KR100752664B1 - 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치 - Google Patents

와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치 Download PDF

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capillary
bonding
semiconductor chip
adhesive ball
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임원철
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Abstract

와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및 와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 디바이스는, 전극 패드를 갖는 배선 기판과, 상기 배선 기판 상부에 전극 패드가 노출되도록 부착되는 본딩 패드를 갖는 반도체 칩을 포함한다. 상기 반도체 칩의 본딩 패드와 배선 기판의 전극 패드간을 전기적으로 연결시키는 와이어 루프가 형성된다. 상기 와이어 루프는 본딩 패드와 접착되는 접착 볼과, 상기 접착 볼의 측부로부터 연장되어 상기 배선 기판의 전극 패드와 접착되는 와이어를 포함한다. 상기 와이어가 접착 볼의 측부로부터 연장됨에 따라 킹크 높이가 존재하지 않게 되어 와이어 루프의 높이를 접착 볼의 직경 수준으로 낮출 수 있다.
와이어 본딩, 볼, 루프, 킹크(kink), 높이

Description

와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및 와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치{Semiconductor device having an wire loop, method of forming the same and wire bonding system for forming the wire loop}
도 1은 종래의 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스를 보여주는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법을 설명하기 위한 각 공정별 단면도이다.
도 4는 본 발명의 와이어 루프를 형성하는 데 이용되는 본 발명의 와이어 본딩 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 배선 기판 101 : 전극 패드 110 : 반도체 칩
111 : 본딩 패드 120 : 와이어 루프 125 : 접착 볼
127 : 와이어(W) 220 : 캐필러리 230 : 압착 부재
본 발명은 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및 와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치에 관한 것이다.
일반적으로 와이어 본딩(wire bonding)이라 함은 반도체 칩의 본딩 패드와 리드 프레임 또는 인쇄 회로 기판과 같은 배선 기판간을 와이어에 의해 전기적으로 연결하는 공정을 일컫는다.
현재 와이어 본딩으로 초음파 진동을 이용한 열압착 방식(ultrasonic thermocompression type)이 주로 이용되고 있다. 이러한 초음파 열압착 방식에 의한 와이어 본딩 공정은 다음과 같다. 먼저, 반도체 칩 표면에 대해 수직으로 배치된 캐필러리(capillary)에 와이어를 관통시킨다음, 와이어 선단에 접착 볼을 형성한다. 접착 볼이 본딩 패드 상에 위치하도록 캐필러리를 이동시킨 다음, 상기 캐필러리에 소정의 힘(force)과 초음파 진동(혹은 파워) 및 열을 가하여 상기 접착 볼을 반도체 칩의 본딩 패드에 초음파 열압착시킨다. 접착 볼의 목(neck) 부분(접착 볼과 와이어의 연결 부분)의 끊김을 방지하기 위하여, 상기 캐필러리를 소정 높이(H1) 만큼 들어올린 다음, 배선 기판의 전극 상부로 이동시킨다. 그후 상기 와이어를 배선 기판에 초음파 열압착시킨 다음, 캐필러리에 소정의 장력을 가하여 와이어를 절단한다.
그런데, 상기 접착 볼의 목 부분의 끊김을 방지하기 위하여 캐필러리를 들어 올리는 과정에서 상기 와이어 루프(20)는 도 1에 도시된 바와 같이 소정의 높이(Kink height:H1)를 갖게 된다. 더구나, 접착 볼(25) 및 와이어(27)가 소정의 직경을 가지고 있으므로, 상기 킹크 높이(H1)와 더불어 상기 접착 볼(25)의 직경 (높이) 및 와이어(27)의 직경이 와이어 루프(20)의 전체 높이(H2)를 상승시키는 원인으로 작용하게 된다. 상기 도 1에서 도면 부호 10은 배선 기판, 15는 반도체 칩, 16은 본딩 패드를 나타낸다.
