JPH0225043A - リード細線の垂下防止構造を有する電子部品 - Google Patents

リード細線の垂下防止構造を有する電子部品

Info

Publication number
JPH0225043A
JPH0225043A JP63173752A JP17375288A JPH0225043A JP H0225043 A JPH0225043 A JP H0225043A JP 63173752 A JP63173752 A JP 63173752A JP 17375288 A JP17375288 A JP 17375288A JP H0225043 A JPH0225043 A JP H0225043A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
thin
lead wire
electrode body
wires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63173752A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0561778B2 (ja
Inventor
Kazumi Takahata
高畠　和美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP63173752A priority Critical patent/JPH0225043A/ja
Publication of JPH0225043A publication Critical patent/JPH0225043A/ja
Publication of JPH0561778B2 publication Critical patent/JPH0561778B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/4917—Crossed wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １皇よ立札皿立夏 本発明は、２つの電極体を接続するリード細線の垂下防
止構造を有する電子部品に関連する。
従】４０【４ 半導体装置では、半導体チップと外部リード等の電極と
の間をリード細線によって電気的に接続することが多い
。リード細線の接続は周知のワイヤボンディング法によ
って行うのが一般的である。
このワイヤボンディング法によるリード細線の接続方法
の一例を第３図について説明する。
まず、第３図（Ａ）に示すように、ワイヤボンダのパイ
プ状のキャピラリ５０の中心孔５１からリード細線５２
を送り出し、電気スパーク又は水素炎等でリード＠＠５
２の先端部にボール５３を形成する。リードＪＩＩＩＩ
ｉＡ５２トシテハ金ｍｌ１Ａ、銅細線等が使用される６
ボール５３の直径は、リード細線５２の直径の２〜３倍
程度である。
次に、第３図（Ｂ）に示すように、支持板５４に固着さ
れた半導体チップ５５の上面に形成された電極体５６に
ボール５３をキャピラリ５０の先端で押し付ける。この
際、電極体５６は２００〜２５０℃に予め加熱されてい
る６また、キャピラリ５ｏには、リード細線５２の接続
方向と直角な矢印５７で示す方向への超音波振動が加え
られている。これにより、電極体５６と細線５２とが接
続され、リード細線５２のボール５３が押し潰されて釘
頭形状となったファーストボンディング部５２ａが形成
される。
続いて、第３図（Ｃ）に示すように、キャピラリ５０を
上昇して大きく引き回すようにして、細線５２を繰り出
しながら外部リードである電極体５８に向かってキャピ
ラリ５０を移動する。
その後、第３図（Ｄ）に示すように、電極体５８にリー
ドｍｔｉＡ５２を接続する。即ち、電極体５８は前述と
同様に２００〜２５０℃に予め加熱され、キャピラリ５
０には前述と同様の超音波振動が加えられている。この
状態で、電極体５８に対し径方向にリード細線５２を押
圧することにより、リード細線５２と電極体５８とが接
続され、リード細線５２が径方向に押圧されて扁平化し
たセカンドボンディング部５２ｂが形成される。なお、
第３図（Ｂ）（Ｄ）の工程を電極体の加熱のみによる熱
圧着法又は超音波振動による加熱のみの超音波法等で行
ってもよい。
最終的には、第３図（Ｅ）のように、キャピラリ５０を
電極体５８からリード細線５２を繰り出しながら若干上
昇した後、リードＨｉＩ！５２を繰り出さないようにし
てキャピラリ５ｏをさらに上昇することでリード細８５
２を切断する。狭義には、電極体５６への接続（ファー
ストボンディング）をネイルヘッドボンディング、電極
体５８への接続（セカンドボンディング）をスティッチ
ボンディングと呼称することもあるが、ここでは上述の
一連のワイヤボンディング工程を総称してネイルヘッド
ボンディング法とする。ネイルヘッドボンディング法に
おいては、第３図（Ｄ）に示すように、ファーストボン
ディング側では、電極体５６に対するリード細、＠５２
の角度αはほぼ直角となり。
リード細線５２の接続部分からとの高さは比較的高くな
る。一方、セカンドボンディング側では、リード細、＄
！５２の電極体５８に対する角度θは鋭角となり、リー
ド細線５２の接続部分からの高さは比較的低くなる。
が　　しようとする　　占 リード細線５２に使用される金属細線は２０〜２００μ
ｍφ程度の細い直径のため剛性が小さい。
このため、トランスファモールド時の樹脂の注入圧力や
自重によってリード細線が垂下するいわゆるループ垂れ
が生じ昌い、特に、ネイルヘッドボンディングに使用さ
れる金細線の直径は２０〜４０μｍφであるため、ルー
プ垂れが発生し易く。
これに起因する電気的短絡事故が生じ易い。特に接続高
さが低くなるセカンドボンディング側で生じ易い。一般
に、直径が２５〜３０μｍφの金細線では自重による垂
