JPH04277642A - ワイヤーボンディング方法 - Google Patents

ワイヤーボンディング方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの一主面
に形成される入出力端子である電極パッドとこの半導体
チップの周囲にある金属部とを金属細線で接続するワイ
ヤーボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）及び（ｂ）は従来のワイヤー
ボンディング方法を説明するための半導体装置を示す断
面図である。従来、例えば、図２（ａ）に示す樹脂封止
型半導体装置におけるワイヤーボンディング方法は、ま
ず、リードフレーム４に接着剤２で固着された半導体チ
ップ３の電極パッド５にツールでワイヤのボールを押し
付け、ボンディングワイヤ６の一端を接続し、ツールを
上昇させ、さらに移動させてから、再びツールをリード
フレーム４の接続領域に押し付け、ボンディングワイヤ
６の他端を接続していた。また、このボールを圧着する
第１の圧着点がある電極パッド５とボンディングワイヤ
６の接続する領域においては、その電極パッド５の広さ
が通常接続されるワイヤのボール直径の３倍以上ある。 このように電極パッド５からリードフレームの順にワイ
ヤを接続する方式を順打ちボンディングと呼ばれている
。
【０００３】一方、図２（ｂ）に示すセラミックパッケ
ージ型の半導体装置の場合は、まず、広い領域をもつリ
ード８を第１接続点としてボンディングワイヤ６の形成
されたボールをツールで押し付け溶接する。次に、ツー
ルを移動して、ボンディングワイヤ６を面積のせまい電
極パッド５ａに接続する。このようにリード８を第１圧
着点とし、電極パッド５ａを第２圧着点とする方式を逆
打ちボンディングと呼ばれている。
【０００４】いずれのボンディングにおいても、接続さ
れるボンディング領域のいずれも１回のワイヤーボンデ
ィング動作により一領域当り一点の圧着接続が行なわれ
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のワイヤ
ーボンディング方法では逆打ちボンディングで配線接続
する場合、すなわち第２の圧着点のレベルが第１の圧着
点のレベルに比較し高い位置にある場合、この２点間に
接続されるボンディングワイヤのループ形状は、第１圧
着点がボール圧着であるので、そのネック部の肉部が厚
く、ボンディングワイヤが圧着領域面に垂直方向に立上
り、第２の圧着点側に平行に伸び、図２（ａ）の６ａに
示すように逆Ｌ字形形状となる。このような接続後のボ
ンディングワイヤのループ形状であると、ボンディング
ワイヤの弛みを生じ易く、ボンディングワイヤの近接す
る他の領域と接触による短絡事故を起すという問題があ
る。
【０００６】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
、接続後におけるボンディングワイヤの弛みを起すこと
のないワイヤーボンディング方法を提供することである
。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のワイヤーボンデ
ィング方法は、一主面に集積回路と電極パッドとが形成
される半導体チップの周辺にある金属部の領域の第１の
圧着点に形成されるボールを介してボンディングワイヤ
を接続し、引続き前記金属部の領域の第３の圧着点に前
記ボンディングワイヤをステッチ圧着で接続し、次に、
前記電極パッドの領域に第２の圧着点として前記ボンデ
ィングワイヤをステッチ圧着して接続することを特徴と
している。
【０００８】
【作用】ボンディングワイヤに成形されるボール押し付
けて接続する第１の圧着点以外にワイヤボンディングワ
イヤのみで接続する第３の圧着点を半導体チップの周囲
にある同一金属領域部に配置することにより、接続後の
ボンディングワイヤのループ形状は、第３の圧着点を起
点とし、そのネック部の肉厚が薄いので、ツールの移動
に伴い斜めに立上り、中間部で半導体チップ上の電極パ
ッドに対し斜めに立下る山形形状になるので、ボンディ
ングワイヤの自重は、二本のボンディングワイヤ自身に
分散されるので、ボンディングワイヤの弛みを起すこと
がなくなる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明ワイヤーボンディン
グ方法の一実施例を説明するための半導体装置を示す断
面図である。図１（ａ）に示す半導体装置にこのワイヤ
ーボンディング方法を適用した場合は、まず、逆打ちボ
ンディングにより、ボンディングワイヤ６に成形される
ボールをツールでリードフレーム４に押し付け接続する
。この接続点を第１の圧着点とする。次に、ツールが上
昇し、わずかに移動し、再び下降させ、リードフレーム
４にボンディングワイヤを押し付け接続する。そしてこ
の接続点を第３の圧着点９とする。次に、従来と同様に
ツールを移動し、電極パッド５にボンディングワイヤ６
を接続し、これを第２の圧着点とする。このようにすれ
ば、第３の圧着点は、ステッチ圧着であるため、接続部
におけるネック部は薄く、曲げ易く、そのループ形状は
、第２の圧着点側に斜め上方に立ち上がり、中間部で立
ち下がり三角山形の形状になる。このようなルーピング
形状にすることにより、ボンディングワイヤ６と半導体
チップ３の端部との間隔は大きくとれ、ボンディングワ
イヤ６の自重は、二方向に分散され、弛みを起すことが
ない。従って、ボンディングワイヤによる接触短絡事故
は避けることが出来る。
【００１０】一方、図１（ｂ）に示す半導体装置にこの
ワイヤーボンディング方法を適用した場合はまず、セラ
ミック基板１上のリード８の上にボールを介して接続さ
れる第１圧着点とステッチ圧着により接続される第３圧
着点９を設置し、半導体チップ６上の電極パッド５ａを
ステッチ圧着により第２の圧着点とすることである。ま
た、この半導体装置の場合、第２の圧着点でワイヤを接
続した後、リード８にステッチ圧着を行っている。前述
の実施例と同様に、この実施例でも、接続後のボンディ
ングワイヤ６は、三角山形のループ形状にすることが出
来る。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップの周囲にある広い領域をもつ金属部にボール状に形
成されるボンディングワイヤを接続する第１の圧着点と
、ボンディングワイヤのみによりステッチ圧着接続する
第３の圧着点を配置し、半導体チップの電極パッドにス
テッチ圧着接続する第２の圧着点を配置することにより
、第３の圧着点を起点として斜めに立ち上り、中間部で
立下り第２の圧着点に結ぶ、三角山形の形状にボンディ
ングワイヤを張巡らすことが出来るので、弛みにより接
触短絡事故を起すことのない、信頼度の高い配線が出来
るワイヤーボンディング方法が得られるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のワイヤーボンディング方法の一実施例
を説明するための半導体装置示す断面図、（ａ）は樹脂
封止型、（ｂ）はセラミックパッケージ型を示す。
【図２】従来のワイヤーボンディング方法の一例を説明
するための半導体装置を示す断面図、（ａ）は樹脂封止
型、（ｂ）はセラミックパッケージ型を示す。
【符号の説明】
１　　　　セラミック基板 ２　　　　接着剤 ３，３ａ　　　　半導体チップ ４　　　　リードフレーム ５，５ａ　　　　電極パッド ６　　　　ボンディングワイヤ ７　　　　アイランド ８　　　　リード ９　　　　第３の圧着点

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　一主面に集積回路と電極パッドとが形
    成される半導体チップの周辺にある金属部の領域の第１
    の圧着点に形成されるボールを介してボンディングワイ
    ヤを接続し、引続き前記金属部の領域の第３の圧着点に
    前記ボンディングワイヤをステッチ圧着で接続し、次に
    、前記電極パッドの領域に第２の圧着点として前記ボン
    ディングワイヤをステッチ圧着して接続することを特徴
    とするワイヤーボンディング方法。
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