JPH0754841B2 - 絶縁物封止型回路装置 - Google Patents

絶縁物封止型回路装置

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JPH0754841B2
JPH0754841B2 JP62090429A JP9042987A JPH0754841B2 JP H0754841 B2 JPH0754841 B2 JP H0754841B2 JP 62090429 A JP62090429 A JP 62090429A JP 9042987 A JP9042987 A JP 9042987A JP H0754841 B2 JPH0754841 B2 JP H0754841B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型混成集積
回路装置等の絶縁物封止型回路装置に関し、更に詳細に
は、内部リード細線による短絡を防止することができる
絶縁物封止型回路装置に関する。
[従来の技術] 複数の半導体チップを独立に支持するために複数の支持
板を用意し、複数の半導体チップを相互に接続するため
に共通接続用導体板を設け、半導体チップと共通接続用
導体板との間を内部リード細線で接続し、外部接続部分
を除いて、半導体チップ、支持板、導体板、内部リード
細線を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置は既に開発さ
れている。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、内部リード細線で接続する複数の半導体チッ
プの相互間又は半導体チップと接続用導体板との間の距
離が長い場合には、内部リード細線の垂れ下りによる短
絡状態が生じる恐れがある。また、トランスファーモー
ルド法によって支持板の上面側のみでなく下面側も薄く
樹脂で被覆する場合には、間隔の狭い支持板の下側より
も間隔の広い支持板の上側で樹脂の流れが多くなり、且
つ支持板と接続用導体板との間を通って支持板の上側か
ら下側に向かう樹脂の流れも生じる。この樹脂の流れが
支持板上のチップと接続用導体板との間の内部リード細
線に作用すると、内部リード細線が垂れて支持板又はそ
の他の物体に接触し、短絡状態になるおそれがある。ま
た、樹脂の圧力が極端に大きい場合には内部リード細線
が切れるおそれもある。
そこで、本発明は、少なくとも3個の回路素子を有する
絶縁物封止型回路装置において、内部リード細線の長さ
をできるだけ短くしてこの垂れ下りを少なくすることを
目的とする。
[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するための本発明は、実施例を示す図面
を参照して説明すると、例えばトランジスタチップ又は
ICチップのような第1、第2及び第3の回路素子1、
2、5と、一方の主面で前記第1の回路素子1を支持
し、且つ直線状に延びる第1の端面を有している第1の
導電性支持板6と、一方の主面で前記第2の回路素子2
を支持し、且つ前記第1の端面と同一方向に延びる第2
の端面を有し、前記第1の導電性支持板6の隣りに配置
されている第2の導電性支持板7と、一方の主面で前記
第3の回路素子5を支持し、前記第2の導電性支持板7
を中心にして前記第1の導電性支持板6とは反対側とな
るように前記第2の導電性支持板7の隣りに配置されて
いる第3の導電性支持板10と、前記第1及び第2の導電
性支持板の前記第1及び第2の端面に対して平行に延び
る第3の端面を有している第1の相互接続用導体板11
と、前記第1の相互接続用導体板11の前記第3の端面と
前記第2の導電性支持板7の前記第2の端面との間に配
置されて前記第1及び第2の端面と同一方向に延びてい
る部分と前記第1の導電性支持板6の側面と前記第2の
導電性支持板7の側面との間に配置された部分とを有し
ている第2の相互接続用導体板12aと、前記第1の導電
性支持板6に連結され、前記第1の端面と反対側の端面
から導出されている第1の連結外部リード6aと、前記第
2の導電性支持板7に連結され、前記第2の端面と反対
側の端面から導出され、前記第1の連結外部リード6aに
平行に配置されている第2の連結外部リード7aと、前記
第3の導電性支持板10に連結され、前記第1及び第2の
連結外部リード6a、7aに対して平行に配置されている第
3の連結外部リード10aと、前記第1の相互接続用導体
板11に一体に形成され、前記第3の端面から前記第2の
導電性支持板7の前記第2の端面に向って突出している
突出部25と、前記第1の回路素子1と前記第1の相互接
続用導体板11とを電気的に接続している第1の内部リー
ド細線22と、前記第2の回路素子2と前記第1の相互接
続用導体板11とを電気的に接続しており、且つ前記突出
部25が突出する方向と同一方向に延びていると共に前記
突出部25の先端の上及び前記第2の相互接続用導体板12
aの上を通るように配設されている第2の内部リード細
線22と、前記第1の回路素子1と前記第2の相互接続用
導体板12aとを電気的に接続している第3の内部リード
細線23と、前記第3の回路素子5と前記第2の相互接続
用導体板12aとを電気的に接続している第4の内部リー
ド細線21と、前記第1、第2及び第3の回路素子1、
2、5を支持している前記第1、第2及び第3の導電性
支持板6、7、10の一方及び他方の主面、前記第1及び
第2の相互接続用導体板11、12a及び前記第1、第2、
第3及び第4の内部リード細線22、22、23、21を被覆し
ている絶縁物封止体24とを備えた絶縁物封止型回路装置
に係わるものである。
なお、第2の相互接続導体板12aは実施例に示すように
外部リード12に連絡されたものであることが望ましい [発明の作用及び効果] 本発明は次の作用効果を有する (イ)第1及び第2の回路素子1、2の相互接続のため
に第1の相互接続用導体板11が設けられているので、比
較的短い第1及び第2の内部リード細線22を使用して第
1及び第2の回路素子1、2を相互接続することができ
る。従って、内部リード細線22の垂れ下りによる短絡を
防ぐことができる。
(ロ)第1及び第3の回路素子1、5を相互に接続する
ために第2の相互接続用導体板12aが設けられているの
で、比較的短い第3及び第4の内部リード細線23、21を
使用して第1及び第3の回路素子1、5を接続すること
ができる。従って、リード細線23、21の垂れ下りによる
短絡を防ぐことができる。
(ハ)第2の導電性支持板7と第1の相互接続用導体板
11との間に第2の相互接続用導体板12aが介在し、第2
の回路素子2と第1の相互接続用導体板11との間隔が比
較的に大きくなるが、第2の内部リード細線22の下に突
出部25を設けたので、相互間隔が狭められ、第2の内部
リード細線22の垂れ下りによる短絡を防ぐことができ
る。また、突出部25と第2の相互接続用導体板12aとの
間隔が狭められるために絶縁物封止体24を設ける時にこ
こでの封止用絶縁物の流れが悪くなり、第2の内部リー
ド細線22に過大な圧力が加わることが防止され、内部リ
ード細線22の垂れ下りによる短絡及びこの破断を防ぐこ
とができる。なお、第1の相互接続用導体板11の突出部
25が設けられていない部分においては、第2の相互接続
用導体板12aとの間隔が狭くなっていないので、封止用
絶縁物の流れを阻害しない。
(ニ)第1及び第2の相互接続用導体板11、12aは第1
〜第3の連結外部リード6a、7a、10aとは反対側に配置
されているので、第1〜第3の連結外部リード6a、7a、
10aを同一方向に導出することが可能になる。
[実施例] 次に、本発明の実施例に係わる絶縁物封止型混成集積回
路装置を図面に基づいて説明する。
第1図に絶縁樹脂封止体を取除いた状態で示されている
混成集積回路装置は、第1〜第4のパワートランジスタ
チップ1、2、3,4と、1つのモノリシックICチップ5
とを含んでいる。各パワートランジスタチップ1〜4及
びモノリシックICチップ5を電気的に分離して支持する
ために、5つの金属製支持板6、7、8、9、10が設け
られている。各支持板6〜10はこれに一体に連結された
外部リード6a、7a、8a、9a、10aを有している。
4個のパワートランジスタチップ1〜4の相互接続用導
体板11が各パワートランジスタチップ1〜4に沿うよう
に長手に配設され、これにも外部リード11aが設けられ
ている。
各支持板6〜10に連結された外部リード6a〜10aと、相
互接続用導体板11に連結された外部リード11aと、支持
板6〜10に非連結な外部リード12、13、14、15、16、1
7、18、19、20は、2.54mmピッチ(インチピッチ)で並
置されている。モノリシックICチップ5はPb−Sn系半田
にて支持板10に固着され、この上面の各電極はAu細線か
ら成る内部リード細線21によって非連結外部リード12〜
20、及び連結外部リード10aに電気的に接続されてい
る。各パワートランジスタチップ1〜4は下面にコレク
タ電極、上面にエミッタ電極とベース電極とを有し、下
面のコレクタ電極はPb−Sn系半田にて各支持板6〜9に
固着され、各エミッタ電極はAu細線から成る内部リード
細線22によって共通の相互接続用導体板11に接続されて
いる。なお、エミッタ接続用内部リード細線22は、電流
容量を大きくするために、各パワートランジスタチップ
1〜4に2本接続されている。各パワートランジスタチ
ップ1〜4はほぼ一直線上に配置されているので、相互
接続用導体板11もパワートランジスタチップ1〜4の配
列方向に沿って直線状に延びている。
各パワートランジスタチップ1〜4のベース電極はAu細
線から成る内部リード細線23によって外部リード12、1
3、19、20に接続されている。外部リード12、13、19、2
0にはモノリシックICチップが接続されていると共に、
パワートランジスタチップ1〜4も接続されている。こ
の接続を容易に達成するために外部リード12、13、19、
20は支持板6、7、8、9に隣接する部分を有するよう
に形成されている。従って、外部リード12は、第1の支
持板6と第2の支持板7との間を通り、外部リード20も
第3の支持板8と第4の支持板9との間を通っている。
外部リード12、13、19、20は各支持板6〜9に隣接配置
されているので、ベース接続内部リード細線23は他の外
部リードを飛び越さないように配設されている。しか
し、第2及び第3のパワートランジスタチップ2、3の
エミッタ接続用内部リード細線22は、外部リード12、20
を飛び越すように配設されている。もし、外部リード12
を外部リード7aと13との間に配置し、外部リード20を外
部リード19と外部リード8aとの間に配置したとすれば、
第1〜第4のパワートランジスタチップ1〜4のすべて
のベース接続用内部リード細線23が外部リードを飛び越
すように配設しなければならなくなり、飛び越す箇所が
4箇所となり、第1図のエミッタ接続用内部リード細線
22の2箇所よりも多くなる。
各パワートランジスタ及びモノリシックICチップ1〜
5、各支持板6〜10、相互接続用導体板11、各外部リー
ド6a〜11a及び12〜20の一部、各内部リード細線21〜23
は、点線で示す樹脂封止体24で被覆される。
各部を更に詳しく説明すると、各支持板6〜10、相互接
続用導体板11、外部リード12〜20はCu板を打抜き、これ
にNi被覆層を設けたリードフレームに基づいて得たもの
であり、各チップ1〜5の固着部分、各内部リード細線
21〜23の接続部に更にAgメッキ処理を施したものであ
る。
相互接続用導体板11はエミッタ接続用内部リード細線22
の接続部に対応する位置に突出部25をそれぞれ有してい
る。各突出部25は内部リード細線22が延びる方向に突出
しているので、各支持板1〜4の端面と突出部25の端面
との対向間隔が他の部分よりも狭くなっている。第2及
び第3の支持板7、8と突出部25との間に外部リード1
2、20が介在している。外部リード12、20の相互接続部1
2a、20aは支持板7、8と相互接続用導体板11との間に
おいて直線状に延びているので、外部リード12、20と突
出部22との対向間隔も他の部分よりも狭くなっている。
なお、樹脂モールド時の樹脂の流れの均一化を図るため
に、外部リード12、20の相互接続部12a、20aの上側端面
と支持板6、9の上側端面とは同一直線上に位置してい
る。
第2図は第1図の第3の支持板8の近傍を拡大図示する
ものである。突出部25と支持板8との対向間隔L5は相互
接続用導体板11の非突出部の下側端面と支持板8の上側
端面との対向間隔L4よりも小さく設定され、突出部25と
外部リード20の相互接続部20aとの対向間隔L1も相互接
続用導体板11の非突出部と外部リード20の相互接続部20
aとの対向間隔L2より小さく設定されている。支持板8
と相互接続部20aとの対向間隔L3のすき間、相互接続用
導体板11と外部リード20の相互接続部20aとの間のすき
間は樹脂の通路となる。エミッタ接続用内部リード細線
22の下部の樹脂の通路は突出部25によって狭められてい
る。このため、樹脂注入圧力の内部リード細線22に対す
る影響は少ない。L1≦L2/2、L3≦L4/2の条件を満足する
ようにL1〜L4を設定すれば、樹脂注入圧力の内部リード
細線22に対する悪影響を有効に低減し、内部リード細線
22の垂れを有効に防止することができる。この効果は、
リードフレーム加工時に同時に形成される突出部25によ
って得られるので、製品コストの上昇を招かない。
第3図及び第4図は上金型26と下金型27とを使用してエ
ポキシ樹脂を注入して樹脂封止体24をトランスファーモ
