JPH0256942A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
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- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ICチップを実装した半導体装置に係り、特
にICチップとICチップ外部に形成した外部端子とを
高密度に接続することができる半導体装置に関する。
にICチップとICチップ外部に形成した外部端子とを
高密度に接続することができる半導体装置に関する。
(従来の技術)
ICチップを実装した半導体装置は、ICチップに設け
たパッドとICチップの外部に設けた外部端子とをボ・
ンディングワイヤで接続することにより、ICチップの
内部の集積回路に電源や各種信号を供給している。
たパッドとICチップの外部に設けた外部端子とをボ・
ンディングワイヤで接続することにより、ICチップの
内部の集積回路に電源や各種信号を供給している。
従来、ICチップに設けられるパッドはICチップの周
囲に一列に形成されていた。ワイヤボンディングに使用
する金属ワイヤ(Au、AI)は25〜35μmφであ
り、ICチップのパッドへの接続は金属ワイヤの先端を
ボール状に形成し、これを押し潰すことによって行なう
ので、パッドは約100μm×100μmの大きさが必
要である。従って、上記のようにパッドをICチップの
周囲に形成する場合、パッド中心間の距離は約150μ
m程度とする必要があった。
囲に一列に形成されていた。ワイヤボンディングに使用
する金属ワイヤ(Au、AI)は25〜35μmφであ
り、ICチップのパッドへの接続は金属ワイヤの先端を
ボール状に形成し、これを押し潰すことによって行なう
ので、パッドは約100μm×100μmの大きさが必
要である。従って、上記のようにパッドをICチップの
周囲に形成する場合、パッド中心間の距離は約150μ
m程度とする必要があった。
そこで、一定の面積のICチップにおいてパッドの高密
度化を図るため、第4図に示すように、ICCチップ0
にパッド51.パッド52を千鳥状に二列に配列させた
ものがあった。パッド51に対応する外部端子61及び
パッド52に対応する外部端子62をそれぞれICチッ
プ50の外部に設け、外部端子62より外部端子61を
ICチップ50の近くに形成していた。そして、先ずパ
ッド51と外部端子61間の一定距離をカム式のワイヤ
ボンダーに記憶させて、これらの間をボンディングワイ
ヤ71で接続し、次にパッド52と外部端子62間をボ
ンディングワイヤ72で接続していた。
度化を図るため、第4図に示すように、ICCチップ0
にパッド51.パッド52を千鳥状に二列に配列させた
ものがあった。パッド51に対応する外部端子61及び
パッド52に対応する外部端子62をそれぞれICチッ
プ50の外部に設け、外部端子62より外部端子61を
ICチップ50の近くに形成していた。そして、先ずパ
ッド51と外部端子61間の一定距離をカム式のワイヤ
ボンダーに記憶させて、これらの間をボンディングワイ
ヤ71で接続し、次にパッド52と外部端子62間をボ
ンディングワイヤ72で接続していた。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、カム式のワイヤボンダーにおいてはボン
ディングワイヤの接続距離は指定できても、ボンディン
グワイヤの形状やその高低を制御することができなかっ
た。ワイヤボンディングを行なう際にボンディングワイ
ヤは若干蛇行するので、高低を制御できないことと相俟
って、パッドに接続された相隣合うボンディングワイヤ
どうしが接触しないためにはそのピッチを約100μm
以上離してワイヤボンディングを行なわなければならな
かった。
ディングワイヤの接続距離は指定できても、ボンディン
グワイヤの形状やその高低を制御することができなかっ
た。ワイヤボンディングを行なう際にボンディングワイ
ヤは若干蛇行するので、高低を制御できないことと相俟
って、パッドに接続された相隣合うボンディングワイヤ
どうしが接触しないためにはそのピッチを約100μm
以上離してワイヤボンディングを行なわなければならな
かった。
従って、ICチップのバッド中心間も約100μmとな
ってしまい、一定面積においてこの密度で得られるパッ
ド数より多い個数のパッドを形成するためには、ICチ
ップの外形面積を大型化しなければならないという欠点
があった。
ってしまい、一定面積においてこの密度で得られるパッ
ド数より多い個数のパッドを形成するためには、ICチ
ップの外形面積を大型化しなければならないという欠点
があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、ICチップ
