JPH08250624A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH08250624A JPH08250624A JP5440995A JP5440995A JPH08250624A JP H08250624 A JPH08250624 A JP H08250624A JP 5440995 A JP5440995 A JP 5440995A JP 5440995 A JP5440995 A JP 5440995A JP H08250624 A JPH08250624 A JP H08250624A
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易に製造できるＢＧＡ型の半導体装置およ
びその製造方法を提供する。 【構成】 絶縁体９上に半導体チップ１０が載置・接合
され、絶縁体９が折曲げ加工され、絶縁体９の延長した
端部が半導体チップ１０の４側面付近に配置されてい
る。絶縁体９上には、配線パターン１１が形成され、半
導体チップ１０と配線パターン１１とは金属細線１２で
電気的に接続されている。配線パターン１１は、側面、
および載置された半導体装置の底面部に連続的に形成さ
れている。底面部の配線パターン１１の先端部には、電
極端子１３が設けられ、ＢＧＡ型の半導体装置を構成し
ている。そして半導体チップ１０の領域は、プラスチッ
ク樹脂１４により封止されている。
びその製造方法を提供する。 【構成】 絶縁体９上に半導体チップ１０が載置・接合
され、絶縁体９が折曲げ加工され、絶縁体９の延長した
端部が半導体チップ１０の４側面付近に配置されてい
る。絶縁体９上には、配線パターン１１が形成され、半
導体チップ１０と配線パターン１１とは金属細線１２で
電気的に接続されている。配線パターン１１は、側面、
および載置された半導体装置の底面部に連続的に形成さ
れている。底面部の配線パターン１１の先端部には、電
極端子１３が設けられ、ＢＧＡ型の半導体装置を構成し
ている。そして半導体チップ１０の領域は、プラスチッ
ク樹脂１４により封止されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、格子状に配列された外
部接続端子と同一面上にある配線パターンを折り曲げ加
工することにより簡易的に製造されるＢＧＡ（Ball Gri
d Array：ボールグリッドアレイ）型の半導体装置およ
びその製造方法に関する。
部接続端子と同一面上にある配線パターンを折り曲げ加
工することにより簡易的に製造されるＢＧＡ（Ball Gri
d Array：ボールグリッドアレイ）型の半導体装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＢＧＡ型の半導体装置は、パッケ
ージ部の底面にボール状の電極を個別に設けたものであ
った。
ージ部の底面にボール状の電極を個別に設けたものであ
った。
【０００３】図６は従来のＢＧＡ型の半導体装置を示す
もので、図６（ａ）はその開封状態での平面図であり、
図６（ｂ）はその断面図、図６（ｃ）は底面図である。
もので、図６（ａ）はその開封状態での平面図であり、
図６（ｂ）はその断面図、図６（ｃ）は底面図である。
【０００４】図６（ａ）において、従来の半導体装置
は、絶縁材料により形成されたパッケージ部１上に半導
体チップ２が載置され、前記パッケージ部１上に形成さ
れた表面配線パターン３と前記半導体チップ２が金属細
線４により電気的に接続されたものである。そして図６
（ｂ）に示すように、半導体チップ２を保護するために
パッケージ部１の表面領域をプラスチック樹脂などの封
止樹脂５により封止したものである。また図６（ｃ）に
示すように、前記パッケージ部１の底面部には、パッケ
ージ部１の表面に設けられ、半導体チップ２と電気的に
接続した表面配線パターン３とパッケージ部１内部でビ
アホール６で接続している底面配線パターン７が設けら
れ、前記底面配線パターン７と接続してパッケージ部１
底面全体に配列されたボール状の電極端子８が設けられ
ている。
は、絶縁材料により形成されたパッケージ部１上に半導
体チップ２が載置され、前記パッケージ部１上に形成さ
れた表面配線パターン３と前記半導体チップ２が金属細
線４により電気的に接続されたものである。そして図６
（ｂ）に示すように、半導体チップ２を保護するために
パッケージ部１の表面領域をプラスチック樹脂などの封
止樹脂５により封止したものである。また図６（ｃ）に
