JPH0276798A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents

集積回路装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0276798A
JPH0276798A JP63230411A JP23041188A JPH0276798A JP H0276798 A JPH0276798 A JP H0276798A JP 63230411 A JP63230411 A JP 63230411A JP 23041188 A JP23041188 A JP 23041188A JP H0276798 A JPH0276798 A JP H0276798A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
circuit device
external connection
sealing resin
metal plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63230411A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Kikuchi
菊池 立郎
Shuji Kondo
修司 近藤
Yoshihisa Takase
高瀬 喜久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63230411A priority Critical patent/JPH0276798A/ja
Publication of JPH0276798A publication Critical patent/JPH0276798A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は例えばreカード等に用いられる集積回路装置
の製造方法に関するものである。
従来の技術 近年は、マイクロコンピュータ、メモリ等の集積回路素
子をプラスチック製カードに搭載または内蔵したいわゆ
るICカードが実用に供されつつある。
このICカードは、すでに多量に使用されている磁気ス
トライプカードに比して、記憶容量が大きく防犯性に優
れていることから、従来の磁気ストライプカードの用途
ばかりでなく身分証明書等多様な用途に使用することが
考えられている。
ところで、ICカードは、塩化ビニル樹脂等のプラスチ
ックカードに、リーダー・ライター等の外部装置との接
続用端子を有する集積回路装置が搭載された構成であり
、この集積回路装置は、極めて薄型に構成することが必
要とされる。
ICカードにも多くの種類があるが、従来の磁気ストラ
イプカードと同じ寸法のICカードの規格化がrso 
(国際標準化機構)で検討されている。
以下、ICカードおよびICカードに用いられる集積回
路装置について添付図面を参照しながら説明する。
第4図はICカードの斜視図、第5図は第4図における
A−人′断面であり、集積回路装置の周辺を示す断面図
、第6図は従来の回路基板を用いた集積回路装置の縦断
面図である。
従来、ICカードの製造方法や構成には数多くの方法が
行われているが、例えば、第4図および第6図に示すよ
うに、シート状の厚さ760μm程度の薄いプラスチッ
クカード1に、エンドミルやトムソン金型などを用いて
、集積回路装置3゜の大きさよりやや大きな穴2を設け
、プラスチックカード1よυやや薄い厚みの集積回路装
置3゜を挿入し、外部接続用端子32が露出するように
接着加工を施し、埋設して作成する。
従来の集積回路装置は、第6図に示すように、フィルム
状の絶縁基板31に外部接続用端子パターン32、回路
パターン33およびスルーホール34等の回路導体を形
成した薄型回路基板に、集積回路素子36をダイボンデ
ィングし、集積回路素子36の入出力電極と回路パター
ン33とをワイヤーポンディング方式等により金属線3
6で接続する。また、樹脂封止時の樹脂流れ止め用の封
止枠37を回路基板に接着して設け、エポキシ樹脂等の
封止材38により封止して得られる。(特開昭55−5
6647号公報、特開昭58−92597号公報) また、前述のような高精度な精密回路基板を必要としな
い従来の集積回路装置として、金属薄板を所望形状に加
工したリードフレームを用い、リードフレームの片方の
一面を外部接続用端子とし、他面に集積回路素子を搭載
し、集積回路素子の入出力電極とリードフレームの他面
とを金属線で電気的に接続し、集積回路素子側を封止樹
脂で被覆した集積回路装置がある。(特開昭54−69
068号公報、特開昭63−33863号公報)発明が
解決しようとする課題 ICカードに搭載される集積回路装置においては、高信
頼性、薄型化と同時に、高寸法精度さらには低コストで
あることが求められている。しかしながら、前述したよ
うな回路基板を用いた集積回路装置においては、用いら
れる回路基板が、絶縁基板31の両面に配線導体を形成
しスルーホール34によって接続したスルーホール付両
面基板であるので、次のような問題を有している。■回
路基板が高価である。■絶縁基板の厚さのバラツキやス
ルーホール形成時のめっき厚のバラツキが回路基板総厚
のバラツキとなり、良好な厚さ寸法精度が得にくい。■
集積回路素子36の樹脂封止時に、樹脂がスルーホール
34よυ流出するので、流出防止のだめスルーホール3
4を封口する手段が必要である。
一方、金属薄板を所望形状に加工したリードフレームを
用い、リードフレームの片方の一面を外部接続用端子と
し、他面に集積回路素子を搭載し、集積回路素子の入出
力電極とリードフレームの他面を金属線で電気的に接続
し、集積回路素子側を封止樹脂で被覆した集積回路装置
は、前述のような高精度な精密回路基板を必要としない
ので、高寸法精度かつ高能率に製造でき、しかも安価な
集積回路装置であるという長所がある。
しかしながら、このリードフレームを用いた集積回路装
置の製造方法においては、従来の集積回路装置と異なり
、リードフレームの片方の一面を外部接続用端子として
封止樹脂よシ露出させた片面封止構造であるので、トラ
ンスファ成形法により封止樹脂を形成した場合、封止樹
脂が外部接続用端子面にまでにじみ出して薄パリとして
形成されやすく、この場合には、物理的研摩や溶剤等に
よってこの薄パリを除去することが必要であり、製造工
程が複雑となるばかりでなく集積回路装置としての品質
を損なう危険性がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、高寸法
精度、高能率かつ安価に製造でき、リードフレームの片
方の一面を外部接続用端子として封止樹脂よシ露出させ
た片面封止構造に適し、外部接続用端子面に封止樹脂が
薄パリとして形成されにくい集積回路装置の製造方法を
提供するものである。
課題を解決するだめの手段 上記課題を解決するために、本発明の集積回路装置の製
造方法は、一面の少なくとも一部を外部接続用端子とし
た金属薄板の他面側の一部に集積回路素子を搭載固定し
、次に、この集積回路素子の入出力電極と前記金属薄板
の他面とを電気的に接続し、次に、前記金属薄板の外部
接続用端子面を成形金型面に密着させたのちに成形金型
内に封止樹脂を注入し、前記金属薄板の一部、前記集積
回路素子およびその入出力電極と前記金属薄板の他面と
の電気的接続部を封止樹脂で被覆するものである。
作用 本発明は、上記した構成によって、従来用いられていた
高価な精密回路基板を必要とせず、安価で極めて一般的
なリードフレーム形状に加工された金属薄板が使用でき
、集積回路装置として安価となるばかりでなく、ICカ
ードに適した薄型の集積回路装置として、高寸法精度か
つ高能率に製造できる構成であるとともに、金属薄板の
一部、集積回路素子およびその入出力電極と金属薄板の
他面との電気的接続部を封止樹脂で被覆することは、金
属薄板の外部接続用端子面を成形金型面に空気吸引や磁
力を用いて密着させた後に、封止樹脂を成形金型内に注
入して行うもので、金属薄板の外部接続用端子面と成形
金型面との良好な密着が得られ、外部接続用端子面に封
止樹脂が薄パリとして形成されに〈<、金属薄板の片方
の一面を外部接続用端子として封止樹脂より露出させた
片面封止構造の集積回路装置に適した製造方法となる。
実施例 以下、本発明の一実施例の集積回路装置の製造方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例における集積回路装置の製造
方決によって作成した集積回路装置の平面図であり・説
明のだめ封止樹脂は外形のみを図示している。第2図は
、第1図のB−B’線での縦断面図である。第1図およ
び第2図において、11は金属薄板、12は接着材、1
3は集積回路素子、14は金属線、15は封止樹脂であ
る。
本実施例の集積回路装置の製造方法について、その構成
とともに以下に詳細に説明する。
まず、板厚Q、15ffの帯状の銅合金からなる金属素
材を打ち抜き加工またはフォトエツチング加工を行って
、所望のリードフレーム形状とし、この一方の面を外部
接続用端子11aとする。また、ICカード用集積回路
装置の外部接続用端子11aは接触による接続端子であ
るので、この一方の而に1ニツケルの下地めっきおよび
金めつきを施し、他方の面に、ワイヤーボンディング法
により金属線を接続するために、ニッケルの下地めっき
ののち接続部に部分的に銀めっきまたは金めつきを施し
、金属薄板11とした。なお、帯状の金属素材としては
、鉄や鉄・ニッケル合金等数多くのリードフレーム用金
属素材が使用でき、外部接続用端子11a面のめっきは
、全以外に接触端子として信頼性が確保できる白金、ロ
ジウム等の貴金属のめっきを施してもよい。
次に、金属薄板11の他方の両11bの所定位置に、絶
縁性樹脂からなる接着材12を介して集積回路素子13
を搭載し、接着材12を加熱硬化して接着固定した。接
着材12として絶縁性樹脂を用いたのは、金属薄板11
の外部接続用端子11aの位置、寸法に対して集積回路
素子13が大で、各外部接続用端子11aにまたがって
