JPH0697350A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPH0697350A JPH0697350A JP4243745A JP24374592A JPH0697350A JP H0697350 A JPH0697350 A JP H0697350A JP 4243745 A JP4243745 A JP 4243745A JP 24374592 A JP24374592 A JP 24374592A JP H0697350 A JPH0697350 A JP H0697350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- inner lead
- capillary
- lead frame
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/788—Means for moving parts
- H01L2224/78821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/78822—Rotational mechanism
- H01L2224/78823—Pivoting mechanism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 より良好なワイヤボンディングを行えるリ−
ドフレ−ムを提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子10がダイボンディングされるダ
イパッド部2と、一端をこのダイパッド部2に対向させ
て設けられ上記半導体素子10の電極パッド10aとワ
イヤ6を介して接続されるインナ−リ−ド部3と、この
インナ−リ−ド部3の他端に連続して設けられたアウタ
リ−ド部4とを具備するリ−ドフレ−ム1´であって、
上記インナ−リ−ド部3の一端部3aの上面は、上記ダ
イパッド側2からアウタリ−ド部4側に向かって次第に
低くなる傾斜面となっているものである。
ドフレ−ムを提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子10がダイボンディングされるダ
イパッド部2と、一端をこのダイパッド部2に対向させ
て設けられ上記半導体素子10の電極パッド10aとワ
イヤ6を介して接続されるインナ−リ−ド部3と、この
インナ−リ−ド部3の他端に連続して設けられたアウタ
リ−ド部4とを具備するリ−ドフレ−ム1´であって、
上記インナ−リ−ド部3の一端部3aの上面は、上記ダ
イパッド側2からアウタリ−ド部4側に向かって次第に
低くなる傾斜面となっているものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ワイヤボンディング
に用いるリ−ドフレ−ムに関するものである。
に用いるリ−ドフレ−ムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の組み立て工程において、半
導体素子とリ−ドフレ−ムとをワイヤを用いて電気的に
接続するワイヤボンディング工程がある。
導体素子とリ−ドフレ−ムとをワイヤを用いて電気的に
接続するワイヤボンディング工程がある。
【0003】上記リ−ドフレ−ムは、一般に図4に1で
示すようなもので、半導体素子が搭載(ダイボンディン
グ)されるダイパッド2と、上記半導体素子の電極と接
続されるインナ−リ−ド部3と、基板やICソケットな
どに接続されるアウタリ−ド部4とからなる。ワイヤボ
ンディングは、このうち、上記半導体素子の電極とイン
ナ−リ−ド部3とを接続するのに用いられる。
示すようなもので、半導体素子が搭載(ダイボンディン
グ)されるダイパッド2と、上記半導体素子の電極と接
続されるインナ−リ−ド部3と、基板やICソケットな
どに接続されるアウタリ−ド部4とからなる。ワイヤボ
ンディングは、このうち、上記半導体素子の電極とイン
ナ−リ−ド部3とを接続するのに用いられる。
【0004】上記ワイヤボンディングを施すワイヤボン
ディング装置は、図5(a)に5で示すキャピラリを有
し、このキャピラリ5内にはこのキャピラリ5を上下方
向に貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔にはワイヤ
6が挿通されている。
ディング装置は、図5(a)に5で示すキャピラリを有
し、このキャピラリ5内にはこのキャピラリ5を上下方
向に貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔にはワイヤ
6が挿通されている。
【0005】また、上記キャピラリ5の上部には、この
キャピラリ5と共に上下動し、かつ、上記ワイヤ6をク
ランプまたはアンクランプすることができるクランプ機
構7が設けられている。
キャピラリ5と共に上下動し、かつ、上記ワイヤ6をク
ランプまたはアンクランプすることができるクランプ機
構7が設けられている。
【0006】次に、一般的なワイヤボンディング工程に
ついて図5(a)〜(d)を参照して説明する。
ついて図5(a)〜(d)を参照して説明する。
【0007】まず、図5(a)に示すように、半導体素
子10が上記リ−ドフレ−ム1のダイパッド2上に電極
パッド10aを上方に向けた状態(フェイスアップ状
態)でダイボンディングされる。ついで、上記キャピラ
リ5は、上記半導体素子10の電極パッド10aの上方
に移動し、対向位置決めされる。
子10が上記リ−ドフレ−ム1のダイパッド2上に電極
パッド10aを上方に向けた状態(フェイスアップ状
態)でダイボンディングされる。ついで、上記キャピラ
リ5は、上記半導体素子10の電極パッド10aの上方
に移動し、対向位置決めされる。
【0008】次に、上記ワイヤ6の先端部には電気ト−
チ11によってボ−ル6aが形成される。ボ−ル6aが
形成されたならば、上記キャピラリ5は下降駆動され、
上記ボ−ル6aを上記電極パッド10aに押し付け、こ
れらを接合する。これをボ−ルボンディングという。
チ11によってボ−ル6aが形成される。ボ−ル6aが
形成されたならば、上記キャピラリ5は下降駆動され、
上記ボ−ル6aを上記電極パッド10aに押し付け、こ
れらを接合する。これをボ−ルボンディングという。
【0009】ボ−ルボンディングが施されたならば、図
5(b)に示すように、上記キャピラリ5は、ワイヤ6
を繰り出しながら上昇駆動されかつ上記インナ−リ−ド
部3の上方に移動する。ついで、図5(c)に示すよう
に、上記キャピラリ5は下降駆動され、上記ワイヤ6を
インナ−リ−ド部3に超音波振動と加圧加熱により接合
する。これをスティッチボンディングという。
5(b)に示すように、上記キャピラリ5は、ワイヤ6
を繰り出しながら上昇駆動されかつ上記インナ−リ−ド
部3の上方に移動する。ついで、図5(c)に示すよう
に、上記キャピラリ5は下降駆動され、上記ワイヤ6を
インナ−リ−ド部3に超音波振動と加圧加熱により接合
する。これをスティッチボンディングという。
【0010】スティッチボンディングが成されたなら
ば、上記キャピラリ5はインナ−リ−ド部3に沿って僅
かに上方向に移動する。ついで、図5(d)に示すよう
に、上記ワイヤ6は上記クランプ機構7によってクラン
プされ、上記キャピラリ5と共に上昇駆動される。この
ことで、上記ワイヤ6はスティッチボンディングの直上
で切断される。このことによって、上記キャピラリ5の
先端には次にボ−ルを形成するための所定量のワイヤ6
が残される。
ば、上記キャピラリ5はインナ−リ−ド部3に沿って僅
かに上方向に移動する。ついで、図5(d)に示すよう
に、上記ワイヤ6は上記クランプ機構7によってクラン
プされ、上記キャピラリ5と共に上昇駆動される。この
ことで、上記ワイヤ6はスティッチボンディングの直上
で切断される。このことによって、上記キャピラリ5の
先端には次にボ−ルを形成するための所定量のワイヤ6
が残される。
【0011】上記ワイヤボンディング装置は、このよう
な動作を上記半導体素子10のすべての電極パッド10
a…およびこれに対応するインナ−リ−ド部3…につい
て行い、上記半導体素子10とリ−ドフレ−ム1とを電
気的に接続する。
な動作を上記半導体素子10のすべての電極パッド10
a…およびこれに対応するインナ−リ−ド部3…につい
て行い、上記半導体素子10とリ−ドフレ−ム1とを電
気的に接続する。
【0012】ところで、上記リ−ドフレ−ム1のインナ
−リ−ド部3とワイヤ6の良好な接合を得るためには、
上記インナ−リ−ド部3の形状が重要である。すなわ
ち、上記リ−ドフレ−ム1の製造は、プレス加工で行わ
れることが多い。プレス加工の場合、打ち抜き時に、イ
ンナ−リ−ド部3が変形したり、反り返ったりすること
がある。
−リ−ド部3とワイヤ6の良好な接合を得るためには、
上記インナ−リ−ド部3の形状が重要である。すなわ
ち、上記リ−ドフレ−ム1の製造は、プレス加工で行わ
れることが多い。プレス加工の場合、打ち抜き時に、イ
ンナ−リ−ド部3が変形したり、反り返ったりすること
がある。
【0013】このままでは良好なスティッチボンディン
グを行うことができないので、一般に、プレス加工によ
る打ち抜き後に「コイニング」と呼ばれるインナ−リ−
ド部3の上面を平坦化する作業を行っている。
グを行うことができないので、一般に、プレス加工によ
る打ち抜き後に「コイニング」と呼ばれるインナ−リ−
ド部3の上面を平坦化する作業を行っている。
【0014】このコイニングの作業は、図6(a)に示
すようなポンチ13を用い、このポンチを図6(b)に
示すように上記インナ−リ−ド部3の先端部3aに押し
付けることで、このインナ−リ−ド部3の先端部3aの
上面を略水平にするのである。
すようなポンチ13を用い、このポンチを図6(b)に
示すように上記インナ−リ−ド部3の先端部3aに押し
付けることで、このインナ−リ−ド部3の先端部3aの
上面を略水平にするのである。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】一方、上記インナ−リ
−ド部3とワイヤ6の接続の良否を決定する要因は、上
記リ−ド部3の先端部3aの平坦度だけではなく、キャ
ピラリ5の傾き角度も大きく影響する。例えば、現状で
は、キャピラリ製造上、また取り付け上、キャピラリの
軸線が垂直軸に対して0.5°〜0.7°程度傾斜する
ことがある。
−ド部3とワイヤ6の接続の良否を決定する要因は、上
記リ−ド部3の先端部3aの平坦度だけではなく、キャ
ピラリ5の傾き角度も大きく影響する。例えば、現状で
は、キャピラリ製造上、また取り付け上、キャピラリの
軸線が垂直軸に対して0.5°〜0.7°程度傾斜する
ことがある。
【0016】このようなキャピラリを用いてワイヤボン
ディングを行う場合には、場所によっては、図に示すよ
うにキャピラリの先端部が片当たりし(図に示すA
点)、ワイヤ6を有効に押圧することができないという
ことがある。
ディングを行う場合には、場所によっては、図に示すよ
うにキャピラリの先端部が片当たりし(図に示すA
点)、ワイヤ6を有効に押圧することができないという
ことがある。
【0017】このような場合には、上記リ−ド3の上面
が平坦であったとしても良好な接合状態を得ることがで
きないということがある。
が平坦であったとしても良好な接合状態を得ることがで
きないということがある。
【0018】この発明は、このような事情に鑑みて成さ
れたもので、良好なワイヤボンディングを行うことがで
きるリ−ドフレ−ムを提供することを目的とするもので
ある。
れたもので、良好なワイヤボンディングを行うことがで
きるリ−ドフレ−ムを提供することを目的とするもので
ある。
【0019】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体素子
がダイボンディングされるダイパッド部と、一端をこの
ダイパッド部に対向させて設けられ上記半導体素子の電
極パッドとワイヤを介して接続されるインナ−リ−ド部
とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記インナ−リ
−ド部のワイヤが接続される面は、半導体素子側から次
第に低くなっていくように形成された傾斜面となってい
ることを特徴とするものである。
がダイボンディングされるダイパッド部と、一端をこの
ダイパッド部に対向させて設けられ上記半導体素子の電
極パッドとワイヤを介して接続されるインナ−リ−ド部
とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記インナ−リ
−ド部のワイヤが接続される面は、半導体素子側から次
第に低くなっていくように形成された傾斜面となってい
ることを特徴とするものである。
【0020】
【作用】このような構成によれば、インナ−リ−ドの先
端部の傾斜面にスティッチボンディングを施すことで、
ワイヤとインナ−リ−ドの確実な接続を行うことができ
る。
端部の傾斜面にスティッチボンディングを施すことで、
ワイヤとインナ−リ−ドの確実な接続を行うことができ
る。
【0021】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図1〜図4を参
照して説明する。なお、従来例で説明した構成要素と同
一の構成要素には同一符号を付してその説明は省略す
る。
照して説明する。なお、従来例で説明した構成要素と同
一の構成要素には同一符号を付してその説明は省略す
る。
【0022】この発明のリ−ドフレ−ムは、特に上記イ
ンナ−リ−ドの先端部の上面の形状の改良に関するもの
である。
ンナ−リ−ドの先端部の上面の形状の改良に関するもの
である。
【0023】図1中1´はこの発明のリ−ドフレ−ムで
ある。このリ−ドフレ−ム1´は従来例と同様に、パン
チ加工によって成形されたもので図4を引用して示すよ
うに、ダイパッド部2、インナ−リ−ド部3、アウタリ
−ド部4とを具備する。
ある。このリ−ドフレ−ム1´は従来例と同様に、パン
チ加工によって成形されたもので図4を引用して示すよ
うに、ダイパッド部2、インナ−リ−ド部3、アウタリ
−ド部4とを具備する。
【0024】このリ−ドフレ−ム1´のインナ−リ−ド
部3の先端部3a´には、コイニングが施される。コイ
ニングは図3(a)に15で示すようなポンチを用いて
行う。このポンチ15の下端面15aは、このインナ−
リ−ド部3の他端部方向に向かって高さが次第に低くな
るように約1°〜1.5°の角度で傾斜するよう形成さ
れている。
部3の先端部3a´には、コイニングが施される。コイ
ニングは図3(a)に15で示すようなポンチを用いて
行う。このポンチ15の下端面15aは、このインナ−
リ−ド部3の他端部方向に向かって高さが次第に低くな
るように約1°〜1.5°の角度で傾斜するよう形成さ
れている。
【0025】このような金型15でコイニングされたイ
ンナ−リ−ド部3の先端部3a´は、図3(b)に示す
ように水平面に対して1°〜1.5°傾斜したものとな
る。
ンナ−リ−ド部3の先端部3a´は、図3(b)に示す
ように水平面に対して1°〜1.5°傾斜したものとな
る。
【0026】次に、このインナ−リ−ド部3の先端部3
a´にワイヤ6を接合するスティッチボンディングの動
作について説明する。なお、ボ−ルボンディングおよび
ワイヤの切断の動作については、従来例(図5参照)と
同様なのでその説明は省略する。
a´にワイヤ6を接合するスティッチボンディングの動
作について説明する。なお、ボ−ルボンディングおよび
ワイヤの切断の動作については、従来例(図5参照)と
同様なのでその説明は省略する。
【0027】キャピラリ5の軸線が垂直軸から約0.5
度傾いていると仮定し、この場合のスティッチボンディ
ングについて説明する。図1は、上記キャピラリ5が半
導体素子10から離れる方向に傾いている場合である。
この場合、上記キャピラリ5の先端面の点Aに対して点
Bの方が高い位置にある。そして、このキャピラリ5
は、点Bで上記ワイヤ6を上記インナ−リ−ド部3の先
端部3aに押し付けることになる。
度傾いていると仮定し、この場合のスティッチボンディ
ングについて説明する。図1は、上記キャピラリ5が半
導体素子10から離れる方向に傾いている場合である。
この場合、上記キャピラリ5の先端面の点Aに対して点
Bの方が高い位置にある。そして、このキャピラリ5
は、点Bで上記ワイヤ6を上記インナ−リ−ド部3の先
端部3aに押し付けることになる。
【0028】しかし、上記キャピラリ5の傾き角度より
も上記先端部3a´の傾き角度の方が大きいので点Bの
方が点Aよりも上記先端部3aの上面に近い。このこと
により、上記ワイヤ6を上記インナ−リ−ド部3の先端
部3aに有効に押圧することができる。
も上記先端部3a´の傾き角度の方が大きいので点Bの
方が点Aよりも上記先端部3aの上面に近い。このこと
により、上記ワイヤ6を上記インナ−リ−ド部3の先端
部3aに有効に押圧することができる。
【0029】このようにして、図4に示す各インナ−リ
−ド部3について順次スティッチボンディングを行って
いくわけであるが、次に、図1に示すインナ−リ−ド部
3と上記半導体素子10(ダイパッド2)を挟んで対向
する位置にあるインナ−リ−ド部3にスティッチボンデ
ィングを行う場合について図2を参照して説明する。
−ド部3について順次スティッチボンディングを行って
いくわけであるが、次に、図1に示すインナ−リ−ド部
3と上記半導体素子10(ダイパッド2)を挟んで対向
する位置にあるインナ−リ−ド部3にスティッチボンデ
ィングを行う場合について図2を参照して説明する。
【0030】この場合には、上記キャピラリ5は、上記
半導体素子10に近づく方向に傾いている。この位置に
おいても、上記ワイヤ6を押圧する点Aの方が点Bに比
べて上記インナ−リ−ド部3の先端部3a´の上面に近
い。このことにより、上記ワイヤ6は上記キャピラリ5
によって上記インナ−リ−ド部3の先端部3a´の上面
に有効に押圧される。このことで、上記ワイヤ6はステ
ィッチボンディングされる。
半導体素子10に近づく方向に傾いている。この位置に
おいても、上記ワイヤ6を押圧する点Aの方が点Bに比
べて上記インナ−リ−ド部3の先端部3a´の上面に近
い。このことにより、上記ワイヤ6は上記キャピラリ5
によって上記インナ−リ−ド部3の先端部3a´の上面
に有効に押圧される。このことで、上記ワイヤ6はステ
ィッチボンディングされる。
【0031】このようにして、上記ワイヤ6は、図4に
示すすべてのインナ−リ−ド部3について有効にスティ
ッチボンディングされる。このことは、2方向にのみア
ウタリ−ド4が突出するリ−ドフレ−ム1´に限らず、
4方向にアウタリ−ド4が突出するリ−ドフレ−ムにつ
いても同様である。
示すすべてのインナ−リ−ド部3について有効にスティ
ッチボンディングされる。このことは、2方向にのみア
ウタリ−ド4が突出するリ−ドフレ−ム1´に限らず、
4方向にアウタリ−ド4が突出するリ−ドフレ−ムにつ
いても同様である。
【0032】また、上記キャピラリ5を上記リ−ドフレ
−ム1´に対してXY方向に駆動してワイヤボンディン
グを行う場合には、上記キャピラリ5は、半導体素子1
0のまわりを一周することで、図1、図2に示すA点、
B点だけでなく下端面の略すべての部位で上記ワイヤ6
を押圧することになる。従来例では、常に同じ部位(A
点)が片当たりしていたので、磨耗が不均一になってい
たが、この発明のリ−ドフレ−ム1´によればキャピラ
リ5の下端面の磨耗も均一化する。
−ム1´に対してXY方向に駆動してワイヤボンディン
グを行う場合には、上記キャピラリ5は、半導体素子1
0のまわりを一周することで、図1、図2に示すA点、
B点だけでなく下端面の略すべての部位で上記ワイヤ6
を押圧することになる。従来例では、常に同じ部位(A
点)が片当たりしていたので、磨耗が不均一になってい
たが、この発明のリ−ドフレ−ム1´によればキャピラ
リ5の下端面の磨耗も均一化する。
【0033】さらに、このリ−ドフレ−ム1´によれ
ば、キャピラリ5は常に上記ワイヤに対応する部位を片
当たりさせる状態となるので、キャピラリ5の押圧力は
ワイヤ6の接合にのみ使用される。このことにより、従
来の通常のワイヤボンディングに比べて押圧力を小さく
することができる。さらに、上記キャピラリ5の先端が
インナ−リ−ド部3に当接することが少ないから、リ−
ドフレ−ム1´(インナ−リ−ド部3)の表面状態によ
らず常に一定のボンディング条件(特に加圧力)でワイ
ヤボンディングを管理することが可能になる効果もあ
る。
ば、キャピラリ5は常に上記ワイヤに対応する部位を片
当たりさせる状態となるので、キャピラリ5の押圧力は
ワイヤ6の接合にのみ使用される。このことにより、従
来の通常のワイヤボンディングに比べて押圧力を小さく
することができる。さらに、上記キャピラリ5の先端が
インナ−リ−ド部3に当接することが少ないから、リ−
ドフレ−ム1´(インナ−リ−ド部3)の表面状態によ
らず常に一定のボンディング条件(特に加圧力)でワイ
ヤボンディングを管理することが可能になる効果もあ
る。
【0034】また、ワイヤ6のみが上記インナ−リ−ド
部3の先端部3a´に接触するから、上記キャピラリ5
がインナ−リ−ド部3の他の部位を変形させることが少
なく、製品の歩留まりが向上する。
部3の先端部3a´に接触するから、上記キャピラリ5
がインナ−リ−ド部3の他の部位を変形させることが少
なく、製品の歩留まりが向上する。
【0035】これらのことにより、従来例と比べてより
良好なワイヤボンディングを行えるリ−ドフレ−ム1´
を得ることができる効果がある。
良好なワイヤボンディングを行えるリ−ドフレ−ム1´
を得ることができる効果がある。
【0036】なお、この発明は上記一実施例に限定され
るものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変
形可能である。
るものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変
形可能である。
【0037】例えば、上述したように、上記リ−ドフレ
−ム1´のアウタリ−ド4は、2方向にのみ突出するも
のに限定されるものではなく、3方向以上に突出するよ
うなものであっても良い。
−ム1´のアウタリ−ド4は、2方向にのみ突出するも
のに限定されるものではなく、3方向以上に突出するよ
うなものであっても良い。
【0038】また、上記一実施例では、上記リ−ドフレ
−ム1´をプレス加工で成形するようにしていたが、こ
れに限定されるものではなく、例えばエッチングで成形
するようにしても良い。
−ム1´をプレス加工で成形するようにしていたが、こ
れに限定されるものではなく、例えばエッチングで成形
するようにしても良い。
【0039】さらに、上記一実施例では、上記インナ−
リ−ド部3の先端部3aをポンチ15で成形するように
していたが、他の方法、例えばエッチングで成形するよ
うにしても良い。
リ−ド部3の先端部3aをポンチ15で成形するように
していたが、他の方法、例えばエッチングで成形するよ
うにしても良い。
【0040】また、上記一実施例では、上記キャピラリ
5の傾き角度よりもインナ−リ−ド部3の先端部3a´
の傾き角度が大きい場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、上記インナ−リ−ド部3の傾き
角度が上記キャピラリ5の傾き角度(0.5°〜0.7
°)よりも小さいか略同じ場合であっても、少なくとも
従来例に比べると良好なスティッチボンディングを行え
る効果がある。
5の傾き角度よりもインナ−リ−ド部3の先端部3a´
の傾き角度が大きい場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、上記インナ−リ−ド部3の傾き
角度が上記キャピラリ5の傾き角度(0.5°〜0.7
°)よりも小さいか略同じ場合であっても、少なくとも
従来例に比べると良好なスティッチボンディングを行え
る効果がある。
【0041】
【発明の効果】以上のべたように、この発明は、半導体
素子がダイボンディングされるダイパッド部と、一端を
このダイパッド部に対向させて設けられ上記半導体素子
の電極パッドとワイヤを介して接続されるインナ−リ−
ド部とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記インナ
−リ−ド部のワイヤが接続される面は、次第に低くなる
傾斜面となっているものである。
素子がダイボンディングされるダイパッド部と、一端を
このダイパッド部に対向させて設けられ上記半導体素子
の電極パッドとワイヤを介して接続されるインナ−リ−
ド部とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記インナ
−リ−ド部のワイヤが接続される面は、次第に低くなる
傾斜面となっているものである。
【0042】このような構成によれば、キャピラリが傾
いている場合でも、良好なスティッチボンディング(ワ
イヤボンディング)を行うことができる効果がある。
いている場合でも、良好なスティッチボンディング(ワ
イヤボンディング)を行うことができる効果がある。
【図1】この発明の一実施例を示す一部縦断面図。
【図2】同じく、一部縦断面図。
【図3】(a)、(b)は、同じく、リ−ドフレ−ムの
成形を示す工程図。
成形を示す工程図。
【図4】一般的なリ−ドフレ−ムを示す平面図。
【図5】(a)〜(d)は、ワイヤボンディングを示す
工程図。
工程図。
【図6】(a)、(b)は従来例のリ−ドフレ−ムの成
形を示す工程図。
形を示す工程図。
【図7】同じく、ワイヤボンディングを示す縦断面図。
1´…リ−ドフレ−ム、2…ダイパッド、3…インナ−
リ−ド部、3a´…先端部(傾斜面)、4…アウタリ−
ド、5…キャピラリ、6…リ−ド。
リ−ド部、3a´…先端部(傾斜面)、4…アウタリ−
ド、5…キャピラリ、6…リ−ド。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体素子がダイボンディングされるダ
イパッド部と、一端をこのダイパッド部に対向させて設
けられ上記半導体素子の電極パッドとワイヤを介して接
続されるインナ−リ−ド部とを具備するリ−ドフレ−ム
において、上記インナ−リ−ド部のワイヤが接続される
面は、半導体素子側から次第に低くなっていくように形
成された傾斜面となっていることを特徴とするリ−ドフ
レ−ム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4243745A JPH0697350A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4243745A JPH0697350A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0697350A true JPH0697350A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17108359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4243745A Pending JPH0697350A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0697350A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737940A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2011083368A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-14 | Nxp B.V. | Delamination resistant semiconductor devices |
JP2013251477A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Rohm Co Ltd | ワイヤボンディング構造および半導体装置 |
WO2014052742A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe having sloped metal terminals for wirebonding |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4243745A patent/JPH0697350A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737940A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2011083368A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-14 | Nxp B.V. | Delamination resistant semiconductor devices |
JP2013251477A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Rohm Co Ltd | ワイヤボンディング構造および半導体装置 |
WO2014052742A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe having sloped metal terminals for wirebonding |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6495773B1 (en) | Wire bonded device with ball-shaped bonds | |
JP2953424B2 (ja) | フェイスダウンボンディング用リードフレーム | |
JPH08255862A (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
KR100721280B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법과 기판 상의 회로로부터반도체 칩으로 와이어 본드부를 형성하는 장치 | |
JP3762475B2 (ja) | ワイヤボンディング方法及び半導体装置 | |
JPH0697350A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPH04294552A (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
JP2000195894A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH11354569A (ja) | ワイヤボンディング方法および装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
KR100480455B1 (ko) | 높은 품질과 높은 생산성으로 tab테이프들의 내부리드들을 전극패드들에 접합할 수 있는 접합도구와 접합방법 | |
JP4604384B2 (ja) | 回路基板実装体の実装方法 | |
JP2733418B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003086621A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS6178128A (ja) | 半導体装置およびその製造において用いるボンデイングツ−ル | |
KR100721274B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법 | |
KR100752664B1 (ko) | 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치 | |
JP2846095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0695519B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
JPS5925377B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP3293757B2 (ja) | 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 | |
JP3100710B2 (ja) | ボンディングツールおよびボンディング方法 | |
JPH0730047A (ja) | 半導体装置のリードフレーム並びにその製造装置及び方法 | |
JPH10199913A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH0384941A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03127844A (ja) | ボンディング装置およびボンディング方法 |