JPH01201941A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH01201941A JPH01201941A JP2551688A JP2551688A JPH01201941A JP H01201941 A JPH01201941 A JP H01201941A JP 2551688 A JP2551688 A JP 2551688A JP 2551688 A JP2551688 A JP 2551688A JP H01201941 A JPH01201941 A JP H01201941A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 76
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 description 37
- 235000010409 propane-1,2-diol alginate Nutrition 0.000 description 37
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000272525 Anas platyrhynchos Species 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型ピングＩＪ ｙドアレイ（以下ＰＧ
Ａという）の放熱構造に関する。
Ａという）の放熱構造に関する。
ＩＣチップを搭載したＰＧＡは近年それを交換し他の機
能に変換させることにより装置の応用範囲を広げること
が行なわれてきており、この用途のためのＰＧＡの回路
基板としてセラミックが用いられてきた。
能に変換させることにより装置の応用範囲を広げること
が行なわれてきており、この用途のためのＰＧＡの回路
基板としてセラミックが用いられてきた。
第８図は、セラミック基板を用いたＰＧＡの断面図であ
り、配線パターンを有するセラミック基板１００上にセ
ラミック枠１０１を取付け、ＩＣチップ１を実装した後
セラミック蓋１０２を接着して封止したパッケージ構造
となっている。
り、配線パターンを有するセラミック基板１００上にセ
ラミック枠１０１を取付け、ＩＣチップ１を実装した後
セラミック蓋１０２を接着して封止したパッケージ構造
となっている。
このセラミック製の基板は、絶縁性に優れ、従って製品
としての信頼性が大きい半面、配線パターンを印刷、焼
付により行なうため収縮を能ない、配線パターンを多く
したり、細密パターン化することが困難であり、パター
ンの本数を多くすると可及的に大型化するとともに、そ
の単体での価格が高し・という欠点があった。
としての信頼性が大きい半面、配線パターンを印刷、焼
付により行なうため収縮を能ない、配線パターンを多く
したり、細密パターン化することが困難であり、パター
ンの本数を多くすると可及的に大型化するとともに、そ
の単体での価格が高し・という欠点があった。
このセラミック製の基板に代わるものとして近年、細密
パターン加工が可能で、かつ廉価な基板として樹脂基板
を用いたＰＧＡの開発が提案されている。前記樹脂基板
を用いたＰＧＡは、現在まで開発段階にあり、量産市販
されているものはほとんど存在しないが従来の提案は、
その封止構造の違（・により第９図〜第１１図に示すも
のがある。
パターン加工が可能で、かつ廉価な基板として樹脂基板
を用いたＰＧＡの開発が提案されている。前記樹脂基板
を用いたＰＧＡは、現在まで開発段階にあり、量産市販
されているものはほとんど存在しないが従来の提案は、
その封止構造の違（・により第９図〜第１１図に示すも
のがある。
第９図に示すものは、樹脂基板２上に枠６を取付けて封
止樹脂４を滴下し、ＩＣチップ１を封止するものであり
、構造的には最も単純だが樹脂封止する際、ポンティン
グにより行なうため、該封止部がポーラスとなり湿気が
浸透し、さらに樹脂基板２と封止樹脂４との界面及び樹
脂基板２の周囲の破断面からの浸透も著しく、製品の信
頼性の点では必ずしも満足のいくものではなかった。
止樹脂４を滴下し、ＩＣチップ１を封止するものであり
、構造的には最も単純だが樹脂封止する際、ポンティン
グにより行なうため、該封止部がポーラスとなり湿気が
浸透し、さらに樹脂基板２と封止樹脂４との界面及び樹
脂基板２の周囲の破断面からの浸透も著しく、製品の信
