JPH02177553A - 集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

集積回路装置およびその製造方法

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JPH02177553A
JPH02177553A JP63334404A JP33440488A JPH02177553A JP H02177553 A JPH02177553 A JP H02177553A JP 63334404 A JP63334404 A JP 63334404A JP 33440488 A JP33440488 A JP 33440488A JP H02177553 A JPH02177553 A JP H02177553A
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module
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Hiroshi Kuroda
黒田 啓
Tatsuo Kikuchi
菊池 立郎
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は例えばICカード等に用いられる集積回路装置
(以下、ICモジュールと言う)およびその製造方法に
関するものである。
従来の技術 ポータプルな情報ファイルとしてのICカードは、カー
ドの一部にメモリ・マイクロプロセッサ−を有するIC
モジュールを埋めこんで、リーダーライターを介して情
報を読みだし、書き込み。
消去する演算機能を持っているが、ICカードの厚みは
I80規格(国際標準化機構)で最大0.84ミリメー
トルと定められており、その厚みを大きく左右するもの
がICモジュールである。また、リーダーライターの外
部端子と接触するICモジュールの各電極端子の大きさ
、位置関係はXSO規格に定められており第3図の様に
なっている。
電極端子1の数は8個以下で各々の上記電極端子1の大
きさは縦a167ミリメードル以上、横b2.0ミリメ
ートル以上、上記各電極端子1の縦間隔Cは0.84ミ
リメートル以下、横間隔dは5.62ミリメートル以下
、縦ピツチeは2.54ミリメートル、横ピッチfは7
.62ミリメートルと決められている。このICモジュ
ールの構造は、従来ガラスエポキシ材を用いた両面基板
が多く用いられていたが基板の精度がわるいため、出来
上がシのICモジュールの厚みもバラツキの大きいもの
であった。この問題を解決するために出願人は先にリー
ドフレームタイプのものを用いて厚み精度を向上させた
ものを提案した。その構造を第4図により説明する。帯
状あるいは板状の金属性素材から打ち抜色加工やフォト
エツチング加工により複数の電極端子1およびタブ部2
を有するリードフレーム3が形成され、上記リードフレ
ーム3の少なくとも上記電極端子1の一面4の最上層に
金めつきを施して外部端子(図示せず)の接触する上記
電極端子1とする。この上記リードフレーム3の他面6
の上記タブ部2のみに接着材7を例えばデイスペンサ一
方式あるいはスタンプ方式で供給し、集積回路(以下、
ICと言う)6を上記接着材7で接着固定するが、この
時上記Iceのチップサイズが大きくなると、上記電極
端子1との間にオーバーラツプ部8が生じ、上記Ice
の上記オーバーラツプ部8は浮いた状態となる。
次に例えば金、アルミ、銅等の導体線9を用いてワイヤ
ーボンディング法にて上記電極端子1の上記他面6と上
記IC6の入出力パッド(図示せず)とを接続する。
続いてエポキシ等の成形材料を用いたトランスファー成
形法で封止樹脂10により上記Ice、上記導体線9.
および上記他面6を覆っている。
この構造で上記封止樹脂10の上面は上記−面4とほぼ
平坦であり上記−面4は露出した構造となっている。
発明が解決しようとする課題 ところでICモジュールを塩ビシートに埋めこんで10
カードとして使用する場合、10カードの厚みは前にも
述べたように0.84ミリメートルが最大であり、埋め
込むICモジュールの厚みも0.6ミリメ一ドル程度と
非常に薄いものである。
このICカードは利用者がポケットあるいはバッグ内に
いれて携帯するものであるが、特にポケットに入れる場
合は外部から異常な力が加わることが少なくない。つま
り薄いICモジュールに局所的に強い力が加わり内部の
上記ICjeが破壊されICカードとしての機能を失う
ことになる。
通常、ICモジュールのように各種材料が積層された構
造の場合外圧に対する破壊強度を大きくするには各種材
