JPH01210393A - 集積回路装置 - Google Patents
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- JPH01210393A JPH01210393A JP63038081A JP3808188A JPH01210393A JP H01210393 A JPH01210393 A JP H01210393A JP 63038081 A JP63038081 A JP 63038081A JP 3808188 A JP3808188 A JP 3808188A JP H01210393 A JPH01210393 A JP H01210393A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
2ヘー/゛
産業上の利用分野
本発明は、ICカード等に用いられる集積回路装置に関
するものである。
するものである。
従来の技術
近年ハ、マイクロコンピュータ、メモリ等の集積回路素
子をプラスチック製カードに搭載、または内蔵したいわ
ゆるICカードが実用に供されつつある。
子をプラスチック製カードに搭載、または内蔵したいわ
ゆるICカードが実用に供されつつある。
このICカードは、すでに多量に使用されている磁気ス
トライプカードに比して、記憶容量が大きく防犯性に優
れていることから、従来の磁気ストライプカードの用途
ばかりで々く身分証明書等の多様な用途に使用すること
が考えられている。
トライプカードに比して、記憶容量が大きく防犯性に優
れていることから、従来の磁気ストライプカードの用途
ばかりで々く身分証明書等の多様な用途に使用すること
が考えられている。
ところで、ICカードは、塩化ビニル樹脂等のプラスチ
ックカードに、リーダー・ライター等の外部装置との接
続用端子を有する集積回路装置が搭載された構成であり
、との集積回路装置は、極めて薄型に構成することが必
要とされる。このだめ、従来の集積回路装置は、第3図
に示すように、フィルム状の絶縁基板31に外部接続用
端子パタ31\−ノ ーン32、回路パターン33およびスルーホール34等
の配線導体を形成した薄型配線基板に、集積回路素子3
5をダイスボンディングし、集積回路素子36の入出力
電極と回路パターン33とをワイヤーボンディング方式
等により金属線36で接続する。まだ樹脂封止時の樹脂
流れ止め用の封止枠37を絶縁基板31に接着して設け
、エポキシ樹脂等の封止樹脂38により封止して得られ
る。
ックカードに、リーダー・ライター等の外部装置との接
続用端子を有する集積回路装置が搭載された構成であり
、との集積回路装置は、極めて薄型に構成することが必
要とされる。このだめ、従来の集積回路装置は、第3図
に示すように、フィルム状の絶縁基板31に外部接続用
端子パタ31\−ノ ーン32、回路パターン33およびスルーホール34等
の配線導体を形成した薄型配線基板に、集積回路素子3
5をダイスボンディングし、集積回路素子36の入出力
電極と回路パターン33とをワイヤーボンディング方式
等により金属線36で接続する。まだ樹脂封止時の樹脂
流れ止め用の封止枠37を絶縁基板31に接着して設け
、エポキシ樹脂等の封止樹脂38により封止して得られ
る。
(特開昭55−56647号公報、特開昭58−925
97号公報) 発明が解決しようとする課題 ICカードに搭載される集積回路装置においては、薄型
化と同時に、高信頼性、高寸法精度さらに低コストであ
ることが求められている。しかしながら、前述したよう
な集積回路装置においては、用いられる配線基板が、絶
縁基板31の両面に配線導体を形成しスルーホール34
によって接続したスルーホール付両面配線基板であるの
で次のよう々問題を有している。(1)配線基板が高価
である。
97号公報) 発明が解決しようとする課題 ICカードに搭載される集積回路装置においては、薄型
化と同時に、高信頼性、高寸法精度さらに低コストであ
ることが求められている。しかしながら、前述したよう
な集積回路装置においては、用いられる配線基板が、絶
縁基板31の両面に配線導体を形成しスルーホール34
によって接続したスルーホール付両面配線基板であるの
で次のよう々問題を有している。(1)配線基板が高価
である。
(2)スルーホール形成はめっきにより行なうのでスル
ーホール形成時のメッキ厚のバラツキか配線基板の総厚
のバラツキとなり、良好な厚さ寸法精度が得にくい。(
3)集積回路素子35の樹脂封止時に、樹脂がスルーホ
ール34より流出するので、流出防止のだめスルーホー
ル34を封口する手段が必要である。
ーホール形成時のメッキ厚のバラツキか配線基板の総厚
のバラツキとなり、良好な厚さ寸法精度が得にくい。(
3)集積回路素子35の樹脂封止時に、樹脂がスルーホ
ール34より流出するので、流出防止のだめスルーホー
ル34を封口する手段が必要である。
また、ICカードに搭載される集積回路装置の機械的強
度は、高信頼性の点で極めて重要であり、機械的強度が
不充分々場合には、ICカードの携帯時や使用時に受け
る折曲げ力や押圧力等の外的力によって集積回路素子3
5が破壊されるという問題を有していた。
度は、高信頼性の点で極めて重要であり、機械的強度が
不充分々場合には、ICカードの携帯時や使用時に受け
る折曲げ力や押圧力等の外的力によって集積回路素子3