に高密度のワイヤボンディングを行なうことにより、I
Cチップの小型化を図ることができる半導体装置を提供
することを目的とする。
に高密度のワイヤボンディングを行なうことにより、I
Cチップの小型化を図ることができる半導体装置を提供
することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記従来例の課題を解消するため本発明に係る半導体装
置は、ICチップを実装した半導体装置において次の構
成を特徴としている。
置は、ICチップを実装した半導体装置において次の構
成を特徴としている。
ICチップの周囲及びその内側に複数列のパッドを配設
し、このパッドに対応する外部端子をICチップの外部
に設ける。
し、このパッドに対応する外部端子をICチップの外部
に設ける。
パッドと外部端子とをボンディングワイヤを介して接続
するとともに、前記外部端子はICチップの外側位置に
設けたパッドに対応するものほどICチップ近傍位置に
形成し、前記ボンディングワイヤの形状はICチップ内
側位置に設けられたパッドに接続されるものほど高く大
きなループ状に形成する。
するとともに、前記外部端子はICチップの外側位置に
設けたパッドに対応するものほどICチップ近傍位置に
形成し、前記ボンディングワイヤの形状はICチップ内
側位置に設けられたパッドに接続されるものほど高く大
きなループ状に形成する。
(作用)
本発明によれば、ICチップの周囲のみならず中心部に
もパッドを形成し、パッドと外部端子とを接続するボン
ディングワイヤは、接続距離が長いボンディングワイヤ
が接続距離が短いものより高く大きいループ状に形成し
たので、ボンディングワイヤどうしが接触することなく
高密度に架設することができる。
もパッドを形成し、パッドと外部端子とを接続するボン
ディングワイヤは、接続距離が長いボンディングワイヤ
が接続距離が短いものより高く大きいループ状に形成し
たので、ボンディングワイヤどうしが接触することなく
高密度に架設することができる。
(実施例)
本発明の一実施例について第1図及び第2図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第1図及び第2図は実施例の要部の平面図及び断面図を
示したものである。
示したものである。
絶縁体で形成した基板1上にICチップ2が実装され、
このICチップ2の周囲にパッド3が複数列に配設され
ている。すなわち、ICチップ2の周囲端部に1列目の
パッド3aを各辺に沿って設け、このパッド3aよりI
Cチップ2の中心寄りでバッド3a間に位置するように
パッド3bを設け、このパッド3bよりさらにICチッ
プ2の中心寄りでバッド3b間に位置するようにパッド
3Cを設け、このパッド3CよりさらにICチップ2の
中心寄りでバッド3C間に位置するようにパッド3dを
設けている。
このICチップ2の周囲にパッド3が複数列に配設され
ている。すなわち、ICチップ2の周囲端部に1列目の
パッド3aを各辺に沿って設け、このパッド3aよりI
Cチップ2の中心寄りでバッド3a間に位置するように
パッド3bを設け、このパッド3bよりさらにICチッ
プ2の中心寄りでバッド3b間に位置するようにパッド
3Cを設け、このパッド3CよりさらにICチップ2の
中心寄りでバッド3C間に位置するようにパッド3dを
設けている。
基板1のICチップ2近傍位置には、パッド3と接続さ
れる外部端子4が複数形成されている。
れる外部端子4が複数形成されている。
パッド3aに対応する外部端子4aは、ICチップ2の
一辺に対してパッド3aに相向かい合う位置に設けられ
る。パッド3bに対応する外部端子4bは、ICチップ
2の一辺に対してパッド3bに相向かい合う位置で前記
外部端子4aよりICチップ2から離れた位置に設けら
れている。同様にしてパッド3c、パッド3dに対応す
る外部端・子4c、外部端子4dを基板1に設けること
により、外部端子4a間に外部端子4bが、外部端子4
b間に外部端子40が、外部端子4c間に外部端子4d
が位置するとともに、ICチップ2の辺側から外部端子
4aの列、外部端子4bの列、外部端子4Cの列、外部
端子4dの列が形成される。
一辺に対してパッド3aに相向かい合う位置に設けられ
る。パッド3bに対応する外部端子4bは、ICチップ
2の一辺に対してパッド3bに相向かい合う位置で前記
外部端子4aよりICチップ2から離れた位置に設けら
れている。同様にしてパッド3c、パッド3dに対応す
る外部端・子4c、外部端子4dを基板1に設けること
により、外部端子4a間に外部端子4bが、外部端子4
b間に外部端子40が、外部端子4c間に外部端子4d
が位置するとともに、ICチップ2の辺側から外部端子
4aの列、外部端子4bの列、外部端子4Cの列、外部
端子4dの列が形成される。