示すように、前記パッケージ部１の底面部には、パッケ
ージ部１の表面に設けられ、半導体チップ２と電気的に
接続した表面配線パターン３とパッケージ部１内部でビ
アホール６で接続している底面配線パターン７が設けら
れ、前記底面配線パターン７と接続してパッケージ部１
底面全体に配列されたボール状の電極端子８が設けられ
ている。
【０００５】次に製造方法について説明する。まず、絶
縁材料によりパッケージ部を形成し、前記パッケージに
ビアホールを所定の箇所に形成する。そして前記ビアホ
ールと接続して、パッケージ部の表面・裏面に配線パタ
ーンを形成し、パッケージ部を完成させる。
縁材料によりパッケージ部を形成し、前記パッケージに
ビアホールを所定の箇所に形成する。そして前記ビアホ
ールと接続して、パッケージ部の表面・裏面に配線パタ
ーンを形成し、パッケージ部を完成させる。
【０００６】次に前記形成したパッケージ部の表面に半
導体チップを載置し、接合し、金属細線により、配線パ
ターンと接続する。そしてパッケージ部の表面領域をプ
ラスチック樹脂にてポッティング封止する。パッケージ
部の底面には、配線パターンと接続してパッケージ部底
面全体にボール状の電極端子８を配設することにより、
半導体装置が製造されるものである。
導体チップを載置し、接合し、金属細線により、配線パ
ターンと接続する。そしてパッケージ部の表面領域をプ
ラスチック樹脂にてポッティング封止する。パッケージ
部の底面には、配線パターンと接続してパッケージ部底
面全体にボール状の電極端子８を配設することにより、
半導体装置が製造されるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の半導体装置の場合、パッケージ部の表面と裏面と
に設けられた配線パターンを電気的に接続するビアホー
ルの形成が容易に加工できず、コストアップにつながる
という課題がある。また近年、要望されている多ピン化
や小型化のためには、ビアホール自体の極細化やビアホ
ール間の狭ピッチ化の必要があり、ビアホール形成には
限界がある。
従来の半導体装置の場合、パッケージ部の表面と裏面と
に設けられた配線パターンを電気的に接続するビアホー
ルの形成が容易に加工できず、コストアップにつながる
という課題がある。また近年、要望されている多ピン化
や小型化のためには、ビアホール自体の極細化やビアホ
ール間の狭ピッチ化の必要があり、ビアホール形成には
限界がある。
【０００８】本発明は、前記課題を解決し、簡易に製造
できるＢＧＡ型の半導体装置およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
できるＢＧＡ型の半導体装置およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置は、絶縁物上に配線パターンを
形成し、その絶縁物の折曲げ加工により、表面（上面）
から底面まで配線を引き回して配置し、半導体チップを
備え、ＢＧＡ型の半導体装置を実現するものである。ま
たパッケージ部（コア部）に対して、フィルム状の配線
パターンを用い、前記フィルム状の配線パターンの折曲
げ加工により、配線パターンをパッケージ部の表面（上
面）から底面に配置してＢＧＡ型の半導体装置を実現す
るものである。
に、本発明の半導体装置は、絶縁物上に配線パターンを
形成し、その絶縁物の折曲げ加工により、表面（上面）
から底面まで配線を引き回して配置し、半導体チップを
備え、ＢＧＡ型の半導体装置を実現するものである。ま
たパッケージ部（コア部）に対して、フィルム状の配線
パターンを用い、前記フィルム状の配線パターンの折曲
げ加工により、配線パターンをパッケージ部の表面（上
面）から底面に配置してＢＧＡ型の半導体装置を実現す
るものである。
【００１０】
【作用】本発明の半導体装置において、絶縁物を従来の
パッケージとして用いるとともに、前記絶縁物の折曲げ
加工によって、ビアホールなしで容易に配線パターンを
表面（上面）から底面にまで配置することができ、簡易
に底面に電極を有したＢＧＡ型の半導体装置を得ること
ができる。またパッケージ部に対してフィルム状の配線
パターンを組み合わせることにより、ビアホールなしで
容易にパッケージ底面まで配線パターンを配置すること
ができ、底面部に対してボール状の電極を設けることが
できる。したがって、コスト的にも従来のＢＧＡ型の半
導体装置に比べ、安価で製造できる。
パッケージとして用いるとともに、前記絶縁物の折曲げ
加工によって、ビアホールなしで容易に配線パターンを
