JP2007214238A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体チップを積層したチップスタック構造の信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 配線電極１０１を有する配線基板１００上に、第一の電極パッド１０５を有する第一の半導体チップ１０４を搭載し、配線電極１０１と第一の電極パッド１０５を、第一の導電性ワイヤ１０６により電気的に接続した後、第一の樹脂封止体層１０８により封止し、この樹脂封止体層１０８を研削して第一の導電性ワイヤ１０６を分断して樹脂封止体層１０８の研削面に露出させる。そして、この第一の樹脂封止体層１０８上に、第二の電極パッド１１１を有する第二の半導体チップ１１０を搭載し、第一の樹脂封止体層１０８の研削面に露出された第一の導電性ワイヤ１０６と第二の電極パッド１１１を第二の導電性ワイヤ１１２により電気的に接続し、第二の樹脂封止体層１１３により封止する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法、特に半導体チップを３次元的に積層して配置したチップスタック構造のＳＩＰ（System In Package；以下ＳＩＰと記載する）およびその製造方法に関する。

近年、半導体パッケージの小型化と多機能化への要求が高まる中、一つの半導体パッケージ内部に各種の機能を有する複数の半導体チップを３次元的に積層し、互いにワイヤボンディングにより電気的に接続するチップスタック構造のＳＩＰが注目を浴びている。

現在のＳＩＰは、半導体チップ上にこれと同等以上のチップサイズを有する半導体チップを積層する場合、下層の半導体チップ上面の周縁部に形成された電極パッドに導電性ワイヤをボンディングするため、上、下層の半導体チップ間にスペーサを挟むことにより、下層の半導体チップの電極パッド上に一定のスペースを設けている。（例えば、特許文献１参照）。

一般的に上述の構造を有するＳＩＰでは、スペーサは下層の半導体チップの電極パッド形成部を避けて半導体チップの中央付近に設けられる。一方、上層に配置される半導体チップは、下層の半導体チップと比較してチップサイズが同等以上であるため、通常、上層の半導体チップの電極パッドが形成された周縁部は、スペーサに支持されていない中空状態になる。その結果、上層の半導体チップの電極パッドに導電性ワイヤをボンディングする際、中空状態である半導体チップの周縁部に一定の圧力がかかるため、中空状態の半導体チップ周縁部がたわみ、ボンディング性の劣化や半導体チップにクラックが発生するという問題が発生する場合がある。従って、現在のところ、チップスタック構造のＳＩＰにおける十分な信頼性を確保するには至っていない。
特開２００３−７９６３（図１）

本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、信頼性の高いチップスタック構造の半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体装置は、表面に配線電極を有する配線基板と、前記配線基板上に搭載された第一の電極パッドを有する第一の半導体チップと、第ｎ（ｎは１以上の整数）の電極パッドを有する第ｎの半導体チップ面上に樹脂封止体層を介して搭載された第ｎ＋１の電極パッドを有する第ｎ＋１の半導体チップと、前記第ｎの電極パッドと前記配線電極又は前記第ｎ＋１の電極パッドを電気的に接続する導電性ワイヤ群を備えたことを特徴とする。

また、本発明の別の態様の半導体装置は、表面に配線電極を有する配線基板と、前記配線基板の前記配線電極を有する面上に形成された第一の樹脂封止体層と、前記第一の樹脂封止体層で覆われつつ、前記配線基板上に搭載された第一の電極パッドを有する第一の半導体チップと、前記第一の樹脂封止体層で覆われつつ、第一の端部がそれぞれ前記第一の電極パッド及び前記配線電極のいずれか一方にワイヤボンディング接続され、かつ第二の端部がそれぞれ前記第一の樹脂封止体層表面に露出された第一の導電性ワイヤ群と、第ｎ（ｎは１以上の整数）の樹脂封止体層上に積層された第ｎ＋１の樹脂封止体層と、前記第ｎ＋１の樹脂封止体層で覆われつつ、前記第ｎの樹脂封止体層上に搭載された第ｎ＋１の電極パッドを有する第ｎ＋１の半導体チップと、前記第ｎ＋１の樹脂封止体層で覆われつつ、第一の端部がそれぞれ第ｎの導電性ワイヤ群の第二の端部にワイヤボンディング接続され、かつ第二の端部がそれぞれ前記第ｎ＋１の電極パッドにワイヤボンディング接続された第ｎ＋１の導電性ワイヤ群を備えたことを特徴とする。

