JPH05121632A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05121632A JPH05121632A JP3279427A JP27942791A JPH05121632A JP H05121632 A JPH05121632 A JP H05121632A JP 3279427 A JP3279427 A JP 3279427A JP 27942791 A JP27942791 A JP 27942791A JP H05121632 A JPH05121632 A JP H05121632A
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- lead
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
(57)【要約】
【目的】信号リード間のクロストークによるノイズを低
減するリードフレーム。 【構成】リードフレーム1の信号用リード3の間に接地
電位となるチップ上のパッドから金属板5を通して接地
されている接地リード6を挿入することにより、信号リ
ード間のクロストークを低減させることが可能となる。
減するリードフレーム。 【構成】リードフレーム1の信号用リード3の間に接地
電位となるチップ上のパッドから金属板5を通して接地
されている接地リード6を挿入することにより、信号リ
ード間のクロストークを低減させることが可能となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関わり、特
にリードフレームに関わる。
にリードフレームに関わる。
【0002】
【従来の技術】近年、ICのパッケージは製造費の安い
プラスティックパッケージが主流となっている。なかで
も、クワッドフラットパッケージ(以下QFPと略す)
はICの高密度実装にともない表面実装可能であると、
多ピン化が可能なことにより特に入出力の多いICでは
全パッケージの中で大きな部分を占めるようになってい
る。
プラスティックパッケージが主流となっている。なかで
も、クワッドフラットパッケージ(以下QFPと略す)
はICの高密度実装にともない表面実装可能であると、
多ピン化が可能なことにより特に入出力の多いICでは
全パッケージの中で大きな部分を占めるようになってい
る。
【0003】このQFPの構造は、図3(a)、(b)
に示すようなリードフレームと呼ばれる金属板のアイラ
ンド2上にICチップ7を乗せ外側のリード3とチップ
周辺にある信号取り出し口(パッド8)をワイヤー9で
接続し(ワイヤーボンディング)、全体を封止樹脂13
でおおう構造である。
に示すようなリードフレームと呼ばれる金属板のアイラ
ンド2上にICチップ7を乗せ外側のリード3とチップ
周辺にある信号取り出し口(パッド8)をワイヤー9で
接続し(ワイヤーボンディング)、全体を封止樹脂13
でおおう構造である。
【0004】また近年では、回路の高速化、入出力回路
数の増大によるパッケージ内配線の微細化等にともな
い、高速で信号が論理回路でいうハイレベルからロウレ
ベルへもしくはロウレベルからハイレベルへ切り替わる
とかに該信号線近辺の信号線にノイズが乗り、誤動作を
起こしてしまうクロストークと呼ばれる現象が無視でき
ないようになってきている。対策としては信号線間に接
地電位の線を存在させるとスロストークによるノイズが
低減できる事が知られている。
数の増大によるパッケージ内配線の微細化等にともな
い、高速で信号が論理回路でいうハイレベルからロウレ
ベルへもしくはロウレベルからハイレベルへ切り替わる
とかに該信号線近辺の信号線にノイズが乗り、誤動作を
起こしてしまうクロストークと呼ばれる現象が無視でき
ないようになってきている。対策としては信号線間に接
地電位の線を存在させるとスロストークによるノイズが
低減できる事が知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のリード
フレームでは信号用リード間に何も存在しないため、信
号線間のクロストークによるノイズが問題となる領域で
は実用不可となる欠点がある。
フレームでは信号用リード間に何も存在しないため、信
号線間のクロストークによるノイズが問題となる領域で
は実用不可となる欠点がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は信
号を伝達するリードを接地電位であるリードで囲む構造
をもつリードフレームを使用することを特徴とする。
号を伝達するリードを接地電位であるリードで囲む構造
をもつリードフレームを使用することを特徴とする。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0008】図1は本発明の一実施例の平面図である。
図1に於てリードフレームはチップを乗せるアイランド
2及び信号、電源電圧を外部へ引き出すリード3、アイ
ランドを支えるリード4、アイランドとリードの間にボ
ンディング可能で、リード4と接続した金属板5、及び
金属板5と電気的に接続され、各リード3をはさむよう
に配置された接地リード6から構成されている。ここに
ICチップ7を搭載し、チップの周辺にあるパッド8と
金属ワイヤー9にて接続する。このときチップ上の接地
電位となるパッド8aと金属板5を金属ワイヤーにて接
続し、更に金属板5と接地電位となるリード3aを金属
ワイヤーにて接続することにより、金属板5及び接地リ
ード6は接地電位となり、各リード間におけるクロスト
ークを低減することが可能となる。
図1に於てリードフレームはチップを乗せるアイランド
2及び信号、電源電圧を外部へ引き出すリード3、アイ
ランドを支えるリード4、アイランドとリードの間にボ
ンディング可能で、リード4と接続した金属板5、及び
金属板5と電気的に接続され、各リード3をはさむよう
に配置された接地リード6から構成されている。ここに
ICチップ7を搭載し、チップの周辺にあるパッド8と
金属ワイヤー9にて接続する。このときチップ上の接地
電位となるパッド8aと金属板5を金属ワイヤーにて接
続し、更に金属板5と接地電位となるリード3aを金属
ワイヤーにて接続することにより、金属板5及び接地リ
ード6は接地電位となり、各リード間におけるクロスト
ークを低減することが可能となる。
【0009】図2(a)、(b)は本発明の第2の実施
例である。図2(a)は第2の実施例を上方からみた
図、図2(b)はその側面図である。最近ではICの多
ピン化が進み、小さいチップで多くの信号を入出力を可
能とするリードフレームが製造されているが、リード間
のピッチが非常に狭くなりリード間に接地リードを挿入
できないことがある。この場合、信号リードを例えば、
ポリイミドテープのような絶縁材料12をはさみ、上下
から接地電位に接続されているリードフレーム10、1
1ではさむことにより各リード間におけるクロストーク
を軽減することが可能となる。このときリードフレーム
10、11は金属板5を通してチップ上の接地電位に電
気的に接続され、また、外部の接地電位とも電気的に接
続される。
例である。図2(a)は第2の実施例を上方からみた
図、図2(b)はその側面図である。最近ではICの多
ピン化が進み、小さいチップで多くの信号を入出力を可
能とするリードフレームが製造されているが、リード間
のピッチが非常に狭くなりリード間に接地リードを挿入
できないことがある。この場合、信号リードを例えば、
ポリイミドテープのような絶縁材料12をはさみ、上下
から接地電位に接続されているリードフレーム10、1
1ではさむことにより各リード間におけるクロストーク
を軽減することが可能となる。このときリードフレーム
10、11は金属板5を通してチップ上の接地電位に電
気的に接続され、また、外部の接地電位とも電気的に接
続される。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードフ
レームにおいて信号線となるリードを接地電位であるリ
ードてはさむことにより各リード間でなクロストークに
よるノイズを軽減することが可能となる。
レームにおいて信号線となるリードを接地電位であるリ
ードてはさむことにより各リード間でなクロストークに
よるノイズを軽減することが可能となる。
【図1】本発明の一実施例を示す平面図。
【図2】本発明の第2の実施例を示す図。
【図3】従来のリードフレームの構造図。
1 リードフレーム 2 アイランド 3 電源及び信号リード 4 アイランドを支えるリード 5 金属板 6 接地リード 7 ICチップ 8 パッド 9 金属ワイヤー 10,11 接地リードフレーム 12 絶縁材料 13 封止樹脂
Claims (1)
- 【請求項1】 リードフレームのアイランド上にICチ
ップを搭載し、前記アイランドの周辺に設けた信号リー
ドと前記ICチップとを電気的に接続し、全体を樹脂で
封止した半導体装置において、接地電位となるリードで
前記信号リードを囲んであるリードフレームを用いたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3279427A JPH05121632A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3279427A JPH05121632A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05121632A true JPH05121632A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17610927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3279427A Pending JPH05121632A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05121632A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2764115A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif |
FR2764114A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif semi-conducteur muni d'un dissipateur thermique |
KR100262180B1 (ko) * | 1996-06-28 | 2000-07-15 | 고토 하지메 | 수지밀봉형반도체장치및그의제조방법 |
JP2002299645A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール用リードフレームおよび光モジュール |
DE10124970A1 (de) * | 2001-05-21 | 2002-11-28 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einer Halbleiterchip-Anschlußplatte und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2014036100A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP3279427A patent/JPH05121632A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100262180B1 (ko) * | 1996-06-28 | 2000-07-15 | 고토 하지메 | 수지밀봉형반도체장치및그의제조방법 |
FR2764115A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif |
FR2764114A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif semi-conducteur muni d'un dissipateur thermique |
EP0883181A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-09 | STMicroelectronics S.A. | Dispositif semi-conducteur et procédé de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif |
EP0883177A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-09 | STMicroelectronics S.A. | Dispositif semi-conducteur muni d'un dissipateur thermique. |
US6064115A (en) * | 1997-06-02 | 2000-05-16 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Semiconductor device provided with a heat sink |
JP2002299645A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール用リードフレームおよび光モジュール |
DE10124970A1 (de) * | 2001-05-21 | 2002-11-28 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einer Halbleiterchip-Anschlußplatte und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6774479B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-08-10 | Infineon Technologies Ag | Electronic device having a semiconductor chip on a semiconductor chip connection plate and a method for producing the electronic device |
DE10124970B4 (de) * | 2001-05-21 | 2007-02-22 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einer Halbleiterchip-Anschlußplatte, Systemträger und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2014036100A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
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