表面（上面）から底面にまで配置することができ、簡易
に底面に電極を有したＢＧＡ型の半導体装置を得ること
ができる。またパッケージ部に対してフィルム状の配線
パターンを組み合わせることにより、ビアホールなしで
容易にパッケージ底面まで配線パターンを配置すること
ができ、底面部に対してボール状の電極を設けることが
できる。したがって、コスト的にも従来のＢＧＡ型の半
導体装置に比べ、安価で製造できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例にかか
る半導体装置を示す図であり、図１（ａ）はその開封状
態での平面図であり、図１（ｂ）は断面図、図１（ｃ）
は底面図である。
しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例にかか
る半導体装置を示す図であり、図１（ａ）はその開封状
態での平面図であり、図１（ｂ）は断面図、図１（ｃ）
は底面図である。
【００１２】図１に示すように、絶縁体９上に半導体チ
ップ１０が載置・接合され、前記半導体チップ１０が載
置された絶縁体９が折曲げ加工され、前記絶縁体９の延
長した端部が半導体チップ１０の４側面付近に配置され
ている。そして前記絶縁体９の表面には、配線パターン
１１ａが形成され、半導体チップ１０と前記配線パター
ン１１ａとは金属細線１２により電気的に接続されてい
る。前記配線パターン１１ａは、配線パターン１１ｂと
側面で接続しているものである。また図１（ｃ）に示す
ように、半導体装置の底面となる箇所には、前記配線パ
ターン１１ａ、配線パターン１１ｂと連続的に形成さ
れ、接続した配線パターン１１ｃが形成されている。前
記配線パターン１１ｃの先端部には、電極端子１３が設
けられ、ＢＧＡ型の半導体装置を構成している。そして
半導体チップ１０の領域は、プラスチック樹脂１４によ
り封止されているものである。封止方法は、ポッティン
グ封止、注入封止等を採用する。なお、半導体チップ１
０と配線パターンとの接続は、金属細線を使用している
が、フリップチップ等の直接接続による接続手段であっ
てもよい。
ップ１０が載置・接合され、前記半導体チップ１０が載
置された絶縁体９が折曲げ加工され、前記絶縁体９の延
長した端部が半導体チップ１０の４側面付近に配置され
ている。そして前記絶縁体９の表面には、配線パターン
１１ａが形成され、半導体チップ１０と前記配線パター
ン１１ａとは金属細線１２により電気的に接続されてい
る。前記配線パターン１１ａは、配線パターン１１ｂと
側面で接続しているものである。また図１（ｃ）に示す
ように、半導体装置の底面となる箇所には、前記配線パ
ターン１１ａ、配線パターン１１ｂと連続的に形成さ
れ、接続した配線パターン１１ｃが形成されている。前
記配線パターン１１ｃの先端部には、電極端子１３が設
けられ、ＢＧＡ型の半導体装置を構成している。そして
半導体チップ１０の領域は、プラスチック樹脂１４によ
り封止されているものである。封止方法は、ポッティン
グ封止、注入封止等を採用する。なお、半導体チップ１
０と配線パターンとの接続は、金属細線を使用している
が、フリップチップ等の直接接続による接続手段であっ
てもよい。
【００１３】図２には、本実施例にかかる半導体装置の
構成体を示す展開図であり、図中、破線は折曲げ箇所を
示している。図２において、絶縁体９に対して、配線パ
ターン１１を印刷またはメッキ法により形成したもので
ある。図２に示す構成体を折曲げ、半導体チップを搭載
することにより、図１に示す本実施例の半導体装置が完
成する。なお、前記絶縁体９は、折曲げ加工が可能なよ
うに、金属ベース上に絶縁物をコーティングしたものを
用いている。また電極端子１３は、ハンダなどの低融点
金属や金（Ａｕ）を用いて形成されたものである。
構成体を示す展開図であり、図中、破線は折曲げ箇所を
示している。図２において、絶縁体９に対して、配線パ
ターン１１を印刷またはメッキ法により形成したもので
ある。図２に示す構成体を折曲げ、半導体チップを搭載
することにより、図１に示す本実施例の半導体装置が完
成する。なお、前記絶縁体９は、折曲げ加工が可能なよ
うに、金属ベース上に絶縁物をコーティングしたものを
用いている。また電極端子１３は、ハンダなどの低融点
金属や金（Ａｕ）を用いて形成されたものである。
【００１４】以上のように、本実施例に示す半導体装置
は、絶縁体９を従来のパッケージとして用いるととも
に、前記絶縁体９の折曲げ加工によって、ビアホールな
しで容易に配線パターン１１をその表面から底面にまで
配置することができ、簡易に底面に電極端子１３を有し
たＢＧＡ型の半導体装置を得ることができる。
は、絶縁体９を従来のパッケージとして用いるととも
に、前記絶縁体９の折曲げ加工によって、ビアホールな
しで容易に配線パターン１１をその表面から底面にまで
配置することができ、簡易に底面に電極端子１３を有し
たＢＧＡ型の半導体装置を得ることができる。
【００１５】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。図３は本発明の第２の実施例にかかる半導体装置を
示し、図３（ａ）はその開封状態での平面図であり、図
３（ｂ）は断面図、図３（ｃ）は底面図である。
る。図３は本発明の第２の実施例にかかる半導体装置を
示し、図３（ａ）はその開封状態での平面図であり、図
３（ｂ）は断面図、図３（ｃ）は底面図である。
【００１６】図３に示すように、絶縁体よりなるコア部
１５の凹部に半導体チップ１０が載置・接合され、前記
コア部１５の表面を配線用フィルム１６が覆っている。
前記配線用フィルム１６は絶縁フィルムにより構成さ
れ、絶縁フィルム上に配線パターン１１が形成されてい
るものである。前記配線用フィルム１６の端部は、コア
部１５上に載置・接合された半導体チップ１０の４側面
付近に配置され、配線パターン１１と半導体チップ１０
とは金属細線１２により電気的に接続されている。また
図３（ｃ）に示すように、半導体装置の底面となる箇所
には、前記配線用フィルム１６の配線パターン１１が表
面側から一体で形成されている。そして底面部の配線パ
ターン１１の先端部には、電極端子１３が設けられ、Ｂ
ＧＡ型の半導体装置を構成している。そして半導体チッ
プ１０の領域は、プラスチック樹脂１４により封止され
ているものである。
１５の凹部に半導体チップ１０が載置・接合され、前記
コア部１５の表面を配線用フィルム１６が覆っている。
前記配線用フィルム１６は絶縁フィルムにより構成さ
れ、絶縁フィルム上に配線パターン１１が形成されてい
るものである。前記配線用フィルム１６の端部は、コア
部１５上に載置・接合された半導体チップ１０の４側面
付近に配置され、配線パターン１１と半導体チップ１０
とは金属細線１２により電気的に接続されている。また
図３（ｃ）に示すように、半導体装置の底面となる箇所
には、前記配線用フィルム１６の配線パターン１１が表
面側から一体で形成されている。そして底面部の配線パ
ターン１１の先端部には、電極端子１３が設けられ、Ｂ
ＧＡ型の半導体装置を構成している。そして半導体チッ
プ１０の領域は、プラスチック樹脂１４により封止され
ているものである。
【００１７】本実施例の半導体装置は、前記第１の実施
例の半導体装置と同様に、表面側から底面側に配線パタ
ーン１１を引き回した点は共通しているが、コア部１５
に対して、配線パターン１１を有した配線用フィルム１
６を適用し、前記配線用フィルム１６の折曲げ加工によ
り表面側から底面側に配線パターン１１を引き回した点
に特徴を有するものである。
例の半導体装置と同様に、表面側から底面側に配線パタ
ーン１１を引き回した点は共通しているが、コア部１５
に対して、配線パターン１１を有した配線用フィルム１
６を適用し、前記配線用フィルム１６の折曲げ加工によ
り表面側から底面側に配線パターン１１を引き回した点
に特徴を有するものである。
【００１８】次に本発明の半導体装置の製造方法につい
て説明する。図４、図５は前記第２の実施例で示した半
導体装置の製造方法を示す図である。
て説明する。図４、図５は前記第２の実施例で示した半
導体装置の製造方法を示す図である。
【００１９】まずコア部１５の凹部に対して、配線パタ
ーン１１を有した配線用フィルム１６の先端部を接合す
る。そして前記コア部１５の凹部に半導体チップ１０を
載置・接合し、半導体チップ１０と配線パターン１１と
を金属細線１２により電気的に接続する。半導体チップ
１０の保護のため、コア部１５の凹部領域は、プラスチ
ック樹脂１４により封止する。また前記配線用フィルム
１６の他端は、半導体装置が完成した際は、半導体装置
の底面部に対応するので、配線用フィルム１６の他端の
配線パターン１１上には、半球体状の電極端子１３を形
成しておく。この状態を図４、図５（ａ）に示してい
る。なお、図４では、開封状態で示している。
ーン１１を有した配線用フィルム１６の先端部を接合す
る。そして前記コア部１５の凹部に半導体チップ１０を
載置・接合し、半導体チップ１０と配線パターン１１と
を金属細線１２により電気的に接続する。半導体チップ
１０の保護のため、コア部１５の凹部領域は、プラスチ
ック樹脂１４により封止する。また前記配線用フィルム
１６の他端は、半導体装置が完成した際は、半導体装置
の底面部に対応するので、配線用フィルム１６の他端の
配線パターン１１上には、半球体状の電極端子１３を形
成しておく。この状態を図４、図５（ａ）に示してい
る。なお、図４では、開封状態で示している。
【００２０】次に、図５（ｂ）に示すように、コア部１
５の形状に沿って、配線用フィルム１６を折曲げる。そ
して、図５（ｃ）に示すように、さらにコア部１５の形
状に沿って、配線用フィルム１６を折曲げ、コア部１５
の底面部に配線用フィルム１６の他端を接合する。
５の形状に沿って、配線用フィルム１６を折曲げる。そ
して、図５（ｃ）に示すように、さらにコア部１５の形
状に沿って、配線用フィルム１６を折曲げ、コア部１５
の底面部に配線用フィルム１６の他端を接合する。
【００２１】この製法を用いることにより、従来のＢＧ
Ａ型の半導体装置の製造の際に極細化、狭ピッチ化が難
しかったビアホール加工が不必要となり、コストダウン
にもつながる。また、半導体装置の実装後に電極端子
（金属ボール）１３が接続されているかどうかを、側面
側に廻された配線パターン１１を用いて調査することも
可能である。
Ａ型の半導体装置の製造の際に極細化、狭ピッチ化が難
しかったビアホール加工が不必要となり、コストダウン
にもつながる。また、半導体装置の実装後に電極端子
（金属ボール）１３が接続されているかどうかを、側面
側に廻された配線パターン１１を用いて調査することも
可能である。
【００２２】また、図４、図５に示すように、電極端子
（金属ボール）１３、および配線パターン１１が形成さ
れた配線用フィルム１６と、半導体チップ１０とがコア
部１５に載置された構造において、前記配線用フィルム
１６を折り曲げ加工することにより半導体装置が製造で
きるが、この場合、半導体チップ１０の載置、金属ワイ
ヤー１２および電極端子（金属ボール）１３の加工など
が同一面上にて形成、操作できる利点がある。
（金属ボール）１３、および配線パターン１１が形成さ
れた配線用フィルム１６と、半導体チップ１０とがコア
部１５に載置された構造において、前記配線用フィルム
１６を折り曲げ加工することにより半導体装置が製造で
きるが、この場合、半導体チップ１０の載置、金属ワイ
ヤー１２および電極端子（金属ボール）１３の加工など
が同一面上にて形成、操作できる利点がある。
【００２３】以上、前述の実施例では、ビアホールなし
で配線パターンが半導体装置の外側（側面）から底面部
に外部で一連で配線引き回しした例を示したが、ビアホ
ール形成のコスト性を問題視しない他の実施例について
説明する。
で配線パターンが半導体装置の外側（側面）から底面部
に外部で一連で配線引き回しした例を示したが、ビアホ
ール形成のコスト性を問題視しない他の実施例について
説明する。
【００２４】例えば図２に示した半導体装置の構成体に
対して、表面側と裏面側との両面に配線パターン１１を
形成し、その表面側の配線パターンと、裏面側の配線パ
ターンとをビアホール手段により接続することにより、
底面部に電極端子１３を形成することが可能であり、半
導体装置自体の内部で配線引き回しされた構造の半導体
装置を得ることもできる。
対して、表面側と裏面側との両面に配線パターン１１を
形成し、その表面側の配線パターンと、裏面側の配線パ
ターンとをビアホール手段により接続することにより、
底面部に電極端子１３を形成することが可能であり、半
導体装置自体の内部で配線引き回しされた構造の半導体
装置を得ることもできる。
【００２５】また例えば図４に示した半導体装置の構成
体に対して、配線用フィルム１６の表面側と裏面側との
両面に配線パターン１１を形成し、さらにコア部１５に
導電可能なビアホールを形成し、配線用フィルム１６の
表面側の配線パターンと、裏面側の配線パターンとをビ
アホール手段により接続することにより、底面部に電極
端子１３を形成することが可能であり、半導体装置自体
の内部で配線引き回しされた構造の半導体装置を得るこ
ともできる。
体に対して、配線用フィルム１６の表面側と裏面側との
両面に配線パターン１１を形成し、さらにコア部１５に
導電可能なビアホールを形成し、配線用フィルム１６の
表面側の配線パターンと、裏面側の配線パターンとをビ
アホール手段により接続することにより、底面部に電極
端子１３を形成することが可能であり、半導体装置自体
の内部で配線引き回しされた構造の半導体装置を得るこ
ともできる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、絶縁体上
の同一平面上に形成された配線パターンを折り曲げ加工
し、裏面（対面）及び側面に配線パターンを有すること
により、従来のＢＧＡ型の半導体装置に必要不可欠なビ
アホールを無くし、困難なビアホールの極細化や狭ピッ
チ化、ビアホール加工費のコストダウン化に多大な効果
をもたらす。また、従来のＢＧＡ型の半導体装置では不
可能だった実装後の電気的導通検査が、側面に廻された
配線パターンを用いることにより、可能となる。
の同一平面上に形成された配線パターンを折り曲げ加工
し、裏面（対面）及び側面に配線パターンを有すること
により、従来のＢＧＡ型の半導体装置に必要不可欠なビ
アホールを無くし、困難なビアホールの極細化や狭ピッ
チ化、ビアホール加工費のコストダウン化に多大な効果
をもたらす。また、従来のＢＧＡ型の半導体装置では不
可能だった実装後の電気的導通検査が、側面に廻された
配線パターンを用いることにより、可能となる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例にかかる半導体
装置の開封状態での平面図 （ｂ）はその断面図 （ｃ）はその底面図
装置の開封状態での平面図 （ｂ）はその断面図 （ｃ）はその底面図
【図２】本発明の第１の実施例にかかる半導体装置の構
成体を示す図
成体を示す図
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施例にかかる半導体
装置の開封状態での平面図 （ｂ）はその断面図 （ｃ）はその底面図
装置の開封状態での平面図 （ｂ）はその断面図 （ｃ）はその底面図
【図４】本発明の第２の実施例にかかる半導体装置の製
造方法を示す図
造方法を示す図
【図５】本発明の第２の実施例にかかる半導体装置の製
造方法を示す工程断面図
造方法を示す工程断面図
【図６】（ａ）は従来の半導体装置の開封状態での平面
図 （ｂ）はその断面図 （ｃ）はその底面図
図 （ｂ）はその断面図 （ｃ）はその底面図
１ パッケージ部 ２ 半導体チップ ３ 表面配線パターン ４ 金属細線 ５ 封止樹脂 ６ ビアホール ７ 底面配線パターン ８ 電極端子 ９ 絶縁体 １０ 半導体チップ １１ 配線パターン １２ 金属細線 １３ 電極端子 １４ プラスチック樹脂 １５ コア部 １６ 配線用フィルム
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載した絶縁体と、前記
絶縁体上に形成された配線パターンと、前記配線パター
ンと前記半導体チップとを電気的に接続した接続手段
と、前記絶縁体上の半導体チップ領域を覆った封止体と
よりなる半導体装置であって、前記配線パターンは、前
記半導体チップ付近から前記半導体チップ底面部の前記
絶縁体上まで一体で設けられている配線パターンである
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップを搭載した絶縁体と、前記
絶縁体上に形成された配線パターンと、前記配線パター
ンと前記半導体チップとを電気的に接続した接続手段
と、前記絶縁体上の半導体チップ領域を覆った封止体と
よりなる半導体装置であって、前記配線パターンは、前
記半導体チップ付近から前記半導体チップ底面部の前記
絶縁体上まで一体で設けられている配線パターンであ
り、前記半導体チップ底面部の前記絶縁体上の配線パタ
ーン上には、電極端子が設けられていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 絶縁体は、金属板上に絶縁物が形成され
たものであることを特徴とする請求項１または請求項２
記載の半導体装置。 - 【請求項４】 半導体チップを搭載した絶縁体よりなる
コア部と、前記半導体チップが搭載された領域を除いた
前記コア部表面を覆った配線パターンを有した配線用フ
ィルムと、前記配線用フィルムの配線パターンと前記半
導体チップとを電気的に接続した接続手段と、前記コア
部上の半導体チップ領域を覆った封止体とよりなる半導
体装置。 - 【請求項５】 半導体チップを搭載した絶縁体よりなる
コア部と、前記半導体チップが搭載された領域を除いた
前記コア部表面を覆った配線パターンを有した配線用フ
ィルムと、前記配線用フィルムの配線パターンと前記半
導体チップとを電気的に接続した接続手段と、前記コア
部上の半導体チップ領域を覆った封止体とよりなる半導
体装置であって、前記配線用フィルムの配線パターン