また、本発明の別の態様の半導体装置の製造方法は、配線電極が形成された配線基板上に接着剤を介して第一の電極パッドを有する第一の半導体チップを固着する工程と、前記配線電極と前記第一の電極パッドを、第一の導電性ワイヤ群によりワイヤボンディング接続する工程と、前記配線基板上で、前記第一の半導体チップ及び前記第一の導電性ワイヤ群を第一の樹脂封止体層により封止する工程と、前記第一の樹脂封止体層を研削して、前記第一の導電性ワイヤ群を分断し前記第一の樹脂封止体層の研削面に前記第一の導電性ワイヤ群の分断端部を露出する工程と、前記第一の樹脂封止体層上に接着剤を介して第二の電極パッドを有する第二の半導体チップを固着する工程と、前記第一の樹脂封止体層の研削面に露出された前記第一の導電性ワイヤ群の前記分断端部と前記第二の電極パッドを、第二の導電性ワイヤ群によりワイヤボンディング接続する工程と、前記第一の樹脂封止体層上で、前記第二の半導体チップ及び前記第二の導電性ワイヤ群を第二の樹脂封止体層により封止する工程を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、信頼性の高いチップスタック構造の半導体装置およびその製造方法を提供することができる。

以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照して説明する。

図１及び図２は、本発明の実施例１に係るチップスタック構造の半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。以下、図１及び図２を参照して、実施例１に係るチップスタック構造の半導体装置をその製造方法と共に説明する。

まず、図１（ａ）に示すように、配線基板１００を用意する。この配線基板１００の表面（上面）には、例えば、ＡｌやＣｕ等の金属被膜からなる配線電極１０１が複数形成され、反対の表面（下面）にはスルーホール（図示せず）を介して配線電極１０１と電気的に接続された外部電極１０２が形成されている。

次に、配線基板１００の上面に配線電極１０１を避けて第一の接着剤１０３を塗布する。この第一の接着剤１０３としては、例えば、エポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂、あるいは放熱性を考慮してＡｇペースト等のような熱伝導性の高い樹脂が用いられる。

次に、配線基板１００の上面に第一の接着剤１０３を介して第一の半導体チップ１０４を搭載し、固着する。この第一の半導体チップ１０４の内部には、回路機能を構成するデバイス等が形成され、チップ上面の周縁部には、デバイス等と電気的に接続された例えばＡｌやＣｕ等の金属被膜からなる複数の第一の電極パッド１０５が形成され、さらに半導体チップ１０４の上面には、第一の電極パッド１０５の少なくとも一部を残し、外部応力等から半導体チップを保護するため、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂等を構成材料とするパッシベーション膜（図示せず）が形成されている。

次に、図１（ｂ）に示すように、配線基板１００の配線電極１０１と第一の半導体チップ１０４の第一の電極パッド１０５を、第一の導電性ワイヤ群１０６により電気的に接続する。この第一の導電性ワイヤ群１０６は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を主成分としたものが使用される。配線電極１０１と第一の電極パッド１０５の電気的な接続は、周知のワイヤボンディングにより行う。以下に、図３を参照して本実施例に係るワイヤボンディング工程を説明する。

図３は、本実施例に係るワイヤボンディング工程を示す説明図である。まず、図３（ａ）に示すように、配線電極１０１上方に、第一の導電性ワイヤ１０６が挿通されたキャピラリ２００を配置する。このとき、キャピラリ２００に挿通された第一の導電性ワイヤ１０６は、クランパ２０１によって固定されている。さらに、第一の導電性ワイヤ１０６の先端部に、例えば電気トーチによって高電圧の放電を行うことにより、ボール１０７を形成する。

次に、図３（ｂ）に示すように、クランパ２０１を開放してキャピラリ２００を降下させて配線電極１０１上にボール１０７を押圧し、ボール１０７を一定の圧力で配線電極１０１に押圧している間、超音波又は熱等を印加することにより、第一の導電性ワイヤ１０６のボール１０７を配線電極１０１にボンディングする。この第一の導電性ワイヤ１０６の先端部のボール１０７を最初に被ボンディング面にボンディングすることを、以下ボールボンディングという。