外部端子4はそれぞれリード線5に接続されており、こ
のリード線5にICチップ2を駆動するための各種信号
が供給されている。
のリード線5にICチップ2を駆動するための各種信号
が供給されている。
パッド3と外部端子4とはボンディングワイヤ6で接続
されている。パッド3aと外部端子4aとを接続するボ
ンディングワイヤ6aと、パッド3bと外部端子4bと
を接続するボンディングワイヤ6bと、パッド3cと外
部端子4cとを接続するボンディングワイヤ6cと、パ
ッド3dと外部端子4dとを接続するボンディングワイ
ヤ6dとは、それぞれ異なる形状をなしている。ボンデ
ィングワイヤ6で接続する距離が長くなるにしたがいボ
ンディングワイヤ6の高さを高くし、ボンディングワイ
ヤ6d、6c、6b、6aの順に大きいループ形状とし
、ボンディングワイヤ6どうしが接触しないように形成
している。
されている。パッド3aと外部端子4aとを接続するボ
ンディングワイヤ6aと、パッド3bと外部端子4bと
を接続するボンディングワイヤ6bと、パッド3cと外
部端子4cとを接続するボンディングワイヤ6cと、パ
ッド3dと外部端子4dとを接続するボンディングワイ
ヤ6dとは、それぞれ異なる形状をなしている。ボンデ
ィングワイヤ6で接続する距離が長くなるにしたがいボ
ンディングワイヤ6の高さを高くし、ボンディングワイ
ヤ6d、6c、6b、6aの順に大きいループ形状とし
、ボンディングワイヤ6どうしが接触しないように形成
している。
このようにボンディングワイヤ6の高さ及びその形状の
制御は、ディジタルワイヤボンダーを用いることによっ
て実現できる。ディジタルワイヤボンダーは、第3図に
その要部概要を示すように、Auワイヤ11を中央に貫
通させたキャピラリ12と、Auワイヤ11の送り出し
量を制御する第1クランパ13及び第2クランパ14が
ら構成される。従来のカム式のワイヤボンダーは、キャ
ピラリの上下動がAuワイヤの送り出し量に対して一義
的に決められていた。これに対してディジタルワイヤボ
ンダーにおいては、キャピラリ12の上下動と、第1ク
ランパ及び第2クランパの閉じるタイミングをそれぞれ
独立に可変できる。従って、クランパの開閉時間でAu
ワイヤ11の送り出し量を決め、キャピラリ12の上下
動でワイヤボンディングされるAuワイヤ11の高低及
びそのループ形状を決めることができる。
制御は、ディジタルワイヤボンダーを用いることによっ
て実現できる。ディジタルワイヤボンダーは、第3図に
その要部概要を示すように、Auワイヤ11を中央に貫
通させたキャピラリ12と、Auワイヤ11の送り出し
量を制御する第1クランパ13及び第2クランパ14が
ら構成される。従来のカム式のワイヤボンダーは、キャ
ピラリの上下動がAuワイヤの送り出し量に対して一義
的に決められていた。これに対してディジタルワイヤボ
ンダーにおいては、キャピラリ12の上下動と、第1ク
ランパ及び第2クランパの閉じるタイミングをそれぞれ
独立に可変できる。従って、クランパの開閉時間でAu
ワイヤ11の送り出し量を決め、キャピラリ12の上下
動でワイヤボンディングされるAuワイヤ11の高低及
びそのループ形状を決めることができる。
次に、本実施例の半導体装置の実装方法について説明す
る。
る。
複数のリード線5及びその先端部に外部端子4が形成さ
れた基板1上に、複数のパッド3が形成されたICチッ
プ2を固定する。外部端子4及びパッド3はそれぞれ多
列に配設され、ICチップ2の最外側部に設けたパッド
3aと最もICチップ2に近い列に設けた外部端子4a
、ICチップ2の外側から2番目の列のパッド3bとI
Cチップ121PIから2番目の列の外部端子4b、3
列目どうしのパッド3cと外部端子40.4列目どうし
のパッド3dと外部端子4dがそれぞれICチップ2の
周辺に対して対峙している。
れた基板1上に、複数のパッド3が形成されたICチッ
プ2を固定する。外部端子4及びパッド3はそれぞれ多
列に配設され、ICチップ2の最外側部に設けたパッド
3aと最もICチップ2に近い列に設けた外部端子4a
、ICチップ2の外側から2番目の列のパッド3bとI
Cチップ121PIから2番目の列の外部端子4b、3
列目どうしのパッド3cと外部端子40.4列目どうし
のパッド3dと外部端子4dがそれぞれICチップ2の
周辺に対して対峙している。
次に、パッド3aと外部端子4aとをディジタルワイヤ
ボンダーで接続する。この接続はパッド3a上にキャピ
ラリ12を配置させ、Auワイヤ11の先端をボール状
に形成した後、キャピラリ12を下ろしパッド3aにA
uワイヤ11の先端のボール状部を押付けて潰して圧着
させることにより行なう、キャピラリ12を引きあげる
とともに水平方向に移動させ、さらに下降させてループ
状に形成(ボンディングワイヤ6a)し、外部端子4a
