JPH01251627A - リード細線を有する電気装置の製造方法 - Google Patents

リード細線を有する電気装置の製造方法

Info

Publication number
JPH01251627A
JPH01251627A JP63201216A JP20121688A JPH01251627A JP H01251627 A JPH01251627 A JP H01251627A JP 63201216 A JP63201216 A JP 63201216A JP 20121688 A JP20121688 A JP 20121688A JP H01251627 A JPH01251627 A JP H01251627A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
thin
lead
bonded
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63201216A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazumi Takahata
高畠　和美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP63201216A priority Critical patent/JPH01251627A/ja
Publication of JPH01251627A publication Critical patent/JPH01251627A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4941—Connecting portions the connecting portions being stacked
    • H01L2224/49429—Wedge and ball bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4945—Wire connectors having connecting portions of different types on the semiconductor or solid-state body, e.g. regular and reverse stitches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85191—Translational movements connecting first both on and outside the semiconductor or solid-state body, i.e. regular and reverse stitches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/85951—Forming additional members, e.g. for reinforcing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 不発Ｅ）３は、半導体装置等のリード細ｍビ有する電気
装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
混成集積回路装置において１．多数の電極体の相互間暑
接続するリード細線をボールボンディング（ネールヘッ
ド′ボンディング）とステッチボンディングすることは
広〈実施されている。
〔発明が解決しようとする問題点゛〕
ところで、ボールボンディング部はリード細線の直径の
２〜３倍のボールビ形成して固着した部分であるので、
比較的に高い信頼性を有している。
一方、ステッチボンディング部はリード細線を押し潰し
た状態に形成されているので、ボールボンディング部よ
りも弱く結合されている。従って。
ステッチボンディング部の結合強度の向上が要望さＩし
ている。また、リード細線を有する混成集積回路装置の
小型化が要求されている。
そこで１不発ＥＵは１．″Ｘ、チッチボンディング部の
強度の向上が可能であると共に、装置の小型化が可能な
リード細線ン有する電気装置の製造方法を提供すること
にある。
〔問題点ン解決するための手段〕
上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、第１の被ボンディング部分と第２の被ボンディング
部分を接続する第１の配線用リード細線と、前記第２の
被ボンディング部分と第３の被ボンディング部分又は前
記第１の被ボンディング部分とを接続する第２の配線用
リードａｌｆｊ！とン有する′ＩＩｔ気装置の製造方法
において、キャピラリから繰り出さｎ７’（細線を前記
第１の被ボンディング部分にポールボンディングした後
に前記第２の被ポンディング部分にステッチボンディン
グし、次に、前記キャピラリから繰り出された細線を前
記ステッチボンディング部分の少なくとも一部？覆うよ
うにポールボンディングし、しかる後、前記第３の被ボ
ンディング部分又は前記第１の被ボンディング部分にス
テッチボンディングすることを特徴とするリード細線を
有する１勿装置の製造方法に係わるものである。
〔作　用］ 上記発明においては、第２の被ボンディング部分に第１
の配線用リード細線が、ステッチボンディングされた後
に、少なくともこの一部を含むようにポールボンディン
グを行って第２の配線用リード細ｋｗ設ける。こｒしに
より、ステッチボンディング部がポールボンディングに
よって補強さＦＬる。
また、第２の被ボンディング部分における第２の配線用
リード細線の接続のための面積を低減することができる
。
〔実施例〕
次に１本発明の一実施例に係わる混成集積回路装置の製
造方法を第１図〜第３因によって説明する。
完成した混成集積回路の一部？説明的に示す第１図にお
いて、第１の支持板１の上に第１の半導体素子としての
モノリシックＩＣチップ２が半田（図示せず）で固着さ