次に、図３（ｃ）に示すように、キャピラリ２００及びクランパ２０１を同時にコントロールしてループを形成し、第一の導電性ワイヤ１０６の一部を第一の電極パッド１０５に圧着し、超音波又は熱等を印加することによりボンディングする。このようにボールボンディングした導電性ワイヤを別の被ボンディング面にボンディングすることを、ステッチボンディングという。そして、クランパ２０１で導電性ワイヤ１０６をクランプした後、ボンディング部より導電性ワイヤ１０６を引きちぎる。

ここで、導電性ワイヤ１０６のボンディングにおいて、図３（ｃ）に示すように、半導体チップ１０４の第一の電極パッド１０５にステッチボンディングを行った場合の導電性ワイヤ１０６と半導体チップ１０４の上面のなす角度Φ１は、図３（ｄ）に示すように、半導体チップ１０４の第一の電極パッド１０５にボールボンディングを行った場合の導電性ワイヤ１０６と半導体チップ１０４の上面がなす角度Φ２に比べて小さくなる。従って、上述のように、導電性ワイヤ１０６を配線電極１０１にボールボンディングし、半導体チップ１０４の第一の電極パッド１０５にステッチボンディングをする方が、逆の順序でワイヤボンディングする場合に比べて、第一の電極パッド１０５の上方における導電性ワイヤ１０６のループ高さが低くなり、上層の半導体チップとの間隔を狭めることができ、チップスタック型の半導体装置の小型化が可能になる。

引き続いて、図１（ｂ）に示すように、配線基板１００の上面において、第一の半導体チップ１０４および第一の導電性ワイヤ１０６を第一の樹脂封止体層１０８により封止する。この第一の樹脂封止体層１０８は、絶縁性の樹脂材料、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により構成される。

次に、図１（ｃ）に示すように、第一の樹脂封止体層１０８上面をグラインダ（図示せず）により研削し、第一の導電性ワイヤ群１０６を第一の樹脂封止体層１０８の研削面上に露出させると共に導電性ワイヤ群１０６を一対の第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２に分断する。この分断により一方の第一の導電性ワイヤ群１０６−１は、第一の端部１０６−１ａが配線電極１０１に接続され、分断端部である第二の端部１０６−１ｂが研削面に露出されており、この第二の端部１０６−１ｂは何処にも接続されない自由端となっている。また、他方の導電性ワイヤ群１０６−２は、第一の端部１０６−２ａが第一の電極パッド１０５に接続され、分断端部である第二の端部１０６−２ｂが研削面に露出されており、この第二の端部１０６−２ｂは何処にも接続されない自由端となっている。

ここで、図１（ｃ）では、この研削により、全ての第一の導電性ワイヤ１０６を分断して研削面に露出しているが、全ての導電性ワイヤ１０６を分断しなくとも、少なくとも一部の導電性ワイヤ１０６を研削面に露出すればよい。

次に、図１（ｄ）に示すように、研削した第一の樹脂封止体層１０８の上面に第二の接着剤１０９を塗布し、この第二の接着剤１０９を介して第二の半導体チップ１１０を搭載し、固着する。ここでは、第二の半導体チップ１１０のチップサイズは、第一の半導体チップ１０４のチップサイズに比較して同等以上となっている。

また、第二の半導体チップ１１０は、第一の樹脂封止体層１０８の表面に露出された第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２を全て塞いでしまわないように中央部に設けられる。なお、第二の接着剤１０９には、第一の接着剤１０３と同様に、エポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂、あるいはＡｇペースト等のような熱伝導性の高い樹脂を用いる。

また第二の半導体チップ１１０は、第一の半導体チップ１０４と同様、チップ内部に、回路機能を構成するデバイスが形成され、上面の周縁部には、デバイスと電気的に接続された、例えばＡｌやＣｕ等で金属被膜からなる複数の第二の電極パッド１１１を有している。さらには、第二の電極パッド１１１の少なくとも一部を残し、外部応力等から半導体チップを保護するため、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂等のパッシベーション膜（図示せず）が形成されている。

