JPH0736436B2 - 絶縁物封止型半導体装置 - Google Patents

絶縁物封止型半導体装置

Info

Publication number
JPH0736436B2
JPH0736436B2 JP62047676A JP4767687A JPH0736436B2 JP H0736436 B2 JPH0736436 B2 JP H0736436B2 JP 62047676 A JP62047676 A JP 62047676A JP 4767687 A JP4767687 A JP 4767687A JP H0736436 B2 JPH0736436 B2 JP H0736436B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode body
lead
thin
wire
thin wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62047676A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63215058A (ja
Inventor
雅之 高坂
量次 岩城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP62047676A priority Critical patent/JPH0736436B2/ja
Publication of JPS63215058A publication Critical patent/JPS63215058A/ja
Publication of JPH0736436B2 publication Critical patent/JPH0736436B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162—Shape being a cuboid with a square active surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、２つの電極体を接続するリード細線の垂下を
防止した構造の絶縁物封止型半導体装置に関連する。
従来の技術 第３図は、従来の樹脂封止形ハイブリッドICの平面図を
示す。ここで図示の斜線は電極体と他を区別するために
付したものである。このハイブリッドICは、15本の外部
電極体1a〜15aと、外部電極体1a〜15aの延長部として設
けられた配線電極体1b〜15bと、配線電極体2b、4b、9
b、13b及び15bに続く大面積部として設けられた支持電
極体2c、4c、9c、13c及び15cとから成る電極体１〜15を
有する。配線電極体1b〜15b及び支持電極体2c、4c、9
c、13c及び15cは、点線で示す樹脂封止体16で封止さ
れ、外部電極体1a〜15aは、樹脂封止体16から外側に導
出される。外部電極体1a〜15aは、インチピッチ（2.54m
m）で並列するように設けられ、導出側で幅広、先端で
幅狭の形状を有する。支持電極体9cには、モノリシック
ICチップ17がPb-Sn系半田（図示せず）により固着され
る。支持電極体2c、4c、13c及び15cには、パワートラン
ジスタチップ18〜21が同じくPb-Sn系半田（図示せず）
により固着される。図示しないが、モノリシックICチッ
プ17の上面には、アルミニウムから成る多数の電極（ボ
ンディングパッド）が形成されている。また、モノリシ
ックICチップ17は、シリコンラバーより成る保護樹脂に
よって被覆されるが、図示を省略する。パワートランジ
スタチップ18〜21の上面には図示しないがアルミニウム
から成るエミッタ電極及びベース電極が形成され、下面
には全面にニッケルから成るコレクタ電極が形成されて
いる。パワートランジスタチップ18〜21も、図示しない
がシリコンラバーより成る保護樹脂によって被覆され
る。
パワートランジスタチップ18〜21の各々のエミッタ電極
は、電流容量を十分に確保するため、それぞれ２本のリ
ード細線22〜25により配線電極体1bに接続される。ま
た、パワートランジスタチップ18〜21の各々のベース電
極は、それぞれ１本のリード細線26〜29により配線電極
体3b、5b、12b及び14bに接続される。
モノリシックICチップ17上の10個の電極は、それぞれ１
本のリード細線30〜39により配線電極体3b、5b〜8b、10
b〜12b、14b及び支持電極体9cに接続される。リード細
線22〜39は、約30μｍの直径を有する金（Au）又は金合
金から成る細線である。リードフレームを構成している
電極体１〜15は、ニッケル被覆の鋼材からプレス成形さ
れる。ただし、パワートランジスタチップ18〜21が固着
される部分、及びリード細線22〜39が接続される部分に
は、部分的に銀メッキが施されて、銅−ニッケル−銀の
三層構造となっている。
次に、リード細線の接続方法を第５図について説明す
る。
まず、第５図（Ａ）に示すように、ワイヤボンダのパイ
プ状のキャピラリ50の中心孔51から細線52を送り出し、
電気スパーク又は水素炎等で細線52の先端部にボール53
を形成する。ボール53の直径は、細線52の直径の２〜３
倍程度である。
次に、第５図（Ｂ）に示すように、第一の電極体54にボ
ール53をキャピラリ50の先端で細線52の接続方法に押し
付け釘頭状に接続する。この際、第一の電極体54は200
〜250℃に予め加熱されている。また、キャピラリ50に
は、細線52の接続方向と直角な矢印55で示す方向への超
音波振動が加えられている。これにより、第一の電極体
54と細線52とが接続され、ネイルヘッドボンディング法
によりファーストボンディング部52aが形成される。
続いて、第５図（Ｃ）に示すように、キャピラリ50を上
昇して大きく引き回すようにして、細線52を繰り出しな
がら第二の電極体56に向かってキャピラリ50を移動す
る。
その後、第５図（Ｄ）に示すように、第二の電極体56に
スティッチボンディングする。即ち、第二の電極体56は
前述と同様に200〜250℃に予め加熱され、キャピラリ50
には前述と同様の超音波振動が加えられている。この状
態で、第二の電極体56に対し径方向に細線52を押圧する
ことにより、細線52と第二の電極体56とが接続され、セ
カンドボンディング部52bが形成される。なお、第５図
（Ｂ）（Ｄ）の工程を電極体の加熱のみによる熱圧着法
又は超音波振動による加熱のみの超音波法等で行っても
よい。
最終的には、第５図（Ｅ）のように、キャピラリ50を第
二の電極体56に対し押圧したまま、細線52を上方に引い
て細線52を切断する。狭義には、第一の電極体への接続
（ファーストボンディング）をネイルヘッドボンディン
グ、第二の電極体への接続（セカンドボンディング）を
スティッチボンディングと呼称するが、ここではそれら
２つを総称してネイルヘッドボンディング法とする。第
４図及び第５図（Ｄ）に示すように、ファーストボンデ
ィング側では、第一の電極体に対する細線52の角度αは
ほぼ直角となり、細線52と第一の電極体との距離は長く
なる。一方、セカンドボンディング側では、細線52の第
二の電極体に対する角度θは鋭角となり、細線52と第二
の電極体との距離は短くなる。
発明が解決しようとする問題点 従来ではリード細線の垂下により配線電極体及び支持電
極体にリード細線が接触し、短絡不良の原因となってい
た。即ち、第４図に例示するように、配線電極体3bを跨
いでリード細線23が接続されている。半導体装置の高集
積化の要求により配線が一層複雑化する傾向にある。こ
のため配線電極体を跨ぐ接続を行わなければならないこ
とが多い。
ところで、第一の電極体であるパワートランジスタチッ
プ19のエミッタ電極と第二の電極体である配線電極体1b
との間に形成された配線電極体3bは、リード細線23に対
しては非接続配線体となっている。このため、リード細
線23はワイヤボンディングの際に大きく弧を描くように
接続して、リード細線23と配線電極体3bとの間の距離を
できるだけ取るようにしている。リード細線23は、前述
のネイルヘッドボンディング法により、ファーストボン
ディング部ではパワートランジスタチップ19に接続さ
れ、セカンドボンディング部では配線電極体1bに接続さ
れている。又、ファーストボンディング部はセカンドボ
ンディング部よりおよそパワートランジスタ19の厚さ分
だけ高い位置となっている。このため、配線電極体3b
は、支持電極体4c側ではリード細線23との距離が長くな
るが、配線電極体1b側ではリード細線23との距離が短く
なる。
通常使用される直径約30μｍの金製のリード細線は細く
かつ柔らかいため、十分な強度を期待できないのが実情
である。例えば、第一の電極体と第二の電極体とを接続
する金製のリード細線は、トランスファーモールド時の
樹脂注入圧力や自重等により懸垂状に垂下するループタ
レを発生することがあった。通常、直径が25〜30μｍの
金製のリード細線では、接続距離Ｌは3mmが限界とされ
る。接続距離Ｌが3mmを越えると、自重によりループタ
レが発生する。実際には、トランスファーモールド時の
樹脂注入圧力を考慮しなければならないから、実用的な
接続距離Ｌの長さは更に短くなる。接続距離Ｌを短くす
るには非接続配線体の幅を細くすることが考えられる。
しかし、リードフレームの機械的強度が弱まる等の制約
により、あまり細くすることはできない。よって、第４
図の例では接続距離Ｌ＝3.3mmである。
従って、配線電極体3bの配線電極体1bがでリード細線23
が接触する事故が発生し、製造歩留を低下させる一因と
なっていた。
ループタレによる短絡不良を防止する策としては、例え
ば非接続配線体を絶縁材料で被覆する方法が考えられ
る。しかし、絶縁材料で被覆するという新しい製造工程
が追加になる難点が生ずる。また、リード細線の直径を
大きくして強度を増加することによりループタレを防止
する方法も考えられるが、金が高価であること等から、