이와 같이 와이어 루프(20)의 높이가 증대되면 반도체 칩을 적층시키는데 있어 제약을 받게 될 뿐만 아니라, 전체적인 반도체 패키지의 높이가 증대되어, 경박단소형화된 패키지를 제작하기 어렵다.
이에 종래의 다른 방법으로, 접착 볼을 접착시킨 다음, 반도체 칩 표면에 대해 수직으로 배치된 캐필러리를 소정 높이 만큼 들어올리지 않고 그대로 수평으로 이동시키는 방법이 제안되었다(일본 특개평 2003-303844). 그러나, 캐필러리를 들어올리지 않고 수평 방향으로 이동시키면, 접착 볼과 와이어 사이의 목 부분이 쉽게 끊어져 버리는 문제점이 발생되었다.
그러므로 접착 볼과 와이어의 연결부분의 단선없이 와이어 루프의 높이를 낮출 수 있는 방법이 간절히 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 접착 볼과 와이어 사이의 연결 부분의 단절 없이 와이어 루프의 높이를 낮출 수 있는 반도체 디바이스를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 접착 볼과 와이어의 연결 부분의 단절 없이 와이어 루프를 수평으로 이동시켜 와이어 루프의 높이를 낮출 수 있는 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 접착 볼과 와이어의 연결 부분의 단절 없이 와이어 루프를 수평으로 연장시킬 수 있는 와이어 본딩 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 디바이스는, 전극 패드를 갖는 배선 기판과, 상기 배선 기판 상부에 전극 패드가 노출되도록 부착되는 본딩 패드를 갖는 반도체 칩을 포함한다. 상기 반도체 칩의 본딩 패드와 배선 기판의 전극 패드간을 전기적으로 연결시키는 와이어 루프가 형성된다. 상기 와이어 루프는 본딩 패드와 접착되는 접착 볼과, 상기 접착 볼의 측부로부터 연장되어 상기 배선 기판의 전극 패드와 접착되는 와이어를 포함한다.
상기 접착 볼과 와이어의 연결 부분(neck portion)은 상기 반도체 칩의 표면과 실질적으로 수직을 이루는 접착 볼의 측면에 위치된다.
또한, 본 발명의 다른 견지에 따른 반도체 디바이스의 형성방법은, 캐필러리로부터 돌출된 와이어 선단에 접착 볼을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 접착 볼을 반도체 칩의 본딩 패드 상에 놓여지도록 캐필러리를 위치시킨 다음, 상기 접착 볼을 상기 본딩 패드와 본딩시킨다. 그 후에, 상기 접착 볼의 측부로부터 와이어가 연장되도록 캐필러리를 수평 방향으로 이동시키고, 상기 캐필러리의 와이어를 상기 배선 기판의 전극 패드와 열 압착시킨다. 상기 와이어를 절단한다.
이때, 상기 캐필러리는 상기 반도체 칩의 표면과 그것이 장축이 평행하도록 배치시키고, 상기 와이어가 접착 볼의 측부로부터 연장되도록 상기 캐필러리를 뉘인 채로 이송시키는 것이 바람직하다.
상기 접착 볼을 본딩 패드에 본딩시키는 단계는, 상기 반도체 칩의 온도를 약 120 내지 250℃ 정도로 유지한 상태에서, 80 내지 150mA의 파워(power) 및 15 내지 30g의 힘(force)을 가하여 진행함이 바람직하다. 또한, 상기 접착 볼을 본딩시키는 단계시 60,000Hz 내지 100,000Hz의 초음파 진동을 가하는 것이 바람직하다.
상기 와이어와 상기 배선 기판의 전극 패드간의 열 압착시에도 초음파를 더 인가하는 것이 바람직하다.
상기 와이어를 절단하는 단계 이후, 상기 캐필러리의 선단으로 돌출된 와이어에 접착 볼을 형성하는 단계로 피드백할 수 있다. 이때, 상기 와이어 선단에 접착 볼의 크기를 조절하여, 와이어 루프의 높이가 결정할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 견지에 따르면, 반도체 칩과 배선 기판 사이를 와이어에 의해 연결시키는 와이어 본딩 장치로서, 상기 반도체 칩과 배선 기판이 놓여지는 본딩 스테이지, 상기 본딩 스테이지 상에 배치되며 상기 와이어가 상기 본딩 스테이지 표면과 평행을 이룰 수 있도록 와이어를 지지하는 캐필러리, 상기 캐필러리와 소정 각도를 이루는 방향에 위치되면서 상기 와이어를 상기 반도체 칩 또는 배선 기판에 압착시키는 압착 부재, 및 상기 캐필러리 및 압착 부재와 연결되어, 상기 캐필러리 및 압착 부재를 소정 위치로 이동시키는 본딩 암을 포함한다.
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상 의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 루프가 형성된 반도체 디바이스를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 일측에 전극 패드(101)가 구비된 배선 기판(100)상에 반도체 칩(110)이 실장된다. 상기 반도체 칩(110) 역시 내부의 전극들에 전원을 공급하기 위한 본딩 패드(111)가 그 표면에 배치되어 있다. 반도체 칩(110)의 본딩 패드(111)와 배선 기판(100)의 전극 패드(101)는 와이어 루프(120)에 의해 연결된다.
상기 와이어 루프(120)는 본딩 패드(111)와 접합되는 접착 볼(125)과, 상기 접착 볼(125)로부터 연장되어 배선 기판(100)의 전극 패드(101)와 접합되는 와이어(127)로 구성된다. 이때, 접착 볼(125)은 상기 본딩 패드(111)와 압착되는 과정에서 그 형태가 실질적인 디스크(disk) 형태를 갖게 되고, 상기 와이어(127)는 상기 접착 볼(125)의 측부로 연장된다. 즉, 접착 볼(125)과 와이어(127) 사이의 목 부분(n)이 접착 볼(125)의 측부에 위치된다.
이에 따라, 사실상 와이어 루프(120)의 킹크 높이가 존재하지 않게 되고, 와이어 루프의 전체 높이(h1)는 접착 볼(125)의 직경 수준이 된다. 그러므로, 와이어 루프(120)의 높이를 크게 감소시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 루프를 갖는 반도체 디 바이스의 형성방법을 설명하기 위한 각 공정별 단면도이다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 반도체 칩(110)이 실장된 배선 기판(100) 상에 캐필러리(220)를 배치시킨다. 상기 캐필러리(220)는 상기 반도체 칩(110) 및 배선 기판(100)의 표면과 평행하도록 그 장축이 배치되어, 캐필러리(220)을 관통하는 와이어(w) 역시 상기 반도체 칩(110) 및 배선 기판(100) 표면과 평행하게 된다. 캐필러리(220) 내부를 관통한 와이어(w)는 캐필러리(220) 선단쪽으로 돌출되고, 상기 돌출된 와이어(w)는 방전 전극(도시되지 않음)과 스파크 방전을 이루어 접착 볼(125)이 된다. 상기 접착 볼(125)이 반도체 칩(110)의 본딩 패드(111) 상부에 놓여지도록 캐필러리(220)를 이동시킨다. 여기서, 도면 부호 101은 배선 기판(100)상에 형성되는 전극 패드를 나타내며, 230은 접착 볼(125)을 본딩 패드(111) 상에 압착시키기 위한 압착 부재를 나타낸다.
도 3b를 참조하여, 상기 본딩 패드(111)상에 위치된 접착 볼(125)을 상기 압착 부재(230)에 의해 본딩 패드(111)에 1차 본딩시킨다. 상기 압착 부재(230)는 일종의 캐필러리일 수 있으며, 상기 캐필러리(220)과 소정 각도, 바람직하게는 캐필러리와 수직을 이루는 부분을 포함한다. 이렇게 반도체 칩(110) 표면에 대해 수직인 부분을 포함하는 압착 부재(230)는 반도체 칩(110) 표면과 수직인 방향으로 소정의 힘이 인가되어, 접착 볼(125)을 본딩 패드(111)에 압착시킨다. 압착 부재(230)에 의한 접착 압착 공정시 초음파를 가하여 본딩 효율을 더욱 개선할 수 있다. 본 실시예에서는 예를 들어, 반도체 칩(110)의 온도를 약 120 내지 250℃ 정도로 유지시킨 상태에서, 80 내지 150mA의 파워, 15 내지 30g의 힘 및 60,000Hz 내지 100,000Hz의 초음파 진동을 가하여 본딩 공정을 진행한다.
접착 볼(125)이 본딩 패드(111)에 본딩된 상태에서, 캐필러리(220)를 배선 기판(100)의 전극 패드(101)쪽으로 이동시킨다. 이때, 캐필러리(220)는 그것의 장축 및 와이어가 반도체 칩(110) 및 배선 기판(100)과 실질적인 평행을 이루는 상태를 유지하면서 이동된다. 이에 따라, 와이어(w,127)는 접착 볼(125)의 측부로부터 연장된다. 여기서, 도면의 화살표는 캐필러리의 이동 방향을 나타낸다.
본 실시예에서는 와이어(w,127)가 접착 볼(125)의 측부로부터 연장되는 것이 중요하다. 본 실시예와 같이 와이어가 측부로부터 연장되면, 와이어를 상부로 들어올림이 배제되므로 와이어 루프의 킹크 높이가 존재하지 않게 되고, 와이어 루프의 전체 높이가 접착 볼(125)의 직경 수준이 되므로, 와이어 루프의 전체 높이를 낮출 수 있다. 무엇보다도, 캐필러리(220)의 장축(와이어 방향)이 반도체 칩(110) 및 배선 기판(100)의 표면과 평행하게 뉘인 채로, 와이어 루핑을 실시함에 의해, 접착 볼(125)의 측부면으로부터 와이어(127)이 연장되어져, 와이어 루프의 단선을 방지할 수 있다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 캐필러리(220)를 배선 기판(100)의 전극 패드(101)상에 위치시킨 다음, 캐필러리(220)의 선단측의 와이어(127)를 전극 패드(101)상에 본딩시킨다. 그후, 압착 부재(230)를 통해 상기 와이어(127) 및 전극 패드(101)에 초음파 진동을 가하여, 상기 와이어(127)를 전극 패드(101)에 초음파 열압착시키고, 와이어(127)를 절단시켜, 와이어 루핑이 이루어진다.
그 다음, 다시 캐필러리(220)의 선단으로 돌출된 와이어(w)에 방전 전극(도 시되지 않음)을 순간 접촉시키어, 캐필러리(220)의 선탄에 접착 볼(125)을 형성하고, 상기와 같은 와이어 루핑 과정을 반복한다.
이때, 상기 접착 볼(125)의 직경은 방전 전극과의 접촉 시간 및 공급 전압 등에 의해 조절 가능하다. 아울러, 접착 볼(125)의 직경은 실질적인 와이어 루핑의 높이를 결정하게 되므로, 패키지의 크기 및 다이의 적층수등을 고려하여 와이어 루핑의 높이를 조절할 수 있음은 물론이다.
도 4는 본 발명의 와이어 루프를 형성할 수 있는 와이어 본딩 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
와이어 본딩 장치(200)는 본딩 스테이지(201) 및 본딩 암(210)을 포함한다. 상기 본딩 스테이지(201)는 와이어 본딩이 이루어질 반도체 칩(110)이 실장된 배선 기판(100)이 놓여지는 곳이다. 그러므로, 본딩 스테이지(201)의 표면과 반도체 칩(110) 및 배선 기판(100)의 표면은 실질적으로 평행하게 된다. 본딩 암(210)은 캐필러리(220) 및 압착 부재(230)와 기계적으로 연결되어, 상기 캐필러리(220) 및 압착 부재(230)를 수평 및 수직 방향(x,y 방향)으로 이동시킨다. 이러한 캐필러리(220) 및 압착 부재(230)는 본딩 암(210)에 설치된 모터(240)와 같은 동력 전달원과 연결되어 동력을 전달받는다.
이때, 상기 캐필러리(220)는 그것의 장축 즉, 와이어(w)가 본딩 스테이지(201) 표면(즉, 반도체 칩 표면)과 평행할 수 있도록 본딩 암(210)에 설치하는 것이 중요하다. 또한, 상기 압착 부재(230)는 상술한 바와 같이, 접착 볼(125) 혹은 와이어(127)를 반도체 칩(110) 혹은 배선 기판(100)에 본딩시키기 위한 압력 제공 부재로서, 상기 캐필러리(220)의 장축과 소정 각도를 이루는 부분을 포함한다. 이 부분은 그 단부가 캐필러리(220)의 선단과 마주하도록 설치되어야 하고, 바람직하게는 캐필러리(220)의 장축과 수직을 이루는 것이 좋다. 또한, 도면에 도시되지는 않았지만, 와이어 본딩 장치(200)는 캐필러리(220)로부터 돌출된 와이어(w)의 선단을 용융시키어 접착 볼을 형성시키는 방전 전극을 더 포함할 수 있다. 이 방전 전극 역시 xy 방향으로 이동 가능하다.
이와 같은 본 실시예의 와이어 본딩 장치(200)는 접착 볼(125)의 측면으로부터 와이어(127)를 연장시킬 수 있도록 캐필러리(220)의 장축이 본딩 스테이지(210) 표면과 평행할 수 있게 설치되며, 접착 볼(125)을 압착시키기 위한 압착 부재(230)를 포함한다. 이에 의해 와이어(127)는 와이어의 목 부분(접착 볼과 와이어의 연결 부분)의 단선을 방지하기 위하여 와이어(127)를 들어올리는 공정의 요구 없이 접착 볼의 측면으로부터 와이어(127)를 연장시킬 수 있게 된다.
본 실시예에서는 캐필러리(220)와 압착 부재(230)의 일 예를 설명한 것일 뿐, 이에 국한되는 것은 아니다. 와이어(w)를 본딩 스테이지(201)와 평행하는 방향으로 이동시킬 수 있는 캐필러리의 배치이면 모두 본 발명에 포함된다. 또한, 상기 압착 부재(230)는 상기 캐필러리(220)의 선단으로부터 돌출된 접착 볼 또는 와이어를 반도체 칩 또는 배선 기판에 압착시킬 수 있으면서 본딩 암(200)과 연결될 수 있는 형태이면 어떠한 형태이든 무관하다. 또한, 본 실시예에서는 와이어 또는 접착 볼을 압착시키는 부재를 압착 부재라 명명하였지만, 캐필러리로 명명하여도 상관없다.
<실험예>
접착 볼(125)을 25㎛ 직경으로 형성한 다음, 본 발명의 실시예와 같이 접착 볼(125)의 측부로부터 와이어(127)를 연장한다. 그 결과, 전체 와이어 루프(120)의 높이 약 25 내지 35㎛ 정도로 측정되었다.
종래의 킹크 높이가 있는 와이어 루프의 높이가 50 내지 60㎛ 인 것과 비교하여 볼때, 본 실시예의 와이어 루프는 종래의 와이어 루프보다 약 30% 가량 높이를 낮출 수 있다.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 와이어 본딩 공정시 접착 볼을 본딩한다음, 접착 볼의 측부로부터 와이어를 수평 방향으로 연장시킨다. 접착 볼의 측부로부터 와이어를 연장시키므로써, 단선을 방지하기 위하여 접착 볼 상부로 와이어를 들어올리지 않아도 되므로, 와이어 루프의 킹크 높이를 줄일 수 있다. 이에 따라, 와이어 루프의 전체 높이를 접착 볼의 직경 수준으로 낮출 수 있어, 전체 패키지의 두께를 낮출 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (12)

  1. 전극 패드를 갖는 배선 기판;
    상기 배선 기판 상부에 전극 패드가 노출되도록 부착되는 본딩 패드를 갖는 반도체 칩;
    상기 반도체 칩의 본딩 패드와 배선 기판의 전극 패드간을 전기적으로 연결시키는 와이어 루프로서, 상기 와이어 루프는 본딩 패드와 접착되는 접착 볼 및 접착 볼의 측부로부터 연장되어 상기 배선 기판의 전극 패드와 접착되는 와이어를 포함하는 반도체 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 접착 볼과 와이어의 연결 부분(neck portion)은 상기 반도체 칩의 표면과 수직을 이루는 접착 볼의 측면에 위치하는 반도체 디바이스.
  3. 캐필러리로부터 돌출된 와이어 선단에 접착 볼을 형성하는 단계;
    상기 접착 볼을 반도체 칩의 본딩 패드 상에 놓여지도록 캐필러리를 위치시키는 단계;
    상기 접착 볼을 상기 본딩 패드와 본딩시키는 단계;
    상기 접착 볼의 측부로부터 와이어가 연장되도록 캐필러리를 수평 방향으로 이동시키는 단계;
    상기 캐필러리의 와이어를 상기 배선 기판의 전극 패드와 열 압착시키는 단계; 및
    상기 와이어를 절단하는 단계를 포함하는 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 캐필러리는 상기 반도체 칩의 표면과 그것이 장축이 평행하도록 배치시키고,
    상기 와이어가 접착 볼의 측부로부터 연장되도록 상기 캐필러리를 뉘인 채로 이송시키는 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 접착 볼을 본딩 패드에 본딩시키는 단계는:
    상기 반도체 칩의 온도를 약 120 내지 250℃ 정도로 유지한 상태에서, 80 내지 150mA의 파워(power) 및 15 내지 30g의 힘(force)을 가하여 진행하는 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 접착 볼을 본딩시키는 단계시 60,000Hz 내지 100,000Hz의 초음파 진동을 가하는 것을 특징으로 하는 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 와이어와 상기 배선 기판의 전극 패드간의 열 압착 시 초음파를 인가하는 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법.
  8. 제 3 항에 있어서, 상기 와이어를 절단하는 단계 이후, 상기 캐필러리의 선단으로 돌출된 와이어에 접착 볼을 형성하는 단계로 피드백하는 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법.
  9. 제 3 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 와이어 선단에 접착 볼의 크기를 조절하여, 와이어 루프의 높이가 결정하는 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스의 형성방법.
  10. 반도체 칩과 배선 기판 사이를 와이어에 의해 연결시키는 와이어 본딩 장치로서,
    상기 반도체 칩과 배선 기판이 놓여지는 본딩 스테이지;
    상기 본딩 스테이지 상에 배치되며, 상기 와이어가 상기 본딩 스테이지 표면과 평행을 이룰 수 있도록 와이어를 지지하는 캐필러리;
    상기 캐필러리와 소정 각도를 이루는 방향에 위치되면서 상기 와이어를 상기 반도체 칩 또는 배선 기판에 압착시키는 압착 부재; 및
    상기 캐필러리 및 압착 부재와 연결되어, 상기 캐필러리 및 압착 부재를 소정 위치로 이동시키는 본딩 암을 포함하는 와이어 본딩 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 압착 부재는 상기 캐필러리와 수직을 이루는 부분을 포함하며, 상기 부분은 캐필러리의 선단부와 대응하는 와이어 본딩 장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 캐필러리 및 압착 부재는 동력 전달원과 연결되어 있는 와이어 본딩 장치.
KR1020060053902A 2006-06-15 2006-06-15 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치 KR100752664B1 (ko)

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