次に、図２（ａ）に示したように、第一の樹脂封止体層１０８の上面に露出された第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２の所定の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂと第二の半導体チップ１１０の所定の第二の電極パッド１１１とを、第二の導電性ワイヤ群１１２によりワイヤボンディング接続して電気的に接続する。

例えば、第一の樹脂封止体層１０８の上面に露出された一方の第一の導電性ワイヤ群１０６−１の第二の端部１０６−１ｂに、第二の導電性ワイヤ群１１２−１の第一の端部１１２−１ａをボールボンディングし、次に、この第二の導電性ワイヤ群１１２−１の第二の端部１１２−１ｂを第二の電極パッド１１１にステッチボンディングする。また、第一の樹脂封止体層１０８の上面に露出された第一の導電性ワイヤ群１０６−２の第二の端部１０６−２ａに第二の導電性ワイヤ群１１２−２の第一の端部１１２−２ａをボールボンディングし、次に、この第二の導電性ワイヤ群１１２−２の第二の端部１１２−２ｂを第二の半導体チップ１１０の第二の電極パッド１１１にステッチボンディングする。

ここで、第二の導電性ワイヤ群１１２−１、１１２−２は、第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２と同様に、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を主成分とする材料により構成されている。

これにより、配線基板１００の配線電極１０１と第二の半導体チップ１１０の第二の電極パッド１１１は、一方の第一及び第二の導電性ワイヤ群１０６−１、１１２−１により互いに電気的に接続される。また、第一の半導体チップ１０４の第一の電極パッド１０５と第二の半導体チップ１１０の第二の電極パッド１１１は、他方の第一及び第二の導電性ワイヤ群１０６−２、１１２−２により互いに電気的に接続される。

次に、図２（ｂ）に示すように、第一の樹脂封止体層１０８上において、第二の半導体チップ１１０、第二の導電性ワイヤ群１１２−１、１１２−２を第二の樹脂封止体層１１３により封止する。ここで、第二の樹脂封止体層１１３は、第一の樹脂封止体層１０８と同様に、絶縁性の樹脂材料、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により構成されている。そしてさらに、例えば配線基板１００の外部電極１０２に半田ボールからなる外部端子１１４を形成する。

以上の工程により、第一の半導体チップ１０４の上層に同等以上のチップサイズを有する第二の半導体チップ１１０が積層されたチップスタック構造の半導体装置を製造することができる。

上述の実施例によれば、第一の半導体チップ１０４の上層に配置された第二の半導体チップ１１０の第二の電極パッド１１１に第二の導電性ワイヤ群１１２−１、１１２−２をボンディングする際、第二の半導体チップ１１０全体が第一の樹脂封止体層１０８に支持されているため、第二の半導体チップ１１０が部分的にたわむことはなく、ボンディング性の劣化やチップクラックの発生を防止することができる。従って、チップスタック構造の半導体装置の信頼性を向上することが可能となる。

また、本実施例に係る半導体装置は、半導体チップ上にこれと同等以上サイズの半導体チップを積層した従来構造の半導体装置と異なり、積層される上下の半導体チップの電極パッド間を電気的に接続する際に、配線基板上の配線電極を介さずに直接導電性ワイヤにて接続することが可能となるため、配線基板上の配線電極に導電性ワイヤをワイヤボンディングする必要がなくなり、従来の半導体装置に比べて小型化することができる。

（実施例１の変形例）
図４は上記実施例１のチップスタック構造の半導体装置の変形例を示す断面図で、本変形例では、三層のチップスタック構造の半導体装置の例を示す。

すなわち、図４に示したように、図１（ｃ）〜図１（ｄ）及び図２（ａ）〜図２（ｂ）までの工程をさらに繰り返すことにより、第二の半導体チップ１１０上に、第三の接着材１１５を介して第三の半導体チップ１１６を積層し、第二の導電性ワイヤ１１２−１、１１２−２が研削により分断されて、第二の樹脂封止体層１１３の研削面に露出した第二の導電性ワイヤ群１１２に第三の導電性ワイヤ群１１８をそれぞれボールボンディングし、さらに第三の半導体チップ１１６の所定の第三の電極パッド１１７にステッチボンディングし、第三の樹脂封止体層１１９で封止している。