搭載されたときに電気的な短絡を防止するためである。
そしてこのように絶縁性樹脂を用い、各外部接続用端子
11aにまたがって集積回路素子13を搭載することに
より、搭載される集積回路素子13の寸法的な制約およ
び外部接続用端子11aの位置、寸法に対する制約が、
ともに大幅に軽減されることとなった。
次に、金属線14として直径25μmの金細線を用いて
、ワイヤーボンディング法によす、集積回路素子13の
入出力電極13aと金属薄板11の他方の而11bとを
電気的に接続した。この電気的な接続は、金属線による
接続以外に、フリップチップ方式やフィルムキャリア方
式などのワイヤレスボンディング法により行うこともで
きる。
集積回路素子13の入出力電極13aと金属薄基11と
の必要な電気的接続を行った後、エポキシ樹脂などの封
止成形材料を用いトランスファ成形法で成形し、封止樹
脂15により集積回路素子13、金属線14および金属
薄板11の他方の面側を保護した。この後、リードフレ
ームの外周の不要部分(図示せず)を切断除去した。こ
れにより第1図および第2図の本実施例による集積回路
装置が得られた。
上記の封止樹脂16の形成方法について、第3図を用い
てさらに詳しく説明する。集積回路素子13を搭載し接
着固定し、金属線14による必要な電気的接続を行った
リードフレーム形状の金属薄板11を、成形温度に加熱
されたトランスファ成形の成形金型16の下金型16a
に外部接続用端子11a而を密着させて当接し、下金型
16aと止金型16bの型締めを行ったのち、エポキシ
樹脂を主成分として硬化剤、充填剤およびその曲の添加
剤からなる封止成形材料を加熱加圧状態で金型16内に
矢印■の方向より注入し、硬化のだめの一定時間保持し
たのち、トランスフ1成形金型16より取シ出して、封
止樹脂15を形成した。
外部接続用端子11a面をトランスフ1成形金型16の
下金型16aに密着させて当接したのは、外部接続用端
子11a面への封止樹脂の流れ込みを防止するためであ
り、密着させる方法としては、外部接続用端子11a面
を下金型16aに当接したのち、矢印■の方向に空気吸
引する方法により行った。空気吸引するだめの下金型1
6aの形状としては、第3図に示すように、金属薄板1
1の外部接続用端子11a而の周囲に該当する位置に細
い溝状の空気吸引口を設け、金属薄板11の周囲のみを
吸引した。これにより、空気吸引によって金属薄板11
にたわみを生じることが防止でき良好な密着が得られた
。なお、第3図において160は封止成形材料注入時の
金型16内の空気を排出するだめのエアーベントである
なお、本実施例では、外部接続用端子11a而をトラン
スファ成形金型16の下金型16龜に密着させる方法と
して、上記の空気吸引する方法のほかに、リードフレー
ム形状の金属薄板11として磁性材料を用い、下金型1
11Lに例えば電磁石等を設けて、磁力により外部接続
用端子11a面とトランスファ成形金型16の下金型1
6aとを密着させる方法についても行った。  ・以上
のようにして得た本実施例による集積回路装置は、外部
接続用端子11a面に封止樹脂16が薄パリとして形成
されることがなく、薄パリ除去という特別な工程を必要
としなかった。
第1図および第2図の本実施例による集積回路装置の寸
法は、外部接続用端子11a面側において、タテ1(J
iff、ヨコ12頭、4角の曲率半径1.6Mで、厚さ
0−8ellffであり、極めて寸法精度がよく、寸法
のバラツキは、厚さ寸法で±10μm以下であシ小さか
った。まだ、本実施例の集積回路装置の断面形状は、外
部接続用端子11a而側の寸法に対して反対面に向かっ
てわずかに小さな寸法となる台形形状とし、第2図のθ
を約80度とした。これは、封止樹脂15の形成後の成
形金型からの取り出しを容易にするためと、プラスチッ
クカードの穴部に挿入搭載してICカードとするのを容
易にするためであり、あらかじめトランスファ成形の成
形金型16の上金型1゛6bに前記の所望形状となるよ
う台形形状の凹部を加工しておくことにより得た。
厚さの各部寸法は、おおよそ金属薄板11がQ 、 1
5 ffff 、集積回路素子13が0.26MM、集
積回路素子13の下の接着材12が0.03ffff、
集積回路素子13上の封止樹脂15が0.22門であっ
た。
また、第2図に示したように、本実施例の集積回路装置
では、外部接続用端子11aとなる面の反対側の封止樹
脂のコーナ一部分は、曲率半径約0.2ffの曲面とし
た。これは、集積回路装置をプラスチックカードの穴部
に挿入接着して作成されたICカードが、折り曲げられ
た場合に、集積回路装置のコーナ一部分によりプラスチ
ックカードの薄肉部分が破断されることを防止するため
である。コーナ一部分を曲面とすることは、従来の回路
基板を用いた集積回路装置では加工が複雑であり困難で
あったが、本実施例によれば、金型を用いた成形である
ので、極めて容易に行うことができた。
まだ、第2図に示したように、本実施例の集積回路装置
では、金属薄板11の外部接続用端子11aとなる面と
この外部接続用端子11aの周囲に表出した封止樹脂1
6の而とは、略同一面としている。これは、外部接続用
端子11a面を封止樹脂16より突出させた場合には、
この集積回路装置を用いたICカードの携帯時および使
用時において、突出部分が外的な力を受けやすく、これ
によって、金属薄板11の剥離や脱落等の問題を生じや
すく、外部接続用端子112L而を封止樹脂16よシ後
退させた場合には、ICカードのリーダー・ライター等
の外部装置の接触端子片との接触不良を生じやすく、こ
れらを避けるためである。
なお、封止樹脂15の形成方法について、エポキン樹脂
を主成分とする封止成形材料を用いたトランスファ成形
法を説明したが、この他に、封止成形材料としてフェノ
ール系樹脂を用いてもよく、また、熱可塑性樹脂を用い
た射出成形法により行うこともできる。
以上のように、本実施例の集積回路装置の製造方法は、
集積回路素子13を搭載し接着固定し、金属線14によ
る必要な電気的接続を行ったリードフレーム形状の金属
薄板11を、トランスファ成形の成形金型の下金型16
aに外部接続用端子11a面を密着させて当接したのち
、封止成形材料を加熱加圧状態で金型内に注入して成形
して封止樹脂15を形成するものである。密着させる方
法としては、外部接続用端子11a面を下金型16aに
当接したのち、外部接続用端子11a而を空気吸引する
方法または磁力による方法により行ったので、外部接続
用端子11a面に封止樹脂15が薄パリとして形成され
ることがなく、薄パリ除去という特別な工程を必要とせ
ず、金属薄板110片方の一面を外部接続用端子11&
として封止樹脂16より露出させた片面封止構造に適し
た集積回路装置の製造方法となった。
発明の効果 以上のように本発明は、一面の少なくとも一部を外部接
続用端子とした金属薄板の他面側の一部に集、積回路素
子を搭載固定し、次に、この集積回路素子の入出力電極
と前記金属薄板の他面とを電気的に接続し、次に、前記
金属薄板の外部接続用端子面を成形金型面に密着させた
のちに成形金型内に封止樹脂を注入し、前記金属薄板の
一部、前記集積回路素子およびその入出力電極と前記金
属薄板の他面との電気的接続部を封止樹脂で被覆する集
積回路装置の製造方法であり、これにより、従来用いら
れていた高価な精密回路基板を必要とせず、安価で極め
て一般的なリードフレーム形状に加工された金属薄板が
使用でき、集積回路装置どして安価となるばかりでなく
、ICカードに適した集積回路装置の製造方法として、
高寸法精度かつ高能率に製造できる。また外部接続用端
子面に封止樹脂が薄パリとして形成されることがなく、
薄パリ除去という特別な工程を必要とせず、金属薄板の
片方の一面を外部接続用端子として封止樹脂より露出さ
せた片面封止構造の集積回路装置に適した製造方法とし
て、量産性に優れ、高品質な集積回路装置が得られる製
造方法となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明、の一実施例における集積回路装置の製
造方法によって作成した集積回路装置の平面図、第2図
は第1図のB−B’線での縦断面図、第3図は本発明の
一実施例における集積回路装置の製造方法を説明するた
めの縦断面図、第4図はICカードの斜視図、第6図は
従来のICカードの一部の縦断面図、第6図は従来の集
積回路装置の縦断面図である。 11・・・・・・金属薄板、11a・・・・・・外部接
続用端子、12・・・・・・接着材、13・・・・・・
集積回路素子、14・・・・・・金属線、16・・・・
・・封止樹脂、16・・・・・・成形金型。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名fl
−金X簿版 12−  接着材 13−  集積回路系子 14−  全X線 第 l 図         I5−打止用り巨!s2
図 第3図 第4図 第5図 第6図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一面の少なくとも一部を外部接続用端子とした金
    属薄板の他面側の一部に集積回路素子を搭載固定し、次
    に、この集積回路素子の入出力電極と前記金属薄板の他
    面とを電気的に接続し、次に、前記金属薄板の外部接続
    用端子面を成形金型面に密着させたのちに成形金型内に
    封止樹脂を注入し、前記金属薄板の一部、前記集積回路
    素子およびその入出力電極と前記金属薄板の他面との電
    気的接続部を封止樹脂で被覆する集積回路装置の製造方
    法。
  2. (2)外部接続用端子面を空気吸引して成形金型面に密
    着させる請求項1に記載の集積回路装置の製造方法。
  3. (3)金属薄板として磁性材料を用い、成形金型に設け
    た磁力により、外部接続用端子面を成形金型面に密着さ
    せる請求項1に記載の集積回路装置の製造方法。
JP63230411A 1988-09-14 1988-09-14 集積回路装置の製造方法 Pending JPH0276798A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63230411A JPH0276798A (ja) 1988-09-14 1988-09-14 集積回路装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63230411A JPH0276798A (ja) 1988-09-14 1988-09-14 集積回路装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0276798A true JPH0276798A (ja) 1990-03-16

Family

ID=16907465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63230411A Pending JPH0276798A (ja) 1988-09-14 1988-09-14 集積回路装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0276798A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5140888A (en) * 1990-05-21 1992-08-25 Yamaha Corporation Electronic wind instrument having blowing feeling adder
JP2003513432A (ja) * 1998-07-06 2003-04-08 フィーコ ビー.ブイ. 型、封入装置及び封入法
JP2007081232A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5140888A (en) * 1990-05-21 1992-08-25 Yamaha Corporation Electronic wind instrument having blowing feeling adder
JP2003513432A (ja) * 1998-07-06 2003-04-08 フィーコ ビー.ブイ. 型、封入装置及び封入法
JP2007081232A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5122860A (en) Integrated circuit device and manufacturing method thereof
US4795895A (en) Multi-layered electronic card carrying integrated circuit pellet and having two-pad layered structure for electrical connection thereto
JP2849594B2 (ja) 電子モジュールの封止方法
JP2515086B2 (ja) 平坦構造様式の電子モジュ―ル
US5255430A (en) Method of assembling a module for a smart card
US8258613B1 (en) Semiconductor memory card
KR940003375B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
US4889980A (en) Electronic memory card and method of manufacturing same
JPS63188964A (ja) 集積回路パツケ−ジ
US4907061A (en) Electronic device
EP0623954B1 (en) Molded plastic packaging of electronic devices
JP2661196B2 (ja) 集積回路装置とその製造方法およびそれを用いたicカード
JPH0276798A (ja) 集積回路装置の製造方法
JPH0262297A (ja) 集積回路装置およびそれを用いたicカード
JPH01208847A (ja) 集積回路装置
JPH0789280A (ja) Icモジュール
KR100195510B1 (ko) 칩 카드
JPH02151496A (ja) 集積回路装置の製造方法
JPH02177553A (ja) 集積回路装置およびその製造方法
JPH01106455A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0262065A (ja) 集積回路装置およびそれを用いたicカード
JPH02103195A (ja) 集積回路装置の製造方法
JP3485736B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH01209194A (ja) 集積回路装置
JPH0262294A (ja) 集積回路装置およびそれを用いたicカード