料同志の接着力を大きくして一体とすることが重要であ
る。
ところが従来のICモジュールの構造は第4図で説明し
たようにIC6はタブ部2のみで接着材7にてリードフ
レーム3と接着されているだけである。つまり、電極端
子1の他面5と上記IC6のオーバーラツプ距離gは非
常に短く例えば64K[PROM入り1チツプマイコン
のようにチップサイズが大きくなると上記オーバーラツ
プ距離gは0.3ミリメートル程度しかなく、この領域
に上記接着材7を従来法であるデイスペンサー。
スタンプ方式で安定して上記リードフレーム3上に供給
することは極めて困難であり、量産性のないものであっ
た。ちなみにこの時の上記Iceの裏面面積に対する上
記接着材7の接着面積比は約80%でありさらに上記オ
ーバーラツプ部8はギャップが狭い(例えば20〜40
ミクロン)為樹脂封止工程で上記封止樹脂1oが充填さ
れず空洞が生じるか、あるいは充填されても上記封止樹
脂1oには離型剤が混合されているため上記リードフレ
ーム3の上記他面6との接着力は小さく、従って上記I
C6と上記他面6との接着力も非常に小さいものとなる
このように上記1(j6の上記リードフレーム3に対す
る接着面積が小さい場合、あるいは接着力が小さければ
ICモジュールとしての強度が小さく外圧に対して簡単
に上記ICsが破壊されI(jカードとしての機能を失
うことになる。
課題を解決するための手段 この問題点を解決する本発明の技術的手段は10との間
で形成される複数の電極端子のオーバーラツプ部に接着
材を供給して、ICの裏面およびICの端面に広げリー
ドフレームとの接着面積を大きくしたものである。
作用 ICとリードフレームとの接着面積を大きくすることに
より、接着力が大きくなることからICモジュールの各
材料が一体化され、XCモジュールとしての外力に対す
る破壊強度が向上し、ICモジュールを埋めこんだ′X
Cカードとしての高信頼性が得られる。
実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。第1図a、bは本発明の一実施例によるXCモジ
ュールの封止樹脂面からみた上面図および断面図である
複数の電極端子11およびタブ部12を有し、上記電極
端子11の一面13と他面14の最上部の一部に金めつ
きを施したリードフレーム16の上記電極端子11およ
び上記タブ部12とIC16が絶縁性ダイボンド接着材
17で接着固定され、上記IC16上の入出力パッド(
図示せず)と上記電極端子11の上記他面14を、例え
ば、金。
アルミニウム、銅等の導体線18で接続し、上記リード
フレーム16の上記−面13を残して封止樹脂19で覆
った構造のものである。
上記電極端子11の上記他面14と上記IC16が接着
固定される上記絶縁性ダイボンド接着材17の接着状態
は、上記IC16の裏面のみではなくIC端面20の一
部に回り込ませ、さらに、上記電極端子11および上記
タブ部12のフレーム端面21に上記絶縁性ダイボンド
接着材17を回り込ませた方が接着面積が広がり、上記
リードフレーム16に対する上記IC1sの接着力を増
大させることが可能となる。
第1図では、上記XC16は上記リードフレーム15の
ほぼ中央部に載置され、左右すべての上記電極端子11
に上記絶縁性ダイボンド接着#17で接着固定している
が、上記ICl3を平面的に回転させたり、左右に偏在
させ、接着固定されていない上記電極端子11が存在し
てもかまわない。
また、上記リードフレーム16の上記−面13および上
記他面14の一部の最上層に金めつきを施しているが、
上記他面14にも全面めっきでもよく、また最上層はボ
ンディング接続および外部端子との接続が完全であれば
他の金属でもかまわない。
さらに、本発明の一実施例では、上記IC16の入出力
パッドと上記電極端子11の上記他面14の接続方式は
、導体線18を用いてワイヤボンディング方式としたが
、上記ワイヤボンディング方式に限定するものではない
以上述べた本発明の製造プロセスを堕2図の断面構造図
により説明する。
複数の電極端子11およびタブ部12を有し、上記電極
端子11の一面13と他面14の一部の最上層に金めつ
きを施したリードフレーム16の上記電極端子11およ
び上記タブ部12のIC1eとオーバーラツプする領域
にスクリーン印刷法により絶縁性ダイボンド接着材17
を印刷塗布するっ(第2図&) ちなみに、用いたスクリーン版のメツシュは200番で
、上記絶縁性ダイボンド接着材17の粘度は、5ooo
ocpsで、厚みは約60ミクロンであった。
また、上記電極端子11上の印刷塗布した大きさは、上
記IC1sのIC端面20より0.3ミリ外側に、上記