本変形例によれば、実施例１と同様に従来の半導体装置に比べて、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

また本変形例のように２以上の半導体チップが積層された半導体装置においても、第ｎ（ｎは１以上の整数）の半導体チップ上に、第ｎ＋１の半導体チップを積層する際において、第ｎ＋１の導電性ワイヤを第ｎの導電性ワイヤの分断端部にボールボンディングし、次に第ｎ＋１の半導体チップの第ｎ＋１の電極パッド上にステッチボンディングする方が、半導体装置の小型化を図る上で有利となる。

本発明の実施例２に係る半導体装置及びその製造方法について、図１及び図５を参照して説明する。図５は、本発明の実施例２に係るチップスタック構造の半導体装置の製造方法を示す工程図である。本実施例は、第二の半導体チップ１１０の第二の電極パッド１１１及び第一の導電性ワイヤ１０６群の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂにバンプを設け、その第二の電極パッド１１１のバンプに複数の第二の導電性ワイヤ１１２−１、１１２−２を重ねてワイヤボンディング接続することを特徴とする。以下、本実施例の説明において、上述の実施例１に係る半導体装置の製造方法と同様の部分については詳細な説明を省略する。

まず、実施例１と同様に、図１（ａ）に示すように、配線基板１００上に第一の接着剤１０３を塗布し、第一の半導体チップ１０４を第一の接着剤１０３を介して配線基板１００上に固着する。

次に、図１（ｂ）に示すように、配線基板１００の配線電極１０１に導電性ワイヤ１０６をボールボンディングし、第一の電極パッド１０５にステッチボンディングして配線電極１０１と第一の電極パッド１０５を電気的に接続した後、配線基板１００上において第一の半導体チップ１０４及び第一の導電性ワイヤ１０６を第一の樹脂封止体層１０８により封止する。

続いて、図１（ｃ）に示すように、第一の樹脂封止体層１０８上面をグラインダ（図示せず）により研削して、第一の導電性ワイヤ１０６を第一の樹脂封止体層１０８の研削面上に露出させると共に導電性ワイヤ１０６を一対の第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２に分断する。

次に、図１（ｄ）に示したように、第一の樹脂封止体層１０８上に、接着剤１０９を介して、第二の半導体チップ１１０を固着する。

次に、本実施例では、図５（ａ）に示したように、第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂ及び第二の電極パッド１１１にそれぞれバンプ１２０、１２１、及び１２２を形成する。

ここで、図６を参照して、このバンプ１２０、１２１、及び１２２の形成方法を示す。図６に示したように、本実施例では、例えばＡｕ、Ｃｕ等からなる導電性ワイヤ３００の先端部にボールを形成し、このボールを第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂ、並びに第二の電極パッド１１１にそれぞれ圧着した後、このボール部分を導電性ワイヤ３００から切り取ることによって、バンプ１２０、１２１、及び１２２を形成する。

また、第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂ、或いは第二の電極パッド１１１へ導電性ワイヤ３００を圧着する時に加える熱量を変更すること等により、導電性ワイヤ３００の先端部のボールのサイズを調節し、バンプ１２０、１２１、１２２の大きさを調節することができる。これにより、電極等のワイヤボンディング可能面積を調節することが可能となる。

次に、図５（ｂ）を参照して、本実施例に係る半導体装置のワイヤボンディング方法を示す。図５（ｂ）は、本実施例に係る半導体装置のワイヤボンディング工程を示す平面図である。図５（ｂ）に示すように、第二の導電性ワイヤ群１１２−１、１１２−２を第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂに設けられたバンプ１２０、１２１にそれぞれボールボンディングし、さらに第二の導電性ワイヤ１１２−１、１１２−２を特定の第二の電極パッド１１１に設けられたバンプ１２２にステッチボンディングすることにより、第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２と第二の電極パッド１１１をそれぞれ電気的に接続する。

またここでは、図５（ｂ）に示すように、第二の導電性ワイヤ１１２−１、１１２−２の２本を、第二の電極パッド１１１に設けられたバンプ１２２に重ねてボンディングしたが、例えば別の態様として、第一の導電性ワイヤ１０６−１の第二の端部１０６−１ｂに設けられたバンプ１２０あるいは第一の導電性ワイヤ１０６−２の第二の端部１０６−２ｂに設けられたバンプ１２１に、複数の第二の導電性ワイヤ１１２を重ねてボンディングしてもよい。

このように本実施例では、第一の樹脂封止体層１０８の研削面に露出された第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂ、並びに第二の電極パッド１１１にバンプ１２０、１２１、１２２をそれぞれ設けることによって、ボンディング可能面積を実質的に増大させ、ワイヤボンディングの簡易化及びワイヤボンディング部の導通の安定化を図ることができる。特に、第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２の分断端部である第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂはボンディング可能面積が非常に小さくなるため、このようにバンプ１２０、１２１を設けることによって、ワイヤボンディング部の導通を効果的に安定させることができる。

また、本実施例では、第一の導電性ワイヤ群１０６−１、１０６−２の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂ、或いは第二の電極パッド１１１にバンプ１２０、１２１、１２２を設けてボンディング可能面積を拡大しているので、複数の第二の導電性ワイヤ１１２−１、１１２−２を特定の一つのバンプ１２０、１２１、１２２にボンディングすることが容易になり、ボンディング部の導通の安定化を図ることができる。

次に、図５（ｃ）に示すように、第一の樹脂封止体層１０８上において、第二の半導体チップ１１０及び第二の導電性ワイヤ１１２−１、１１２−２を第二の樹脂封止体層１１３により封止する。

以上の工程により、半導体チップの上層に同等以上のチップサイズを有する別の半導体チップが積層される構造を有するチップスタック構造の半導体装置を製造することができる。

なお、本実施例においても、上述の実施例１の変形例と同様に、図１（ｃ）〜図１（ｄ）及び図２（ａ）〜図２（ｂ）までの工程をさらに繰り返すことにより、第二の半導体チップ１１０上方に、複数の半導体チップ、例えば第三の半導体チップ１１６を積層してもよい。

本実施例によれば、実施例１と同様に、従来の半導体装置に比べて、信頼性の高い半導体装置を製造することができ、さらには半導体装置の小型化を図ることができる。

また本実施例では、第一の樹脂封止体層１０８の研削面に露出する第一の導電性ワイヤ１０６−１、１０６−２の第二の端部１０６−１ｂ、１０６−２ｂ、及び第二の電極パッド１１１にバンプ１２０、１２１、１２２をそれぞれ形成して、ボンディング可能面積を拡大しているが、配線電極１０１或いは第一の電極パッド１０５にも同じようにバンプを設けて、第一の導電性ワイヤ１０６−１、１０６−２のボンディングを簡易化するとともに、配線電極１０１或いは第一の電極パッド１０５のボンディング部における導通を安定化してもよい。

本発明は、上述の各実施例に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で、種々、変更し、実施することは可能である。

本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。 本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。 本発明の実施例１に係るワイヤボンディング工程を示す説明図。 本発明の実施例１の変形例に係る半導体装置の一例を示す断面図。 本発明の実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す工程図。 本発明の実施例２に係るバンプ形成工程を示す説明図。

符号の説明

１００ 配線基板
１０１ 配線電極
１０４ 第一の半導体チップ
１０５ 第一の電極パッド
１０６ 第一の導電性ワイヤ群
１０６−１、１０６−２ 第一の導電性ワイヤ
１０６−１ａ、１０６−２ａ 第一の導電性ワイヤの第一の端部
１０６−１ｂ、１０６−２ｂ 第一の導電性ワイヤの第二の端部
１０７ ボール
１０８ 第一の樹脂封止体層
１１０ 第二の半導体チップ
１１１ 第二の電極パッド
１１２ 第二の導電性ワイヤ群
１１２−１、１１２−２ 第二の導電性ワイヤ
１１２−１ａ、１１２−２ａ 第二の導電性ワイヤの第一の端部
１１２−１ｂ、１１２−２ｂ 第二の導電性ワイヤの第二の端部
１１３ 第二の樹脂封止体層
１１４ 半田ボール（外部端子）
１１６ 第三の半導体チップ
１１７ 第三の電極パッド
１１８ 第三の導電性ワイヤ群
１１９ 第三の樹脂封止体層
１２０、1２１、１２２ バンプ
２００ キャピラリ
２０１ クランパ