れ、また第２の支持板３の上に第２の半導体素子として
のパワートランジスタチップ４が半田（図示ゼず）で固
着されている。
第１及び第２の支持板１．３ｉ！Ｊ−ドフレームの一部
であって、ここに外部リードが連結されている。リード
フレームは更に、非連結外部リード７゜８．９等ン有す
る。ＩＣチップ２は、上面に複数の金属電極１０．１７
．７２，１３．１４．１５．１６′￥有し、下面に第３
図に示す金属電極１７を鳴丁ル。パワートランジスタチ
ップ３は上面にエミッタ電極１８とベース電極１９とを
有し、下面に第３図に示すコレクタ電極２０を有する。
ＩＣチップ２における第１の被ボンディング部分として
の電極１１とトランジスタチップ４における第２の被ボ
ンディング部分としてのエミッタ電極１８とは第１の配
線用リード細線２１ａで接続サレ、エミッタ電極１８と
第３の被ボンディング部分としての外部リード９とは第
２の配線用リード細ａ２１ｂで接続されている。他の電
極相互間及び電極と外部リード７．８との間は別の配線
用リード細線２２でそれぞれ接続されている。ここで５
重要なことは、第１の配線用リード細線２１ａの一端が
ポールボンディングで電極１１に接続すれ、他端がステ
ッチボンディングでエミッタ電極１８に結合され、第２
の配線用リードａｌｌ線２１ｂの一端が第１の配線用リ
ード細線２１のステッチボンディング部分の少なくとも
一部ビ覆うようにポールボンディングされ、他端が外部
リード９にステッチボンディングされていることである
。
第１図で破線２３で示す部分は絶縁性合成樹脂によって
被覆される。なお、電極１０〜１６、エミッタ［極１８
．及びベース電極１９はアルミニウム電極であり、第１
及び第２の配線用リード細Ｍ２１ａ、２１ｂ及びその他
のリード細線２２は金（Ａｕ　）　ＭｆＩ線である。
次に、第１及び第２の配線用リード細線２１ａ。
２１ｂのボンディング方法を第３図ン参照して詳しく述
べる。まず、第３図囚に示す如く、ワイヤボンダのキャ
ピラリ２４の中央のワイヤ繰り出し孔２５から繰り出さ
れている細線２１の先端に電気スパークまたは水素炎に
てポール２（５’ａ’２形成する。ここで、ボール２６
ａの直径は細線２１の直径の２〜３倍Ｑてする。
次に、第３図（ＢＪに示すように、第１の被ボンディン
グ部分である電極１１ＶＣポール２６ａＹキヤピラリ２
４の先端加工面で押し付ける。このとき、電極１１は加
熱されており、キャピラリ２４には電極１１の表面と平
行する方向に超音波による撮動が腑見られている。これ
により、熱圧着ボンディングと超音波ボンディングの併
用により、電極１１に、！８８２１が釘頭状に接続され
たポールボンディング部２６が形成される。
次いで、第３図（Ｃ）に示すように、キャピラリ２４を
細線２１娶繰り出しながら上昇させて大きく引き回すよ
うにして、第２の被ボンディング部分であるエミッタ電
極１８に向って移動する。
次に、第３図０に示すように、エミッタ電極１８に対し
てＭＢ線２１ビキャビラリ２４の加圧面にて押し当て、
細線２１ン押し潰してエミッタ電極１８に接続する。こ
れにより、ステッチボンディング部２７が形成さＴしる
。このとき、エミッタ電極１８は加熱されており、キャ
ピラリ２４には前述のように超音波撮動が謔えられてい
る。
次に、第３図■に示すように、キャピラリ２４？所定の
高さまで上昇さセ、細線２１をキャピラリ２４から１繰
り出さないように固定した状態としてキャピラリ２４を
更に上昇させて細線２１を切断する。細ａ２１はステッ
チボンディング部２７で押し潰されているので、第３図
［Ｆ］に示す如くステッチボンディング部２７の端部で
切断され、細！！２１がキャピラリ２４から賂一定量だ
け導出された状態になる。以上の工程で電極１１とエミ
ッタ電極１８とが第１の配線用リード細線２１ａで接続
される。
次に、第３図（Ｇ）に示すようにキャピラリ２４から導
出されているａ３線２１娶火花又は炎で加熱してボール
２３ａを第６図（２）と同様に形成する。
次に、このボール２８ａｋステツチボンディング部２７
の上にキャピラリ２４で押し付けて第３図■の場合と同
一の方法でポールボンディング部２８を第３図（Ｈｌに
示すように形ａ：する。
次に、キャピラリ２４乞第６図ｆＩＩに示すように上昇
させ、第３の被ワイヤボンディング部分としての外部リ
ード９の先端部上に移動させ、第３図（Ｊｌに示す如く
ステッチボンディング部２９ン第６図［Ｆ］の工程と同
一の方法で形成する。なお、第３図ｆＪｌは第２図のＪ
−Ｊ線に対応する断面図である。
その後、キャピラリ２４を第３図■［Ｆ］と同様に移動
し、Ｊ［１２１を、ステッチボンディング部２９から切
断する。これにより、エミッタ電極１日と外部リード９
とが第２の配線用リード細線２１ｂで接続される。第２
の配線用リードａ線２１ｂは第２図に示す如く第１の配
線用リード細線２１ａの延びる方向に対して略直角な方
向に延びている。
また、ポールボンディング部２８はステッチボンディン
グ＠２フ及し゛この近傍のリード細＠　２１　ａの両方
ビ覆い且つこれ等乞跨ぐように形成されている。
本実施例は次の利虞を有する。
＋Ｉ＋　　ポールボンディング部２８にステッチボンデ
ィング部２７及びこの近傍のリード細線２ｉａ乞跨ぐよ
うに形成するので、ステッチボンディング部２７ＶＣよ
る接続の補強が達成される。−！た。
ステッチボンディング部２７とポールボンディング部２
９０合計の肉厚が４０〜５０〃ｍとなるため、ステッチ
ボンディング部２７のみの厚さ（約１０μｍ）よりも大
＠に厚くなる。この結果、ボンディング終了後に、装置
？高温放置試験（例えば２００℃、２０時間放置）にか
けることによってＡＩから成るエミッタ電極１８とＡｕ
′ｆＪ）ら成るリード細線２１ａとに基づ＜　ＡｕＡｌ
２．　ＡＬＩＡＩ等から成るＡｕ　−Ａ１合金層の成長
が生じても、この合金層がステッチボンディング部２７
とポールボンディング部２８との組み合セボンディング
部の全部に及ぶことはない。このため、クラックに基づ
く接続不良の発生が防止される。もし、約１０μｍのス
テッチボンディング部２７のみであれば、Ａｕ　−Ａ１