ールドで形成する時の状態を示す。各チップ1〜5、各
支持板6〜10、相互接続用導体板11、外部リード12〜20
の一部等が収容されていると共に、放熱板28が収容され
ているキャビティ(成形空所)29にゲート30から樹脂を
注入すると、矢印31で示すように樹脂が流れる。ゲート
30は上金型26と下金型27との境界部に設けられている。
即ちゲート30は樹脂封止体24の側面に対向する位置に設
けられている。相互接続用導体板11に隣接しているゲー
ト30から注入された樹脂はエミッタ接続用内部リード細
線22が延びる方向と同一方向に流れる。第3図及び第4
図で矢印31は樹脂の流れの方向を示すと共にその太さに
よって流れの量を示す。第3図に示す如く突出部25が設
けられている場合には、突出部25と外部リード20の相互
接続部20aとの対向間隔が狭いためにこれ等の間の樹脂
の流れが制限され、エミッタ接続用内部リード細線22に
対する悪影響が少なくなる。一方、第4図に示す如く突
出部25が設けられていない部分においては相互接続用導
体板11と外部リード20の相互接続部20aとの対向間隔が
十分に広いために、樹脂が良好に流れる。支持板6〜10
の下面側にも空所があるので、樹脂は支持板6〜10の上
面側から下面側へも流れる。樹脂封止体24における支持
板6〜10の下側の樹脂層は放熱を考慮して上側の樹脂層
よりも薄くする必要があるので、樹脂の流れは下側より
も上側で多い。
第5図〜第7図はエミッタ内部リード細線22のワイヤボ
ンディングを示す。まず、第5図に示すようにキャピラ
リ32のパイプから送り出されている直径38μmのAu線33
に電気スパーク又は水素炎等でボール34を形成し、この
ボール34を約200℃〜250℃に加熱されているチップ3上
に第6図に示す如くキャピラリ32で押しつける。この時
キャピラリ32には超音波振動を加える。これにより、Au
線33の第1のボンディングが達成される。
次に、キャピラリ32を真上に移動して大きく引き回した
後に第7図に示す如く相互接続用導体板11上に移動し、
超音波振動を加えながらAu線33をキャピラリ32で相互接
続用導体板11におしつける。Au線33は超音波振動によっ
て部分的に溶融し、第2のボンディングが達成される。
しかる後、キャピラリ32を押し付けたままAu線33を引き
上げてAu線33を切断する。これにより、エミッタ接続用
内部リード細線22が得られる。
第5図〜第7図に示すワイヤボンディング方法は、狭義
にはネイルヘッドボンディングとステッチボンディング
との組み合わせであり、広義にはネイルヘッドボンディ
ングに属する方法である。チップ3に対して狭義のネイ
ルヘッドボンディングで内部リード細線22をボンディン
グし、相互接続用導体板11に狭義のステッチボンディン
グを行うと、第7図から明らかな如くステッチボンディ
ング側において内部リード細線22の高さが低くなり、外
部リード20の相互接続部20aに内部リード細線22が接触
しやすくなる。しかし、本実施例では突出部25によって
樹脂の流れを制限しているので、内部リード細線22の垂
れによる接触が防止される。
第2図〜第7図では第3のパワートランジスタチップ3
に対する内部リード細線22の接続について述べたが、第
2のパワートランジスタチップ2に対する内部リード細
線22の接続、及び第1及び第4のパワートランジスタチ
ップ1、4に対する内部リード細線22の接続も同様に行
われ、同様な作用効果が得られる。
[変形例] 本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
(1)第8図及び第9図に示す如く突出部25の先端にプ
レス加工によって立上がり部分25aを設けてもよい。立
上がり部分25aは内部リード細線22が接触しても差し支
えない部分であるから、ここで内部リード細線22の垂れ
を阻止することができる。また、樹脂の流れがこの立上
がり部25aで阻止されるために、下方へ流れ込む樹脂を
制限することができ、内部リード細線22の垂れの防止効
果が大きくなる。なお、立上がり部25aを第9図におい
て右から左に進むに従って徐々に高くなるように形成
し、樹脂の流れの上方向の力を強め、内部リード細線22
の垂れを防いでもよい。
(2)内部リード細線21、22、23、はAu以外のAu合金、
Cu、Cu合金線等でもよい。
(3)内部リード細線22の一端をチップ1〜5にボンデ
ィングせずに、支持板6〜10、又は回路基板上の電極に
ボンディングする場合にも適用可能である。
(4)相互接続用導体板11の突出部25を基準にして一方
の側の端面と他方の側の端面とが一直線上に位置しない
場合にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係わる樹脂封止型混成集積回
路を示す平面図、 第2図は第1図の一部を示す拡大平面図、 第3図は第1図のIII−III線に対応する部分のモールド
時の状態を示す断面図、 第4図は第1図のIV−IV線に対応する部分のモールド時
の状態を示す断面図、 第5図、第6及び第7図はワイヤボンディング方法を説
明するための断面図、 第8図は変形例の突出部及びその近傍を示す平面図、 第9図は変形例の突出部及びその近傍を示す断面図であ
る。 1、2、3、4、…トランジスタチップ、5…モノリシ
ックICチップ、6、7、8、9、10…支持板、11…相互
接続用導体板、12〜20…非連結外部リード、21、22、2
3、…内部リード細線、24…樹脂封止体、25…突出部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1、第2及び第3の回路素子(1、2、
    5)と、 一方の主面で前記第1の回路素子(1)を支持し、且つ
    直線状に延びる第1の端面を有している第1の導電性支
    持板(6)と、 一方の主面で前記第2の回路素子(2)を支持し、且つ
    前記第1の端面と同一方向に延びる第2の端面を有し、
    前記第1の導電性支持板(6)の隣りに配置されている
    第2の導電性支持板(7)と、 一方の主面で前記第3の回路素子(5)を支持し、前記
    第2の導電性支持板(7)を中心にして前記第1の導電
    性支持板(6)とは反対側となるように前記第2の導電
    性支持板(7)の隣りに配置されている第3の導電性支
    持板(10)と、 前記第1及び第2の導電性支持板の前記第1及び第2の
    端面に対して平行に延びる第3の端面を有している第1
    の相互接続用導体板(11)と、 前記第1の相互接続用導体板(11)の前記第3の端面と
    前記第2の導電性支持板(7)の前記第2の端面との間
    に配置されて前記第1及び第2の端面と同一方向に延び
    ている部分と前記第1の導電性支持板(6)の側面と前
    記第2の導電性支持板(7)の側面との間に配置された
    部分とを有している第2の相互接続用導体板(12a)
    と、 前記第1の導電性支持板(6)に連結され、前記第1の
    端面と反対側の端面から導出されている第1の連結外部
    リード(6a)と、 前記第2の導電性支持板(7)に連結され、前記第2の
    端面と反対側の端面から導出され、前記第1の連結外部
    リード(6a)に平行に配置されている第2の連結外部リ
    ード(7a)と、 前記第3の導電性支持板(10)に連結され、前記第1及
    び第2の連結外部リード(6a、7a)に対して平行に配置
    されている第3の連結外部リード(10a)と、 前記第1の相互接続用導体板(11)に一体に形成され、
    前記第3の端面から前記第2の導電性支持板(7)の前
    記第2の端面に向って突出している突出部(25)と、 前記第1の回路素子(1)と前記第1の相互接続用導体
    板(11)とを電気的に接続している第1の内部リード細
    線(22)と、 前記第2の回路素子(2)と前記第1の相互接続用導体
    板(11)とを電気的に接続しており、且つ前記突出部
    (25)が突出する方向と同一方向に延びていると共に前
    記突出部(25)の先端の上及び前記第2の相互接続用導
    体板(12a)の上を通るように配設されている第2の内
    部リード細線(22)と、 前記第1の回路素子(1)と前記第2の相互接続用導体
    板(12a)とを電気的に接続している第3の内部リード
    細線(23)と、 前記第3の回路素子(5)と前記第2の相互接続用導体
    板(12a)とを電気的に接続している第4の内部リード
    細線(21)と、 前記第1、第2及び第3の回路素子(1、2、5)を支
    持している前記第1、第2及び第3の導電性支持板
    (6、7、10)の一方及び他方の主面、前記第1及び第
    2の相互接続用導体板(11、12a)、及び前記第1、第
    2、第3及び第4の内部リード細線(22、22、23、21)
    を被覆している絶縁物封止体(24)と を備えた絶縁物封止型回路装置。
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