頼性の点では必ずしも満足のいくものではなかった。
第１０図に示すものは第９図に示すＰＧＡの欠点を考慮
したものであり、樹脂基板２上にＩＣチップ１を載置し
、樹脂封止した後、上面全体に金属キャップ５を接着剤
により被覆したものである。
したものであり、樹脂基板２上にＩＣチップ１を載置し
、樹脂封止した後、上面全体に金属キャップ５を接着剤
により被覆したものである。
上記第１０図に示すＰＧＡは、信頼性の点では改良され
ているが、金属キャンプ５の加工及び被覆のための特別
の工程を必要としている。
ているが、金属キャンプ５の加工及び被覆のための特別
の工程を必要としている。
第１１図に示すものは前記第９図及び第１０図に示した
ＰＧＡの欠点を改良するものとして本出願人が特願昭６
１−８７０８１−４４４にて提案しまたＰＧＡであり、
下面側に複数のコンタクトピン２０を有する樹脂基板２
のＩＣチップ１を載置した上面と樹脂基板周囲の破断面
とを射出成形樹脂６によって完全に被覆したパンケージ
ング構造を有する。
ＰＧＡの欠点を改良するものとして本出願人が特願昭６
１−８７０８１−４４４にて提案しまたＰＧＡであり、
下面側に複数のコンタクトピン２０を有する樹脂基板２
のＩＣチップ１を載置した上面と樹脂基板周囲の破断面
とを射出成形樹脂６によって完全に被覆したパンケージ
ング構造を有する。
前記樹脂基板２を用いたＰＧＡがセラミック基板１００
を用いたＰＧＡに対し、細密パターン加工による小型化
と廉価とが可能であるにもかかわらず、未だに普及し得
ない理由として放熱特性の問題がある。
を用いたＰＧＡに対し、細密パターン加工による小型化
と廉価とが可能であるにもかかわらず、未だに普及し得
ない理由として放熱特性の問題がある。
すなわちＰＧＡに実装されるＩＣはテンプサイズの大き
いＬ Ｓ Ｉであるため動作電流による発熱が多く、こ
の発熱を素早くパンケージ外へ放熱してやらないと前記
ＬＳＩの温度が上昇することにより、その読出し速度が
低下したり、極端な場合はＬＳＩが熱破壊されてしまう
問題が発生する。
いＬ Ｓ Ｉであるため動作電流による発熱が多く、こ
の発熱を素早くパンケージ外へ放熱してやらないと前記
ＬＳＩの温度が上昇することにより、その読出し速度が
低下したり、極端な場合はＬＳＩが熱破壊されてしまう
問題が発生する。
この放熱特性について第８図に示すセラミック基板ＰＧ
Ａと、第９図〜第１１図に示す樹脂基板ＰＧＡとを比較
すると、まずパンケージ材料の熱伝導率に於いてセラミ
ックが ４Ｘ１０ ｃａｂ ／ｃｍｅ’（：、＊ｓｅｃ テ
あルノニ対ｔ、テ、樹脂基板ＰＧＡを構成する材料は樹
脂基板が４．５Ｘ１０ ｃａｌ／ｃｍｅ’Ｃ−５ｅ
ｃ、モー ／ｌ／ トｆｉｔ ＩＩ旨が２Ｘ１０ ”
ｃａｌ／Ｃｍ・°Ｃ−５ｅｃ”’Ｑア’） 、ハｙ
’Ｉ −シ材料の熱伝導率についてはセラミｙり基板Ｐ
ＧＡに対して樹脂基板ＰＧＡの方が１桁〜２桁低い値と
なっている。このことからＩＣチップ１に発生した熱は
、セラミック基板ＰＧＡの場合にはセラミック基板１０
０．セラミック枠１０１、セラミック蓋１０２を通して
素早く放熱されるが、樹脂基板ＰＧＡの場合には樹脂材
料のため放熱が少なくこの分だけＩＣチップの温度が上
昇することになる。
Ａと、第９図〜第１１図に示す樹脂基板ＰＧＡとを比較
すると、まずパンケージ材料の熱伝導率に於いてセラミ
ックが ４Ｘ１０ ｃａｂ ／ｃｍｅ’（：、＊ｓｅｃ テ
あルノニ対ｔ、テ、樹脂基板ＰＧＡを構成する材料は樹
脂基板が４．５Ｘ１０ ｃａｌ／ｃｍｅ’Ｃ−５ｅ
ｃ、モー ／ｌ／ トｆｉｔ ＩＩ旨が２Ｘ１０ ”
ｃａｌ／Ｃｍ・°Ｃ−５ｅｃ”’Ｑア’） 、ハｙ
’Ｉ −シ材料の熱伝導率についてはセラミｙり基板Ｐ
ＧＡに対して樹脂基板ＰＧＡの方が１桁〜２桁低い値と
なっている。このことからＩＣチップ１に発生した熱は
、セラミック基板ＰＧＡの場合にはセラミック基板１０
０．セラミック枠１０１、セラミック蓋１０２を通して
素早く放熱されるが、樹脂基板ＰＧＡの場合には樹脂材
料のため放熱が少なくこの分だけＩＣチップの温度が上
昇することになる。
上記のごとく樹脂基板ＰＧＡを普及させるには、その放
熱特性をセラミック基板Ｐ Ｇ Ａに近いｔ／ベル迄改
良することが急務で゛あり、この放熱特性の改良の面か
ら従来技術を吟味する。
熱特性をセラミック基板Ｐ Ｇ Ａに近いｔ／ベル迄改
良することが急務で゛あり、この放熱特性の改良の面か
ら従来技術を吟味する。
まず第１１図に示すＰＧＡの放熱経路を考えると、ＩＣ
チップ１からの発熱は樹脂基板２を通して下面側へ放熱
する経路と、射出成形樹脂６を通って上面側へ放熱する
経路とがある。
チップ１からの発熱は樹脂基板２を通して下面側へ放熱
する経路と、射出成形樹脂６を通って上面側へ放熱する
経路とがある。
そしてＬ面側の経路については第１０図に示すごとく封
止樹脂の上面に金属キャンプ５を接着する構成とするこ
とにより前記金属キャップ５が放熱板の役目を果し、放
熱特性が大きく改良されることが確認されている。これ
はＰＧＡに限られるものではなく一般の樹脂封止構造を
有する電力用トランジスタ等の発熱を伴う半導体が、そ
の封止樹脂の上面に金属製の放熱用フィンを装着してい
るのと同様な効果である。
止樹脂の上面に金属キャンプ５を接着する構成とするこ
とにより前記金属キャップ５が放熱板の役目を果し、放
熱特性が大きく改良されることが確認されている。これ
はＰＧＡに限られるものではなく一般の樹脂封止構造を
有する電力用トランジスタ等の発熱を伴う半導体が、そ
の封止樹脂の上面に金属製の放熱用フィンを装着してい
るのと同様な効果である。
次に下面側への経路については前述のごとくＰＧＡとし
て対策したものは、まだ存在しないが、一般の半導体を
実装した樹脂基板に於ける放熱構造としては第１２図及
び第１３図に示すものが知られている。
て対策したものは、まだ存在しないが、一般の半導体を
実装した樹脂基板に於ける放熱構造としては第１２図及
び第１３図に示すものが知られている。
すなわち第１２図の構造は樹脂基板２のＩＣチップ１を
載置する部分に貫通穴を設け、該貫通穴内に絞り加工し
た金属製の容器５ｏを埋設し、この容器５０の内部にＩ
Ｃチップ１を載置して実装することにより前記ＩＣチッ
プ１０発熱を容器５０を通して下面側に放熱するもので
ある。
載置する部分に貫通穴を設け、該貫通穴内に絞り加工し
た金属製の容器５ｏを埋設し、この容器５０の内部にＩ
Ｃチップ１を載置して実装することにより前記ＩＣチッ
プ１０発熱を容器５０を通して下面側に放熱するもので
ある。
又、第１３図の構＠は、樹脂基板２０貫通穴の下面に金
属板６０を接着し、この金属板６０の上にＩ Ｃｆ ｙ
プ１を載置して実装することにより前記ＩＣチップ１の
発熱を金属板６０を通して下面側に放熱するものである
。
属板６０を接着し、この金属板６０の上にＩ Ｃｆ ｙ
プ１を載置して実装することにより前記ＩＣチップ１の
発熱を金属板６０を通して下面側に放熱するものである
。
以上が樹脂基板ＰＧＡの放熱構造に適用可能な従来技術
であるが、このうち第１０図に示す金属キャップ５を封
止樹脂４に接着又は押込むことによる上面側への放熱構
造を考えてみると次のような欠点がある。
であるが、このうち第１０図に示す金属キャップ５を封
止樹脂４に接着又は押込むことによる上面側への放熱構
造を考えてみると次のような欠点がある。
すなわち金属キャンプ５による上面側への放熱特性は封
止樹脂４０表面と金属キャンプ５の内面との密着性によ
って左右されるが、上記のごとく接着又は押込みによる
場合には、前記金属キャップ５の内面及び封止樹脂の表
面の面精度や、接着剤の量などのバラツキによって密着
性が変化し、均一な放熱特性が得られない結果となる。
止樹脂４０表面と金属キャンプ５の内面との密着性によ
って左右されるが、上記のごとく接着又は押込みによる
場合には、前記金属キャップ５の内面及び封止樹脂の表
面の面精度や、接着剤の量などのバラツキによって密着
性が変化し、均一な放熱特性が得られない結果となる。
さらに前述の金属キャンプ５５？放熱用フイン等の放熱
部材を接着又は押込みにて装着する構造に於いては、取
付状態や接着剤の量のバラツキ等によって前記放熱部材
の取月高さが変化するためＰＧＡとしての外形々状が均
一とならず、これは外観上の欠点であると同時に限られ
たスペースでの高密度実装の場合問題となってくる。
部材を接着又は押込みにて装着する構造に於いては、取
付状態や接着剤の量のバラツキ等によって前記放熱部材
の取月高さが変化するためＰＧＡとしての外形々状が均
一とならず、これは外観上の欠点であると同時に限られ
たスペースでの高密度実装の場合問題となってくる。
本発明は樹脂基板ＰＧＡに於げる封止樹脂側Ｑ放熱特性
を改良しようとするものであり、その目的は放熱特性に
勝れ、かつ外形々状の安定なＰＧＡの放熱構造及びその
製造方法を提供することにある。
を改良しようとするものであり、その目的は放熱特性に
勝れ、かつ外形々状の安定なＰＧＡの放熱構造及びその
製造方法を提供することにある。
〔課５項を解決するための手段〕
上記目的を達成するための本発明の要旨は下記の通りで
ある。
ある。
下面側に複数のコンタクトピンを有する樹脂基板にＩＣ
チップを実装し、該ＩＣチップを射出成形により樹脂封
止してなるピングリントアレイに於いて、前記射出成形
によって形成された封止樹脂の上面部には、金属製の放
熱部材が、前記射出成形によって一体化されたものであ
り、上記放熱部材には切欠形状部を設け、封止樹脂が流
入係止されていると効果的である。
チップを実装し、該ＩＣチップを射出成形により樹脂封
止してなるピングリントアレイに於いて、前記射出成形
によって形成された封止樹脂の上面部には、金属製の放
熱部材が、前記射出成形によって一体化されたものであ
り、上記放熱部材には切欠形状部を設け、封止樹脂が流
入係止されていると効果的である。
そして樹脂封旧型ピングリッドアレイの製造方法として
は、複数のコンタクトピンに対向する逃穴を設けた下金
型と、金属製の放熱部材を保持せしめた上金型とにより
、封止樹脂を射出成形する製造方法であり、また上記上
金型に吸引孔を設け、真空吸着にて放熱部材を保持せし
めて射出成形する製造方法がある。
は、複数のコンタクトピンに対向する逃穴を設けた下金
型と、金属製の放熱部材を保持せしめた上金型とにより
、封止樹脂を射出成形する製造方法であり、また上記上
金型に吸引孔を設け、真空吸着にて放熱部材を保持せし
めて射出成形する製造方法がある。
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。
第１図は本発明による完成した樹脂封止型ピングリッド
アレイの断面を示すもので、本構造は特願昭６１−８７
０８１ｍに提案した第１１図に示すＰＧＡの射出成形樹
脂６の上面に放熱部材の放熱板７を一体モールドにより
固着したものである。樹脂基板２上に載置されたＩＣチ
ップ１から発熱した熱は、射出成形樹脂６を伝って放熱
板７かも放出される。放熱特性をとげるためには、射出
成形樹脂６と放熱板７との中間層に他の接着層を介さな
いで一体モールドし、しかもパッケージとしての耐湿性
をわるくしな（・ためには、該放熱板７と射出成形樹脂
６との密着力を強固にする必要があり、第１図に於ける
放熱板７には切欠形状部の皿モミ穴７ｂが設けられてお
り、射出成形時に、射出成形樹脂６は、該皿モミ穴Ｚｂ
内に充填されて、密着固定をより強固にしている。
アレイの断面を示すもので、本構造は特願昭６１−８７
０８１ｍに提案した第１１図に示すＰＧＡの射出成形樹
脂６の上面に放熱部材の放熱板７を一体モールドにより
固着したものである。樹脂基板２上に載置されたＩＣチ
ップ１から発熱した熱は、射出成形樹脂６を伝って放熱
板７かも放出される。放熱特性をとげるためには、射出
成形樹脂６と放熱板７との中間層に他の接着層を介さな
いで一体モールドし、しかもパッケージとしての耐湿性
をわるくしな（・ためには、該放熱板７と射出成形樹脂
６との密着力を強固にする必要があり、第１図に於ける
放熱板７には切欠形状部の皿モミ穴７ｂが設けられてお
り、射出成形時に、射出成形樹脂６は、該皿モミ穴Ｚｂ
内に充填されて、密着固定をより強固にしている。
次に、上記放熱板７と射出成形樹脂６との一体モールド
を行うためのモールド成形型と放熱板７との関係につい
て説明する。第２図は、本発明に基づくモールド成形型
の上金型８及び下金型９の構造を示すもので、上金型８
に放熱板７が位置決めされて真空吸着されている。
を行うためのモールド成形型と放熱板７との関係につい
て説明する。第２図は、本発明に基づくモールド成形型
の上金型８及び下金型９の構造を示すもので、上金型８
に放熱板７が位置決めされて真空吸着されている。
又下金型９にはコンタクトピン２０の逃穴９ａと樹脂基
板２を載置するための凹部９ｂと湯口９Ｃとが設けられ
ている。
板２を載置するための凹部９ｂと湯口９Ｃとが設けられ
ている。
第３図はモールド成形金型の断面図を示すもので、上金
型８の真空穴８ａに通されたチューブ１０の吸引力によ
って放熱板７は上金型８に吸着固定され、さらに放熱板
