JP2927246B2 - 樹脂封止型回路部品 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
等の回路部品に関する。
等の回路部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、図１に
示すように金属製の支持板１と、ここから導出された金
属製の外部リード２と、半導体素子３と、内部リード細
線４と、樹脂封止体５とから成る。放熱板としての機能
を有する支持板１及び外部接続用の外部リード２は一般
にはリードフレームに基づいて形成される。半導体素子
３の下面の電極（図示せず）は支持板１の一方の主面即
ち上面６に半田等で固着されている。従って、半導体素
子３の下面は支持板１に電気的及び機械的に結合されて
いる。半導体素子３の上面の電極（図示せず）と図１に
は示されていない別の外部リードとが内部リード細線４
によって接続されている。樹脂封止体５は例えばエポキ
シ樹脂と充填材とから成り、支持板１、半導体素子３、
外部リードの一部２ａ、内部リード細線４を被覆するよ
うに形成されている。なお、支持板１の他方の主面即ち
下面７及び支持板１の取付用孔８も樹脂封止体５で被覆
されている。図１の半導体装置を使用する時には、一般
に支持板１の下面側を外部の金属放熱体に接触させる。
この時、外部の放熱体と外部リード２及び図示されてい
ない別の外部リードとの間隔を増大させるために、外部
リード２は支持板１の上面６よりも上方に偏位されてい
る。
示すように金属製の支持板１と、ここから導出された金
属製の外部リード２と、半導体素子３と、内部リード細
線４と、樹脂封止体５とから成る。放熱板としての機能
を有する支持板１及び外部接続用の外部リード２は一般
にはリードフレームに基づいて形成される。半導体素子
３の下面の電極（図示せず）は支持板１の一方の主面即
ち上面６に半田等で固着されている。従って、半導体素
子３の下面は支持板１に電気的及び機械的に結合されて
いる。半導体素子３の上面の電極（図示せず）と図１に
は示されていない別の外部リードとが内部リード細線４
によって接続されている。樹脂封止体５は例えばエポキ
シ樹脂と充填材とから成り、支持板１、半導体素子３、
外部リードの一部２ａ、内部リード細線４を被覆するよ
うに形成されている。なお、支持板１の他方の主面即ち
下面７及び支持板１の取付用孔８も樹脂封止体５で被覆
されている。図１の半導体装置を使用する時には、一般
に支持板１の下面側を外部の金属放熱体に接触させる。
この時、外部の放熱体と外部リード２及び図示されてい
ない別の外部リードとの間隔を増大させるために、外部
リード２は支持板１の上面６よりも上方に偏位されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、エポキシ樹
脂系の樹脂封止体５の熱膨張係数は例えば２０ppm 即ち
２０×１０-6℃-1であって銅から成る支持板１及び外部
リード２の熱膨張係数（１７ppm ）よりも大きいので、
樹脂封止体５を周知のトランスファモールド法で形成し
た後の熱収縮は樹脂封止体５の方が外部リード２よりも
大きい。また、外部リード２は樹脂封止体５の側面の中
央から導出させないで、上側に偏位させて導出させる
と、樹脂封止体５の外部リード２の下側部分の体積が外
部リード２の上側部分の体積よりも大きくなり、樹脂封
止体５の外部リード２の下側部分の熱収縮が上側部分よ
りも大きくなる。上述のように、樹脂封止体５と外部リ
ード２との熱膨張係数の相違に基づいて両者の間（特に
下側）にすき間が生じることがある。この様なすき間は
水分等の異物の侵入路となり、半導体装置の信頼性の低
下を招く。上述のような問題は半導体装置に限ることな
く、半導体素子を含む樹脂封止型集積回路装置、樹脂封
止型受動又は能動回路装置等の回路部品においても生じ
る。
脂系の樹脂封止体５の熱膨張係数は例えば２０ppm 即ち
２０×１０-6℃-1であって銅から成る支持板１及び外部
リード２の熱膨張係数（１７ppm ）よりも大きいので、
樹脂封止体５を周知のトランスファモールド法で形成し
た後の熱収縮は樹脂封止体５の方が外部リード２よりも
大きい。また、外部リード２は樹脂封止体５の側面の中
央から導出させないで、上側に偏位させて導出させる
と、樹脂封止体５の外部リード２の下側部分の体積が外
部リード２の上側部分の体積よりも大きくなり、樹脂封
止体５の外部リード２の下側部分の熱収縮が上側部分よ
りも大きくなる。上述のように、樹脂封止体５と外部リ
ード２との熱膨張係数の相違に基づいて両者の間（特に
下側）にすき間が生じることがある。この様なすき間は
水分等の異物の侵入路となり、半導体装置の信頼性の低
下を招く。上述のような問題は半導体装置に限ることな
く、半導体素子を含む樹脂封止型集積回路装置、樹脂封
止型受動又は能動回路装置等の回路部品においても生じ
る。
【０００４】そこで、本発明は信頼性の向上は図ること
ができる樹脂封止型回路部品を提供することを目的とす
る。
ができる樹脂封止型回路部品を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、金属製支持板と、この支持板から導出され
た金属製の外部リードと、前記支持板上に固着された回
路素子と、前記支持板の少なくとも一部と前記外部リー
ドの一部と前記回路素子とを被覆する樹脂封止体とから
成る樹脂封止型回路部品において、前記樹脂封止体は互
いに並置され且つ互いに密着されている第１及び第２の
部分を有し、前記第１の部分は前記外部リードの一部を
直接に被覆するように配置され、前記第２の部分は前記
支持板の全部又は大部分と前記回路素子とを被覆するよ
うに配置され、前記第１の部分は前記外部リードの熱膨
張係数よりも小さい熱膨張係数を有する第１の材料から
成り、前記第２の部分は前記外部リードの熱膨張係数以
上の熱膨張係数を有し且つ前記第１の部分の熱伝導率よ
りも大きな熱伝導率を有する第２の材料から成り、前記
支持板の全部又は大部分と前記回路素子とは前記第２の
部分で被覆されているが、前記第１の部分で被覆されて
いないことを特徴とする樹脂封止形回路部品に係わるも
のである。なお、本願の発明において、前記回路素子
は、半導体素子又はチップ、この他の受動又は能動素子
は勿論のこと、ＩＣチップ及び混成集積回路等も意味
し、また、前記回路部品は半導体装置、この他の受動又
は能動部品等は勿論のこと、ＩＣ又は混成集積回路装
置、受動又は能動素子を含む回路装置等も意味するもの
とする。
の本発明は、金属製支持板と、この支持板から導出され
た金属製の外部リードと、前記支持板上に固着された回
路素子と、前記支持板の少なくとも一部と前記外部リー
ドの一部と前記回路素子とを被覆する樹脂封止体とから
成る樹脂封止型回路部品において、前記樹脂封止体は互
いに並置され且つ互いに密着されている第１及び第２の
部分を有し、前記第１の部分は前記外部リードの一部を
直接に被覆するように配置され、前記第２の部分は前記
支持板の全部又は大部分と前記回路素子とを被覆するよ
うに配置され、前記第１の部分は前記外部リードの熱膨
張係数よりも小さい熱膨張係数を有する第１の材料から
成り、前記第２の部分は前記外部リードの熱膨張係数以
上の熱膨張係数を有し且つ前記第１の部分の熱伝導率よ
りも大きな熱伝導率を有する第２の材料から成り、前記
支持板の全部又は大部分と前記回路素子とは前記第２の
部分で被覆されているが、前記第１の部分で被覆されて
いないことを特徴とする樹脂封止形回路部品に係わるも
のである。なお、本願の発明において、前記回路素子
は、半導体素子又はチップ、この他の受動又は能動素子
は勿論のこと、ＩＣチップ及び混成集積回路等も意味
し、また、前記回路部品は半導体装置、この他の受動又
は能動部品等は勿論のこと、ＩＣ又は混成集積回路装
置、受動又は能動素子を含む回路装置等も意味するもの
とする。
【０００６】
【発明の作用及び効果】本発明では樹脂封止体が単一の
材料で形成されておらず、第１及び第２の材料で形成さ
れている。外部リードを被覆する第１の部分の材料の熱
膨張係数は外部リードの熱膨張係数よりも小さい。従っ
て、第１の部分が外部リードよりも大きく熱収縮するこ
とはない。この結果、第１の部分が外部リードから剥離
してすき間が生じるような不良の発生を防ぐことができ
る。また、第２の部分は外部リード以上の熱膨張係数を
有し且つ第１の部分の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を
有する材料で形成され且つ第１の部分では被覆されてい
ないので、放熱性を確保することができる。
材料で形成されておらず、第１及び第２の材料で形成さ
れている。外部リードを被覆する第１の部分の材料の熱
膨張係数は外部リードの熱膨張係数よりも小さい。従っ
て、第１の部分が外部リードよりも大きく熱収縮するこ
とはない。この結果、第１の部分が外部リードから剥離
してすき間が生じるような不良の発生を防ぐことができ
る。また、第２の部分は外部リード以上の熱膨張係数を
有し且つ第１の部分の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を
有する材料で形成され且つ第１の部分では被覆されてい
ないので、放熱性を確保することができる。
【０００７】
【実施例】次に、図２〜図５を参照して本発明の実施例
に係わる樹脂封止型半導体装置を説明する。この実施例
の樹脂封止型半導体装置は、図１に示した従来の半導体
装置と同様に金属（銅）製の支持板１と、金属（銅）製
の外部リード２と、半導体素子３と、内部リード細線４
とを有している。なお、図３には支持板１に非連結の２
つの外部リード９も示されている。図２〜図４における
支持板１からの外部リード２の導出は図１と同一であっ
て、支持板１の上面６よりも上側に偏位して導出されて
いる。支持板１に固着された半導体素子３の上面の２つ
の電極（図示せず）と２つの非連結外部リード９とは内
部リード細線４でそれぞれ接続されている。半導体素子
３の下側電極（図示せず）は支持板１に電気的及び機械
的に結合されている。
に係わる樹脂封止型半導体装置を説明する。この実施例
の樹脂封止型半導体装置は、図１に示した従来の半導体
装置と同様に金属（銅）製の支持板１と、金属（銅）製
の外部リード２と、半導体素子３と、内部リード細線４
とを有している。なお、図３には支持板１に非連結の２
つの外部リード９も示されている。図２〜図４における
支持板１からの外部リード２の導出は図１と同一であっ
て、支持板１の上面６よりも上側に偏位して導出されて
いる。支持板１に固着された半導体素子３の上面の２つ
の電極（図示せず）と２つの非連結外部リード９とは内
部リード細線４でそれぞれ接続されている。半導体素子
３の下側電極（図示せず）は支持板１に電気的及び機械
的に結合されている。
【０００８】支持板１、半導体素子３、外部リード２、
９及び内部リード細線４は、樹脂封止体１０によって図
１の樹脂封止体５と同様に被覆されている。しかし、図
２〜図４では樹脂封止体１０が互いに材料が異なる第１
及び第２の部分１１、１２から成る。第１の部分１１は
外部リード２及び９の支持板１側の部分２ａ、９ａ及び
内部リード細線４の一部を被覆している。第２の部分１
２は支持板１、半導体素子３、内部リード細線４の一部
を被覆している。なお、第２の部分１２は図１と同様に
支持板１の上面６のみでなく、下面７、及び側面、及び
取付孔８も被覆している。また、外部リード２は第１の
部分１１の側面の中央よりも上の偏位された位置から導
出されている。
９及び内部リード細線４は、樹脂封止体１０によって図
１の樹脂封止体５と同様に被覆されている。しかし、図
２〜図４では樹脂封止体１０が互いに材料が異なる第１
及び第２の部分１１、１２から成る。第１の部分１１は
外部リード２及び９の支持板１側の部分２ａ、９ａ及び
内部リード細線４の一部を被覆している。第２の部分１
２は支持板１、半導体素子３、内部リード細線４の一部
を被覆している。なお、第２の部分１２は図１と同様に
支持板１の上面６のみでなく、下面７、及び側面、及び
取付孔８も被覆している。また、外部リード２は第１の
部分１１の側面の中央よりも上の偏位された位置から導
出されている。
【０００９】樹脂封止体１０の第１の部分１１は溶融シ
リカ又は球状シリカを主成分として含むフィラ−（充填
材）を８０〜８６重量％含むエポキシ樹脂から成り、熱
膨張係数が約１３ppm の第１の材料で形成されている。
第２の部分１２は結晶シリカ１００％のフィラ−を８３
〜８５重量％含むエポキシ樹脂から成り、熱膨張係数が
１７ppm 以上の第２の材料から成る。外部リード２は銅
から成り、熱膨張係数が約１７ppm である。従って、第
１の部分１１は外部リード２よりも小さい熱膨張係数を
有し、第２の部分１２は外部リード２以上の熱膨張係数
を有する。なお、溶融シリカ又は球状シリカは結晶シリ
カよりも小さい粒径を有する。また、第２の部分１２の
熱伝導率は約６０cal ／cm・sec ・℃以上であり、第１
の部分１１の熱伝導率１８cal ／cm・sec ・℃よりも大
きい。
リカ又は球状シリカを主成分として含むフィラ−（充填
材）を８０〜８６重量％含むエポキシ樹脂から成り、熱
膨張係数が約１３ppm の第１の材料で形成されている。
第２の部分１２は結晶シリカ１００％のフィラ−を８３
〜８５重量％含むエポキシ樹脂から成り、熱膨張係数が
１７ppm 以上の第２の材料から成る。外部リード２は銅
から成り、熱膨張係数が約１７ppm である。従って、第
１の部分１１は外部リード２よりも小さい熱膨張係数を
有し、第２の部分１２は外部リード２以上の熱膨張係数
を有する。なお、溶融シリカ又は球状シリカは結晶シリ
カよりも小さい粒径を有する。また、第２の部分１２の
熱伝導率は約６０cal ／cm・sec ・℃以上であり、第１
の部分１１の熱伝導率１８cal ／cm・sec ・℃よりも大
きい。
【００１０】図２〜図４に示す樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止体１０は、図５に示す成形用型２０を使用して
作る。図５において成形用型２０は下型２１と上型２２
との組み合せによって生じるキャビティ（成形空所）２
３を有する。このキャビティ２３は図２〜図４の樹脂封
止体１０に対応するように形成されている。支持板１、
連結外部リード２、非連結外部リード９、半導体素子
３、内部リード細線４から成る組立体をキャビティ２３
に配置した時に外部リード２、９の反対側即ち支持板１
の先端側となる位置に樹脂注入用のゲート２４が設けら
れている。このゲート２４はランナ２５を介してポット
２６と結ばれている。ポット２６は垂直方向に延びた孔
２７を有し、この下側に第１の部分１１を作るためのタ
ブレットから成る第１の材料２８が配置され、この上に
第２の部分１２を作るためのタブレットから成る第２の
材料２９が配置され、この上にプランジャ３０が配置さ
れている。
樹脂封止体１０は、図５に示す成形用型２０を使用して
作る。図５において成形用型２０は下型２１と上型２２
との組み合せによって生じるキャビティ（成形空所）２
３を有する。このキャビティ２３は図２〜図４の樹脂封
止体１０に対応するように形成されている。支持板１、
連結外部リード２、非連結外部リード９、半導体素子
３、内部リード細線４から成る組立体をキャビティ２３
に配置した時に外部リード２、９の反対側即ち支持板１
の先端側となる位置に樹脂注入用のゲート２４が設けら
れている。このゲート２４はランナ２５を介してポット
２６と結ばれている。ポット２６は垂直方向に延びた孔
２７を有し、この下側に第１の部分１１を作るためのタ
ブレットから成る第１の材料２８が配置され、この上に
第２の部分１２を作るためのタブレットから成る第２の
材料２９が配置され、この上にプランジャ３０が配置さ
れている。
【００１１】樹脂封止体１０の第１及び第２の部分１
１、１２を作る時にはタブレット状の第１及び第２の材
料２８、２９をポット２６の孔２７に投入し、これ等を
プランジャ３０で押圧して流動化させ、キャビティ２３
内にゲート２４から連続的に射出注入する。下側に配置
された第１の材料２８は先に注入され、後から注入され
た第２の材料２９に押されて図５でキャビティ２３の右
端領域に充填され、第２の材料２９はキャビティ２３の
残りの領域に注入される。
１、１２を作る時にはタブレット状の第１及び第２の材
料２８、２９をポット２６の孔２７に投入し、これ等を
プランジャ３０で押圧して流動化させ、キャビティ２３
内にゲート２４から連続的に射出注入する。下側に配置
された第１の材料２８は先に注入され、後から注入され
た第２の材料２９に押されて図５でキャビティ２３の右
端領域に充填され、第２の材料２９はキャビティ２３の
残りの領域に注入される。
【００１２】本実施例の樹脂封止型半導体装置は次の利
点を有する。 （イ） 樹脂封止体１０の第１の部分１１の熱膨張係数
が外部リード２の熱膨張係数よりも小さいので、第１の
部分１１の熱収縮が外部リード１、２の熱収縮よりも小
さくなり、外部リード２から第１の部分１１が剥離しな
くなり、両者の間にすき間が生じなくなる。従って、水
分等の異物が半導体素子３まで侵入することが防止さ
れ、半導体装置の信頼性が向上する。 （ロ） 樹脂封止体１０の第２の部分１２の熱膨張係数
を外部リード２の熱膨張係数よりも小さくすることが不
要である。従って、第２の部分１２の放熱性を良好に保
つことができる。即ち、一般的に熱膨張係数の小さい樹
脂では熱伝導性を向上させることが困難であり、もし、
樹脂封止体１０の全部を第１の部分１１と同一の材料で
形成すると放熱性が低下する。これに対し、本実施例で
は第２の部分１２が熱伝導率の比較的大きい材料で形成
され、且つ支持板１の大部分が第２の部分１２で被覆さ
れているので、放熱特性の低下は実質的に生じない。
点を有する。 （イ） 樹脂封止体１０の第１の部分１１の熱膨張係数
が外部リード２の熱膨張係数よりも小さいので、第１の
部分１１の熱収縮が外部リード１、２の熱収縮よりも小
さくなり、外部リード２から第１の部分１１が剥離しな
くなり、両者の間にすき間が生じなくなる。従って、水
分等の異物が半導体素子３まで侵入することが防止さ
れ、半導体装置の信頼性が向上する。 （ロ） 樹脂封止体１０の第２の部分１２の熱膨張係数
を外部リード２の熱膨張係数よりも小さくすることが不
要である。従って、第２の部分１２の放熱性を良好に保
つことができる。即ち、一般的に熱膨張係数の小さい樹
脂では熱伝導性を向上させることが困難であり、もし、
樹脂封止体１０の全部を第１の部分１１と同一の材料で
形成すると放熱性が低下する。これに対し、本実施例で
は第２の部分１２が熱伝導率の比較的大きい材料で形成
され、且つ支持板１の大部分が第２の部分１２で被覆さ
れているので、放熱特性の低下は実質的に生じない。
【００１３】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 第１の部分１１によって支持板１の一部を被覆
してもよい。但し、良好な放熱性を得るために支持板１
の下面７の略８０％以上を第２の部分１２で被覆するこ
とが望ましい。また、外部リード２の一部を被覆するよ
うに第２の部分１２を設けることができる。 （２） ゲート２４をキャビティ２３の右端即ち外部リ
ード２の近傍に設け、ポット２６の下側に第２の材料２
９を配置し、上側に第１の材料２８を配置し、キャビテ
ィ２３に最初に第２の材料２９を注入し、次に第１の材
料２８を注入して図４の構成の樹脂封止体１０を得るこ
とができる。また、キャビティ２３の左端と右端の両方
にゲートを設け、左端のゲートから第２の材料２９を注
入し、右端のゲートから第１の材料２８を注入すること
ができる。 （３） 支持板１の下面７側に第２の部分１２を形成す
るための第２の材料を良好に注入するためにキャビティ
２３の左側にスライド自在の型を配置し、第１の材料２
８の注入初期又は第１の材料２８の注入期間と第２の材
料２９の注入の初期にスライド型で支持板１の上側への
樹脂の注入を阻止又は制限し、しかる後、スライド型を
キャビティ２３から抜き取る方向に移動してもよい。 （４） 支持板１の上に集積回路の基板を配置した構成
の回路部品（電子回路装置）等を形成することができ
る。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 第１の部分１１によって支持板１の一部を被覆
してもよい。但し、良好な放熱性を得るために支持板１
の下面７の略８０％以上を第２の部分１２で被覆するこ
とが望ましい。また、外部リード２の一部を被覆するよ
うに第２の部分１２を設けることができる。 （２） ゲート２４をキャビティ２３の右端即ち外部リ
ード２の近傍に設け、ポット２６の下側に第２の材料２
９を配置し、上側に第１の材料２８を配置し、キャビテ
ィ２３に最初に第２の材料２９を注入し、次に第１の材
料２８を注入して図４の構成の樹脂封止体１０を得るこ
とができる。また、キャビティ２３の左端と右端の両方
にゲートを設け、左端のゲートから第２の材料２９を注
入し、右端のゲートから第１の材料２８を注入すること
ができる。 （３） 支持板１の下面７側に第２の部分１２を形成す
るための第２の材料を良好に注入するためにキャビティ
２３の左側にスライド自在の型を配置し、第１の材料２
８の注入初期又は第１の材料２８の注入期間と第２の材
料２９の注入の初期にスライド型で支持板１の上側への
樹脂の注入を阻止又は制限し、しかる後、スライド型を
キャビティ２３から抜き取る方向に移動してもよい。 （４） 支持板１の上に集積回路の基板を配置した構成
の回路部品（電子回路装置）等を形成することができ
る。
【図１】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例の樹脂封止型半導体装置を示す
正面図である。
正面図である。
【図３】図２の半導体装置から樹脂封止体を除いたもの
の平面図である。
の平面図である。
【図４】図２の半導体装置の断面図である。
【図５】図２の半導体装置の樹脂封止体を形成するため
の装置を示す断面図である。
の装置を示す断面図である。
１ 支持板 ２ 外部リード ３ 半導体素子 １０ 樹脂封止体 １１ 第１の部分 １２ 第２の部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/28 - 23/30 B29C 45/02 B29C 45/14 B29C 45/26 H01L 21/56
Claims (1)
- 【請求項１】 金属製支持板と、この支持板から導出さ
れた金属製の外部リードと、前記支持板上に固着された
回路素子と、前記支持板の少なくとも一部と前記外部リ
ードの一部と前記回路素子とを被覆する樹脂封止体とか
ら成る樹脂封止型回路部品において、 前記樹脂封止体は互いに並置され且つ互いに密着されて
いる第１及び第２の部分を有し、 前記第１の部分は前記外部リードの一部を直接に被覆す
るように配置され、 前記第２の部分は前記支持板の全部又は大部分と前記回
路素子とを被覆するように配置され、 前記第１の部分は前記外部リードの熱膨張係数よりも小
さい熱膨張係数を有する第１の材料から成り、 前記第２の部分は前記外部リードの熱膨張係数以上の熱
膨張係数を有し且つ前記第１の部分の熱伝導率よりも大
きな熱伝導率を有する第２の材料から成り、 前記支持板の全部又は大部分と前記回路素子とは前記第
２の部分で被覆されているが、前記第１の部分で被覆さ
れていない ことを特徴とする樹脂封止形回路部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18885896A JP2927246B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 樹脂封止型回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18885896A JP2927246B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 樹脂封止型回路部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022421A JPH1022421A (ja) | 1998-01-23 |
| JP2927246B2 true JP2927246B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=16231097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18885896A Expired - Fee Related JP2927246B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 樹脂封止型回路部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927246B2 (ja) |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP18885896A patent/JP2927246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1022421A (ja) | 1998-01-23 |
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