 62090429 A JP62090429 A JP 62090429A JP 9042987 A JP9042987 A JP 9042987A JP S63255953 A JPS63255953 A JP S63255953A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型混成集積
回路装置等の絶縁物封止型回路装置に関し、更に詳細に
は、内部リード細線による雑婚を防止することができる
絶縁物封止型回路装置に関する。
［従来の技術］ 複数の半導体チップを独立に支持するために複数の支持
板を用意し、複数の半導体チップを相互に接続するため
に共通接続用導体板を設け、半導体チップと共通接続用
導体板との間を内部リード細線で接続し、外部接続部分
を除いて、半導体チップ、支持板、導体板、内部リード
細線を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置は既に開発さ
れている。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、トランスファーモールド法によって支持板の
上面側のみでなく下面側も薄く樹脂で被覆する場合には
、間隔の狭い支持板の下側よりもＩ隔の広い支持板の上
側で樹脂の流れが多くなり、且つ支持板と接続用導体板
との間を通って支持板の上側から下側に向かう樹脂の流
れも生じる。この樹脂の流れが支持板上のチップと接続
用導体板との開の内部リード細線に作用すると、内部リ
ード細線が垂れて支持板又はその他の物体に接触し、短
絡状態になるおそれがある。また、樹脂の圧力が極端に
大きい場合には内部リード細線が切れるおそれもある。
そこで、本発明の目的は内部リード細線の垂れを防止す
ることができる構造の絶縁物封止型回路装置を提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段］ 上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、実施例を示す図面の符号を雫照して説明すると、回
路素子又は装置と、一方の主面で前記回路素子又は装置
を支持し、且つ、直線状に延びる端面を有している導電
性支持板と、前記支持板の前記端面に対して平行に延び
る端面を有している接続用導体板１１と、前記回路素子
又は装置又は前記支持板と前記導体板１１とを電気的に
接続するものであって、前記支持板の前記端面及び前記
導体板１１の前記端面上を通るように配設されている内
部リード細線２２と、前記回路素子又は装置、前記支持
板の一方の主面及び他方の主面、前記導体板１１の少な
くとも一部、前記内部リード細線２２を被覆する絶縁物
封止体２４とから成る絶縁物封止型回路装置において、
前記支持板の前記端面と前記導体板１１の前記端面との
間隔が部分的に狭くなるように突出している突出部２５
が前記導体板１１に設けられ、前記突出部２５の突出方
向が前記内部リード細線２２の延びる方向と実質的に同
一とされ、前記内部リード細線２２が前記突出部２５の
先端上を通るように前記突出部２５の位置が決められて
いる絶縁物封止型回路装置に係わるものである。
［作用］ 本発明の接続導体板１１には突出部２５が設けられ、内
部リード細線２２はこの突出部２５の上を逆っている。
突出部２５が設けられている所では支持板と接続用導体
板１１との間隔が他の部分よりも狭くなり、封止用絶縁
物の流れが悪くなり、内部リード細線２２に加わる圧力
も小さくなる。
この結果、内部リード細線２２の垂れが防止され、短絡
が生じ難くなる。なお、支持板と接続用導体板１１との
間隔を全領域で狭くするのではなく、部分的に狭くする
のみであるから、他の部分での絶縁物の流れは阻害され
ない。
［実施例］ 次に、本発明の実施例に係わる絶縁物封止型混成集積回
路装置を図面に基づいて説明する。
第１図に絶縁樹脂封止体を取除いた状態で示されている
混成集積回路装置は、第１〜第４のパワートランジスタ
チップ１．２．３，４と、１つのモノリシックＩＣチッ
プ５とを含んでいる。各パワートランジスタチップ１〜
４及びモノリシックＩＣチップ５を電気的に分離して支
持するために、５ツノ金ＦＩｃ製支持板５．６．７．８
．９．１０が設けられている。各支持板６〜１０はこれ
に一体に連結された外部リード６ａ　、７ａ　、８ａ　