に圧着させた後Auワイヤ11を切断する。
ボンダーで接続する。この接続はパッド3a上にキャピ
ラリ12を配置させ、Auワイヤ11の先端をボール状
に形成した後、キャピラリ12を下ろしパッド3aにA
uワイヤ11の先端のボール状部を押付けて潰して圧着
させることにより行なう、キャピラリ12を引きあげる
とともに水平方向に移動させ、さらに下降させてループ
状に形成(ボンディングワイヤ6a)し、外部端子4a
に圧着させた後Auワイヤ11を切断する。
このときキャピラリ12の上下動と水平方向の動きは自
由に設定できるので、ボンディングワイヤ6の高さ及び
その形状を制御することができる。
由に設定できるので、ボンディングワイヤ6の高さ及び
その形状を制御することができる。
次に、パッド3bと外部端子4bとの接続を前記同様デ
ィジタルワイヤボンダーで行なう(ボンディングワイヤ
6b)、ボンディングワイヤ6bはボンディングワイヤ
6aより高く、大きなループとなるように形成し、ボン
ディングワイヤどうしが接触しないようにする。以下同
様にパッド3Cと外部端子4c、パッド3dと外部端子
4dを接続し、ボンディングワイヤ6d、ボンディング
ワイヤ6c、ボンディングワイヤ6b、ボンディングワ
イヤ6aの順で高く大きなループで形成する。
ィジタルワイヤボンダーで行なう(ボンディングワイヤ
6b)、ボンディングワイヤ6bはボンディングワイヤ
6aより高く、大きなループとなるように形成し、ボン
ディングワイヤどうしが接触しないようにする。以下同
様にパッド3Cと外部端子4c、パッド3dと外部端子
4dを接続し、ボンディングワイヤ6d、ボンディング
ワイヤ6c、ボンディングワイヤ6b、ボンディングワ
イヤ6aの順で高く大きなループで形成する。
以上のような構成によれば、ボンディングワイヤ6a、
6a間、ボンディングワイヤ6b、6b間、ボンディン
グワイヤ6c、6a間、ボンディングワイヤ6d、6a
間のピッチを約100μmとしながら、基板1に形成さ
れるリード線5のピッチを40μm程度にすることがで
きる。
6a間、ボンディングワイヤ6b、6b間、ボンディン
グワイヤ6c、6a間、ボンディングワイヤ6d、6a
間のピッチを約100μmとしながら、基板1に形成さ
れるリード線5のピッチを40μm程度にすることがで
きる。
上記実施例では基板上にリード線及び外部端子を形成し
たが、リードフレーム等で形成してもよい。
たが、リードフレーム等で形成してもよい。
(発明の効果)
上述したように本発明は、ICチップの周囲のみならず
中心部にもパッドを形成し、パッドと外部端子とを接続
するボンディングワイヤは、接続距離が長いボンディン
グワイヤが接続距離が短いものより高く大きいループ状
に形成したので、ボンディングワイヤどうしが接触する
ことなく架設することができる。
中心部にもパッドを形成し、パッドと外部端子とを接続
するボンディングワイヤは、接続距離が長いボンディン
グワイヤが接続距離が短いものより高く大きいループ状
に形成したので、ボンディングワイヤどうしが接触する
ことなく架設することができる。
従って、ICチップに高密度にワイヤボンディングする
ことができ、従来例に比較して同一パッド数に対するI
Cチップの小型化を図るとともに、ICチップを安価に
供給することができる。
ことができ、従来例に比較して同一パッド数に対するI
Cチップの小型化を図るとともに、ICチップを安価に
供給することができる。
第1図は本発明実施例の半導体装置の要部平面説明図、
第2図は本発明実施例の半導体装置の要部側面説明図、
第3図は実施例で使用されるディジタルワイヤボンダー
の概要を示す説明図、第4図は従来の半導体装置の実装
を示す説明図である。 1・・・・・・基板 2・・・・・・ICチップ 3・・・・・・パッド 4・・・・・・外部端子 5・・・・・・リード線 6・・・・・・ボンディングワイヤ
第2図は本発明実施例の半導体装置の要部側面説明図、
第3図は実施例で使用されるディジタルワイヤボンダー
の概要を示す説明図、第4図は従来の半導体装置の実装
を示す説明図である。 1・・・・・・基板 2・・・・・・ICチップ 3・・・・・・パッド 4・・・・・・外部端子 5・・・・・・リード線 6・・・・・・ボンディングワイヤ
Claims (1)
- ICチップを実装した半導体装置において、前記ICチ
ップの周囲及びその内側に複数列のパッドを配設し、該
パッドに対応する外部端子をICチップの外部に設け、
パッドと外部端子とをボンディングワイヤを介して接続
するとともに、前記外部端子はICチップの外側位置に
設けたパッドに対応するものほどICチップ近傍位置に
形成し、前記ボンディングワイヤの形状はICチップ内
側位置に設けられたパッドに接続されるものほど高く大