７は上面部に設けられているエンボス７ａが上金型８の
真空穴８ａに、嵌合する事で位置決めされる。
型８の真空穴８ａに通されたチューブ１０の吸引力によ
って放熱板７は上金型８に吸着固定され、さらに放熱板
７は上面部に設けられているエンボス７ａが上金型８の
真空穴８ａに、嵌合する事で位置決めされる。
又下金型９の凹部９ｂには樹脂基板２が載置された状態
に於いて湯口９Ｃより射出成形樹脂６を注入することに
より第１図に示す樹脂封止型ＰＧＡが完成する。第４図
は前記放熱板７の斜視図であり、該放熱板７の材質とし
ては熱伝導率の良好な、アルミ（Ａｌ）、銅（ＣＯ）、
真鍮（ＢＳ）等の金属を用い、必要に応じて、前記射出
成形樹脂６との密着性を向上させるための表面処理とし
て、粗面化、メブキ処理、化学処理等を施ず。
に於いて湯口９Ｃより射出成形樹脂６を注入することに
より第１図に示す樹脂封止型ＰＧＡが完成する。第４図
は前記放熱板７の斜視図であり、該放熱板７の材質とし
ては熱伝導率の良好な、アルミ（Ａｌ）、銅（ＣＯ）、
真鍮（ＢＳ）等の金属を用い、必要に応じて、前記射出
成形樹脂６との密着性を向上させるための表面処理とし
て、粗面化、メブキ処理、化学処理等を施ず。
前記放熱板７の放熱特性を向上させるためには、その材
質を熱伝導率の良い素材を選ぶ事はもちろんだがその形
状も重要である。本発明に於ける放熱板７の他の実施例
を第５区〜第７図に示す。
質を熱伝導率の良い素材を選ぶ事はもちろんだがその形
状も重要である。本発明に於ける放熱板７の他の実施例
を第５区〜第７図に示す。
第５図に示す放熱板７０は前記皿モミ穴７ｂの代りに切
欠部７０ｂを有し、第６図の放熱板７１はＩＣチップ１
かもの熱の中間伝導層となっている射出成形樹脂６との
接触面積を大きくとるために、クシ歯状の溝７１ｂを設
けている。第７図の放熱板７２は、第１図の射出成形樹
脂６の側面６ａからの放熱を促進させるべく耳部７２Ｃ
を備えている。
欠部７０ｂを有し、第６図の放熱板７１はＩＣチップ１
かもの熱の中間伝導層となっている射出成形樹脂６との
接触面積を大きくとるために、クシ歯状の溝７１ｂを設
けている。第７図の放熱板７２は、第１図の射出成形樹
脂６の側面６ａからの放熱を促進させるべく耳部７２Ｃ
を備えている。
さらに上記各実施例に示す放熱板以外にも、図示は省略
したが、全体を波形に絞り加工した形状とすることによ
り、内面側に於いて樹脂との密着力が向上し、外面側に
於いては放熱特性を向上させることか出来る。
したが、全体を波形に絞り加工した形状とすることによ
り、内面側に於いて樹脂との密着力が向上し、外面側に
於いては放熱特性を向上させることか出来る。
又前記放熱板７を上金型８に仮固定する方法としては本
実施例に示す真空吸着に限るものではなく上金型８に凹
部を設け、該凹部内に放熱部材を嵌合する方法等、色々
考えることが出来る。
実施例に示す真空吸着に限るものではなく上金型８に凹
部を設け、該凹部内に放熱部材を嵌合する方法等、色々
考えることが出来る。
上記のごとく本発明によればＩＣチップを実装した樹脂
基板を封止した射出成形樹脂の上面部に金属製の放熱部
材を一体成形しているため、前記射出成形樹脂と放熱部
材との密着性を極めて安定かつ強固に保つことが可能と
なり、樹脂基板ＰＧＡの耐湿性を損うことなく良好な放
熱特性を得ることが出来る。
基板を封止した射出成形樹脂の上面部に金属製の放熱部
材を一体成形しているため、前記射出成形樹脂と放熱部
材との密着性を極めて安定かつ強固に保つことが可能と
なり、樹脂基板ＰＧＡの耐湿性を損うことなく良好な放
熱特性を得ることが出来る。
又前記放熱部材の一体化を行う方法としては樹脂成形金
型の上金型に放熱部材を仮固定しておくだけでよいため
、はとんどコストアンプを伴わず、さらに前記樹脂基板
ＰＧＡの外形々状は成形金型によって一律に決定される
ため、前記樹脂基板や、放熱部材に寸法上のバラツキが
若干存在しても、完成品としての外形々状を均一化する
ことが出来る等、本発明は放熱特性及び耐湿性に優れ、
かつ外形々状の安定した樹脂封止ＰＧＡを低コストにて
提供する上で犬なる効果を有する。
型の上金型に放熱部材を仮固定しておくだけでよいため
、はとんどコストアンプを伴わず、さらに前記樹脂基板
ＰＧＡの外形々状は成形金型によって一律に決定される
ため、前記樹脂基板や、放熱部材に寸法上のバラツキが
若干存在しても、完成品としての外形々状を均一化する
ことが出来る等、本発明は放熱特性及び耐湿性に優れ、
かつ外形々状の安定した樹脂封止ＰＧＡを低コストにて
提供する上で犬なる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す樹脂封止型ＰＧＡの断
面図、第２図は本発明の成形金型の斜視図、第３図は本
発明の樹脂封止型ＰＧＡの射出成形状態を示す成形金型
の断面図、第４図〜第７図はいずれも本発明の放熱板の
斜視図、第８図はセラミック基板を用いた従来のＰＧＡ
の断面図、第９図〜第１１図は樹脂基板を用いた従来の
ＰＧＡの断面図、第１２図及び第１３図は従来の樹脂基
板に於ける放熱構造を示す断面図である。 １・・・・・・ＩＣチップ、 ２・・・・・・樹脂基板、 ６・・・・・・射出成形樹脂、 ７．７０．７１．７２・・・・・・放熱板。 ８・・・・・・上金型、 ９・・・・・・下金型。 ＋ｉ；ｌン 強 印ｊ■ 人 、・ノ −ｆ−
−＋ 、、 ｊ比二上４≠Ｉ−−〜 Ａ馴 ／◇＼臣
面図、第２図は本発明の成形金型の斜視図、第３図は本
発明の樹脂封止型ＰＧＡの射出成形状態を示す成形金型
の断面図、第４図〜第７図はいずれも本発明の放熱板の
斜視図、第８図はセラミック基板を用いた従来のＰＧＡ
の断面図、第９図〜第１１図は樹脂基板を用いた従来の
ＰＧＡの断面図、第１２図及び第１３図は従来の樹脂基
板に於ける放熱構造を示す断面図である。 １・・・・・・ＩＣチップ、 ２・・・・・・樹脂基板、 ６・・・・・・射出成形樹脂、 ７．７０．７１．７２・・・・・・放熱板。 ８・・・・・・上金型、 ９・・・・・・下金型。 ＋ｉ；ｌン 強 印ｊ■ 人 、・ノ −ｆ−
−＋ 、、 ｊ比二上４≠Ｉ−−〜 Ａ馴 ／◇＼臣
Claims (4)
- （１）下面側に複数のコンタクトピンを有する樹脂基板
にＩＣチップを実装し、該ＩＣチップを射出成形により
樹脂封止してなるピングリッドアレイに於いて、前記射
出成形によって形成された封止樹脂の上面部には、金属
製の放熱部材が、前記射出成形によって一体化されてい
ることを特徴とする樹脂封止型ピングリッドアレイ。 - （２）請求項１記載の放熱部材には、切欠形状部が設け
られ、該切欠形状部には前記射出成形による封止樹脂が
流入係止されていることを特徴とする樹脂封止型ピング
リッドアレー。 - （３）下面側に複数のコンタクトピンを有する樹脂基板
にＩＣチップを実装したピングリッドアレイを、前記コ
ンタクトピンの逃穴を有する下金型に載置するとともに
、上金型に金属製の放熱部材をを保持せしめ、前記下金
型と上金型とを用いて封止樹脂を射出成形することを特
徴とする樹脂封止型ピングリッドアレイの製造方法。 - （４）請求項３記載の前記上金型には前記放熱部材を真
空吸着するための吸引孔が設けられていることを特徴と
する樹脂封止型ピングリッドアレイの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025516A JP2770947B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| US07/700,670 US5179039A (en) | 1988-02-05 | 1991-05-15 | Method of making a resin encapsulated pin grid array with integral heatsink |
| US07/752,172 US5233225A (en) | 1988-02-05 | 1991-08-23 | Resin encapsulated pin grid array and method of manufacturing the same |
| US07/912,065 US5289039A (en) | 1988-02-05 | 1992-07-07 | Resin encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025516A JP2770947B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201941A true JPH01201941A (ja) | 1989-08-14 |
| JP2770947B2 JP2770947B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=12168223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63025516A Expired - Lifetime JP2770947B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770947B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03256347A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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| US6469380B2 (en) | 2000-11-08 | 2002-10-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Resin sealed semiconductor device utilizing a clad material heat sink |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6240749A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | Daiichi Seiko Kk | ピングリツドアレイ |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63025516A patent/JP2770947B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6240749A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | Daiichi Seiko Kk | ピングリツドアレイ |
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| JPWO2015111242A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | 富士通株式会社 | 放熱部品、放熱部品の製造方法、電子装置、電子装置の製造方法、一体型モジュール、情報処理システム |
| US10537044B2 (en) | 2014-01-21 | 2020-01-14 | Fujitsu Limited | Heat dissipating component, manufacturing method for heat dissipating component, electronic device, manufacturing method for electronic device, integrated module, and information processing system |
| WO2016006089A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 富士通株式会社 | 放熱部品、放熱部品の製造方法、電子装置、電子装置の製造方法、一体型モジュール、情報処理システム |
| JPWO2016006089A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2017-06-15 | 富士通株式会社 | 放熱部品、放熱部品の製造方法、電子装置、電子装置の製造方法、一体型モジュール、情報処理システム |
| JP2020057649A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | 株式会社カネカ | グラファイト複合体および半導体パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2770947B2 (ja) | 1998-07-02 |
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|---|---|---|---|
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