下を防止するため電極間を接続するリード接続距離を３
ｍｍ以下とするのが望ましいとされている。実際には、
トランスファモールド時の樹脂注入圧力を考慮すると接
続距離はさらに短くなる。そこで、従来ではリード細線
５２の接続方法を工夫して、リード細線５２を少しでも
高く張り渡す試みがされていた。しかし、十分な解決に
は到らなかった。
本発明は、上記欠点を解消し、リードａ＋線の垂下防止
構造を有する電子部品を提供することを目的とする。
ユ１」」１礼１ゑ犬！薇υ［医 本発明によるリード細線の垂下防止構造を有する電子部
品では、互いに離間して形成されている第一の電極体と
第二の電極体との間が第一のリード細線によって電気的
に接続されている。また。
互いに層間して形成されている第一の電極体と第三の電
極体の間、第二の電極体と第三の電極体の間又は第三の
電極体と第四の電極体との間が第二のリード細線によっ
て電気的に接続されている。
第一のリード細線よりも線長の短い第二のリード細線の
上方を跨がるように第一のリードＭｉ線が配線されてお
り、複数の電極体が互いに電位の略等しい電極体として
使用されている。
庄−里 第一のリード細線の下方に設けられ、第一のリード細線
よりも線長が短い第二のリード細線は。
第一の電極体と第三の電極体の間、第二の電極体と第三
の電極体の間又は第三の電極体と第四の電構体との間を
電気的に接続する配線リードとして作用すると共に、第
一のリード細線が垂下したときそれを支持する作用を有
する。したがって、第一のリード細線の大幅な垂下を防
止することができる。
ヌーＪＬ−鮮 以下、本発明の実施例を第１図及び第２図について説明
する。
第１図は、本発明のリード細線の垂下防止構造を有する
電子部品の一実施例を示すモノリシックＩＣの斜視図で
ある。このモノリシックＩＣは、支持板１に隣接して外
部リード２〜６を有する。
外部リード２は支持板１に一体に形成された連結外部リ
ードであるが、他の外部リード３〜６は支持板１に連結
されない非連結外部リードである。
図示の例では、１個のモノリシックＩＣチップ７と、２
個の中継部材８及び９が支持板１の上面に半田又は接着
剤（図示せず）で固着されている。
中継材料８及び９は、セラミック基板の上面に銀−パラ
ジウムから成る電極体を形成した細片であり、その上面
と下面は電気的に絶縁されている。
モノリシックＩＣチップ７の上面には図示しない複数の
電極が形成され、これらの電極には複数本のリード細線
１０ａ〜１０ｈのファーストボンディング部が形成され
る。全てのリード細線１０は３０μｍφの直径を有する
金細線であり、上述のネイルヘッドボンディング法によ
りワイヤボンディングされている。
リード細線１０ａ〜１０ｃはファーストボンディング部
がモノリシックＩＣチップ７の電極に形成され、セカン
ドボンディング部が支持板１に形成されている。リード
細線１０ａは第一の電極体としてのモノリシックＩＣチ
ップ７の電極に接着されたファーストボンディング部と
、第二の電極体としての支持板２に接着されたセカンド
ボンディング部を有する。また、リード細線１０ｂは第
三の電極体としてのモノリシックＩＣチップ７の電極に
接着されたファーストボンディング部と、第二の電極体
としての支持板２に接着されたセカンドボンディング部
を有する。更に、リード細線１Ｏｃは第四の電極体とし
てのモノリシックＩＣチップ７の電極に接着されたファ
ーストボンディング部と、第二の電極体としての支持板
２に接着されたセカンドボンディング部を有する。ここ
で、第四の電極体は単に電極体の順番として番号を付し
たので、リード細１！１０ｂを省略した状態でリード細
線１０ａから見たとき、又はリード細線１０ａを省略し
た状態でリード細線１０ｂから見たとき、リード細ｍ１
ｏｃは第二のリード細線となり、第四の電極体は第三の
電極体となる。
本実施例ではリード細線１０ｂ及び１０ｃがリード細線
１０ａの下方においてリード細１％１０ａと交差するよ
うに接続されている。つまり、リード細線１０ｂ及び１
０ｃがモノリシックＩＣチップ８上の電極と支持板１と
を電気的に接続する配線リードであるとともにリード細
線１０ａの大幅な垂下を防止する支持用のリード細線と
なっている。リード細線１０ｂ及び１０ｃは略同じ長さ
であるが、リード細！１０ａより短く、リード細線１０
ｂとリード細線１０ｃはそれぞれのファーストボンディ
ング側で交差している。また、リード細線１０ａは、リ
ード細線１０ｂと１０ｃとの交差部分の上方を跨ってい
る。したがって、リード細１１１１０　ａが何らか理由
で垂下したとしてもリード細線１０ｂ。
１０ｃによって支持されるため大幅に垂下することはな
い。このため、リード細線１０ａのモノリシックＩＣチ
ップ７上のリード細線１０ａ、１０ｂ、１０ｃの接続さ
九ない他の電極等への接触を防止することができる。な
お、リード細線１０ａ、１０ｂ、１０ｃのファーストボ
ンディング部が形成されたモノリシックＩＣチップ上の
電極はそれぞれ離間して形成された電極であるが、電位
は等しくなっている。
また、リード細線１０ｄと１０ｅはモノリシックＩＣチ
ップ７の電極に形成されたファーストボンディング部と
外部リード５の幅広部５ａに形成されたセカンドボンデ
ィング部とを有する。この場合、リード細１１０ｄは第
一の電極体としてのモノリシックＩＣチップ７の電極に
形成されたファーストボンディング部と、第二の電極体
としての外部リード５の幅広部５ａに形成されたセカン
ドボンディング部を有する。また、リード細線１０ｅは
第三の電極体としてのモノリシックＩＣチップ７の電極
に形成されたファーストボンディング部と、第二の電極
体としての外部リード５の幅広部５ａに形成されたセカ
ンドボンディング部を有する。
リード細ｇｌｏｄはリード細線１０ｅより長くかつリー
ド細線１０ｅのファーストボンディング側で交差してい
る。リード細１ＩＸ１０ｅはモノリシックＩＣチップ７
上の電極と外部リード５とを電気的に接続する配線リー
ドであるとともにリード細線１０ｄの大幅な垂下を防止
する支持用のリード細線である。従って、モノリシック
ＩＣチップ７上のリード細線１０ｄ、１０ｅが接続され
ない他の電極及び支持板１等にリード細線１０ｄが接触
することを防止することができる。
中継部材８及び９にはモノリシックＩＣチップ７の電極
にファーストボンディング部が形成されたリード細線１
０ｆ及び１０ｈのセカンドボンディング部が形成される
。又、中継部材８及び９にファーストボンディング部が
形成されたリード細線１０ｉ及び１０ｊのセカンドボン
ディング部は外部リード３及び６の幅広部３ａ及び６ａ
に形成される。
なお、リード細線Ｌｏｇのファーストボンディング部は
モノリシックＩＣチップ７の電極に形成され、セカンド
ボンディング部は外部リード４の幅広部４ａに形成され
ている。
本発明の上記実施例は１種々の変更が可能である８例え
ば第１図においてはリード細ａｌｏｄと１０ｅの各セカ
ンドボンディング部を同一の第二の電極体に形成した例
を示したが、第２図に示すように、リード細線１０ｄと
１０ｅの各セカンドボンディング部をそれぞれ異なる第
二の電極体と第四の電極体に形成してもよい。また、本
実施例は垂下の生じ易い金細線をネイルヘッドボンディ
ングした場合に特に有効であるが、リード細線として金
細線以外に網Ｍ線又はアルミニウム細線等。
他の金属細線を使用した場合でも有効である。また、接
続方法は熱圧着法と超音波法とを併用するネイルヘッド
ボンディング法に限定されない。例えばウェッジボンデ
ィング法等の他のワイヤボンディング方法で接続した場
合でも有効である。
ネイルヘッドボンディング法の場合、第一のり・−ド細
線を高い位置で保持できるから、第二のり−ドｊｌＢｍ
である下側のリード細線のファーストボンディング側で
第一と第二のリード細線をクロスさせるのが望ましい。
しかし、セカンドボンディング側でクロスさせてもそれ
なりの効果は得られる。更に、第一のリード細線は樹脂
封止体形成時の封止樹脂の注入圧力によって浮き上がる
ことがあるため、完成後、第一のリード細線が第二のリ
ード細線に必ずしも当接しているとは限らない。
また、本実施例では、支持リードを兼ねるリードｍ＃Ｉ
を含めて全てのリード細線が同一のｌ１ＪＩＩｃであり
、かつ同一のワイヤボンダを用いて一連のワイヤボンデ
ィング工程の中で形成することができる。
また、電気的な配線に寄与するリード細線を支持用のリ
ード細線として使用している。従って、生産効率を実質
的に低下させることなく、かつ極めて経済的に目的（短
絡防止）を達成することかできる。
３」ルＪと宏二長 本発明では、リード細線の下方に支持細線が形成されて
いるので、非接続状態にあるべき電極体とリード細線と
の接触を阻止し、短絡事故を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例としてのモノリシックＩＣを示
す斜視図、第２図は本発明の他の実施例を示す部分的平
面図、第３図はネイルヘッドボンディング法によるリー
ド細線の接続方法を示す工程図であり、第３図（Ａ）は
キャピラリから送り出される細線の先端部にボールを形
成する状態、第３図（Ｂ）はキャピラリの先端で第一の
電極体にボールを押し付はファーストボンディング部を
形成する状態、第３図（Ｃ）はキャピラリを移動する状
態、第３図ＣＤ）は第二の電極体にセカンドボンディン
グ部を形成する状態、第３図（Ｅ）は細線を切断する状
態を示す。 １３．支持板（第二の電極体）、　５０．外部リード（
第二の電極体）、　　７０．モノリシックＩＣチップ（
第一のリード′Ｍｉ線１０ａ、１０ｄが接続された電極
は第一の電極体、第二のリード細線１０ｂ−１０ｃ、１
０ｅが接続された電極は第三の電極体）、　　１．Ｏａ
、１０ｄ、、第一のリードＭＩＲＩＡ、１０ｂ、ｌＯｃ
、１０ｅ、、第二のリード細線（Ｃ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 互いに離間して形成されている第一の電極体と第二の電
    極体との間が第一のリード細線によって電気的に接続さ
    れ、互いに離間して形成されている前記第一の電極体と
    第三の電極体の間、前記第二の電極体と前記第三の電極
    体の間又は前記第三の電極体と第四の電極体との間が第
    二のリード細線によって電気的に接続され、前記第一の
    リード細線よりも線長の短い第二のリード細線の上方を
    跨がるように前記第一のリード細線が配線されており、
    複数の前記電極体が互いに電位の略等しい電極体として
    使用されていることを特徴とするリード細線の垂下防止
    構造を有する電子部品。
JP63173752A 1988-07-14 1988-07-14 リード細線の垂下防止構造を有する電子部品 Granted JPH0225043A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63173752A JPH0225043A (ja) 1988-07-14 1988-07-14 リード細線の垂下防止構造を有する電子部品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63173752A JPH0225043A (ja) 1988-07-14 1988-07-14 リード細線の垂下防止構造を有する電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0225043A true JPH0225043A (ja) 1990-01-26
JPH0561778B2 JPH0561778B2 (ja) 1993-09-07

Family

ID=15966477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63173752A Granted JPH0225043A (ja) 1988-07-14 1988-07-14 リード細線の垂下防止構造を有する電子部品

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0225043A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0415106A2 (en) * 1989-07-31 1991-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Lead frames for semiconductor device
US5239965A (en) * 1991-05-30 1993-08-31 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Fuel injection control apparatus for internal combustion engine

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0415106A2 (en) * 1989-07-31 1991-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Lead frames for semiconductor device
US5239965A (en) * 1991-05-30 1993-08-31 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Fuel injection control apparatus for internal combustion engine

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0561778B2 (ja) 1993-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7176570B2 (en) Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
US7314818B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
US6921016B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
JPH0455341B2 (ja)
JPH0225043A (ja) リード細線の垂下防止構造を有する電子部品
US7981729B2 (en) Fabrication method of multi-chip stack structure
JP2823000B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH1056030A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0256942A (ja) 半導体装置
JPH0546271Y2 (ja)
JP2601228B2 (ja) 樹脂封止型回路装置の製造方法
JPH0736436B2 (ja) 絶縁物封止型半導体装置
JPH0525236Y2 (ja)
JP2003086621A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS62196839A (ja) ハイブリツド型半導体装置
JPH04255237A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01251627A (ja) リード細線を有する電気装置の製造方法
JPH0525237Y2 (ja)
JPS6332269B2 (ja)
JPS6379331A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP4550580B2 (ja) モノリシック集積回路用の支持装置
JPH02211643A (ja) 半導体装置
JPH0697350A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH0510362Y2 (ja)
JPH03169032A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees