JPH01244654A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH01244654A JPH01244654A JP7129988A JP7129988A JPH01244654A JP H01244654 A JPH01244654 A JP H01244654A JP 7129988 A JP7129988 A JP 7129988A JP 7129988 A JP7129988 A JP 7129988A JP H01244654 A JPH01244654 A JP H01244654A
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- JP
- Japan
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- bonding
- hanging pin
- lead
- sections
- solder material
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/481—Disposition
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は樹脂封止型半導体装置用のリードフレームに関
し、特に、吊りピンボンディングがなされるリードフレ
ームに関する。
し、特に、吊りピンボンディングがなされるリードフレ
ームに関する。
［従来の技術］
従来、この種のリードフレームは第２図又は第３図に示
すような形状となっていた。
すような形状となっていた。
第２図のリードフレーム１１はそのアイランド部１２を
リード端子を兼ねた吊りピン部１３により支持して構成
されている。アイランド部１２上にはＡｕ（金）−３ｔ
（シリコン）共晶合金等のろう材により半導体ペレット
１５がダイボンディングされており、このペレット１５
の電極バッド１６と吊りピン部１３及び他のリード部１
４との間がボンディングワイヤ１７を介して電気的に接
続されている。
リード端子を兼ねた吊りピン部１３により支持して構成
されている。アイランド部１２上にはＡｕ（金）−３ｔ
（シリコン）共晶合金等のろう材により半導体ペレット
１５がダイボンディングされており、このペレット１５
の電極バッド１６と吊りピン部１３及び他のリード部１
４との間がボンディングワイヤ１７を介して電気的に接
続されている。
一方、第３図のリードフレーム１８は、吊りピン部１９
を隣接するリード部２０と同電位になるように接続させ
たものであり、吊りピン部１９に直接ボンディングワイ
ヤ１７を接続せずに、この吊りピン部１９と同電位のリ
ード部２０側にボンディングワイヤ１７を接続させるよ
うにしたものである。
を隣接するリード部２０と同電位になるように接続させ
たものであり、吊りピン部１９に直接ボンディングワイ
ヤ１７を接続せずに、この吊りピン部１９と同電位のリ
ード部２０側にボンディングワイヤ１７を接続させるよ
うにしたものである。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述した従来のリードフレームは、いず
れも以下に示すような欠点を有する。第２図のリードフ
レーム１１にあっては、吊りピン部１３自体に、また第
３図のリードフレーム１８にあっては吊りピン部１９と
同電位のリード部２０に夫々ボンディングしており、こ
のため、ダイボンディング時にろう材として用いたＡｕ
−８ｉ層の濡れ拡がりが良すぎた場合、吊りピン部１３
．１９のボンディング部上にＡｕ−３ｉ層が形成されて
しまい、ボンディングができなくなるという欠点がある
。
れも以下に示すような欠点を有する。第２図のリードフ
レーム１１にあっては、吊りピン部１３自体に、また第
３図のリードフレーム１８にあっては吊りピン部１９と
同電位のリード部２０に夫々ボンディングしており、こ
のため、ダイボンディング時にろう材として用いたＡｕ
−８ｉ層の濡れ拡がりが良すぎた場合、吊りピン部１３
．１９のボンディング部上にＡｕ−３ｉ層が形成されて
しまい、ボンディングができなくなるという欠点がある
。
また、リードフレーム１８の場合には、リードフレーム
１１に比して、アイランド部１２からリード部２０側の
ボンディング位置までの距離が長くなり、ボンディング
位置までＡｕ−９ｉ層が濡れ拡がることを比較的抑制す
ることができるものの、余分なリードが増えるため、他
のリード部１４のリード幅又はリード間隔が狭くなり、
そのためボンディング時にワイヤ垂れやリード落ちとい
う不都合が生じるという欠点がある。
１１に比して、アイランド部１２からリード部２０側の
ボンディング位置までの距離が長くなり、ボンディング
位置までＡｕ−９ｉ層が濡れ拡がることを比較的抑制す
ることができるものの、余分なリードが増えるため、他
のリード部１４のリード幅又はリード間隔が狭くなり、
そのためボンディング時にワイヤ垂れやリード落ちとい
う不都合が生じるという欠点がある。
更に、この場合、ワイヤ１７が長くなるため、樹脂封止
時にワイヤがその樹脂流により流れやすくなり、このた
めワイヤ同士の接触等が問題になるという不都合がある
。
時にワイヤがその樹脂流により流れやすくなり、このた
めワイヤ同士の接触等が問題になるという不都合がある
。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