きなループ状に形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63207242A JP2840948B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63207242A JP2840948B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0256942A true JPH0256942A (ja) | 1990-02-26 |
JP2840948B2 JP2840948B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=16536569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63207242A Expired - Lifetime JP2840948B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2840948B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0287637A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH0438043U (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-31 | ||
JPH09266223A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
DE19714470A1 (de) * | 1996-06-07 | 1997-12-11 | Hewlett Packard Co | Drahtbondchipverbindung mit hoher Dichte für Multichip-Module |
US5767527A (en) * | 1994-07-07 | 1998-06-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device suitable for testing |
US6160313A (en) * | 1998-03-31 | 2000-12-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having an insulating substrate |
US6476506B1 (en) * | 2001-09-28 | 2002-11-05 | Motorola, Inc. | Packaged semiconductor with multiple rows of bond pads and method therefor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5925238A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS6355538U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63207242A patent/JP2840948B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5925238A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS6355538U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH09266223A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
DE19714470A1 (de) * | 1996-06-07 | 1997-12-11 | Hewlett Packard Co | Drahtbondchipverbindung mit hoher Dichte für Multichip-Module |
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US6476506B1 (en) * | 2001-09-28 | 2002-11-05 | Motorola, Inc. | Packaged semiconductor with multiple rows of bond pads and method therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2840948B2 (ja) | 1998-12-24 |
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