合金層が略全部に拡がり、クラックによる接続不良が発
生する。
（２）エミッタ電極１８上に第２”の配線用リード、ｉ
線２１ｂビ接続するための独豆のスペースヲ設けること
が不要になるので、エミッタ電極１８の面積を小さくす
ることができる。
〔他の実施例〕
第５図は本発明の別の実施例に係わる混成集積回路の一
部を示す平面図である。この実施例は。
第１の被ボンディング部分と第２の被ボンディング部分
を接続する第１の配線用リード細線と、第２の被ボンデ
ィング部分と第３の被ボンディング部分を接続する第２
の配線用リード細線とを有する電気装置の製造方法にお
いて、キャピラリから繰り出された細線を前記第１の被
ボンディング部分にボールボンディングした後にリード
フレーム上に載置された中継部材の主面に形成されてお
り。
かつリードフレームと電気的に絶縁されている第２の被
ボンディング部分にステッチボンディングし１次に、キ
ャピラリから繰り出された細線を第２の被ボンディング
部分に形成されたステッチボンディング部分の少なくと
も一部を覆うよ５にボールボンディングし、しかる後、
第３の被ボンディング部分にステッチボンディングする
方法に関する。
第５図から明らかなように、リードフレームの支持板３
１の上面にはモノリシックＩＣチップ３２が半田（図示
せず〕を介して固着されており。
モノリシックＩＣチップ３２の側方には中継部材３３が
接着剤（図示せず）′？：介して固着されている。中継
部材３３はセラミックス等の絶縁材料から成る基板３４
の１面に銀−パラジウム等から成る電極体３５を有する
ものである。なお、電極体３５は下方の支持板３１と電
気的に絶縁されている。本実施例ではモノリシックＩＣ
ラッグ３２上に形成された第１の金属電極６６と第１の
外部リード３７とは１本のリード細線３８で電気的に接
続されているが、外部リード、の配置さ２’した側から
遠い位置にある第２の金属電極３９と第２の外部リード
４０とは中継部材３３ン介して２本のＩＪ−ド細ａ４１
．４２によって電気的に接続されている。このため、第
２の金属電極３９と第２の外部リード４０とを１本のリ
ード細線で接続した場合に比べてリード細線の接続距離
が減少するからり一ド細線の大きな垂下を制限すること
ができる。
本実施例では第２の金属電極３９が第１の被ボンディン
グ部分、中継部材３３の電極体３５が第２の被ボンディ
ング部分、そして第２の外部リード４０７ｊＺ第３の被
ボンディング部分となる。また。
リード細線４１．４２はそれぞれ第１の配線用リード細
線と第２の配線用リード細線となる。リード細線４１は
第２の金属１極３９にボールボンディングされた後、電
極体３５にステッチボンディングされている。また、リ
ード細ａ４２は電極体３５にリード細線４１のステッチ
ボンディング部分の少なく°とも一部を覆うよ５にボー
ルボンディングされた後に、第２の外部リード４０にス
テッチボンディングされている。
第５図の実施例では第１図〜第６図に示す実施例ト同様
に第２のボンディング部分の接続強度を増加することが
できる。また、第２の被ポンディング部分（電極体３５
）の面積？減少できるため中継部材６３を小型化でき、
高密度実装やコストの点で有力となる。また、電極体６
５の面積を小さく形成できるために電極体３５と支持板
３１との間のギヤパシタンス（対地容量〕を減少するこ
とができる。さらに、リード細線４１と４２が直接に接
続されているために、電極体３５の電気抵抗の回路特性
への影響が回避できる。なお、中継部材３３はリードフ
レームの支持板３１以外の部分に固着されていてもよい
。
〔変形例〕
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく。
例えば次の変形が可能である。
＋Ｉ＋　　第４図に示す如く、第２の配線用リード細ａ
２１ｂｉｃより”（Ｉ　Ｃ−ｙ”ｚプ２（Ｄ電極１１　
とｘｉフッタ極１８とを接続してもよい。これにより、
画電極１１．１３間が二重に接続され、配線の電流容量
を増大させることが可能になり、且つ第２の配線用リー
ド細線２１ｂの一端のボールボンディング部２８がステ
ッチボンディング部２７の補強に寄与する。
（２１第２の配線用リード細！ｉｊ２　ｌ　ｂの面端を
リードフレーム９及び１ｃテツプ２以外の第３の手導体
素子に接続する場合にも適用可能である。
〔発明の効果〕
１述から明らかなように５本発明によれば、ステッチボ
ンディング部の補強を達成することができると共に、″
４１ボンディング部分の面積を小さくすることができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係わる混成集積回路装置の
一部を説明的に示す平面図。 第２図は第１図の一部を拡大して示す平面図。 第３図囚〜（Ｊ＋はボンディングを工程順に示す断面図
。 第４図は変形例の混成集積回路装置の一部を示す平面図
。 第５図は別の実施例に係わる混成集積回路装置の一部？
示す平面図である。 ２・・モノリシックＩＣチップ、４・・・パワートラン
ジスタチップ、９・・・外部リード、１１・・・電極。 １８・・・工ξツタ電極、２１ａ・・・第１の配線用リ
ード細線、２１ｂ・・・第２の配線用リード細線、２４
・・・キャピラリ、２６・・・ポールボンディング部、
２７・・・ステッチポンディング部、２８・・・ポール
ボンディング部、２９・・・ステッチポンディング部。 代　　理　　人　　　高　　野　　則　　次第１図 第２図　　　−０ 第３図 第３図 ２１ａ 第３図 第４図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　第１の被ボンディング部分と第２の被ボンディング部
    分を接続する第１の配線用リード細線と、前記第２の被
    ボンディング部分と第３の被ボンディング部分又は前記
    第１の被ボンディング部分とを接続する第２の配線用リ
    ード細線とを有する電気装置の製造方法において、 キャピラリから繰り出された細線を前記第１の被ボンデ
    ィング部分にボールボンディングした後に前記第２の被
    ボンディング部分にステッチボンディングし、次に、前
    記キャピラリから繰り出された細線を前記ステッチボン
    ディングの部分の少なくとも一部を覆うようにボールボ
    ンディングし、しかる後、前記第３の被ボンディング部
    分又は前記第１の被ボンディング部分にステッチボンデ
    ィングすることを特徴とするリード細線を有する電気装
    置の製造方法。
JP63201216A 1987-12-30 1988-08-12 リード細線を有する電気装置の製造方法 Pending JPH01251627A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63201216A JPH01251627A (ja) 1987-12-30 1988-08-12 リード細線を有する電気装置の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62-336115 1987-12-30
JP33611587 1987-12-30
JP63201216A JPH01251627A (ja) 1987-12-30 1988-08-12 リード細線を有する電気装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01251627A true JPH01251627A (ja) 1989-10-06

Family

ID=26512661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63201216A Pending JPH01251627A (ja) 1987-12-30 1988-08-12 リード細線を有する電気装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01251627A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353267A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワイヤボンディング方法
KR100388295B1 (ko) * 2000-10-26 2003-06-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 와이어 본딩 구조 및 그 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5712530A (en) * 1980-06-27 1982-01-22 Hitachi Ltd Wire bonding method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5712530A (en) * 1980-06-27 1982-01-22 Hitachi Ltd Wire bonding method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100388295B1 (ko) * 2000-10-26 2003-06-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 와이어 본딩 구조 및 그 방법
JP2002353267A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワイヤボンディング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6215182B1 (en) Semiconductor device and method for producing the same
US6316838B1 (en) Semiconductor device
JP5529371B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4823089B2 (ja) 積層型半導体装置の製造方法
JP2819284B2 (ja) 半導体パッケージ用基板およびその製造方法と その基板を利用した積層型半導体パッケージ
JP2509422B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3865055B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06302653A (ja) 半導体装置
JPH11177020A (ja) 半導体実装構造およびその実装方法
JPH02184054A (ja) ハイブリッド型樹脂封止半導体装置
JPH10256470A (ja) 半導体装置
JP2007214238A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH01251627A (ja) リード細線を有する電気装置の製造方法
JPH10335368A (ja) ワイヤボンディング構造及び半導体装置
JPH10335366A (ja) 半導体装置
JPH1056030A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2810626B2 (ja) 半導体装置
JP4646789B2 (ja) 半導体装置
JP2004079923A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH09293905A (ja) 半導体素子及びその製造方法
JPS62196839A (ja) ハイブリツド型半導体装置
JPH0736436B2 (ja) 絶縁物封止型半導体装置
JP2503029B2 (ja) 薄型構造の半導体装置の製造方法
JPH0546271Y2 (ja)
JPH0225043A (ja) リード細線の垂下防止構造を有する電子部品