ダイボンディングに用いたろう材が吊りピン部へ濡れ拡
がることを防止することができ、吊り゛ピン部に対する
ボンディングを確実に行うことができると共に、ボンデ
ィング時のワイヤ垂れやリード落ちを防止することがで
きるリードフレームを提供することを目的とする。
ダイボンディングに用いたろう材が吊りピン部へ濡れ拡
がることを防止することができ、吊り゛ピン部に対する
ボンディングを確実に行うことができると共に、ボンデ
ィング時のワイヤ垂れやリード落ちを防止することがで
きるリードフレームを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係るリードフレームは、アイランド部とこのア
イランド部を支持する吊りピン部とを有し、前記アイラ
ンド部にろう材により半導体ペレットがダイボンディン
グされると共に、この半導体ペレットの電極と前記吊り
ピン部との間がボンディングワイヤを介して接続される
リードフレームにおいて、前記アイランド部と前記吊り
ピン部との間に前記ろう材の拡がり防止用の溝部を設け
たことを特徴とする。
イランド部を支持する吊りピン部とを有し、前記アイラ
ンド部にろう材により半導体ペレットがダイボンディン
グされると共に、この半導体ペレットの電極と前記吊り
ピン部との間がボンディングワイヤを介して接続される
リードフレームにおいて、前記アイランド部と前記吊り
ピン部との間に前記ろう材の拡がり防止用の溝部を設け
たことを特徴とする。
［作用］
上記構成により本発明のリードフレームにおいては、ダ
イボンディング時に用いたろう材の濡れ拡がりが生じて
も、アイランド部と吊りピン部との間に溝部が設けられ
ているため、ろう材はこの溝部内に流れ込み、従って、
吊りピン部におけるボンディング部まで拡がることはな
い、このため、確実に吊りピン部にワイヤボンディング
することができる。
イボンディング時に用いたろう材の濡れ拡がりが生じて
も、アイランド部と吊りピン部との間に溝部が設けられ
ているため、ろう材はこの溝部内に流れ込み、従って、
吊りピン部におけるボンディング部まで拡がることはな
い、このため、確実に吊りピン部にワイヤボンディング
することができる。
［実施例］
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について具
体的に説明する。
体的に説明する。
第１図は本発明の実施例に係るリードフレームのアイラ
ンド部の周辺部を示す平面図である。図中、１はアイラ
ンド部であり、このアイランド部１上にＡｕ−３ｉ層等
の半田層を介して半導体ペレット２がダイボンディング
される。このアイランド部１はリード端子を兼ねた吊り
ピン部３により支持されており、また、この吊りピン部
３に隣接して多数のリード部４が配設されている。
ンド部の周辺部を示す平面図である。図中、１はアイラ
ンド部であり、このアイランド部１上にＡｕ−３ｉ層等
の半田層を介して半導体ペレット２がダイボンディング
される。このアイランド部１はリード端子を兼ねた吊り
ピン部３により支持されており、また、この吊りピン部
３に隣接して多数のリード部４が配設されている。
アイランド部１上にＡｕ−３ｉ等によりダイボンディン
グされた半導体ペレット２の各電極パッド７は、上記吊
りピン部３及びリード部４に夫々ボンディングワイヤ８
を介して接続される。吊りピン部３側のボンディング部
８ａの近傍には、当該ボンディング部８ａとアイランド
部１との間を遮るように、コの字型の溝部５が形成され
ており、これによりボンディング部８ａは吊りピンリー
ド部６上に設けられた状態となっている。
グされた半導体ペレット２の各電極パッド７は、上記吊
りピン部３及びリード部４に夫々ボンディングワイヤ８
を介して接続される。吊りピン部３側のボンディング部
８ａの近傍には、当該ボンディング部８ａとアイランド
部１との間を遮るように、コの字型の溝部５が形成され
ており、これによりボンディング部８ａは吊りピンリー
ド部６上に設けられた状態となっている。
即ち、本実施例のリードフレームにおいては、先ず、ア
イランド部１上にＡｕ−３ｉ層等のろう材により半導体
ペレット２が接続されるが、このときろう材の濡れ拡が
りが生じても、このろう材は溝部５内に流れ込む、この
ため、吊りピンリード部６のボンディング部８ａにまで
ろう材が拡がることはない、従って、その後の吊りピン
リード部６への吊りピンボンディングを確実に行うこと
ができる。
イランド部１上にＡｕ−３ｉ層等のろう材により半導体
ペレット２が接続されるが、このときろう材の濡れ拡が
りが生じても、このろう材は溝部５内に流れ込む、この
ため、吊りピンリード部６のボンディング部８ａにまで
ろう材が拡がることはない、従って、その後の吊りピン
リード部６への吊りピンボンディングを確実に行うこと
ができる。
なお、上記実施例においては溝部５をコの字型に形成し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、その形
状及び大きさは任意であり、要はアイランド部１から吊
りピン部３側のボンディング部８ａまでのろう材の漏れ
拡がりを防止できるものであればよい。
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、その形
状及び大きさは任意であり、要はアイランド部１から吊
りピン部３側のボンディング部８ａまでのろう材の漏れ
拡がりを防止できるものであればよい。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明に係るリードフレームによ
れば、アイランド部と吊りピン部側のボンディング部と
の間に溝部を設けたから、ダイボンディング時に用いた
ろう材が吊りピン部のボンディング部側へ濡れ拡がるこ
とを有効に防止することができ、吊りピンボンディング
を確実に行うことができるという効果を奏する。
れば、アイランド部と吊りピン部側のボンディング部と
の間に溝部を設けたから、ダイボンディング時に用いた
ろう材が吊りピン部のボンディング部側へ濡れ拡がるこ
とを有効に防止することができ、吊りピンボンディング
を確実に行うことができるという効果を奏する。
また、余分なリードを設ける必要がないため、リード間
隔が狭くなることがなく、ボンディング時のワイヤ垂れ
やリード落ちを防止することができる。
隔が狭くなることがなく、ボンディング時のワイヤ垂れ
やリード落ちを防止することができる。
更に、ボンディングワイヤが長くなることもないので、
樹脂封止時にワイヤが流れることもなくなる。
樹脂封止時にワイヤが流れることもなくなる。
第１図は本発明の実施例に係るリードフレームの半導体
ペレット搭載後の状態を示す平面図、第２図及び第３図
は従来のリードフレームの半導体ペレット搭載後の状態
を示す平面図である。 １；アイランド部、２；半導体ペレット、３；吊りピン
部、４；リード部、５；溝部、６；吊りピンリード部、
７；電極パッド、８；ボンディングワイヤ
ペレット搭載後の状態を示す平面図、第２図及び第３図
は従来のリードフレームの半導体ペレット搭載後の状態
を示す平面図である。 １；アイランド部、２；半導体ペレット、３；吊りピン
部、４；リード部、５；溝部、６；吊りピンリード部、
７；電極パッド、８；ボンディングワイヤ
Claims (1)
- （１）アイランド部とこのアイランド部を支持する吊り
ピン部とを有し、前記アイランド部にろう材により半導
体ペレットがダイボンディングされると共に、この半導
体ペレットの電極と前記吊りピン部との間がボンディン
グワイヤを介して接続されるリードフレームにおいて、
前記アイランド部と前記吊りピン部との間に前記ろう材
の拡がり防止用の溝部を設けたことを特徴とするリード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7129988A JPH01244654A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7129988A JPH01244654A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244654A true JPH01244654A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13456642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7129988A Pending JPH01244654A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01244654A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0452903A2 (en) * | 1990-04-18 | 1991-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame for semiconductor device |
| JPH0459956U (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-22 | ||
| JP2007305671A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP7129988A patent/JPH01244654A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0452903A2 (en) * | 1990-04-18 | 1991-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame for semiconductor device |
| EP0676807A1 (en) * | 1990-04-18 | 1995-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame for semiconductor device |
| JPH0459956U (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-22 | ||
| JP2007305671A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
| JP4705881B2 (ja) * | 2006-05-09 | 2011-06-22 | パナソニック株式会社 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
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