、９ａ、１０ａを有している。
４個のパワートランジスタチップ１〜４の相互接続用導
体板１１が各パワートランジスタチップ１〜４に沿うよ
うに長手に配設され、これにも外部リードＩｌａが設け
られている。
各支持板６〜１０に連結された外部リード６ａ〜１０ａ
と、相互接続用導体板１１に連結された外部リードｌｌ
ａと、支持板６〜１０に非連結な外部リード１２．１３
．１４．１５．１６．１７．１８．１９．２０は、２．
５４四ピツチ（インチピッチ）で並置されている。モノ
リシンクＩＣチップ５はＰｂ−３ｎ系半田にて支持板１
０に固着され、この上面の外電極はＡｕ細線から成る内
部リード細線２１によって非連結外部リード１２〜２０
、及び連結外部リード１０ａに電気的に接続されている
。各パワートランジスタチップ１〜４は下面にコレクタ
電極、上面にエミッタ電極とベース電極とを有し、下面
のコレクタ電極はＰｂ−３ｎ系半田にて各支持板６〜９
に固着され、各エミッタ電極はＡｕ細線から成る内部リ
ード細線２２によって共通の相互接続用導体板１１に接
続されている。なお、エミッタ接続用内部リード細１１
２２は、電流容量を大きくするために、各パワートラン
ジスタチップ１〜４に２本接続されている。各パワート
ランジスタチップ１〜４はほぼ一直線上に配置されてい
るので、相互接続用導体板１１もパワートランジスタチ
ップ１〜４の配列方向に沿って直線状に延びている。
各パワートランジスタチップ１〜４のベース電極はＡＬ
ｌｌｆｌ線から成る内部リード細線２３によって外部リ
ード１２．１３．１９．２０に接続されている。外部リ
ード１２．１３．１９．２０にはモノリシックＩＣチッ
プが接続されていると共に、パワートランジスタチップ
１〜４も接続されている。この接続を容易に達成するた
めに外部リード１２．１３．１９．２０は支持板６．７
．８．９に隣接する部分を有するように形成されている
。
従って、外部リード１２は、第１の支持板６と第２の支
持板７との間を通り、外部リード２０も第３の支持板８
と第４の支持板９との間を通っている。外部リード１２
．１３．１９．２０は各支持板６〜９に隣接配置されて
いるので、ベース接続内部リード細線２３は他の外部リ
ードを飛び越さないように配設されている。しかし、第
２及び第３のパワートランジスタチップ２．３のエミッ
タ接続用内部リード細線２２は、外部リード１２．２０
を飛び越すように配設されている。もし、外゛部リード
１２を外部リード７ａと１３との間に配置し、外部リー
ド２０を外部リード１９と外部リード８ａとの間に配置
したとすれば、第１〜第４のパワートランジスタチップ
１〜４のすべてのベース接続用内部リード細線２３が外
部リードを飛び越すように配役しなければならなくなり
、飛び越す箇所が４箇所となり、第１図のエミッタ接続
用内部リード細線２２の２箇所よりも多くなる。
各パワートランジスタ及びモノリシックＩＣチップ１〜
５、各支持板６〜１０、相互接続用導体板１１、各外部
リード６ａ〜ｌｌａ及び１２〜２０の一部、各内部リー
ド＋＄１１１１１２１〜２３は、点線で示す樹脂封止体
２４で被覆される。
各部を更に詳しく説明すると、各支持板６〜１０、相互
接続用導体板１１、外部リード１２〜２０はＣｕ板を打
抜き、これにＮ１被覆層を設けたリードフレームに基づ
いて得たものであり、各チップ１〜５の固着部分、各内
部リード細線２１〜２３の接続部に更にへ〇メッキ処理
を施したものである。
相互接続用導体板１１はエミッタ接続用内部リード組線
２２の接続部に対応する位置に突出部２うをそれぞれ有
している。各突出部２５は内部リード細線２２が延びる
方向に突出しているので、各支持板１〜４の端面上突出
部２５の端面との対向間隔が他の部分よりも狭くなって
いる。第２及び第３の支持板７．８と突出部２５との間
に外部リード１２．２０が介在している。外部リード１
２．２０の相互接続部１２ａ、２０ａは支持板７．８と
相互接続用導体板１１との間において直線状に延びてい
るので、外部リード１２．２０と突出部２２との対向間
隔も他の部分よりも狭くなっている。なお、樹脂モール
ド時の樹脂の流れの均一化を図るために、外部リード１
２．２０の相互接続部１２ａ、２０ａの上側端面と支持
板６．９の上側端面とは同一直線上に位置している。
第２図は第１図の第３の支持板８の近傍を拡大図示する
ものである。突出部２５と支持板８との対向間層Ｌ５は