5が破壊されるという問題を有していた。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、高寸法
精度、高能率かつ安価に製造でき、しかも機械的強度が
犬で、ICカードの携帯時や使用時に受ける折曲げ力や
押圧力等の外的力によって集積回路素子が破壊されるこ
とがない薄型の集積回路装置を提供するものである。
精度、高能率かつ安価に製造でき、しかも機械的強度が
犬で、ICカードの携帯時や使用時に受ける折曲げ力や
押圧力等の外的力によって集積回路素子が破壊されるこ
とがない薄型の集積回路装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の集積回路袋A−7
置は、外部接続用端子部と集積回路素子を搭載するため
の支持部とが形成されたリードフレームの一面の少々く
とも一部を外部接続用端子とし、このリードフレームの
他面の前記支持部に集積回路素子を搭載し、少々くとも
集積回路素子を封止樹脂で覆ったものである。
の支持部とが形成されたリードフレームの一面の少々く
とも一部を外部接続用端子とし、このリードフレームの
他面の前記支持部に集積回路素子を搭載し、少々くとも
集積回路素子を封止樹脂で覆ったものである。
作用
本発明は、上記した構成によって、集積回路装置の集積
回路素子搭載部の全面にわたって金属薄板よりなるリー
ドフレームが設けられるので、その断面の構成が均一に
々す、集積回路装置の機械的強度の向上と均一化がはか
られ、ICカードの携帯時や使用時に受ける折曲げ力や
押圧力等による極部的な応力集中が防止でき、集積回路
素子の破壊が防止され集積回路装置の高信頼性が確保で
きるとともに、従来用いられていた高価な配線基板を必
要とせず、極めて安価で一般的な金属薄板から々るリー
ドフレームが使用できるので、高寸法精度かつ安価々薄
型の集積回路装置が高能率に製造できることとなる。
回路素子搭載部の全面にわたって金属薄板よりなるリー
ドフレームが設けられるので、その断面の構成が均一に
々す、集積回路装置の機械的強度の向上と均一化がはか
られ、ICカードの携帯時や使用時に受ける折曲げ力や
押圧力等による極部的な応力集中が防止でき、集積回路
素子の破壊が防止され集積回路装置の高信頼性が確保で
きるとともに、従来用いられていた高価な配線基板を必
要とせず、極めて安価で一般的な金属薄板から々るリー
ドフレームが使用できるので、高寸法精度かつ安価々薄
型の集積回路装置が高能率に製造できることとなる。
一
実施例
以下、本発明の一実施例の集積回路装置について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例における集積回路装置の平面
図であり、説明のだめ封止樹脂は外形のみを破線で示し
ている。第2図は本発明の一実施例における集積回路装
置の縦断面図であり、第1図x−x’線での縦断面図で
ある。第1図および第2図において、11は薄い金属板
よりなるリードフレーム、12は集積回路素子、13は
接着剤、14は金属線、15は封止樹脂である。
図であり、説明のだめ封止樹脂は外形のみを破線で示し
ている。第2図は本発明の一実施例における集積回路装
置の縦断面図であり、第1図x−x’線での縦断面図で
ある。第1図および第2図において、11は薄い金属板
よりなるリードフレーム、12は集積回路素子、13は
接着剤、14は金属線、15は封止樹脂である。
本実施例の集積回路装置の構成について、その製造方法
とともに以下に詳細に説明する。
とともに以下に詳細に説明する。
まず、板厚0.15ffiffの帯状の金属薄板を打抜
加工またはフォトエツチング加工を行なって、集積回路
素子12を搭載するための支持部11Aと外部接続用端
子部11Bを形成した所望形状のリードフレーム11に
、ニッケルや金などのメツキを施して一面11aを外部
接続用端子とした。次に、導電性ペーストまたは絶縁性
ペーストを用い塗布7 ・、−2 厚約30μmの接着剤13を介して厚さ0.261Hn
rの集積回路素子12を、リードフレーム11の他面1
1bの支持部11Aにダイスボンディングして搭載接続
した。続いて金、アルミニウム、銅々どの金属線14に
よりリードフレーム11の外部接続用端子部11Bの他
面11bと集積回路素子12の入出力電極12.aとを
ワイヤーボンディング法で電気的に接続して第1図およ
び第2図の封止樹脂15を除いた状態を得だ。続いて、
樹脂封止用のトランスファ成形金型(図示せず)にリー
ドフレーム11の一面11iaを当接し、エポキシ樹脂
等の樹脂を注入成形して、集積回路素子12、金属線1
4、および外部接続用端子となる一面11aを除いたリ
ードフレーム11全体をモールド保護するための封止樹
脂15を設け、第2図に示す本実施例の完成状態を得だ
。完成した集積回路装置の総厚は060記であった。第
2図に示すように、本実施例では、リードフレーム11
の一面11aと封止樹脂16の面とは略凹一面となるよ
うにリードフレーム11の外端も被覆している。
加工またはフォトエツチング加工を行なって、集積回路
素子12を搭載するための支持部11Aと外部接続用端
子部11Bを形成した所望形状のリードフレーム11に
、ニッケルや金などのメツキを施して一面11aを外部
接続用端子とした。次に、導電性ペーストまたは絶縁性
ペーストを用い塗布7 ・、−2 厚約30μmの接着剤13を介して厚さ0.261Hn
rの集積回路素子12を、リードフレーム11の他面1
1bの支持部11Aにダイスボンディングして搭載接続
した。続いて金、アルミニウム、銅々どの金属線14に
よりリードフレーム11の外部接続用端子部11Bの他
面11bと集積回路素子12の入出力電極12.aとを
ワイヤーボンディング法で電気的に接続して第1図およ
び第2図の封止樹脂15を除いた状態を得だ。続いて、
樹脂封止用のトランスファ成形金型(図示せず)にリー
ドフレーム11の一面11iaを当接し、エポキシ樹脂
等の樹脂を注入成形して、集積回路素子12、金属線1
4、および外部接続用端子となる一面11aを除いたリ
ードフレーム11全体をモールド保護するための封止樹
脂15を設け、第2図に示す本実施例の完成状態を得だ
。完成した集積回路装置の総厚は060記であった。第
2図に示すように、本実施例では、リードフレーム11
の一面11aと封止樹脂16の面とは略凹一面となるよ
うにリードフレーム11の外端も被覆している。
これは、この集積回路装置を使用したICカードの携帯
時および使用時の外的力によってリードフレーム11の
突出や脱落等の問題生じることのないようにするためで
ある。なお、第2図では、リードフレーム11の一面1
1aを全面封止樹脂より露出させているが、−面112
Lの外部接続用端子となる部分のみを露出させてもよい
。
時および使用時の外的力によってリードフレーム11の
突出や脱落等の問題生じることのないようにするためで
ある。なお、第2図では、リードフレーム11の一面1
1aを全面封止樹脂より露出させているが、−面112
Lの外部接続用端子となる部分のみを露出させてもよい
。
また、第1図に示すように、本実施例では、集積回路素
子12を搭載するためのリードフレーム11の支持部1
1Aは、接地用端子となる外部接続用端子部の延長部分
として設けたが、これは、リードフレーム11全体の平
面性を確保するためである。なお、集積回路素子12を
搭載するためのリードフレーム11の支持部は、外部接
続用端子部とは独立させて設けてもよい。
子12を搭載するためのリードフレーム11の支持部1
1Aは、接地用端子となる外部接続用端子部の延長部分
として設けたが、これは、リードフレーム11全体の平
面性を確保するためである。なお、集積回路素子12を
搭載するためのリードフレーム11の支持部は、外部接
続用端子部とは独立させて設けてもよい。
々お、上記の本実施例では、集積回路素子12の入出力
電極12aと外部接続用の他方の面との電気的接続は、
金属線14を用いたワイヤーボンディング法により行な
ったが、この他の接続方法たとえば、ビームリード方式
、丑だフリップチノ−9−/ プ接続方式やテープキャリア方式等により行なってもよ
い。
電極12aと外部接続用の他方の面との電気的接続は、
金属線14を用いたワイヤーボンディング法により行な
ったが、この他の接続方法たとえば、ビームリード方式
、丑だフリップチノ−9−/ プ接続方式やテープキャリア方式等により行なってもよ
い。
発明の効果
以上のように本発明は、外部接続用端子部と集積回路素
子を搭載するための支持部とが形成されたリードフレー
ムの一面の少なくとも一部を外部接続用端子とし、この
リードフレームの他面の前記支持部に集積回路素子を搭
載し、集積回路素子を少なくとも封止樹脂で覆うことに
より、従来用いられていた高精度な精密配線基板を必要
とせず、極めて安価で一数的々金属薄板からなるリード
フレームが使用でき、高寸法精度かつ安価な薄型の集積
回路装置が高能率に製造できるとともに、集積回路装置
の集積回路素子搭載部の全面にわたって金属薄板より々
るリードフレームが設けられるよう構成しているので、
その断面の構成が均一になると同時に金属薄板により折
曲げに対する物理的強度の改善がはかられ、集積回路装
置の機械的強度の向上と均一化がはかられ、ICカード
の携帯時や使用時に受ける折曲げ力や押圧力等にょる1
0ヘーノ 集積回路素子への極部的な応力集中が防止でき、集積回
路素子の破壊が防止され、信頼性の極めて高い集積回路
装置が実現できる。
子を搭載するための支持部とが形成されたリードフレー
ムの一面の少なくとも一部を外部接続用端子とし、この
リードフレームの他面の前記支持部に集積回路素子を搭
載し、集積回路素子を少なくとも封止樹脂で覆うことに
より、従来用いられていた高精度な精密配線基板を必要
とせず、極めて安価で一数的々金属薄板からなるリード
フレームが使用でき、高寸法精度かつ安価な薄型の集積
回路装置が高能率に製造できるとともに、集積回路装置
の集積回路素子搭載部の全面にわたって金属薄板より々
るリードフレームが設けられるよう構成しているので、
その断面の構成が均一になると同時に金属薄板により折
曲げに対する物理的強度の改善がはかられ、集積回路装
置の機械的強度の向上と均一化がはかられ、ICカード
の携帯時や使用時に受ける折曲げ力や押圧力等にょる1
0ヘーノ 集積回路素子への極部的な応力集中が防止でき、集積回
路素子の破壊が防止され、信頼性の極めて高い集積回路
装置が実現できる。
第1図は本発明の一実施例における集積回路装置の平面
図、第2図は本発明の一実施例における集積回路装置の
縦断面図、第3図は従来の集積回路装置の縦断面図であ
る。 11・・・・・・リードフレーム、11人・・・・・・
支持部、11B・ 端子部、11a ・・・・−面、1
1b・・他面、12・・・・・・集積回路素子、12a
・・・・入出力電極、13・・接着剤、14・・・・・
・金属線、15・・・・封止樹脂。
図、第2図は本発明の一実施例における集積回路装置の
縦断面図、第3図は従来の集積回路装置の縦断面図であ
る。 11・・・・・・リードフレーム、11人・・・・・・
支持部、11B・ 端子部、11a ・・・・−面、1
1b・・他面、12・・・・・・集積回路素子、12a
・・・・入出力電極、13・・接着剤、14・・・・・
・金属線、15・・・・封止樹脂。
Claims (3)
- (1) 外部接続用端子部と集積回路素子を搭載するた
めの支持部とが形成されたリードフレームの一面の少な
くとも一部を外部接続用端子とし、このリードフレーム
の他面の前記支持部に集積回路素子を搭載し、前記外部
接続用端子部の他面と前記集積回路素子の入出力電極と
を電気的に接続し、この接続部と前記集積回路素子とを
封止樹脂で覆った集積回路装置。 - (2) 集積回路素子を搭載するための支持部は、複数
個の外部接続用端子部のうちのいずれか一つの延長部分
である特許請求の範囲第1項記載の集積回路装置。 - (3) 封止樹脂は、リードフレームの外部接続用端子
の面と略同一面まで覆った特許請求の範囲第1項、また
は第2項記載の集積回路装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63038081A JPH01210393A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 集積回路装置 |
AU23093/88A AU2309388A (en) | 1987-08-26 | 1988-08-25 | Integrated circuit device and method of producing the same |
US07/586,392 US5122860A (en) | 1987-08-26 | 1988-08-25 | Integrated circuit device and manufacturing method thereof |
KR1019890700727A KR920008509B1 (ko) | 1987-08-26 | 1988-08-25 | 집적회로장치 및 그 제조방법 |
PCT/JP1988/000842 WO1989001873A1 (en) | 1987-08-26 | 1988-08-25 | Integrated circuit device and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63038081A JPH01210393A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01210393A true JPH01210393A (ja) | 1989-08-23 |
Family
ID=12515530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63038081A Pending JPH01210393A (ja) | 1987-08-26 | 1988-02-19 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01210393A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0394460A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003174136A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Aoi Electronics Co Ltd | 樹脂モールド半導体装置 |
JP2006319317A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Maxim Integrated Products Inc | フラットな、リード無しの片面集積回路パッケージ |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63038081A patent/JPH01210393A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0394460A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2014042033A (ja) * | 2005-05-11 | 2014-03-06 | Maxim Integrated Products Inc | フラットな、リード無しの片面集積回路パッケージ |
JP2015228525A (ja) * | 2005-05-11 | 2015-12-17 | マキシム・インテグレイテッド・プロダクツ・インコーポレイテッドMaxim Integrated Products, Inc. | フラットな、リード無しの片面集積回路パッケージ |
US9269689B1 (en) | 2005-05-11 | 2016-02-23 | Maxim Integrated Products, Inc. | Single sided, flat, no lead, integrated circuit package |
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