は、前記半導体チップ付近から前記半導体チップ底面部
の前記コア部上まで一体で設けられている配線パターン
であり、前記半導体チップ底面部の前記コア部上の配線
パターン上には、電極端子が設けられていることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項６】 電極端子は、ボール形状であることを特
徴とする請求項２または請求項５記載の半導体装置。 - 【請求項７】 絶縁体よりなるコア部の半導体チップが
搭載される箇所の近傍に、配線パターンを有した配線用
フィルムの先端部を接合する工程と、前記コア部に半導
体チップを載置し、前記半導体チップと前記配線用フィ
ルムの配線パターンとを電気的に接続する工程と、前記
コア部の半導体チップが載置された領域を封止樹脂によ
り封止する工程と、前記配線フィルムの他端であって、
搭載した半導体チップの底面部に対応する位置の配線フ
ィルムの配線パターン上に電極端子を形成する工程と、
前記コア部の形状に沿って、配線用フィルムを折曲げ、
前記コア部の側面に配線用フィルムを接合する工程と、
前記コア部の形状に沿って、配線用フィルムを折曲げ、
前記コア部の底面部に配線用フィルムの他端を接合する
工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5440995A JP3174238B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5440995A JP3174238B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250624A true JPH08250624A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3174238B2 JP3174238B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=12969911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5440995A Expired - Fee Related JP3174238B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3174238B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100233868B1 (ko) * | 1997-02-17 | 1999-12-01 | 김규현 | 금속반도체 패키지의 제조방법 및 그 구조 |
| KR100246312B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 패키지의 제조방법 |
| WO2011111300A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | 側面に電極を有する半導体パッケージおよび半導体装置 |
-
1995
- 1995-03-14 JP JP5440995A patent/JP3174238B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246312B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 패키지의 제조방법 |
| KR100233868B1 (ko) * | 1997-02-17 | 1999-12-01 | 김규현 | 금속반도체 패키지의 제조방법 및 그 구조 |
| WO2011111300A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | 側面に電極を有する半導体パッケージおよび半導体装置 |
| US8659138B2 (en) | 2010-03-09 | 2014-02-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor package having electrode on side surface, and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3174238B2 (ja) | 2001-06-11 |
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