相互接続用導体板１１の非突出部の下側端面と支持板８
の上側端面との対向間隔Ｌ４よりも小さく設定され、突
出部２５と外部り一部２０の相互接続部２０ａとの対向
間隔Ｌ１も相互接続用導体板１１の非突出部と外部リー
ド２０の相互接続部２０ａとの対向間隔Ｌ２　より小さ
く設定されている。支持板８と相互接続部２０ａとの対
向間層Ｌ３のすき間、相互接続用導体板１１と外部リー
ド２０の相互接続部２０ａとの闇のすき間は樹脂の通路
となる。エミッタ接続用内部リード細線２２の下部の樹
脂の通路は突出部２５によって狭められている。このな
め、樹脂注入圧力の内部り卵ド細線２２に対する影響は
少ない。
Ｌ１≦Ｌ２／２、Ｌ３≦Ｌ４／２の条件を満足するよう
にＬ１〜Ｌ４を設定すれば、樹脂注入圧力の内部リード
細線２２に対する悪影響を有効に低減し、内部リード細
線２２の垂れを有効に防止することができる。この効果
は、リードフレーム加工時に同時に形成される突出部２
５によって得られるので、製品コストの上昇を招がない
。
第３図及び第４図は上金型２６と下金型２７とを使用し
てエポキシ樹脂を注入してｆ！Ｉ脂封止体２４をトラン
スファーモールドで形成する時の状態を示す。各チップ
１〜５、各支持板６〜１０、相互接続用導体板１１、外
部リード１２〜２ｏの一部等が収容されていると共に、
放熱板２８が収容されているキャビティ（成形空所）２
９にゲート３０から樹脂を注入すると、矢印３１で示す
ように樹脂が流れる。ゲート３０は上金型２６と下金型
２７との境界部に設けられている。即ちゲート３０は樹
脂封止体２４の側面に対向する位置に設けられている。
相互接続用導体板１１に隣接しているゲート３０から注
入された樹脂はエミッタ接続用内部リード細線２２が延
びる方向と同一方向に流れる。第３図及び第４図で矢印
３１は樹脂の流れの方向を示すと共にその太さによって
流れの１を示す。第３図に示す如く突出部２５が設けら
れている場合には、突出部２うと外部リード２０の相互
接続部２０ａとの対抗間層が狭いためにこれ等の闇の樹
脂の流れが制限され、エミッタ接続用内部リード細線２
２に対する悪影響が少なくなる。一方、第４図に示す如
く突出部２うが設けられていない部分においては相互接
続用導体板１１と外部リード２０の相互接続部２０ａと
の対抗開講が十分に広いために、樹脂が良好に流れる。
支持板６〜１０の下面側にも空所があるので、樹脂は支
持板６〜１０の上面側から下面側へも流れる。
樹脂封止体２４における支持板６〜１０の下側の樹脂層
は放熱を考慮して上側の樹脂層よりも薄くする必要があ
るので、樹脂の流れは下側よりも上側で多い。
第５図〜第７図はエミッタ内部リード細線２２のワイヤ
ボンディングを示す、まず、第５図に示すようにキャピ
ラリ３２のパイプから送り出されている直径３８μｌの
Ａｕ線３３に電気スパーク又は水素炎等でボール３４を
形成し、このボール３４を約２００℃〜２５０℃に加熱
されているチップ３上に第６図に示す如くキャピラリ３
２で押しつける。この時キャピラリ３２には超音波振動
を加える。これにより、Ａｕｆｆ１３３の第１のボンデ
ィングが達成される。
次に、キャピラリ３２を真上に移動して大きく引き回し
た後に第７図に示す如く相互接続用導体板１１上に移動
し、超音波振動を加えながらＡＵ線３３をキャピラリ３
２で相互接続用導体板１１におしつける。Ａｕ線３３は
超音波振動によって部分的に溶融し、第２のボンディン
グが達成される。しかる後、キャピラリ３２を押し付け
たままＡＵ線３３を引き上げてＡＵ線３３を切断する。
これにより、エミッタ接続用内部リード細線２２が得ら
れる。
第５図〜第７図に示すワイヤボンディング方法は、狭義
にはネイルヘッドボンディングとステッチボンディング
との組み合わせであり、広義にはエイルヘッドボンディ
ングに属する方法である。
チップ３に対して狭義のネイルヘッドボンディングで内
部リード細線２２をボンディングし、相互接続用導体板
１１に狭義のステッチボンディングを行うと、第７図か
ら明らかな如くステッチボンディング側において内部リ
ード細線２２の高さが低くなり、外部リード２０の相互
接続部２ｏａに内部リード細線２２が接触しやすくなる
。しがし、本実施例では突出部２５によって樹脂の流れ
を制限しているので、内部リード細線２２の垂れによる
接触が防止される。
第２図〜第７図では第３のパワートランジスタチップ３
に対する内部リード細線２２の接続について述べたが、
第２のパワートランジスタチップ２に対する内部リード
細線２２の接続、及び第１及び第４のパワートランジス
タチップ１．４に対する内部リード細線２２の接続も同
様に行われ、同様な作用効果が得られる。
［変形例］ 本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
（１）　第８区及び第９図に示す如く突出部２うの先端
にプレス加工によって立上がり部分２５ａを設けてもよ
い、立上がり部分２５ａは内部リード細線２２が接触し
ても差し支えない部分であるから、ここで内部リード細
線２２の垂れを阻止することができる。また、樹脂の流
れがこの立上がり部２５ａで阻止されるために、下方へ
流れ込む樹脂を制限することができ、内部リード細線２
２の垂れの防止効果が大きくなる。なお、立上がり部２
５ａを第９図において右から左に進むに従って徐々に貰
くなるように形成し、樹脂の流れの上方向の力を強め、
内部リード細線２２の垂れを防いでもよい。
（２）　内部リード細線２１．２２．２３、はＡＵ以外
のＡｕ合金、Ｃｕ　、Ｃｕ合金線等でもよい。
（３）　内部リード細線２２の一端をチップ１〜５にボ
ンディングせずに、支持板６〜１０、又は回路基板上の
電極にボンディングする場合にも適用可能である。
（４）　相互接続用導体板１１の突出部２５を基準にし
て一方の側の端面と他方の側の端面とが一直線上に位置
しない場合にも適用可能である。
（５）　支持板１〜４と導体板１１との間に接続部１２
ａ、２０ａが介在するしないに関係なく、本発明を適用
することができる。
［発明の効果］ 上述から明らかな如く、本発明に従う突出部により対土
用絶縁物の流れが制限され、内部リード細線の垂れによ
る異常接触、内部リード細線の切断を防止することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に係わる樹脂封止型混成＄積回
路を示す平面図、 第２図は第１図の一部を示す拡大平面図、第３図は第１
図のＩ［［−！［ｖＡに対応する部分のモールド時の状
態を示す断面図、 第４図は第１図のＩＶ　−ＩＶ線に対応する部分のモー
ルド時の状態を示す断面図、 第５図、第６及び第７図はワイヤボンディング方法を説
明するための断面図、 第８図は変形例の突出部及びその近傍を示す平面図、 第９図は変形例の突出部及びその近傍を示す断面図であ
る。 １．２．３．４、・・・トランジスタチップ、５・・・
モノリシックＩＣチップ、６．７．８．９．１０・・・
支持板、１１・・・相互接続用導体板、１２〜２０・・
・非連結外部リード、２１．２２．２３、・・・内部リ
ード細線、２４・・・樹脂封止体、２う・・・突出部。 代　　理　　人　　　高　　野　　則　　次第２図 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ［１］回路素子又は装置と、 一方の主面で前記回路素子又は装置を支持し、且つ直線
    状に延びる端面を有している導電性支持板と、 前記支持板の前記端面に対して平行に延びる端面を有し
    ている接続用導体板（１１）と、前記回路素子又は装置
    又は前記支持板と前記導体板（１１）とを電気的に接続
    するものであって、前記支持板の前記端面及び前記導体
    板（１１）の前記端面上を通るように配設されている内
    部リード細線（２２）と、 前記回路素子又は装置、前記支持板の一方の主面及び他
    方の主面、前記導体板（１１）の少なくとも一部、前記
    内部リード細線（２２）を被覆する絶縁物封止体（２４
    ）と から成る絶縁物封止型回路装置において、 前記支持板の前記端面と前記導体板（１１）の前記端面
    との間隔が部分的に狭くなるように突出している突出部
    （２５）が前記導体板（１１）に設けられ、前記突出部
    （２５）の突出方向が前記内部リード細線（２２）の延
    びる方向と実質的に同一とされ、前記内部リード細線（
    ２２）が前記突出部（２５）の先端上を通るように前記
    突出部（２５）の位置が決められていることを特徴とす
    る絶縁物封止型回路装置。
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