実用に適さない。更に、第一の電極体又は第二の電極体
のうち少なくとも一方を一定の高さだけ高くする段差加
工を行う方法も考えられる。しかしこの方法も、段差加
工の工程が追加になるとともに、段差のあるリードフレ
ームであるがためにリードフレームの取扱が煩雑になり
かつボンディング時のリードフレームの支持構造が複雑
化する欠点がある。
本発明は、上記欠点を解消し、リード細線の垂下を防止
した絶縁物封止型半導体装置を提供することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段 本発明による絶縁物封止型半導体装置では、第一の電極
体と第二の電極体とをリード細線により接続し、リード
細線より短くかつリード細線の垂下を制限する支持細線
をリード細線の下方の第二の電極体に設ける。支持細線
はリード細線の同一の細線と同一のワイヤボンディング
を使用してネイルヘッドボンディング法により形成され
る。第一の電極体と第二の電極体との間に第三の電極体
が配置される。リード細線は第一の電極体に接続された
ネイルヘッドボンディング法のファーストボンディング
部と第二の電極体に接続されたネイルヘッドボンディン
グ法のセカンドボンディング部とを有する。この絶縁物
封止型半導体装置では、少なくとも一対の支持細線は互
いに交差して配置され、リード細線は一対の支持細線の
山間で支持される。
作用 一対の支持細線の山間でリード細線を支持し、リード細
線は一対の支持細線の交差部より下方に変形しないの
で、リード細線と第三の電極体との接触を確実に防止す
ることができる。
実施例 以下、本発明の実施例を第１図及び第２図について説明
する。これらの図面では、支持細線を設けた点を除き、
第３図及び第４図に示す従来例と全て同じである。
第２図は、支持細線を形成した本発明の絶縁物封止型半
導体装置の１実施例を示すハイブリッドICの平面図で
る。支持細線40は、配線電極体1bとパワートランジスタ
チップ18〜21のエミッタ電極とを接続するリード細線22
〜25の各々の下方において配線電極体1bに接続される。
第１図は、第２図のリード細線23の近傍を拡大して示す
斜視図である。リード細線が接続されていない配線電極
体3bの上方を跨いで、パワートランジスタチップ19のエ
ミッタ電極と配線電極体1bとの間に２本のリード細線23
が接続され、リード細線23の下方において支持細線40の
両端が配線電極体1bに接続される。この場合、パワート
ランジスタチップ19のエミッタ電極は、第一の電極体と
なり、配線電極体1bは、第二の電極体となり、配線電極
体3bが第三の電極体となる。リード細線23と支持細線40
は、上から見たとき直角に近い角度で交叉している。リ
ード細線23は前述のネイルヘッドボンディング法により
接続され、パワートランジスタチップ19のエミッタ電極
に接続されたファーストボンディング部23aと配線電極
体1bに接続されたセカンドボンディング部23bとを有す
る。支持細線40は、リード細線23のセカンドボンディン
グ部23bに隣接して配線電極体1bに接続される。支持細
線40は、金又は金合金からなるリード細線23と同一の細
線と同一のワイヤボンダを使用して、熱圧着法と超音波
法を併用する同一のネイルヘッドボンディング法により
ファーストボンディング部40aとセカンドボンディング
部40bが形成される。即ち、支持細線40は、リード細線2
2〜39を形成するためのワイヤボンディング工程の中
で、リード細線22〜25の形成に先立って形成される。リ
ード細線23の延在方向に見たとき、２本の支持細線40の
セカンドボンディング部40bはそれぞれ反対方向に引き
回されて接続されている。これによって支持細線40の占
有横幅が小さくなる。
図示のように、一対の支持細線40は互いに交差して配置
され、リード細線23は一対の支持細線40の山間で支持さ
れる。このように、一対の支持細線40の山間でリード細
線23を支持し、リード細線23は一対の支持細線40の交差
部41より下方に変形しないので、リード細線23と配線電
極体3bとの接触を確実に防止することができる。リード
細線23は、支持細線40のほぼ頂点又は頂点のややセカン
ドボンディング側を通る。リード細線23は、ワイヤボン
ディング時には支持細線40に接触するが、樹脂封止後で
は支持細線40から微かに浮くこともあり得る。支持細線
40はリード細線23に比べて短いから、垂下に対してリー
ド細線23より大きい強度を得ることができる。リード細
線23が樹脂注入圧力や自重によって垂下する場合、支持
細線40によって支持されるため、リード細線23は大きく
垂下することはない。従って、リード細線23が配線電極
体3b又は支持電極体4cに接触することを防止することが
できる。リード細線24についても同じである。また、第
一の電極体と第二の電極体との間に配線電極体等の第三
の電極体が無いリード細線22、25部分では、支持細線40
は支持電極体2c、15cにリード細線22、25が接触するこ
とを防止する。また、本実施例では、リード細線23、24
のセカンドボンディング側に支持細線40を形成したの
で、特に発生し易いセカンドボンディング側での第三の
電極体とリード細線の接触防止に有効である。また、リ
ード細線23と支持細線40の接続を一連のワイヤボンディ
ング工程として行うので、支持細線40を形成するために
新たな工程を増加することはないし、生産効率を低下す
ることもほとんどない。
本発明の上記実施例は種々の変更が可能である。例え
ば、パワートランジスタチップ等の半導体チップと配線
電極体との接続でなくてもよい。第一の電極体と第二の
電極体が共に配線電極体（リードフレームの表面）であ
り、これらの間に第三の電極体が設けられている場合等
に適用しても本発明は有効である。
更に、上記実施例では、第二の電極体に支持細線を接続
する例を示したが、第一の電極体と第二の電極体のいず
れか一方の側又は両方の側あるいは中央部に支持細線を
設ける場合もある。ただし、リード細線をネイルヘッド
ボンディング法にて接続した場合、ネイルヘッドボンデ
ィング法の特徴から、セカンドボンディング部側に支持
細線を設けるのが、合理的かつ効果が大きい。
リード細線が金又は金合金から成る細線である場合にリ
ード細線の垂下が問題になり易いが、リード細線が銅線
等であっても本発明は有効である。
第一の電極体と第二の電極体は、リードフレームの表
面、リードフレームに固着された回路基板上に形成され
た電極、リードフレームやプリント基板上に固着された
半導体チップ等の電子素子の電極等、種々の電極が対象
となる。
発明の効果 本発明によれば、リード細線の下方に一対の支持細線を
交差状態で配置するので、リード細線はリード細線の交
差部より下方には変形しない。これによりリード細線と
電極体との接触を確実に防止することができる。また、
リード細線と支持細線とを同一のワイヤボンダで形成す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の実施例であるハイブリッド
ICを示すもので、第１図は第２図の一部を拡大して示す
斜視図、第２図は平面図、第３図は従来のハイブリッド
ICの平面図、第４図は第３図の一部を拡大して示す斜視
図、第５図はネイルヘッドボンディング法によるリード
細線の接続方法を示す工程図であり、第５図（Ａ）はキ
ャピラリから送り出される細線の先端部にボールを形成
する状態、第５図（Ｂ）はキャピラリの先端で第一の電
極体にボールを押し付けファーストボンディング部を形
成する状態、第５図（Ｃ）はキャピラリを移動する状
態、第５図（Ｄ）は第二の電極体にセカンドボンディン
グ部を形成する状態、第５図（Ｅ）はキャピラリを第二
の電極体に対し押圧したまま細線を切断する状態を示
す。 1b……配線電極体（第二の電極体）、3b……配線電極体
（第三の電極体）、4c……支持電極体、19……パワート
ランジスタチップ（エミッタ電極は第一の電極体であ
る）、23……リード細線、40……支持細線、

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第一の電極体と第二の電極体とをリード細
    線により接続し、該リード細線より短くかつ該リード細
    線の垂下を制限する支持細線を前記リード細線の下方の
    第二の電極体に設け、前記支持細線は前記リード細線の
    同一の細線と同一のワイヤボンディングを使用してネイ
    ルヘッドボンディング法により形成され、前記第一の電
    極体と第二の電極体との間に第三の電極体が配置され、
    前記リード細線は前記第一の電極体に接続されたネイル
    ヘッドボンディング法のファーストボンディング部と前
    記第二の電極体に接続されたネイルヘッドボンディング
    法のセカンドボンディング部とを有する絶縁物封止型半
    導体装置において、 少なくとも一対の前記支持細線は互いに交差して配置さ
    れ、前記リード細線は前記一対の支持細線の山間で支持
    されることを特徴とする絶縁物封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】前記第一の電極体と第二の電極体は、リー
    ドフレームの表面、該リードフレームに固着された回路
    基板上に形成された電極又は前記リードフレーム若しく
    は前記回路基板上に固着された半導体チップ等の電子素
    子の電極である特許請求の範囲第（１）項記載の絶縁物
    封止型半導体装置。
JP62047676A 1987-03-04 1987-03-04 絶縁物封止型半導体装置 Expired - Fee Related JPH0736436B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62047676A JPH0736436B2 (ja) 1987-03-04 1987-03-04 絶縁物封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62047676A JPH0736436B2 (ja) 1987-03-04 1987-03-04 絶縁物封止型半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63215058A JPS63215058A (ja) 1988-09-07
JPH0736436B2 true JPH0736436B2 (ja) 1995-04-19

Family

ID=12781877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62047676A Expired - Fee Related JPH0736436B2 (ja) 1987-03-04 1987-03-04 絶縁物封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0736436B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335680A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Fujitsu Ltd 回路基板及びその製造方法、並びに半導体装置のワイヤボンディング方法及び半導体装置の封止方法
JP2012015202A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 On Semiconductor Trading Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2012015203A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 On Semiconductor Trading Ltd 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63215058A (ja) 1988-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5793108A (en) Semiconductor integrated circuit having a plurality of semiconductor chips
US5715147A (en) Semiconductor device having an interconnecting circuit board
JPH06302653A (ja) 半導体装置
US5569956A (en) Interposer connecting leadframe and integrated circuit
US6670706B2 (en) Semiconductor device including a semiconductor pellet having bump electrodes connected to pad electrodes of an interconnect board and method for manufacturing same
US6380634B1 (en) Conductor wires and semiconductor device using them
JPH0455341B2 (ja)
JPH0736436B2 (ja) 絶縁物封止型半導体装置
JPH10335368A (ja) ワイヤボンディング構造及び半導体装置
JP4642047B2 (ja) 半導体装置
JPH0754841B2 (ja) 絶縁物封止型回路装置
JP2803656B2 (ja) 半導体装置
JP4007917B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0546271Y2 (ja)
JPH0525236Y2 (ja)
JP2823000B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3997665B2 (ja) 半導体素子と回路基板との接続方法
JP2601228B2 (ja) 樹脂封止型回路装置の製造方法
JP3234614B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS63152161A (ja) 半導体装置
JPS62196839A (ja) ハイブリツド型半導体装置
JPH0225043A (ja) リード細線の垂下防止構造を有する電子部品
KR940008340B1 (ko) 반도체 장치용 리이드 프레임
JPH0525237Y2 (ja)
JP2536439B2 (ja) 半導体装置用リ―ドフレ―ム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees