JPH0697350A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 より良好なワイヤボンディングを行えるリ−
ドフレ−ムを提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子１０がダイボンディングされるダ
イパッド部２と、一端をこのダイパッド部２に対向させ
て設けられ上記半導体素子１０の電極パッド１０ａとワ
イヤ６を介して接続されるインナ−リ−ド部３と、この
インナ−リ−ド部３の他端に連続して設けられたアウタ
リ−ド部４とを具備するリ−ドフレ−ム１´であって、
上記インナ−リ−ド部３の一端部３ａの上面は、上記ダ
イパッド側２からアウタリ−ド部４側に向かって次第に
低くなる傾斜面となっているものである。
ドフレ−ムを提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子１０がダイボンディングされるダ
イパッド部２と、一端をこのダイパッド部２に対向させ
て設けられ上記半導体素子１０の電極パッド１０ａとワ
イヤ６を介して接続されるインナ−リ−ド部３と、この
インナ−リ−ド部３の他端に連続して設けられたアウタ
リ−ド部４とを具備するリ−ドフレ−ム１´であって、
上記インナ−リ−ド部３の一端部３ａの上面は、上記ダ
イパッド側２からアウタリ−ド部４側に向かって次第に
低くなる傾斜面となっているものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ワイヤボンディング
に用いるリ−ドフレ−ムに関するものである。
に用いるリ−ドフレ−ムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組み立て工程において、半
導体素子とリ−ドフレ−ムとをワイヤを用いて電気的に
接続するワイヤボンディング工程がある。
導体素子とリ−ドフレ−ムとをワイヤを用いて電気的に
接続するワイヤボンディング工程がある。
【０００３】上記リ−ドフレ−ムは、一般に図４に１で
示すようなもので、半導体素子が搭載（ダイボンディン
グ）されるダイパッド２と、上記半導体素子の電極と接
続されるインナ−リ−ド部３と、基板やＩＣソケットな
どに接続されるアウタリ−ド部４とからなる。ワイヤボ
ンディングは、このうち、上記半導体素子の電極とイン
ナ−リ−ド部３とを接続するのに用いられる。
示すようなもので、半導体素子が搭載（ダイボンディン
グ）されるダイパッド２と、上記半導体素子の電極と接
続されるインナ−リ−ド部３と、基板やＩＣソケットな
どに接続されるアウタリ−ド部４とからなる。ワイヤボ
ンディングは、このうち、上記半導体素子の電極とイン
ナ−リ−ド部３とを接続するのに用いられる。
【０００４】上記ワイヤボンディングを施すワイヤボン
ディング装置は、図５（ａ）に５で示すキャピラリを有
し、このキャピラリ５内にはこのキャピラリ５を上下方
向に貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔にはワイヤ
６が挿通されている。
ディング装置は、図５（ａ）に５で示すキャピラリを有
し、このキャピラリ５内にはこのキャピラリ５を上下方
向に貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔にはワイヤ
６が挿通されている。
【０００５】また、上記キャピラリ５の上部には、この
キャピラリ５と共に上下動し、かつ、上記ワイヤ６をク
ランプまたはアンクランプすることができるクランプ機
構７が設けられている。
キャピラリ５と共に上下動し、かつ、上記ワイヤ６をク
ランプまたはアンクランプすることができるクランプ機
構７が設けられている。
【０００６】次に、一般的なワイヤボンディング工程に
ついて図５（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
ついて図５（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【０００７】まず、図５（ａ）に示すように、半導体素
子１０が上記リ−ドフレ−ム１のダイパッド２上に電極
パッド１０ａを上方に向けた状態（フェイスアップ状
態）でダイボンディングされる。ついで、上記キャピラ
リ５は、上記半導体素子１０の電極パッド１０ａの上方
に移動し、対向位置決めされる。
子１０が上記リ−ドフレ−ム１のダイパッド２上に電極
パッド１０ａを上方に向けた状態（フェイスアップ状
態）でダイボンディングされる。ついで、上記キャピラ
リ５は、上記半導体素子１０の電極パッド１０ａの上方
に移動し、対向位置決めされる。
【０００８】次に、上記ワイヤ６の先端部には電気ト−
チ１１によってボ−ル６ａが形成される。ボ−ル６ａが
形成されたならば、上記キャピラリ５は下降駆動され、
上記ボ−ル６ａを上記電極パッド１０ａに押し付け、こ
れらを接合する。これをボ−ルボンディングという。
チ１１によってボ−ル６ａが形成される。ボ−ル６ａが
形成されたならば、上記キャピラリ５は下降駆動され、
上記ボ−ル６ａを上記電極パッド１０ａに押し付け、こ
れらを接合する。これをボ−ルボンディングという。
【０００９】ボ−ルボンディングが施されたならば、図
５（ｂ）に示すように、上記キャピラリ５は、ワイヤ６
を繰り出しながら上昇駆動されかつ上記インナ−リ−ド
部３の上方に移動する。ついで、図５（ｃ）に示すよう
に、上記キャピラリ５は下降駆動され、上記ワイヤ６を
インナ−リ−ド部３に超音波振動と加圧加熱により接合
する。これをスティッチボンディングという。
５（ｂ）に示すように、上記キャピラリ５は、ワイヤ６
を繰り出しながら上昇駆動されかつ上記インナ−リ−ド
部３の上方に移動する。ついで、図５（ｃ）に示すよう
に、上記キャピラリ５は下降駆動され、上記ワイヤ６を
インナ−リ−ド部３に超音波振動と加圧加熱により接合
する。これをスティッチボンディングという。
【００１０】スティッチボンディングが成されたなら
ば、上記キャピラリ５はインナ−リ−ド部３に沿って僅
かに上方向に移動する。ついで、図５（ｄ）に示すよう
に、上記ワイヤ６は上記クランプ機構７によってクラン
プされ、上記キャピラリ５と共に上昇駆動される。この
ことで、上記ワイヤ６はスティッチボンディングの直上
で切断される。このことによって、上記キャピラリ５の
先端には次にボ−ルを形成するための所定量のワイヤ６
が残される。
ば、上記キャピラリ５はインナ−リ−ド部３に沿って僅
かに上方向に移動する。ついで、図５（ｄ）に示すよう
に、上記ワイヤ６は上記クランプ機構７によってクラン
プされ、上記キャピラリ５と共に上昇駆動される。この
ことで、上記ワイヤ６はスティッチボンディングの直上
で切断される。このことによって、上記キャピラリ５の
先端には次にボ−ルを形成するための所定量のワイヤ６
が残される。
【００１１】上記ワイヤボンディング装置は、このよう
な動作を上記半導体素子１０のすべての電極パッド１０
ａ…およびこれに対応するインナ−リ−ド部３…につい
て行い、上記半導体素子１０とリ−ドフレ−ム１とを電
気的に接続する。
な動作を上記半導体素子１０のすべての電極パッド１０
ａ…およびこれに対応するインナ−リ−ド部３…につい
て行い、上記半導体素子１０とリ−ドフレ−ム１とを電
気的に接続する。
【００１２】ところで、上記リ−ドフレ−ム１のインナ
−リ−ド部３とワイヤ６の良好な接合を得るためには、
上記インナ−リ−ド部３の形状が重要である。すなわ
ち、上記リ−ドフレ−ム１の製造は、プレス加工で行わ
れることが多い。プレス加工の場合、打ち抜き時に、イ
ンナ−リ−ド部３が変形したり、反り返ったりすること
がある。
−リ−ド部３とワイヤ６の良好な接合を得るためには、
上記インナ−リ−ド部３の形状が重要である。すなわ
ち、上記リ−ドフレ−ム１の製造は、プレス加工で行わ
れることが多い。プレス加工の場合、打ち抜き時に、イ
ンナ−リ−ド部３が変形したり、反り返ったりすること
がある。
【００１３】このままでは良好なスティッチボンディン
グを行うことができないので、一般に、プレス加工によ
る打ち抜き後に「コイニング」と呼ばれるインナ−リ−
ド部３の上面を平坦化する作業を行っている。
グを行うことができないので、一般に、プレス加工によ
る打ち抜き後に「コイニング」と呼ばれるインナ−リ−
ド部３の上面を平坦化する作業を行っている。
【００１４】このコイニングの作業は、図６（ａ）に示
すようなポンチ１３を用い、このポンチを図６（ｂ）に
示すように上記インナ−リ−ド部３の先端部３ａに押し
付けることで、このインナ−リ−ド部３の先端部３ａの
上面を略水平にするのである。
すようなポンチ１３を用い、このポンチを図６（ｂ）に
示すように上記インナ−リ−ド部３の先端部３ａに押し
付けることで、このインナ−リ−ド部３の先端部３ａの
上面を略水平にするのである。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】一方、上記インナ−リ
−ド部３とワイヤ６の接続の良否を決定する要因は、上
記リ−ド部３の先端部３ａの平坦度だけではなく、キャ
ピラリ５の傾き角度も大きく影響する。例えば、現状で
は、キャピラリ製造上、また取り付け上、キャピラリの
軸線が垂直軸に対して０．５°〜０．７°程度傾斜する
ことがある。
−ド部３とワイヤ６の接続の良否を決定する要因は、上
記リ−ド部３の先端部３ａの平坦度だけではなく、キャ
ピラリ５の傾き角度も大きく影響する。例えば、現状で
は、キャピラリ製造上、また取り付け上、キャピラリの
軸線が垂直軸に対して０．５°〜０．７°程度傾斜する
ことがある。
【００１６】このようなキャピラリを用いてワイヤボン
ディングを行う場合には、場所によっては、図に示すよ
うにキャピラリの先端部が片当たりし（図に示すＡ
点）、ワイヤ６を有効に押圧することができないという
ことがある。
ディングを行う場合には、場所によっては、図に示すよ
うにキャピラリの先端部が片当たりし（図に示すＡ
点）、ワイヤ６を有効に押圧することができないという
ことがある。
【００１７】このような場合には、上記リ−ド３の上面
が平坦であったとしても良好な接合状態を得ることがで
きないということがある。
が平坦であったとしても良好な接合状態を得ることがで
きないということがある。
【００１８】この発明は、このような事情に鑑みて成さ
れたもので、良好なワイヤボンディングを行うことがで
きるリ−ドフレ−ムを提供することを目的とするもので
ある。
れたもので、良好なワイヤボンディングを行うことがで
きるリ−ドフレ−ムを提供することを目的とするもので
ある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体素子
がダイボンディングされるダイパッド部と、一端をこの
ダイパッド部に対向させて設けられ上記半導体素子の電
極パッドとワイヤを介して接続されるインナ−リ−ド部
とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記インナ−リ
−ド部のワイヤが接続される面は、半導体素子側から次
第に低くなっていくように形成された傾斜面となってい
ることを特徴とするものである。
がダイボンディングされるダイパッド部と、一端をこの
ダイパッド部に対向させて設けられ上記半導体素子の電
極パッドとワイヤを介して接続されるインナ−リ−ド部
とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記インナ−リ
−ド部のワイヤが接続される面は、半導体素子側から次
第に低くなっていくように形成された傾斜面となってい
ることを特徴とするものである。
【００２０】
【作用】このような構成によれば、インナ−リ−ドの先
端部の傾斜面にスティッチボンディングを施すことで、
ワイヤとインナ−リ−ドの確実な接続を行うことができ
る。
端部の傾斜面にスティッチボンディングを施すことで、
ワイヤとインナ−リ−ドの確実な接続を行うことができ
る。
【００２１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１〜図４を参
照して説明する。なお、従来例で説明した構成要素と同
一の構成要素には同一符号を付してその説明は省略す
る。
照して説明する。なお、従来例で説明した構成要素と同
一の構成要素には同一符号を付してその説明は省略す
る。
【００２２】この発明のリ−ドフレ−ムは、特に上記イ
ンナ−リ−ドの先端部の上面の形状の改良に関するもの
である。
ンナ−リ−ドの先端部の上面の形状の改良に関するもの
である。
【００２３】図１中１´はこの発明のリ−ドフレ−ムで
ある。このリ−ドフレ−ム１´は従来例と同様に、パン
チ加工によって成形されたもので図４を引用して示すよ
うに、ダイパッド部２、インナ−リ−ド部３、アウタリ
−ド部４とを具備する。
ある。このリ−ドフレ−ム１´は従来例と同様に、パン
チ加工によって成形されたもので図４を引用して示すよ
うに、ダイパッド部２、インナ−リ−ド部３、アウタリ
−ド部４とを具備する。
【００２４】このリ−ドフレ−ム１´のインナ−リ−ド
部３の先端部３ａ´には、コイニングが施される。コイ
ニングは図３（ａ）に１５で示すようなポンチを用いて
行う。このポンチ１５の下端面１５ａは、このインナ−
リ−ド部３の他端部方向に向かって高さが次第に低くな
るように約１°〜１．５°の角度で傾斜するよう形成さ
れている。
部３の先端部３ａ´には、コイニングが施される。コイ
ニングは図３（ａ）に１５で示すようなポンチを用いて
行う。このポンチ１５の下端面１５ａは、このインナ−
リ−ド部３の他端部方向に向かって高さが次第に低くな
るように約１°〜１．５°の角度で傾斜するよう形成さ
れている。
【００２５】このような金型１５でコイニングされたイ
ンナ−リ−ド部３の先端部３ａ´は、図３（ｂ）に示す
ように水平面に対して１°〜１．５°傾斜したものとな
る。
ンナ−リ−ド部３の先端部３ａ´は、図３（ｂ）に示す
ように水平面に対して１°〜１．５°傾斜したものとな
る。
【００２６】次に、このインナ−リ−ド部３の先端部３
ａ´にワイヤ６を接合するスティッチボンディングの動
作について説明する。なお、ボ−ルボンディングおよび
ワイヤの切断の動作については、従来例（図５参照）と
同様なのでその説明は省略する。
ａ´にワイヤ６を接合するスティッチボンディングの動
作について説明する。なお、ボ−ルボンディングおよび
ワイヤの切断の動作については、従来例（図５参照）と
同様なのでその説明は省略する。
【００２７】キャピラリ５の軸線が垂直軸から約０．５
度傾いていると仮定し、この場合のスティッチボンディ
ングについて説明する。図１は、上記キャピラリ５が半
導体素子１０から離れる方向に傾いている場合である。
この場合、上記キャピラリ５の先端面の点Ａに対して点
Ｂの方が高い位置にある。そして、このキャピラリ５
は、点Ｂで上記ワイヤ６を上記インナ−リ−ド部３の先
端部３ａに押し付けることになる。
度傾いていると仮定し、この場合のスティッチボンディ
ングについて説明する。図１は、上記キャピラリ５が半
導体素子１０から離れる方向に傾いている場合である。
この場合、上記キャピラリ５の先端面の点Ａに対して点
Ｂの方が高い位置にある。そして、このキャピラリ５
は、点Ｂで上記ワイヤ６を上記インナ−リ−ド部３の先
端部３ａに押し付けることになる。
【００２８】しかし、上記キャピラリ５の傾き角度より
も上記先端部３ａ´の傾き角度の方が大きいので点Ｂの
方が点Ａよりも上記先端部３ａの上面に近い。このこと
により、上記ワイヤ６を上記インナ−リ−ド部３の先端
部３ａに有効に押圧することができる。
も上記先端部３ａ´の傾き角度の方が大きいので点Ｂの
方が点Ａよりも上記先端部３ａの上面に近い。このこと
により、上記ワイヤ６を上記インナ−リ−ド部３の先端
部３ａに有効に押圧することができる。
【００２９】このようにして、図４に示す各インナ−リ
−ド部３について順次スティッチボンディングを行って
いくわけであるが、次に、図１に示すインナ−リ−ド部
３と上記半導体素子１０（ダイパッド２）を挟んで対向
する位置にあるインナ−リ−ド部３にスティッチボンデ
ィングを行う場合について図２を参照して説明する。
−ド部３について順次スティッチボンディングを行って
いくわけであるが、次に、図１に示すインナ−リ−ド部
３と上記半導体素子１０（ダイパッド２）を挟んで対向
する位置にあるインナ−リ−ド部３にスティッチボンデ
ィングを行う場合について図２を参照して説明する。
【００３０】この場合には、上記キャピラリ５は、上記
半導体素子１０に近づく方向に傾いている。この位置に
おいても、上記ワイヤ６を押圧する点Ａの方が点Ｂに比
べて上記インナ−リ−ド部３の先端部３ａ´の上面に近
い。このことにより、上記ワイヤ６は上記キャピラリ５
によって上記インナ−リ−ド部３の先端部３ａ´の上面
に有効に押圧される。このことで、上記ワイヤ６はステ
ィッチボンディングされる。
半導体素子１０に近づく方向に傾いている。この位置に
おいても、上記ワイヤ６を押圧する点Ａの方が点Ｂに比
べて上記インナ−リ−ド部３の先端部３ａ´の上面に近
い。このことにより、上記ワイヤ６は上記キャピラリ５
によって上記インナ−リ−ド部３の先端部３ａ´の上面
に有効に押圧される。このことで、上記ワイヤ６はステ
ィッチボンディングされる。
【００３１】このようにして、上記ワイヤ６は、図４に
示すすべてのインナ−リ−ド部３について有効にスティ
ッチボンディングされる。このことは、２方向にのみア
ウタリ−ド４が突出するリ−ドフレ−ム１´に限らず、
４方向にアウタリ−ド４が突出するリ−ドフレ−ムにつ
いても同様である。
示すすべてのインナ−リ−ド部３について有効にスティ
ッチボンディングされる。このことは、２方向にのみア
ウタリ−ド４が突出するリ−ドフレ−ム１´に限らず、
４方向にアウタリ−ド４が突出するリ−ドフレ−ムにつ
いても同様である。
【００３２】また、上記キャピラリ５を上記リ−ドフレ
−ム１´に対してＸＹ方向に駆動してワイヤボンディン
グを行う場合には、上記キャピラリ５は、半導体素子１
０のまわりを一周することで、図１、図２に示すＡ点、
Ｂ点だけでなく下端面の略すべての部位で上記ワイヤ６
を押圧することになる。従来例では、常に同じ部位（Ａ
点）が片当たりしていたので、磨耗が不均一になってい
たが、この発明のリ−ドフレ−ム１´によればキャピラ
リ５の下端面の磨耗も均一化する。
−ム１´に対してＸＹ方向に駆動してワイヤボンディン
グを行う場合には、上記キャピラリ５は、半導体素子１
０のまわりを一周することで、図１、図２に示すＡ点、
Ｂ点だけでなく下端面の略すべての部位で上記ワイヤ６
を押圧することになる。従来例では、常に同じ部位（Ａ
点）が片当たりしていたので、磨耗が不均一になってい
たが、この発明のリ−ドフレ−ム１´によればキャピラ
リ５の下端面の磨耗も均一化する。
【００３３】さらに、このリ−ドフレ−ム１´によれ
ば、キャピラリ５は常に上記ワイヤに対応する部位を片
当たりさせる状態となるので、キャピラリ５の押圧力は
ワイヤ６の接合にのみ使用される。このことにより、従
来の通常のワイヤボンディングに比べて押圧力を小さく
することができる。さらに、上記キャピラリ５の先端が
インナ−リ−ド部３に当接することが少ないから、リ−
ドフレ−ム１´（インナ−リ−ド部３）の表面状態によ
らず常に一定のボンディング条件（特に加圧力）でワイ
ヤボンディングを管理することが可能になる効果もあ
る。
ば、キャピラリ５は常に上記ワイヤに対応する部位を片
当たりさせる状態となるので、キャピラリ５の押圧力は
ワイヤ６の接合にのみ使用される。このことにより、従
来の通常のワイヤボンディングに比べて押圧力を小さく
することができる。さらに、上記キャピラリ５の先端が
インナ−リ−ド部３に当接することが少ないから、リ−
ドフレ−ム１´（インナ−リ−ド部３）の表面状態によ
らず常に一定のボンディング条件（特に加圧力）でワイ
ヤボンディングを管理することが可能になる効果もあ
る。
【００３４】また、ワイヤ６のみが上記インナ−リ−ド
部３の先端部３ａ´に接触するから、上記キャピラリ５
がインナ−リ−ド部３の他の部位を変形させることが少
なく、製品の歩留まりが向上する。
部３の先端部３ａ´に接触するから、上記キャピラリ５
がインナ−リ−ド部３の他の部位を変形させることが少
なく、製品の歩留まりが向上する。
【００３５】これらのことにより、従来例と比べてより
良好なワイヤボンディングを行えるリ−ドフレ−ム１´
を得ることができる効果がある。
良好なワイヤボンディングを行えるリ−ドフレ−ム１´
を得ることができる効果がある。
【００３６】なお、この発明は上記一実施例に限定され
るものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変
形可能である。
るものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変
形可能である。
【００３７】例えば、上述したように、上記リ−ドフレ
−ム１´のアウタリ−ド４は、２方向にのみ突出するも
のに限定されるものではなく、３方向以上に突出するよ
うなものであっても良い。
−ム１´のアウタリ−ド４は、２方向にのみ突出するも
のに限定されるものではなく、３方向以上に突出するよ
うなものであっても良い。
【００３８】また、上記一実施例では、上記リ−ドフレ
−ム１´をプレス加工で成形するようにしていたが、こ
れに限定されるものではなく、例えばエッチングで成形
するようにしても良い。
−ム１´をプレス加工で成形するようにしていたが、こ
れに限定されるものではなく、例えばエッチングで成形
するようにしても良い。
【００３９】さらに、上記一実施例では、上記インナ−
リ−ド部３の先端部３ａをポンチ１５で成形するように
していたが、他の方法、例えばエッチングで成形するよ
うにしても良い。
リ−ド部３の先端部３ａをポンチ１５で成形するように
していたが、他の方法、例えばエッチングで成形するよ
うにしても良い。
【００４０】また、上記一実施例では、上記キャピラリ
５の傾き角度よりもインナ−リ−ド部３の先端部３ａ´
の傾き角度が大きい場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、上記インナ−リ−ド部３の傾き
角度が上記キャピラリ５の傾き角度（０．５°〜０．７
°）よりも小さいか略同じ場合であっても、少なくとも
従来例に比べると良好なスティッチボンディングを行え
る効果がある。
５の傾き角度よりもインナ−リ−ド部３の先端部３ａ´
の傾き角度が大きい場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、上記インナ−リ−ド部３の傾き
角度が上記キャピラリ５の傾き角度（０．５°〜０．７
°）よりも小さいか略同じ場合であっても、少なくとも
従来例に比べると良好なスティッチボンディングを行え
る効果がある。
【００４１】
【発明の効果】以上のべたように、この発明は、半導体
素子がダイボンディングされるダイパッド部と、一端を
このダイパッド部に対向させて設けられ上記半導体素子
の電極パッドとワイヤを介して接続されるインナ−リ−
ド部とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記インナ
−リ−ド部のワイヤが接続される面は、次第に低くなる
傾斜面となっているものである。
素子がダイボンディングされるダイパッド部と、一端を
このダイパッド部に対向させて設けられ上記半導体素子
の電極パッドとワイヤを介して接続されるインナ−リ−
ド部とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記インナ
−リ−ド部のワイヤが接続される面は、次第に低くなる
傾斜面となっているものである。
【００４２】このような構成によれば、キャピラリが傾
いている場合でも、良好なスティッチボンディング（ワ
イヤボンディング）を行うことができる効果がある。
いている場合でも、良好なスティッチボンディング（ワ
イヤボンディング）を行うことができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例を示す一部縦断面図。
【図２】同じく、一部縦断面図。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、同じく、リ−ドフレ−ムの
成形を示す工程図。
成形を示す工程図。
【図４】一般的なリ−ドフレ−ムを示す平面図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、ワイヤボンディングを示す
工程図。
工程図。
【図６】（ａ）、（ｂ）は従来例のリ−ドフレ−ムの成
形を示す工程図。
形を示す工程図。
【図７】同じく、ワイヤボンディングを示す縦断面図。
１´…リ−ドフレ−ム、２…ダイパッド、３…インナ−
リ−ド部、３ａ´…先端部（傾斜面）、４…アウタリ−
ド、５…キャピラリ、６…リ−ド。
リ−ド部、３ａ´…先端部（傾斜面）、４…アウタリ−
ド、５…キャピラリ、６…リ−ド。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子がダイボンディングされるダ
イパッド部と、一端をこのダイパッド部に対向させて設
けられ上記半導体素子の電極パッドとワイヤを介して接
続されるインナ−リ−ド部とを具備するリ−ドフレ−ム
において、上記インナ−リ−ド部のワイヤが接続される
面は、半導体素子側から次第に低くなっていくように形
成された傾斜面となっていることを特徴とするリ−ドフ
レ−ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243745A JPH0697350A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243745A JPH0697350A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697350A true JPH0697350A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17108359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4243745A Pending JPH0697350A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697350A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0737940A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2011083368A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-14 | Nxp B.V. | Delamination resistant semiconductor devices |
| JP2013251477A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Rohm Co Ltd | ワイヤボンディング構造および半導体装置 |
| WO2014052742A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe having sloped metal terminals for wirebonding |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4243745A patent/JPH0697350A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0737940A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2011083368A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-14 | Nxp B.V. | Delamination resistant semiconductor devices |
| JP2013251477A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Rohm Co Ltd | ワイヤボンディング構造および半導体装置 |
| WO2014052742A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe having sloped metal terminals for wirebonding |
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