JPH02177553A - 集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

集積回路装置およびその製造方法

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JPH02177553A
JPH02177553A JP63334404A JP33440488A JPH02177553A JP H02177553 A JPH02177553 A JP H02177553A JP 63334404 A JP63334404 A JP 63334404A JP 33440488 A JP33440488 A JP 33440488A JP H02177553 A JPH02177553 A JP H02177553A
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lead frame
module
integrated circuit
electrode terminals
adhesive
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Hiroshi Kuroda
黒田　啓
Tatsuo Kikuchi
菊池　立郎
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は例えばＩＣカード等に用いられる集積回路装置
（以下、ＩＣモジュールと言う）およびその製造方法に
関するものである。
従来の技術 ポータプルな情報ファイルとしてのＩＣカードは、カー
ドの一部にメモリ・マイクロプロセッサ−を有するＩＣ
モジュールを埋めこんで、リーダーライターを介して情
報を読みだし、書き込み。
消去する演算機能を持っているが、ＩＣカードの厚みは
Ｉ８０規格（国際標準化機構）で最大０．８４ミリメー
トルと定められており、その厚みを大きく左右するもの
がＩＣモジュールである。また、リーダーライターの外
部端子と接触するＩＣモジュールの各電極端子の大きさ
、位置関係はＸＳＯ規格に定められており第３図の様に
なっている。
電極端子１の数は８個以下で各々の上記電極端子１の大
きさは縦ａ１６７ミリメードル以上、横ｂ２．０ミリメ
ートル以上、上記各電極端子１の縦間隔Ｃは０．８４ミ
リメートル以下、横間隔ｄは５．６２ミリメートル以下
、縦ピツチｅは２．５４ミリメートル、横ピッチｆは７
．６２ミリメートルと決められている。このＩＣモジュ
ールの構造は、従来ガラスエポキシ材を用いた両面基板
が多く用いられていたが基板の精度がわるいため、出来
上がシのＩＣモジュールの厚みもバラツキの大きいもの
であった。この問題を解決するために出願人は先にリー
ドフレームタイプのものを用いて厚み精度を向上させた
ものを提案した。その構造を第４図により説明する。帯
状あるいは板状の金属性素材から打ち抜色加工やフォト
エツチング加工により複数の電極端子１およびタブ部２
を有するリードフレーム３が形成され、上記リードフレ
ーム３の少なくとも上記電極端子１の一面４の最上層に
金めつきを施して外部端子（図示せず）の接触する上記
電極端子１とする。この上記リードフレーム３の他面６
の上記タブ部２のみに接着材７を例えばデイスペンサ一
方式あるいはスタンプ方式で供給し、集積回路（以下、
ＩＣと言う）６を上記接着材７で接着固定するが、この
時上記Ｉｃｅのチップサイズが大きくなると、上記電極
端子１との間にオーバーラツプ部８が生じ、上記Ｉｃｅ
の上記オーバーラツプ部８は浮いた状態となる。
次に例えば金、アルミ、銅等の導体線９を用いてワイヤ
ーボンディング法にて上記電極端子１の上記他面６と上
記ＩＣ６の入出力パッド（図示せず）とを接続する。
続いてエポキシ等の成形材料を用いたトランスファー成
形法で封止樹脂１０により上記Ｉｃｅ、上記導体線９．
および上記他面６を覆っている。
この構造で上記封止樹脂１０の上面は上記−面４とほぼ
平坦であり上記−面４は露出した構造となっている。
発明が解決しようとする課題 ところでＩＣモジュールを塩ビシートに埋めこんで１０
カードとして使用する場合、１０カードの厚みは前にも
述べたように０．８４ミリメートルが最大であり、埋め
込むＩＣモジュールの厚みも０．６ミリメ一ドル程度と
非常に薄いものである。
このＩＣカードは利用者がポケットあるいはバッグ内に
いれて携帯するものであるが、特にポケットに入れる場
合は外部から異常な力が加わることが少なくない。つま
り薄いＩＣモジュールに局所的に強い力が加わり内部の
上記ＩＣｊｅが破壊されＩＣカードとしての機能を失う
ことになる。
通常、ＩＣモジュールのように各種材料が積層された構
造の場合外圧に対する破壊強度を大きくするには各種材
料同志の接着力を大きくして一体とすることが重要であ
る。
ところが従来のＩＣモジュールの構造は第４図で説明し
たようにＩＣ６はタブ部２のみで接着材７にてリードフ
レーム３と接着されているだけである。つまり、電極端
子１の他面５と上記ＩＣ６のオーバーラツプ距離ｇは非
常に短く例えば６４Ｋ［ＰＲＯＭ入り１チツプマイコン
のようにチップサイズが大きくなると上記オーバーラツ
プ距離ｇは０．３ミリメートル程度しかなく、この領域
に上記接着材７を従来法であるデイスペンサー。
スタンプ方式で安定して上記リードフレーム３上に供給
することは極めて困難であり、量産性のないものであっ
た。ちなみにこの時の上記Ｉｃｅの裏面面積に対する上
記接着材７の接着面積比は約８０％でありさらに上記オ
ーバーラツプ部８はギャップが狭い（例えば２０〜４０
ミクロン）為樹脂封止工程で上記封止樹脂１ｏが充填さ
れず空洞が生じるか、あるいは充填されても上記封止樹
脂１ｏには離型剤が混合されているため上記リードフレ
ーム３の上記他面６との接着力は小さく、従って上記Ｉ
Ｃ６と上記他面６との接着力も非常に小さいものとなる
。
このように上記１（ｊ６の上記リードフレーム３に対す
る接着面積が小さい場合、あるいは接着力が小さければ
ＩＣモジュールとしての強度が小さく外圧に対して簡単
に上記ＩＣｓが破壊されＩ（ｊカードとしての機能を失
うことになる。
課題を解決するための手段 この問題点を解決する本発明の技術的手段は１０との間
で形成される複数の電極端子のオーバーラツプ部に接着
材を供給して、ＩＣの裏面およびＩＣの端面に広げリー
ドフレームとの接着面積を大きくしたものである。
作用 ＩＣとリードフレームとの接着面積を大きくすることに
より、接着力が大きくなることからＩＣモジュールの各
材料が一体化され、ＸＣモジュールとしての外力に対す
る破壊強度が向上し、ＩＣモジュールを埋めこんだ′Ｘ
Ｃカードとしての高信頼性が得られる。
実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図ａ、ｂは本発明の一実施例によるＸＣモジ
ュールの封止樹脂面からみた上面図および断面図である
。
複数の電極端子１１およびタブ部１２を有し、上記電極
端子１１の一面１３と他面１４の最上部の一部に金めつ
きを施したリードフレーム１６の上記電極端子１１およ
び上記タブ部１２とＩＣ１６が絶縁性ダイボンド接着材
１７で接着固定され、上記ＩＣ１６上の入出力パッド（
図示せず）と上記電極端子１１の上記他面１４を、例え
ば、金。
アルミニウム、銅等の導体線１８で接続し、上記リード
フレーム１６の上記−面１３を残して封止樹脂１９で覆
った構造のものである。
上記電極端子１１の上記他面１４と上記ＩＣ１６が接着
固定される上記絶縁性ダイボンド接着材１７の接着状態
は、上記ＩＣ１６の裏面のみではなくＩＣ端面２０の一
部に回り込ませ、さらに、上記電極端子１１および上記
タブ部１２のフレーム端面２１に上記絶縁性ダイボンド
接着材１７を回り込ませた方が接着面積が広がり、上記
リードフレーム１６に対する上記ＩＣ１ｓの接着力を増
大させることが可能となる。
第１図では、上記ＸＣ１６は上記リードフレーム１５の
ほぼ中央部に載置され、左右すべての上記電極端子１１
に上記絶縁性ダイボンド接着＃１７で接着固定している
が、上記ＩＣｌ３を平面的に回転させたり、左右に偏在
させ、接着固定されていない上記電極端子１１が存在し
てもかまわない。
また、上記リードフレーム１６の上記−面１３および上
記他面１４の一部の最上層に金めつきを施しているが、
上記他面１４にも全面めっきでもよく、また最上層はボ
ンディング接続および外部端子との接続が完全であれば
他の金属でもかまわない。
さらに、本発明の一実施例では、上記ＩＣ１６の入出力
パッドと上記電極端子１１の上記他面１４の接続方式は
、導体線１８を用いてワイヤボンディング方式としたが
、上記ワイヤボンディング方式に限定するものではない
。
以上述べた本発明の製造プロセスを堕２図の断面構造図
により説明する。
複数の電極端子１１およびタブ部１２を有し、上記電極
端子１１の一面１３と他面１４の一部の最上層に金めつ
きを施したリードフレーム１６の上記電極端子１１およ
び上記タブ部１２のＩＣ１ｅとオーバーラツプする領域
にスクリーン印刷法により絶縁性ダイボンド接着材１７
を印刷塗布するっ（第２図＆） ちなみに、用いたスクリーン版のメツシュは２００番で
、上記絶縁性ダイボンド接着材１７の粘度は、５ｏｏｏ
ｏｃｐｓで、厚みは約６０ミクロンであった。
また、上記電極端子１１上の印刷塗布した大きさは、上
記ＩＣ１ｓのＩＣ端面２０より０．３ミリ外側に、上記
電極端子１１およびタブ部１２のフレーム端面２１から
０．４ミリ内側とした。しかし、スクリーン印刷方式で
あれば、上記フレーム端面２１の外側にスクリーン版の
開口部がきても、上記リードフレーム１６の一面１３に
上記絶縁性ダイボンド接着材１７が回シ込むことはない
。
次に、上記絶縁性ダイボンド接着材１７の上にｌ０１１
５を載置し、所定の荷重で加圧した後、例えば、オーブ
ンにて熱硬化させ、上記ＩＣ１６を接着固定し次。（第
２図ｂ） 接着固定後の上記絶縁性ダイボンド接着材１７の厚みは
約３０ミクロンとなシ、上記ＩＣ端面加に高さ６０ミク
ロン程度付着することとなる。また、上記フレーム端面
２１にもわずかに上記絶縁性ダイボンド接着材１７が回
り込むことになるが、上記−面１３まで回り込むことは
ない。
続いて、上記Ｉ（ｊ１６の入出力パッドと上記電極端子
１１の上記他面１４をワイヤーボンディング方式にて、
例えば、金の導体線１８で接続した。
（第２図Ｃ） さらに、例えば、トランスフ１成形法により、上記電極
端子１１の上記−面１３を残して、上記ＩＣ１６，上記
導体線１８を封止樹脂１９にて被覆した。（第２図ｄ） この時、上記封止樹脂１９は上記電極端子１１間にも浸
入して上記−面１３とほぼ平坦に形成されることはいう
までもない。
以上、本発明の一実施例の製造方法に於いて、上記絶縁
性ダイボン、ド接着材１７の印刷法は、スクリーン印刷
法を用いたが、メタルマスクのマスク印刷法でも同様で
ある。
また、本実施例ではタブ部１２を有するリードフレーム
１６に関して説明したが、ＩＳＯ規格に定められた電極
端子の寸法を満足するタブ部のないリードフレームにつ
いても同様であることは言うまでもない。
発明の効果 本発明のＩＣモジュールは、ＩＣがリードフレームの複
数の電極端子に絶縁性接着材で接着固定されたものであ
るので、ＩＣモジュールの外的圧力に対する強度が向上
し、ＩＣカードとして利用者が携帯した場合の外的圧力
に対するＩＣカードの信頼性が確保される。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ、ｂは本発明の一実施例にかかるＩＣモジュー
ルの封止樹脂面からみた上面図と断面図、第２図ａ、ｂ
、ｃ、ｄは本発明の一実施例にかかるＩＣモジュールの
製造フロー図、第３図はＩＣモジュールの電極端子寸法
の規格図、第４図は従来のＩＣモジュールの断面構造図
である。 １１・・・・・・電極端子、１２・・・・・・タブ部、
１３・山・・−面、１４・・・・・・他面、１６・・・
・・・リードフレーム、１６・・・・・・ＩＯ，１７・
・・・・・絶縁性ダイポンド接着材、１８・・・・・・
導体線、１９・・・・・・封止樹脂、２０・・・・・・
ＩＣ端面、２１・・・・・・フレーム端面。 １図 第２図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）複数の独立した電極端子を平面状に配置したリー
    ドフレームの、前記複数の電極の他面に絶縁性接着材に
    より集積回路を接着固定し、上記集積回路を上記リード
    フレームの他面側において封止樹脂で被覆したことを特
    徴とする集積回路装置。
  2. （２）リードフレームを構成する複数の独立した電極端
    子の他面の一部に所定の厚さの絶縁性接着材を供給する
    工程と、上記絶縁性接着材の上に集積回路を載置し、上
    記リードフレームに接着固定する工程と、上記集積回路
    を上記リードフレームの他面側において封止樹脂で被覆
    する工程を有することを特徴とする集積回路装置の製造
    方法。
  3. （３）絶縁性接着材の供給法が印刷法であることを特徴
    とする請求項２の集積回路装置の製造方法。
JP63334404A 1988-12-28 1988-12-28 集積回路装置およびその製造方法 Pending JPH02177553A (ja)

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JP63334404A Pending JPH02177553A (ja) 1988-12-28 1988-12-28 集積回路装置およびその製造方法

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0798780A3 (en) * 1996-03-27 2000-09-13 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof and aggregate type semiconductor device
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US6843421B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-18 Matrix Semiconductor, Inc. Molded memory module and method of making the module absent a substrate support
JP2005101312A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2010239162A (ja) * 2010-07-26 2010-10-21 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8581372B2 (en) 2010-08-31 2013-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device and a method of manufacturing the semiconductor storage device

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