JP2606631B2 - マスタースライス型半導体集積回路装置 - Google Patents

マスタースライス型半導体集積回路装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマスタースライス型半導
体集積回路装置に関し、特にＰＧＡ（Pin Grid Array）
パッケージを有するマスタースライス型半導体集積回路
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマスタースライス型半導体集積回
路装置では、ＰＧＡパッケージの全信号ピンを入出力信
号ピンとして用いるか、またはパッケージの１方の対向
する２辺にある信号ピンを入出力信号ピンとして用い、
他方の対向する２辺にある信号ピンを入力信号専用ピン
として用いる場合があった。また、従来のマスタースラ
イス型半導体集積回路装置では、第３図（ａ），（ｂ）
に示すように、ＰＧＡパケージの配線を２層構造とし、
パッケージ１３８内の配線１２１，１２２の配線抵抗に
よる出力信号の電位降下が全信号ピンに対して均一化す
るよう、パッケージ内配線１２１，１２２の長さが長い
もの（外周のピンに接続する配線）ほど信号線の幅を太
くして、全ての信号ピンに対する配線１２１，１２２の
配線抵抗の均一化を図っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマスタ
ースライス型半導体集積回路装置では、パッケージ外周
のピンに接続するパッケージ内の配線が太くなるため配
線間の相互間隔が狭くなること、および出力信号用配線
の配線長が長くなることから、配線が細くて短い内周の
ピンに接続する配線に比べて大きなクロストークノイズ
を生じる。
【０００４】ＰＧＡパッケージの最内周の信号ピンも、
最外周の信号ピンも一律に出力信号に割当てられる可能
性がある従来のマスタースライス型半導体集積回路装置
では、最外周の信号ピンの多くが出力信号に割り当てら
れ、これらが同一タイミングで動作すると、非常に大き
なクロストークノイズを生じ、付加デバイスの誤動作を
招くという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のマスタースライ
ス型半導体集積回路装置は、マスタースライス型半導体
チップを搭載したＰＧＡパッケージを有するマスタース
ライス型半導体集積回路装置において、前記ＰＧＡパッ
ケージ内に設けた配線を介してパッケージの最外周の外
部ピンと電気的に接続して前記半導体チップ上に設けた
入力セルと、前記ＰＧＡパッケージ内の配線を介してパ
ッケージの内周側の外部ピンを電気的に接続して前記半
導体ップ上に設けた入出力セルとを有する。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【０００７】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例を示す平面図及び断面図である。
【０００８】図１（ａ），（ｂ）に示すように、４列あ
る外部ピンの外周に位置する外部ピン１３７は、パッケ
ージ１３８内のコンタクトホール１１１で接続された下
層の配線１２１及び上層の配線１２２を経由して半導体
チップ上に設けた入力セル１０１のボンディングパッド
１３１とボンディング線１３２で接続されている。一
方、内周に位置する外部ピン１３６は、同様にパッケー
ジ１３８内の配線１２１，１２２を介して入出力セル１
０２のボンディングパッド１３１とボンディング線１３
２で接続されている。外部ピン１３６に接続された配線
１２１，１２２は出力信号が割り当てられる可能性があ
るため、配線長が長くなるほど配線幅を太くして、配線
抵抗の均一化を図っている。一方、外部ピン１３７に接
続された配線１２１，１２２は入力信号専用であるた
め、信号線に電流がほとんど流れず、信号線の配線抵抗
による電位降下がほとんどないので、配線幅を入出力信
号用の配線に比べて細くすることができる。したがっ
て、これらの配線は、従来例に対して信号線間の距離を
広く取ることができ、クロストークノイズを低減するこ
とが可能である。またクロストークノイズを最も誘引す
る出力信号が、内周に位置する外部ピン１３６に割り当
てられるため、配線長が短く、クロストークノイズを小
さく抑えることが可能である。
【０００９】図２（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例を示す平面図及び断面図である。
【００１０】図２（ａ），（ｂ）に示すように、４列あ
る外部ピンの外周に位置する外部ピン１３７は、パッケ
ージ１３８の配線１２１を介して入力セル１０１のボン
ディングパッド１３１とボンディング線１３２で接続さ
れている。一方、内周に位置する外部ピン１３６は、パ
ッケージ１３８の配線１２２を介して入出力セル１０２
のボンディングパッド１３１とボンディング線１３２で
接続されている。
【００１１】本実施例では、第１の実施例と同じくクロ
ストークノイズを最も誘引する出力信号が、内周に位置
する外部ピン１３６に割り当てられるため、配線長が短
く、クロストークノイズを小さく抑えることが可能であ
ると同時に、パッケージ１３８内の出力信号用の配線が
同一の配線層にはないため、入力信号が出力信号の動作
の影響を受けず、入力信号にノイズが生じにくいという
利点がある。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＰＧＡパ
ッケージ実装のマスタースライス型半導体集積回路装置
において、最も外周の信号ピンには入力信号のみを、最
も内周の信号ピンには出力もしくは入出力信号をわりあ
て、また入力信号専用ピンのパッケージ内信号線幅を、
出力用もしくは入出力信号用ピンの信号線に較べて細く
することで、信号線間のクロストークを減少させる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図及び断面図
である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す平面図及び断面図
である。
【図３】従来のマスタースライス型半導体集積回路装置
の一例を示す平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１０１ 入力セル １０２ 入出力セル １１１ コンタクトホール １２１，１２２ 配線 １３１ ボンディングパッド １３２ ボンディング線 １３３ 半導体チップ １３６，１３７ 外部ピン １３８ パッケージ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マスタースライス型半導体チップを搭載
    したＰＧＡパッケージを有するマスタースライス型半導
    体集積回路装置において、前記ＰＧＡパッケージ内に設
    けた配線を介してパッケージの最外周の外部ピンと電気
    的に接続して前記半導体チップ上に設けた入力セルと、
    前記ＰＧＡパッケージ内の配線を介してパッケージの内
    周側の外部ピンと電気的に接続して前記半導体チップ上
    に設けた入出力セルとを有することを特徴とするマスタ
    ースライス型半導体集積回路装置。
  2. 【請求項２】 ＰＧＡパッケージの最外周の入力セル用
    の外部ピンに接続したパッケージ内配線の幅が内周側の
    入出力セル用の外部ピンに接続したパッケージ内配線の
    幅よりも細くなっている請求項１記載のマスタースライ
    ス型半導体集積回路装置。
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US07/828,368 US5365406A (en) 1991-02-01 1992-01-30 Master-slice type semiconductor integrated circuit device

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JPH04246851A JPH04246851A (ja) 1992-09-02
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