JP2770947B2 - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JP2770947B2 JP2770947B2 JP63025516A JP2551688A JP2770947B2 JP 2770947 B2 JP2770947 B2 JP 2770947B2 JP 63025516 A JP63025516 A JP 63025516A JP 2551688 A JP2551688 A JP 2551688A JP 2770947 B2 JP2770947 B2 JP 2770947B2
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は特徴とする樹脂封止型ピングリッドアレイ
（以下PGAという）等の樹脂封止型半導体装置の放熱構
造及びその製造方法に関する。
（以下PGAという）等の樹脂封止型半導体装置の放熱構
造及びその製造方法に関する。
ICチップを搭載したPGAは近年それを交換し他の機能
に変換させることにより装置の応用範囲を広げることが
行なわれてきており、この用途のためのPGAの回路基板
としてセラミックが用いられてきた。以下本明細書では
PGAを一実施例にして説明する。
に変換させることにより装置の応用範囲を広げることが
行なわれてきており、この用途のためのPGAの回路基板
としてセラミックが用いられてきた。以下本明細書では
PGAを一実施例にして説明する。
第８図は、セラミック基板を用いたPGAの断面図であ
り、配線パターンを有するセラミック基板100上にセラ
ミック枠101を取付け、ICチップ１を実装した後セラミ
ック蓋102を接着して封止したパッケージ構造となって
いる。
り、配線パターンを有するセラミック基板100上にセラ
ミック枠101を取付け、ICチップ１を実装した後セラミ
ック蓋102を接着して封止したパッケージ構造となって
いる。
このセラミック製の基板は、絶縁性に優れ、従って製
品としての信頼性が大きい半面、配線パターンを印刷、
焼付により行なうため収縮を伴ない、配線パターンを多
くしたり、細密パターン化することが困難であり、パタ
ーンの本数を多くすると可及的に大型化するとともに、
その単体での価格が高いという欠点があった。
品としての信頼性が大きい半面、配線パターンを印刷、
焼付により行なうため収縮を伴ない、配線パターンを多
くしたり、細密パターン化することが困難であり、パタ
ーンの本数を多くすると可及的に大型化するとともに、
その単体での価格が高いという欠点があった。
このセラミック製の基板に代わるものとして近年、細
密パターン加工が可能で、かつ廉価な基板として樹脂基
板を用いたPGAの開発が提案されている。前記樹脂基板
を用いたPGAは、現在まで開発段階にあり、量産市販さ
れているものはほとんど存在しないが従来の提案は、そ
の封止構造の違いにより第９図〜第11図に示すものがあ
る。
密パターン加工が可能で、かつ廉価な基板として樹脂基
板を用いたPGAの開発が提案されている。前記樹脂基板
を用いたPGAは、現在まで開発段階にあり、量産市販さ
れているものはほとんど存在しないが従来の提案は、そ
の封止構造の違いにより第９図〜第11図に示すものがあ
る。
第９図に示すものは、樹脂基板２上に枠３を取付けて
封止樹脂４を滴下し、ICチップ１を封止するものであ
り、構造的には最も単純だが樹脂封止する際、ポッティ
ングにより行なうため、該封止部がポーラスとなり湿気
が浸透し、さらに樹脂基板２と封止樹脂４との界面及び
樹脂基板２の周囲の破断面からの浸透も著しく、製品の
信頼性の点では必ずしも満足のいくものではなかった。
封止樹脂４を滴下し、ICチップ１を封止するものであ
り、構造的には最も単純だが樹脂封止する際、ポッティ
ングにより行なうため、該封止部がポーラスとなり湿気
が浸透し、さらに樹脂基板２と封止樹脂４との界面及び
樹脂基板２の周囲の破断面からの浸透も著しく、製品の
信頼性の点では必ずしも満足のいくものではなかった。
第10図に示すものは第９図に示すPGAの欠点を考慮し
たものであり、樹脂基板２上にICチップ１を載置し、樹
脂封止した後、上面全体に金属キャップ５を接着剤によ
り被覆したものである。
たものであり、樹脂基板２上にICチップ１を載置し、樹
脂封止した後、上面全体に金属キャップ５を接着剤によ
り被覆したものである。
上記第10図に示すPGAは、信頼性の点では改良されて
いるが、金属キャップ５の加工及び被覆のための特別の
工程を必要としている。
いるが、金属キャップ５の加工及び被覆のための特別の
工程を必要としている。
第11図に示すものは前記第９図及び第10図に示したPG
Aの欠点を改良するものとして本出願人が特願昭61−870
81にて提案したPGAであり、下面側に複数のコンタクト
ピン20を有する樹脂基板２のICチップ１を載置した上面
と樹脂基板周囲の破断面とを射出成形樹脂６によって完
全に被覆したパッケージング構造を有する。
Aの欠点を改良するものとして本出願人が特願昭61−870
81にて提案したPGAであり、下面側に複数のコンタクト
ピン20を有する樹脂基板２のICチップ１を載置した上面
と樹脂基板周囲の破断面とを射出成形樹脂６によって完
全に被覆したパッケージング構造を有する。
前記樹脂基板２を用いたPGAがセラミック基板100を用
いたPGAに対し、細密パターン加工による小型化と廉価
とが可能であるにもかかわらず、未だに普及し得ない理
由として放熱特性の問題がある。
いたPGAに対し、細密パターン加工による小型化と廉価
とが可能であるにもかかわらず、未だに普及し得ない理
由として放熱特性の問題がある。
すなわちPGAに実装されるICはチップサイズの大きいL
SIであるため動作電流による発熱が多く、この発熱を素
早くパッケージ外へ放熱してやらないと前記LSIの温度
が上昇することにより、その読出し速度が低下したり、
極端な場合はLSIが熱破壊されてしまう問題が発生す
る。
SIであるため動作電流による発熱が多く、この発熱を素
早くパッケージ外へ放熱してやらないと前記LSIの温度
が上昇することにより、その読出し速度が低下したり、
極端な場合はLSIが熱破壊されてしまう問題が発生す
る。
この放熱特性について第８図に示すセラミック基板PG
Aと、第９図〜第11図に示す樹脂基板PGAとを比較する
と、まずパッケージ材料の熱伝導率に於いてセラミック
が４×10-2cal/cm・℃・secであるのに対して、樹脂基
板PGAを構成する材料は樹脂基板が4.5×10-4cal/cm・℃
・sec、モールド樹脂が２×10-3cal/cm・℃・secであ
り、パッケージ材料の熱伝導率についてはセラミック基
板PGAに対して樹脂基板PGAの方が１桁〜２桁低い値とな
っている。このことからICチップ１に発生した熱は、セ
ラミック基板PGAの場合にはセラミック基板100、セラミ
ック枠101、セラミック蓋102を通して素早く放熱される
が、樹脂基板PGAの場合には樹脂材料のため放熱が少な
くこと分だけICチップの温度が上昇することになる。
Aと、第９図〜第11図に示す樹脂基板PGAとを比較する
と、まずパッケージ材料の熱伝導率に於いてセラミック
が４×10-2cal/cm・℃・secであるのに対して、樹脂基
板PGAを構成する材料は樹脂基板が4.5×10-4cal/cm・℃
・sec、モールド樹脂が２×10-3cal/cm・℃・secであ
り、パッケージ材料の熱伝導率についてはセラミック基
板PGAに対して樹脂基板PGAの方が１桁〜２桁低い値とな
っている。このことからICチップ１に発生した熱は、セ
ラミック基板PGAの場合にはセラミック基板100、セラミ
ック枠101、セラミック蓋102を通して素早く放熱される
が、樹脂基板PGAの場合には樹脂材料のため放熱が少な
くこと分だけICチップの温度が上昇することになる。
上記のごとく樹脂基板PGAを普及させるには、その放
熱特性をセラミック基板PGAに近いレベル迄改良するこ
とが急務であり、この放熱特性の改良の面から従来技術
を吟味する。
熱特性をセラミック基板PGAに近いレベル迄改良するこ
とが急務であり、この放熱特性の改良の面から従来技術
を吟味する。
まず第11図に示すPGAの放熱経路を考えると、ICチッ
プ１からの発熱は樹脂基板２を通して下面側へ放熱する
経路と、射出成形樹脂６を通って上面側へ放熱する経路
とがある。
プ１からの発熱は樹脂基板２を通して下面側へ放熱する
経路と、射出成形樹脂６を通って上面側へ放熱する経路
とがある。
そして上面側の経路については第10図に示すごとく封
止樹脂の上面に金属キャップ５を接着する構成とするこ
とにより前記金属キャップ５が放熱板の役目を果し、放
熱特性が大きく改良されることが確認されている。これ
はPGAに限られるものではなく一般の樹脂封止構造を有
する電力用トランジスタ等の発熱を伴う半導体が、その
封止樹脂の上面に金属製の放熱用フィンを装着している
のと同様な効果である。
止樹脂の上面に金属キャップ５を接着する構成とするこ
とにより前記金属キャップ５が放熱板の役目を果し、放
熱特性が大きく改良されることが確認されている。これ
はPGAに限られるものではなく一般の樹脂封止構造を有
する電力用トランジスタ等の発熱を伴う半導体が、その
封止樹脂の上面に金属製の放熱用フィンを装着している
のと同様な効果である。
次に下面側への経路については前述のごとくPGAとし
て対策したものは、まだ存在しないが、一般の半導体を
実装した樹脂基板に於ける放熱構造としては第12図及び
第13図に示すものが知られている。
て対策したものは、まだ存在しないが、一般の半導体を
実装した樹脂基板に於ける放熱構造としては第12図及び
第13図に示すものが知られている。
すなわち第12図の構造は樹脂基板２のICチップ１を載
置する部分に貫通穴を設け、該貫通穴内に絞り加工した
金属製の容器50を埋設し、この容器50の内部にICチップ
１を載置して実装することにより前記ICチップ１の発熱
を容器50を通して下面側に放熱するものである。
置する部分に貫通穴を設け、該貫通穴内に絞り加工した
金属製の容器50を埋設し、この容器50の内部にICチップ
１を載置して実装することにより前記ICチップ１の発熱
を容器50を通して下面側に放熱するものである。
又、第13図の構造は、樹脂基板２の貫通穴の下面に金
属板60を接着し、この金属板60の上にICチップ１を載置
して実装することにより前記ICチップ１の発熱を金属板
60を通して下面側に放熱するものである。
属板60を接着し、この金属板60の上にICチップ１を載置
して実装することにより前記ICチップ１の発熱を金属板
60を通して下面側に放熱するものである。
以上が樹脂基板PGAの放熱構造に適用可能な従来技術
であるが、このうち第10図に示す金属キャップ５を封止
樹脂４に接着又は押込むことによる上面側への放熱構造
を考えてみると次のような欠点がある。
であるが、このうち第10図に示す金属キャップ５を封止
樹脂４に接着又は押込むことによる上面側への放熱構造
を考えてみると次のような欠点がある。
すなわち金属キャップ５による上面側への放熱特性は
封止樹脂４の表面と金属キャップ５の内面との密着性に
よって左右されるが、上記のごとく接着又は押込みによ
る場合には、前記金属キャップ５の内面及び封止樹脂の
表面の面精度や、接着剤の量などのバラツキによって密
着性が変化し、均一な放熱特性が得られない結果とな
る。
封止樹脂４の表面と金属キャップ５の内面との密着性に
よって左右されるが、上記のごとく接着又は押込みによ
る場合には、前記金属キャップ５の内面及び封止樹脂の
表面の面精度や、接着剤の量などのバラツキによって密
着性が変化し、均一な放熱特性が得られない結果とな
る。
さらに前述の金属キャップ５や放熱用フィン等の放熱
部材を接着又は押込みにて接着する構造に於いては、取
付状態や接着剤の量のバラツキ等によって前記放熱部材
の取付高さが変化するためPGAとしての外形々状が均一
とならず、これは外観上の欠点であると同時に限られた
スペースでの高密度実装の場合問題となってくる。
部材を接着又は押込みにて接着する構造に於いては、取
付状態や接着剤の量のバラツキ等によって前記放熱部材
の取付高さが変化するためPGAとしての外形々状が均一
とならず、これは外観上の欠点であると同時に限られた
スペースでの高密度実装の場合問題となってくる。
本発明は樹脂基板PGA等の樹脂基板を用いた樹脂封止
型半導体装置に於ける封止樹脂側の放熱特性を改良しよ
うとするものであり、その目的は放熱特性に勝れ、かつ
外形々状の安定な樹脂封止型半導体装置の放熱構造及び
その製造方法を提供することにある。
型半導体装置に於ける封止樹脂側の放熱特性を改良しよ
うとするものであり、その目的は放熱特性に勝れ、かつ
外形々状の安定な樹脂封止型半導体装置の放熱構造及び
その製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の要旨は下記の通り
である。
である。
下面側に複数の電極端子を有する樹脂基板にICチップ
を実装し、該ICチップを射出成形により樹脂封止してな
る樹脂封止型半導体装置に於いて、前記射出成形によっ
て形成された封止樹脂の上面部には、金属製の放熱部材
がその一方の面を露呈するとともに、前記樹脂基板と前
記ICチップから離れた状態で、前記射出成形によって一
体化されたものであり、上記放熱部材には切欠形状部を
設け、封止樹脂が流入係止されていると効果的である。