Claims (6)

1. 表面に配線電極を有する配線基板と、
   前記配線基板上に搭載された第一の電極パッドを有する第一の半導体チップと、
   第ｎ（ｎは１以上の整数）の電極パッドを有する第ｎの半導体チップ面上に樹脂封止体層を介して搭載された第ｎ＋１の電極パッドを有する第ｎ＋１の半導体チップと、
   前記第ｎの電極パッドと前記配線電極又は前記第ｎ＋１の電極パッドを電気的に接続する導電性ワイヤ群と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 表面に配線電極を有する配線基板と、
   前記配線基板の前記配線電極を有する面上に形成された第一の樹脂封止体層と、
   前記第一の樹脂封止体層で覆われつつ、前記配線基板上に搭載された第一の電極パッドを有する第一の半導体チップと、
   前記第一の樹脂封止体層で覆われつつ、第一の端部がそれぞれ前記第一の電極パッド及び前記配線電極のいずれか一方にワイヤボンディング接続され、かつ第二の端部がそれぞれ前記第一の樹脂封止体層表面に露出された第一の導電性ワイヤ群と、
   第ｎの樹脂封止体層上に積層された第ｎ＋１の樹脂封止体層と、
   前記第ｎ＋１の樹脂封止体層で覆われつつ、前記第ｎの樹脂封止体層上に搭載された第ｎ＋１の電極パッドを有する第ｎ＋１の半導体チップと、
   前記第ｎ＋１の樹脂封止体層で覆われつつ、第一の端部がそれぞれ第ｎの導電性ワイヤ群の第二の端部にワイヤボンディング接続され、かつ第二の端部がそれぞれ前記第ｎ＋１の電極パッドにワイヤボンディング接続された第ｎ＋１の導電性ワイヤ群と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
3. 前記配線電極、前記第一の電極パッド、前記第ｎ＋１の電極パッド及び前記第ｎの導電性ワイヤ群の第二の端部のうち少なくとも１つにバンプが設けられ、
   前記バンプに第一の導電性ワイヤ又は第二の導電性ワイヤがワイヤボンディング接続されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
4. 前記バンプのうち少なくとも一つには、複数の第一の導電性ワイヤ又は複数の第ｎ＋１の導電性ワイヤがワイヤボンディング接続されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
5. 配線電極が形成された配線基板上に接着剤を介して第一の電極パッドを有する第一の半導体チップを固着する工程と、
   前記配線電極と前記第一の電極パッドを、第一の導電性ワイヤ群によりワイヤボンディング接続する工程と、
   前記配線基板上で、前記第一の半導体チップ及び前記第一の導電性ワイヤ群を第一の樹脂封止体層により封止する工程と、
   前記第一の樹脂封止体層を研削して、前記第一の導電性ワイヤ群を分断し前記第一の樹脂封止体層の研削面に前記第一の導電性ワイヤ群の分断端部を露出する工程と、
   前記第一の樹脂封止体層上に接着剤を介して第二の電極パッドを有する第二の半導体チップを固着する工程と、
   前記第一の樹脂封止体層の研削面に露出された前記第一の導電性ワイヤ群の前記分断端部と前記第二の電極パッドを、第二の導電性ワイヤ群によりワイヤボンディング接続する工程と、
   前記第一の樹脂封止体層上で、前記第二の半導体チップ及び前記第二の導電性ワイヤ群を第二の樹脂封止体層により封止する工程と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記配線電極と前記第一の電極パッドを、前記第一の導電性ワイヤ群によりワイヤボンディング接続する工程は、
   前記第一の導電性ワイヤ群を前記配線電極にそれぞれボールボンディングする工程と、
   前記第一の導電性ワイヤ群を前記第一の電極パッドにそれぞれステッチボンディングする工程を含み、
   前記第一の導電性ワイヤ群の前記分断端部と前記第二の電極パッドを、前記第二の導電性ワイヤ群によりワイヤボンディング接続する工程は、
   前記第二の導電性ワイヤ群を前記第一の導電性ワイヤ群の前記分断端部にそれぞれボールボンディングする工程と、
   前記第二の導電性ワイヤ群を前記第二の電極パッドにそれぞれステッチボンディングする工程を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。

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