電極端子11およびタブ部12のフレーム端面21から
0.4ミリ内側とした。しかし、スクリーン印刷方式で
あれば、上記フレーム端面21の外側にスクリーン版の
開口部がきても、上記リードフレーム16の一面13に
上記絶縁性ダイボンド接着材17が回シ込むことはない
次に、上記絶縁性ダイボンド接着材17の上にl011
5を載置し、所定の荷重で加圧した後、例えば、オーブ
ンにて熱硬化させ、上記IC16を接着固定し次。(第
2図b) 接着固定後の上記絶縁性ダイボンド接着材17の厚みは
約30ミクロンとなシ、上記IC端面加に高さ60ミク
ロン程度付着することとなる。また、上記フレーム端面
21にもわずかに上記絶縁性ダイボンド接着材17が回
り込むことになるが、上記−面13まで回り込むことは
ない。
続いて、上記I(j16の入出力パッドと上記電極端子
11の上記他面14をワイヤーボンディング方式にて、
例えば、金の導体線18で接続した。
(第2図C) さらに、例えば、トランスフ1成形法により、上記電極
端子11の上記−面13を残して、上記IC16,上記
導体線18を封止樹脂19にて被覆した。(第2図d) この時、上記封止樹脂19は上記電極端子11間にも浸
入して上記−面13とほぼ平坦に形成されることはいう
までもない。
以上、本発明の一実施例の製造方法に於いて、上記絶縁
性ダイボン、ド接着材17の印刷法は、スクリーン印刷
法を用いたが、メタルマスクのマスク印刷法でも同様で
ある。
また、本実施例ではタブ部12を有するリードフレーム
16に関して説明したが、ISO規格に定められた電極
端子の寸法を満足するタブ部のないリードフレームにつ
いても同様であることは言うまでもない。
発明の効果 本発明のICモジュールは、ICがリードフレームの複
数の電極端子に絶縁性接着材で接着固定されたものであ
るので、ICモジュールの外的圧力に対する強度が向上
し、ICカードとして利用者が携帯した場合の外的圧力
に対するICカードの信頼性が確保される。
【図面の簡単な説明】
第1図a、bは本発明の一実施例にかかるICモジュー
ルの封止樹脂面からみた上面図と断面図、第2図a、b
、c、dは本発明の一実施例にかかるICモジュールの
製造フロー図、第3図はICモジュールの電極端子寸法
の規格図、第4図は従来のICモジュールの断面構造図
である。 11・・・・・・電極端子、12・・・・・・タブ部、
13・山・・−面、14・・・・・・他面、16・・・
・・・リードフレーム、16・・・・・・IO,17・
・・・・・絶縁性ダイポンド接着材、18・・・・・・
導体線、19・・・・・・封止樹脂、20・・・・・・
IC端面、21・・・・・・フレーム端面。 1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の独立した電極端子を平面状に配置したリー
    ドフレームの、前記複数の電極の他面に絶縁性接着材に
    より集積回路を接着固定し、上記集積回路を上記リード
    フレームの他面側において封止樹脂で被覆したことを特
    徴とする集積回路装置。
  2. (2)リードフレームを構成する複数の独立した電極端
    子の他面の一部に所定の厚さの絶縁性接着材を供給する
    工程と、上記絶縁性接着材の上に集積回路を載置し、上
    記リードフレームに接着固定する工程と、上記集積回路
    を上記リードフレームの他面側において封止樹脂で被覆
    する工程を有することを特徴とする集積回路装置の製造
    方法。
  3. (3)絶縁性接着材の供給法が印刷法であることを特徴
    とする請求項2の集積回路装置の製造方法。
JP63334404A 1988-12-28 1988-12-28 集積回路装置およびその製造方法 Pending JPH02177553A (ja)

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Cited By (6)

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US8581372B2 (en) 2010-08-31 2013-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device and a method of manufacturing the semiconductor storage device

Cited By (6)

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