JPH04243156A - プラスチックpgaパッケージ - Google Patents
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- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はPGAパッケージに関し
、特にプラスチックPGAパッケージに関する。
、特にプラスチックPGAパッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】内部に論理回路を構成できるセルと呼ば
れるトランジスタなどの素子の集まりを周期的に配置し
、ICチップ周辺に外部回路と接続するための回路(以
下、I/Oバッファとする)を周期的に配置したゲート
アレーでは近年、トランジスタなどの素子の微細化にと
もない、I/Oバッファも小さくなり一辺に配置される
I/Oバッファの数が多くなってきてパッドのピッチも
小さくなってきている。
れるトランジスタなどの素子の集まりを周期的に配置し
、ICチップ周辺に外部回路と接続するための回路(以
下、I/Oバッファとする)を周期的に配置したゲート
アレーでは近年、トランジスタなどの素子の微細化にと
もない、I/Oバッファも小さくなり一辺に配置される
I/Oバッファの数が多くなってきてパッドのピッチも
小さくなってきている。
【0003】一方、ピン・グリッド・アレイ(PGA)
パッケージは図4に示すようにパッケージ9の下からピ
ン10を出す構造を持ち、多ピン化の要求に対し、最も
適したパッケージである。中でもプラスチックPGAは
セラミックPGAに比べ、コストを約1/2にできるこ
と、配線材料がセラミックPGAのタングステンに比べ
、銅を使用しているため、パッケージの配線抵抗が数分
の1になるなどメリットが多いが、パッケージ内部の配
線が2層以上可能なセラミックPGAに対し、2層以上
の配線を行なうとコストが非常に高くなるため、配線を
1層にする必要があり、ボンディングリードを1層にし
か並べることができない。このためチップサイズが小さ
く、かつ多ピンの場合及びパッドピッチが小さい場合図
5にようにボンディングリード8の配置がパッドピッチ
にあわないためコーナー部のボンディングリードをパッ
ケージの中心に向けて円弧状に配置し、対応している。 このため、さらにパッドピッチが狭くなると多ピン化の
ためにはボンディングリードをたくさんならべる必要が
あるためパッケージ上のチップをのせるアイランド4と
呼ばれる部分を拡げることになり、ワイヤー長が長くな
るため現状では対応できない。
パッケージは図4に示すようにパッケージ9の下からピ
ン10を出す構造を持ち、多ピン化の要求に対し、最も
適したパッケージである。中でもプラスチックPGAは
セラミックPGAに比べ、コストを約1/2にできるこ
と、配線材料がセラミックPGAのタングステンに比べ
、銅を使用しているため、パッケージの配線抵抗が数分
の1になるなどメリットが多いが、パッケージ内部の配
線が2層以上可能なセラミックPGAに対し、2層以上
の配線を行なうとコストが非常に高くなるため、配線を
1層にする必要があり、ボンディングリードを1層にし
か並べることができない。このためチップサイズが小さ
く、かつ多ピンの場合及びパッドピッチが小さい場合図
5にようにボンディングリード8の配置がパッドピッチ
にあわないためコーナー部のボンディングリードをパッ
ケージの中心に向けて円弧状に配置し、対応している。 このため、さらにパッドピッチが狭くなると多ピン化の
ためにはボンディングリードをたくさんならべる必要が
あるためパッケージ上のチップをのせるアイランド4と
呼ばれる部分を拡げることになり、ワイヤー長が長くな
るため現状では対応できない。
【0004】例えば、現在ではリード幅0.14mm、
間隔0.1mmとすれば、リードのピッチは0.24m
mとなる。8mm×8mmのアイランドの場合単純計算
でボンディングリードの数は33本程度となる。一方、
8mm×8mmのアイランドをもつパッケージに搭載可
能なチップは6.5mm程度でI/Oバッファ用の12
0μmパッドピッチを想定した場合(I/Oバッファの
大きさを850μm×120μmとする)、40のパッ
ドが並ぶため残りのパッドが外部と接続できず、無駄に
なってしまっていた。
間隔0.1mmとすれば、リードのピッチは0.24m
mとなる。8mm×8mmのアイランドの場合単純計算
でボンディングリードの数は33本程度となる。一方、
8mm×8mmのアイランドをもつパッケージに搭載可
能なチップは6.5mm程度でI/Oバッファ用の12
0μmパッドピッチを想定した場合(I/Oバッファの
大きさを850μm×120μmとする)、40のパッ
ドが並ぶため残りのパッドが外部と接続できず、無駄に
なってしまっていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプラス
チックPGAパッケージでは2層以上の配線は大きなコ
ストアップにつながりプラスチックPGAの持つメリッ
トを殺してしまうため単層配線を採用せざるを得ない。 ボンディングリードはパッケージの一辺に一列であり、
チップのサイズにより並べられるリードの数は決定し、
2層以上の配線が可能なセラミックPGAに比ベリード
の数は少なくなり、パッドピッチが小さくなると対応で
きないという欠点を持つ。
チックPGAパッケージでは2層以上の配線は大きなコ
ストアップにつながりプラスチックPGAの持つメリッ
トを殺してしまうため単層配線を採用せざるを得ない。 ボンディングリードはパッケージの一辺に一列であり、
チップのサイズにより並べられるリードの数は決定し、
2層以上の配線が可能なセラミックPGAに比ベリード
の数は少なくなり、パッドピッチが小さくなると対応で
きないという欠点を持つ。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のプラスチックP
GAパッケージは前列ボンディングリードと後列ボンデ
ィングリードを千鳥状にプラスチップ基板表面に配置し
、前記前列ボンディングリードからの配線を2本の前記
後列ボンディングリード間を通して配線したというもの
である。
GAパッケージは前列ボンディングリードと後列ボンデ
ィングリードを千鳥状にプラスチップ基板表面に配置し
、前記前列ボンディングリードからの配線を2本の前記
後列ボンディングリード間を通して配線したというもの
である。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0008】図1は本発明の第1の実施例を示す図であ
り、キャップをかぶせる前のパッケージの上方からみた
図である。
り、キャップをかぶせる前のパッケージの上方からみた
図である。
【0009】パッケージのボンディングリードは2列に
配置されており前列と後列は千鳥状に配置されている。 前列ボンディングリード1からのパッケージ内配線1a
は前記ボンディングリード1より幅が狭くなっていて後
列ボンディングリード2の間に配線されている。チップ
3はアイランドと呼ばれるキャビティ4に搭載されボン
ディングワイヤー5によってチップ上のパッド6とボン
ディングリードが電気的に接続される。このとき0.1
4mmピッチで前列、後列ボンディングリードを千鳥状
に並べた場合にはリードのピッチは0.14mmとなり
、8mm×8mmのアイランドでは単純に割り算をして
57本のボンディングリードを並べることが可能となり
、図3のように2層以上のパッケージ内配線を持つセラ
ミックPGAと同様のボンディングが実現される。
配置されており前列と後列は千鳥状に配置されている。 前列ボンディングリード1からのパッケージ内配線1a
は前記ボンディングリード1より幅が狭くなっていて後
列ボンディングリード2の間に配線されている。チップ
3はアイランドと呼ばれるキャビティ4に搭載されボン
ディングワイヤー5によってチップ上のパッド6とボン
ディングリードが電気的に接続される。このとき0.1
4mmピッチで前列、後列ボンディングリードを千鳥状
に並べた場合にはリードのピッチは0.14mmとなり
、8mm×8mmのアイランドでは単純に割り算をして
57本のボンディングリードを並べることが可能となり
、図3のように2層以上のパッケージ内配線を持つセラ
ミックPGAと同様のボンディングが実現される。
【0010】また図2は本発明の第2の実施例の断面図
である。
である。
【0011】リードの配置及び配線方法は図1と同じで
あるが、前列ボンディングリード1と後列ボンディング
リード2の間に後列のボンディングリードが高くなるよ
うにプラスチック基板7に段差をつけることにより、セ
ラミックPGAと同様のボンディングができるのみでな
く、ボンディングが容易になるため歩留まりも向上する
。
あるが、前列ボンディングリード1と後列ボンディング
リード2の間に後列のボンディングリードが高くなるよ
うにプラスチック基板7に段差をつけることにより、セ
ラミックPGAと同様のボンディングができるのみでな
く、ボンディングが容易になるため歩留まりも向上する
。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、パッケー
ジの前列ボンディングリードと後列ボンディングリード
を千鳥状に配置することによって小さいパッドピッチに
対応したプラスチックPGAパッケージを実現できると
いう効果を持つ。
ジの前列ボンディングリードと後列ボンディングリード
を千鳥状に配置することによって小さいパッドピッチに
対応したプラスチックPGAパッケージを実現できると
いう効果を持つ。
【図1】本発明の第1の実施例を示す平面図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す断面図である。
【図3】セラミックPGAパッケージを示す平面図であ
る。
る。
【図4】PGAパッケージの側面図である。
【図5】従来例を示す平面図である。
1 前列ボンディングリード
1a 前列ボンディングリードのパッケージ内部
配線2 後列ボディングリード 3 チップ 4 キャビティ 5 ボンディングワイヤー 6 パッド 7 プラスチック基板 8 ボンディングリード 9 パッケージ 10 ピン
配線2 後列ボディングリード 3 チップ 4 キャビティ 5 ボンディングワイヤー 6 パッド 7 プラスチック基板 8 ボンディングリード 9 パッケージ 10 ピン
Claims (2)
- 【請求項1】 前列ボンディングリードと後列ボンデ
ィングリードを千鳥状にプラスチップ基板表面に配置し
、前記前列ボンディングリードからの配線を2本の前記
後列ボンディングリード間を通して配線したことを特徴
とするプラスチックPGAパッケージ。 - 【請求項2】 プラスチック基板表面に段差を設け、
後列ボンディングリードが高くなっている請求項1記載
のプラスチックPGAパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3003562A JPH04243156A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | プラスチックpgaパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3003562A JPH04243156A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | プラスチックpgaパッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04243156A true JPH04243156A (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=11560866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3003562A Pending JPH04243156A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | プラスチックpgaパッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04243156A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996012298A1 (en) * | 1993-08-05 | 1996-04-25 | Vlsi Technology, Inc. | Thin cavity down ball grid array package based on wirebond technology |
US5818114A (en) * | 1995-05-26 | 1998-10-06 | Hewlett-Packard Company | Radially staggered bond pad arrangements for integrated circuit pad circuitry |
US5939776A (en) * | 1996-05-17 | 1999-08-17 | Lg Semicon Co., Ltd. | Lead frame structure having non-removable dam bars for semiconductor package |
JP2002134642A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Keihin Corp | ワイヤボンディング端子構造 |
JP2002134643A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Keihin Corp | ワイヤボンディング端子構造 |
EP1545170A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-22 | Nitto Denko Corporation | Wiring circuit board |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3003562A patent/JPH04243156A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996012298A1 (en) * | 1993-08-05 | 1996-04-25 | Vlsi Technology, Inc. | Thin cavity down ball grid array package based on wirebond technology |
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JP2002134642A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Keihin Corp | ワイヤボンディング端子構造 |
JP2002134643A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Keihin Corp | ワイヤボンディング端子構造 |
EP1545170A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-22 | Nitto Denko Corporation | Wiring circuit board |
US7087844B2 (en) | 2003-12-16 | 2006-08-08 | Nitto Denko Corporation | Wiring circuit board |
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