を実装し、該ICチップを射出成形により樹脂封止してな
る樹脂封止型半導体装置に於いて、前記射出成形によっ
て形成された封止樹脂の上面部には、金属製の放熱部材
がその一方の面を露呈するとともに、前記樹脂基板と前
記ICチップから離れた状態で、前記射出成形によって一
体化されたものであり、上記放熱部材には切欠形状部を
設け、封止樹脂が流入係止されていると効果的である。
そして樹脂封止型半導体装置の製造方法としては、樹
脂基板を載置する下金型と、金属製の放熱部材を保持せ
しめた上金型とにより、封止樹脂を射出成形する製造方
法であり、また上記金型に吸引孔を設け、真空吸着にて
放熱部材を保持せしめて射出成形する製造方法である。
脂基板を載置する下金型と、金属製の放熱部材を保持せ
しめた上金型とにより、封止樹脂を射出成形する製造方
法であり、また上記金型に吸引孔を設け、真空吸着にて
放熱部材を保持せしめて射出成形する製造方法である。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて詳述する。
第１図は本発明による完成した樹脂封止型ピングリッ
ドアレイの断面を示すもので、本構造は特願昭61−8708
1に提案した第11図に示すPGAの射出成形樹脂６の上面に
放熱部材の放熱板７を一体モールドにより固着したもの
である。樹脂基板２上に載置されたICチップ１から発熱
した熱は、射出成形樹脂６を伝って放熱板７から放出さ
れる。放熱特性を上げるためには、射出成形樹脂６と放
熱板７との中間層に他の接着層を介さないで一体モール
ドし、しかもパッケージとしての耐湿性をわるくしない
ためには、該放熱板７と射出成形樹脂６との密着力を強
固にする必要があり、第１図に於ける放熱板７には切欠
形状部の皿モミ穴7bが設けらており、射出成形時に、射
出成形樹脂６は、該皿モミ穴7b内に充填されて、密着固
定をより強固にしている。
ドアレイの断面を示すもので、本構造は特願昭61−8708
1に提案した第11図に示すPGAの射出成形樹脂６の上面に
放熱部材の放熱板７を一体モールドにより固着したもの
である。樹脂基板２上に載置されたICチップ１から発熱
した熱は、射出成形樹脂６を伝って放熱板７から放出さ
れる。放熱特性を上げるためには、射出成形樹脂６と放
熱板７との中間層に他の接着層を介さないで一体モール
ドし、しかもパッケージとしての耐湿性をわるくしない
ためには、該放熱板７と射出成形樹脂６との密着力を強
固にする必要があり、第１図に於ける放熱板７には切欠
形状部の皿モミ穴7bが設けらており、射出成形時に、射
出成形樹脂６は、該皿モミ穴7b内に充填されて、密着固
定をより強固にしている。
次に、上記放熱板７と射出成形樹脂６との一体モール
ドを行うためのモールド成形型と放熱板７との関係につ
いて説明する。第２図は、本発明に基づくモールド成形
型の上金型８及び下金型９の構造を示すもので、上金型
８に放熱板７が位置決めされて真空吸着されている。
ドを行うためのモールド成形型と放熱板７との関係につ
いて説明する。第２図は、本発明に基づくモールド成形
型の上金型８及び下金型９の構造を示すもので、上金型
８に放熱板７が位置決めされて真空吸着されている。
又下金型９には電極端子であるコンタクトピン20の逃
穴9aと樹脂基板２を載置するための凹部9bと湯口9cとが
設けられている。
穴9aと樹脂基板２を載置するための凹部9bと湯口9cとが
設けられている。
第３図はモールド成形金型の断面図を示すもので、上
金型８の真空穴8aに通されたチューブ10の吸引力によっ
て放熱板７は上金型８に吸着固定され、さらに放熱板７
は上面部に設けられているエンボス7aが上金型８の真空
穴8aに、嵌合する事で位置決めされる。
金型８の真空穴8aに通されたチューブ10の吸引力によっ
て放熱板７は上金型８に吸着固定され、さらに放熱板７
は上面部に設けられているエンボス7aが上金型８の真空
穴8aに、嵌合する事で位置決めされる。
又下金型９の凹部9bには樹脂基板２が載置された状態
に於いて湯口9cより射出成形樹脂６を注入することによ
り第１図に示す樹脂封止型PGAが完成する。すなわち金
属製の放熱板７が前記樹脂基板２と前記ICチップ１から
離れた状態で、前記射出成形によって一体化されている
ので、樹脂基板２や放熱板７に寸法上のバラツキがあっ
ても、封止樹脂の量を制御することで外形形状を均一化
できる。第４図は前記放熱板７の斜視図であり、該放熱
板７の材質としては熱伝導率の良好な、アルミ（Al）、
銅（Cu）、真鍮（Ba）等の金属を用い、必要に応じて、
前記射出成形樹脂６との密着性を向上させるための表面
処理として、粗面化、メッキ処理、化学処理等を施す。
に於いて湯口9cより射出成形樹脂６を注入することによ
り第１図に示す樹脂封止型PGAが完成する。すなわち金
属製の放熱板７が前記樹脂基板２と前記ICチップ１から
離れた状態で、前記射出成形によって一体化されている
ので、樹脂基板２や放熱板７に寸法上のバラツキがあっ
ても、封止樹脂の量を制御することで外形形状を均一化
できる。第４図は前記放熱板７の斜視図であり、該放熱
板７の材質としては熱伝導率の良好な、アルミ（Al）、
銅（Cu）、真鍮（Ba）等の金属を用い、必要に応じて、
前記射出成形樹脂６との密着性を向上させるための表面
処理として、粗面化、メッキ処理、化学処理等を施す。
前記放熱板７の放熱特性を向上させるためには、その
材質を熱伝導率の良い素材を選ぶ事はもちろんだがその
形状も重要である。本発明に於ける放熱板７の他の実施
例を第５図〜第７図に示す。
材質を熱伝導率の良い素材を選ぶ事はもちろんだがその
形状も重要である。本発明に於ける放熱板７の他の実施
例を第５図〜第７図に示す。
第５図に示す放熱板70は前記皿モミ穴7bの代りに切欠
部70bを有し、第６図の放熱板71はICチップ１からの熱
の中間伝導層となっている射出成形樹脂６との接触面積
を大きくとるために、クシ歯状の溝71bを設けている。
第７図の放熱板72は、第１図の射出成形樹脂６の側面6a
からの放熱を促進させるべく耳部72cを備えている。
部70bを有し、第６図の放熱板71はICチップ１からの熱
の中間伝導層となっている射出成形樹脂６との接触面積
を大きくとるために、クシ歯状の溝71bを設けている。
第７図の放熱板72は、第１図の射出成形樹脂６の側面6a
からの放熱を促進させるべく耳部72cを備えている。
さらに上記各実施例に示す放熱板以外にも、図示は省
略したが、全体を波形に絞り加工した形状とすることに
より、内面側に於いて樹脂との密着力が向上し、外面側
に於いては放熱特性を向上させることが出来る。
略したが、全体を波形に絞り加工した形状とすることに
より、内面側に於いて樹脂との密着力が向上し、外面側
に於いては放熱特性を向上させることが出来る。
又前記放熱板７を上金型８に仮固定する方法としては
本実施例に示す真空吸着に限るものではなく上金型８に
凹部を設け、該凹部内に放熱部材を嵌合する方法等、色
々考えることができる。尚、上記実施例では樹脂封止型
PGAを示したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、BGA（ボールグリッドアレイ）等の樹脂封止型半導
体装置にも適用できるものである。
本実施例に示す真空吸着に限るものではなく上金型８に
凹部を設け、該凹部内に放熱部材を嵌合する方法等、色
々考えることができる。尚、上記実施例では樹脂封止型
PGAを示したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、BGA（ボールグリッドアレイ）等の樹脂封止型半導
体装置にも適用できるものである。
上記のごとく本発明によればICチップを実装した樹脂
基板を封止した射出成形樹脂の上面部に金属製の放熱部
材を一体成形しているため、前記射出成形樹脂と放熱部
材との密着性を極めて安定かつ強固に保つことが可能と
なり、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を損うことなく良
好な放熱特性を得ることが出来る。
基板を封止した射出成形樹脂の上面部に金属製の放熱部
材を一体成形しているため、前記射出成形樹脂と放熱部
材との密着性を極めて安定かつ強固に保つことが可能と
なり、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を損うことなく良
好な放熱特性を得ることが出来る。
又前記放熱部材の一体化を行う方法としては樹脂成形
金型の上金型に放熱部材を仮固定しておくだけでよいた
め、ほとんどコストアップを伴わず、さらに前記樹脂封
止型半導体装置の外形々状は成形金型によって一律に決
定されるため、前記樹脂基板や、放熱部材に寸法上のバ
ラツキが若干存在しても、完成品としての外形々状を均
一化することが出来る等、本発明は放熱特性及び耐湿性
に優れ、かつ外形々状の安定した前記樹脂封止型半導体
装置を低コストにて提供する上で大なる効果を有する。
金型の上金型に放熱部材を仮固定しておくだけでよいた
め、ほとんどコストアップを伴わず、さらに前記樹脂封
止型半導体装置の外形々状は成形金型によって一律に決
定されるため、前記樹脂基板や、放熱部材に寸法上のバ
ラツキが若干存在しても、完成品としての外形々状を均
一化することが出来る等、本発明は放熱特性及び耐湿性
に優れ、かつ外形々状の安定した前記樹脂封止型半導体
装置を低コストにて提供する上で大なる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す樹脂封止型PGAの断面
図、第２図は本発明の成形金型の斜視図、第３図は本発
明の一実施例である樹脂封止型PGAの射出成形状態を示
す成形金型の断面図、第４図〜第７図はいずれも本発明
の放熱板の斜視図、第８図はセラミック基板を用いた従
来のPGAの断面図、第９図〜第11図は樹脂基板を用いた
従来のPGAの断面図、第12図及び第13図は従来の樹脂基
板に於ける放熱構造を示す断面図である。 １……ICチップ、 ２……樹脂基板、 ６……射出成形樹脂、 ７、70、71、72……放熱板、 ８……上金型、 ９……下金型。
図、第２図は本発明の成形金型の斜視図、第３図は本発
明の一実施例である樹脂封止型PGAの射出成形状態を示
す成形金型の断面図、第４図〜第７図はいずれも本発明
の放熱板の斜視図、第８図はセラミック基板を用いた従
来のPGAの断面図、第９図〜第11図は樹脂基板を用いた
従来のPGAの断面図、第12図及び第13図は従来の樹脂基
板に於ける放熱構造を示す断面図である。 １……ICチップ、 ２……樹脂基板、 ６……射出成形樹脂、 ７、70、71、72……放熱板、 ８……上金型、 ９……下金型。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−40749（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】下面側に複数の電極端子を有する樹脂基板
にICチップを実装し、該ICチップを射出成形により樹脂
封止してなる樹脂封止型半導体装置に於いて、前記射出
成形によって形成された封止樹脂の上面部には、金属製
の放熱部材がその一方の面を露呈するとともに、前記樹
脂基板と前記ICチップから離れた状態で、前記射出成形
によって一体化されていることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項２】前記放熱部材には、切欠形状部が設けら
れ、該切欠形状部には前記射出成形による封止樹脂が流
入係止されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項３】下面側に複数の電極端子を有する樹脂基板
にICチップを実装した半導体装置を下金型に載置すると
ともに、上金型に金属製の放熱部材を、該金属製の放熱
部材がその一方の面を露呈するとともに、前記樹脂基板
と前記ICチップから離れるように保持せしめ、封止樹脂
を射出成形することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】前記上金型には前記放熱部材を真空吸着す
るための吸引孔が設けられていることを特徴とする請求
項３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025516A JP2770947B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| US07/700,670 US5179039A (en) | 1988-02-05 | 1991-05-15 | Method of making a resin encapsulated pin grid array with integral heatsink |
| US07/752,172 US5233225A (en) | 1988-02-05 | 1991-08-23 | Resin encapsulated pin grid array and method of manufacturing the same |
| US07/912,065 US5289039A (en) | 1988-02-05 | 1992-07-07 | Resin encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025516A JP2770947B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201941A JPH01201941A (ja) | 1989-08-14 |
| JP2770947B2 true JP2770947B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=12168223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63025516A Expired - Lifetime JP2770947B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770947B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH03256347A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US6949822B2 (en) * | 2000-03-17 | 2005-09-27 | International Rectifier Corporation | Semiconductor multichip module package with improved thermal performance; reduced size and improved moisture resistance |
| JP2002151633A (ja) | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Citizen Watch Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP4743955B2 (ja) * | 2000-12-20 | 2011-08-10 | イビデン株式会社 | ヒートシンクおよびヒートシンク集合体 |
| JP4904623B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2012-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体素子 |
| US6486554B2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-11-26 | International Business Machines Corporation | Molded body for PBGA and chip-scale packages |
| JP5280102B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2013-09-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2015111242A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 富士通株式会社 | 放熱部品、放熱部品の製造方法、電子装置、電子装置の製造方法、一体型モジュール、情報処理システム |
| WO2016006089A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 富士通株式会社 | 放熱部品、放熱部品の製造方法、電子装置、電子装置の製造方法、一体型モジュール、情報処理システム |
| JP7213482B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-01-27 | 株式会社カネカ | グラファイト複合体および半導体パッケージ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240749A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | Daiichi Seiko Kk | ピングリツドアレイ |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63025516A patent/JP2770947B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01201941A (ja) | 1989-08-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |