JP2000222549A - 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集積回路カード - Google Patents
半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集積回路カードInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 強度が頗る高く、封止形状や封止厚のばらつ
きの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることのでき
る半導体集積回路チップの封止方法を得る。 【解決手段】 回路パターンの形成された基板ＦＢ上に
半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）ＣＰを接着すると
共に、そのＩＣチップＣＰの電極を回路パターンに接続
し、且つ第１の補強用金属板ＭＰ１上に、封止用樹脂Ｓ
Ｐ′を所定量塗布し、ＩＣチップＣＰが接着された基板
ＦＢを、塗布された封止用樹脂ＳＰ′を介して第１の補
強用金属板ＭＰ１上に載置し、そのＩＣチップＣＰの上
に封止用樹脂ＳＰ′を所定量塗布し、塗布された封止用
樹脂ＳＰ′上に第２の補強金属板ＭＰ２を配すると共
に、第１及び第２の補強金属板ＭＰ１、ＭＰ２を介して
封止用樹脂ＳＰ′を加圧して、その封止用樹脂ＳＰ′を
ＩＣチップＣＰの周面に流れ込ませ、ＩＣチップＣＰの
周面に流れ込まれた封止用樹脂ＳＰ′を硬化させる。
きの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることのでき
る半導体集積回路チップの封止方法を得る。 【解決手段】 回路パターンの形成された基板ＦＢ上に
半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）ＣＰを接着すると
共に、そのＩＣチップＣＰの電極を回路パターンに接続
し、且つ第１の補強用金属板ＭＰ１上に、封止用樹脂Ｓ
Ｐ′を所定量塗布し、ＩＣチップＣＰが接着された基板
ＦＢを、塗布された封止用樹脂ＳＰ′を介して第１の補
強用金属板ＭＰ１上に載置し、そのＩＣチップＣＰの上
に封止用樹脂ＳＰ′を所定量塗布し、塗布された封止用
樹脂ＳＰ′上に第２の補強金属板ＭＰ２を配すると共
に、第１及び第２の補強金属板ＭＰ１、ＭＰ２を介して
封止用樹脂ＳＰ′を加圧して、その封止用樹脂ＳＰ′を
ＩＣチップＣＰの周面に流れ込ませ、ＩＣチップＣＰの
周面に流れ込まれた封止用樹脂ＳＰ′を硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路チッ
プの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集
積回路カードに関する。
プの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集
積回路カードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路カード（ＩＣカー
ド）に装填されている半導体集積回路チップ（ＩＣチッ
プ）は、樹脂のスクリーン印刷によって封止されてい
た。
ド）に装填されている半導体集積回路チップ（ＩＣチッ
プ）は、樹脂のスクリーン印刷によって封止されてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来のＩＣカー
ドに装填されているＩＣチップは、樹脂のスクリーン印
刷によって封止されていたため、強度が低く、しかも、
その封止形状や封止厚のばらつきが大きいと言う欠点が
あった。ＩＣチップの強度が低いと、ＩＣカードが外圧
によって曲げられたときに、ＩＣチップが破損したり、
ＩＣチップの電極の基板の回路パターンに対する接続が
外れたりするおそれがあった。ＩＣチップの封止形状や
封止厚のばらつきが大きいと、ＩＣカードの品質や歩留
りの制御が困難となる。
ドに装填されているＩＣチップは、樹脂のスクリーン印
刷によって封止されていたため、強度が低く、しかも、
その封止形状や封止厚のばらつきが大きいと言う欠点が
あった。ＩＣチップの強度が低いと、ＩＣカードが外圧
によって曲げられたときに、ＩＣチップが破損したり、
ＩＣチップの電極の基板の回路パターンに対する接続が
外れたりするおそれがあった。ＩＣチップの封止形状や
封止厚のばらつきが大きいと、ＩＣカードの品質や歩留
りの制御が困難となる。
【０００４】かかる点に鑑み、本発明は、強度が頗る高
く、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回
路チップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップ
の封止方法及び半導体集積回路チップ装置を提案しよう
とするものである。
く、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回
路チップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップ
の封止方法及び半導体集積回路チップ装置を提案しよう
とするものである。
【０００５】又、本発明は、半導体集積回路チップ装置
が破損したり、その電極の基板の回路パターンに対する
接続が外れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留
りの制御の容易な半導体集積回路カードを提案しようと
するものである。
が破損したり、その電極の基板の回路パターンに対する
接続が外れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留
りの制御の容易な半導体集積回路カードを提案しようと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の本発明による半導
体集積回路チップの封止方法は、回路パターンの形成さ
れた基板上に半導体集積回路チップを接着すると共に、
その半導体集積回路チップの電極を回路パターンに接続
し、且つ第１の補強用金属板上に、封止用樹脂を所定量
塗布し、半導体集積回路チップが接着された基板を、塗
布された封止用樹脂を介して第１の補強用金属板上に載
置し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹脂を所
定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に第２の補強金属
板を配すると共に、第１及び第２の補強金属板を介して
封止用樹脂を加圧して、その封止用樹脂を半導体集積回
路チップの周面に流れ込ませ、半導体集積回路チップの
周面に流れ込まれた封止用樹脂を硬化させるようにした
ものである。
体集積回路チップの封止方法は、回路パターンの形成さ
れた基板上に半導体集積回路チップを接着すると共に、
その半導体集積回路チップの電極を回路パターンに接続
し、且つ第１の補強用金属板上に、封止用樹脂を所定量
塗布し、半導体集積回路チップが接着された基板を、塗
布された封止用樹脂を介して第１の補強用金属板上に載
置し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹脂を所
定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に第２の補強金属
板を配すると共に、第１及び第２の補強金属板を介して
封止用樹脂を加圧して、その封止用樹脂を半導体集積回
路チップの周面に流れ込ませ、半導体集積回路チップの
周面に流れ込まれた封止用樹脂を硬化させるようにした
ものである。
【０００７】かかる第１の本発明によれば、回路パター
ンの形成された基板上に半導体集積回路チップを接着す
ると共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パタ
ーンに接続し、且つ第１の補強用金属板上に、封止用樹
脂を所定量塗布する。次に、半導体集積回路チップが接
着された基板を、塗布された封止用樹脂を介して第１の
補強用金属板上に載置する。次に、その半導体集積回路
チップの上に封止用樹脂を所定量塗布する。次に、塗布
された封止用樹脂上に第２の補強金属板を配すると共
に、第１及び第２の補強金属板を介して封止用樹脂を加
圧して、その封止用樹脂を半導体集積回路チップの周面
に流れ込ませ、半導体集積回路チップの周面に流れ込ま
れた封止用樹脂を硬化させる。
ンの形成された基板上に半導体集積回路チップを接着す
ると共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パタ
ーンに接続し、且つ第１の補強用金属板上に、封止用樹
脂を所定量塗布する。次に、半導体集積回路チップが接
着された基板を、塗布された封止用樹脂を介して第１の
補強用金属板上に載置する。次に、その半導体集積回路
チップの上に封止用樹脂を所定量塗布する。次に、塗布
された封止用樹脂上に第２の補強金属板を配すると共
に、第１及び第２の補強金属板を介して封止用樹脂を加
圧して、その封止用樹脂を半導体集積回路チップの周面
に流れ込ませ、半導体集積回路チップの周面に流れ込ま
れた封止用樹脂を硬化させる。
【０００８】
【発明の実施の形態】第１の本発明は、回路パターンの
形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると
共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パターン
に接続し、且つ第１の補強用金属板上に、封止用樹脂を
所定量塗布し、半導体集積回路チップが接着された基板
を、塗布された封止用樹脂を介して第１の補強用金属板
上に載置し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹
脂を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に第２の補
強金属板を配すると共に、第１及び第２の補強金属板を
介して封止用樹脂を加圧して、その封止用樹脂を半導体
集積回路チップの周面に流れ込ませ、半導体集積回路チ
ップの周面に流れ込まれた封止用樹脂を硬化させるよう
にした半導体集積回路チップの封止方法である。
形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると
共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パターン
に接続し、且つ第１の補強用金属板上に、封止用樹脂を
所定量塗布し、半導体集積回路チップが接着された基板
を、塗布された封止用樹脂を介して第１の補強用金属板
上に載置し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹
脂を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に第２の補
強金属板を配すると共に、第１及び第２の補強金属板を
介して封止用樹脂を加圧して、その封止用樹脂を半導体
集積回路チップの周面に流れ込ませ、半導体集積回路チ
ップの周面に流れ込まれた封止用樹脂を硬化させるよう
にした半導体集積回路チップの封止方法である。
【０００９】第２の本発明は、回路パターンの形成され
た基板と、その基板上に接着されると共に、電極が回路
パターンに接続された半導体集積回路チップと、第１及
び第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を
被覆し、基板上に第１の補強金属板を固着すると共に、
半導体集積回路チップ上に第２の補強金属板を固着する
封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置であ
る。
た基板と、その基板上に接着されると共に、電極が回路
パターンに接続された半導体集積回路チップと、第１及
び第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を
被覆し、基板上に第１の補強金属板を固着すると共に、
半導体集積回路チップ上に第２の補強金属板を固着する
封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置であ
る。
【００１０】第３の本発明は、回路パターンの形成され
た基板と、その基板上に接着されると共に、電極が回路
パターンに接続された半導体集積回路チップと、第１及
び第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を
被覆し、基板上に第１の補強金属板を固着すると共に、
半導体集積回路チップ上に第２の補強金属板を固着する
封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置が、
カード基板内に装填されてなる半導体集積回路カードで
ある。
た基板と、その基板上に接着されると共に、電極が回路
パターンに接続された半導体集積回路チップと、第１及
び第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を
被覆し、基板上に第１の補強金属板を固着すると共に、
半導体集積回路チップ上に第２の補強金属板を固着する
封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置が、
カード基板内に装填されてなる半導体集積回路カードで
ある。
【００１１】〔発明の実施の形態の具体例〕以下に、図
面を参照して、本発明の実施の形態の具体例の半導体集
積回路チップ（ＩＣチップ）の封止方法、半導体集積回
路チップ装置（ＩＣチップ装置）及び半導体集積回路カ
ード（ＩＣカード）を説明する。
面を参照して、本発明の実施の形態の具体例の半導体集
積回路チップ（ＩＣチップ）の封止方法、半導体集積回
路チップ装置（ＩＣチップ装置）及び半導体集積回路カ
ード（ＩＣカード）を説明する。
【００１２】先ず、図１及び図２を参照して、具体例の
ＩＣチップの封止方法及びＩＣチップ装置（図１Ｂ）を
説明する。図２Ａに示す如く、複数の回路パターンＫＰ
が形成されたフィルム基板ＦＢを用意する。図２Ｂに示
す如く、図２Ａのフィルム基板ＦＢの各回路パターンＫ
Ｐ又は各回路パターンＫＰ内のフィルム基板ＦＢ上に、
ディスペンサを用いて、少量（一定量）の接着剤ＢＤ１
を塗布する。図２Ｃに示す如く、フィルム基板ＦＢの各
回路パターンＫＰの接着剤ＢＤ１上に各ＩＣチップＣＰ
を載置し、その各ＩＣチップＣＰを加圧すると共に、各
ＩＣチップＣＰ及びフィルム基板ＦＢを加熱して、各Ｉ
ＣチップＣＰをフィルム基板ＦＢの各回路パターンＫＰ
の所定部分に接着（固着）すると共に、各ＩＣチップＣ
Ｐの電極を、それぞれ対応する回路パターンＫＰの所定
の部分に、半田を用いて接続する。
ＩＣチップの封止方法及びＩＣチップ装置（図１Ｂ）を
説明する。図２Ａに示す如く、複数の回路パターンＫＰ
が形成されたフィルム基板ＦＢを用意する。図２Ｂに示
す如く、図２Ａのフィルム基板ＦＢの各回路パターンＫ
Ｐ又は各回路パターンＫＰ内のフィルム基板ＦＢ上に、
ディスペンサを用いて、少量（一定量）の接着剤ＢＤ１
を塗布する。図２Ｃに示す如く、フィルム基板ＦＢの各
回路パターンＫＰの接着剤ＢＤ１上に各ＩＣチップＣＰ
を載置し、その各ＩＣチップＣＰを加圧すると共に、各
ＩＣチップＣＰ及びフィルム基板ＦＢを加熱して、各Ｉ
ＣチップＣＰをフィルム基板ＦＢの各回路パターンＫＰ
の所定部分に接着（固着）すると共に、各ＩＣチップＣ
Ｐの電極を、それぞれ対応する回路パターンＫＰの所定
の部分に、半田を用いて接続する。
【００１３】図１Ａ及び図２Ｄに示す如く、ＩＣチップ
ＣＰの下面（矩形）と相似で、その下面より面積の広い
第１の補強金属板ＭＰ１（矩形）を複数設け、その上
に、ディスペンサを用いて封着用樹脂ＳＰ′（接着剤Ｂ
Ｄ２）を所定量（一定量）塗布する。この工程は、図２
Ａ〜Ｃについて上述した工程の前後及びその工程の途中
のいずれでも良い。
ＣＰの下面（矩形）と相似で、その下面より面積の広い
第１の補強金属板ＭＰ１（矩形）を複数設け、その上
に、ディスペンサを用いて封着用樹脂ＳＰ′（接着剤Ｂ
Ｄ２）を所定量（一定量）塗布する。この工程は、図２
Ａ〜Ｃについて上述した工程の前後及びその工程の途中
のいずれでも良い。
【００１４】図２Ｅに示す如く、ＩＣチップＣＰが接着
されたフィルム基板ＦＢを、塗布された封止用樹脂Ｓ
Ｐ′（接着剤ＢＤ２）を介して、各第１の補強用金属板
ＭＰ１上に載置する。
されたフィルム基板ＦＢを、塗布された封止用樹脂Ｓ
Ｐ′（接着剤ＢＤ２）を介して、各第１の補強用金属板
ＭＰ１上に載置する。
【００１５】そして、図２Ｅ及び図１Ａに示す如く、各
ＩＣチップＣＰ上に、ディスペンサを用いて所定量（一
定量）の封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）を塗布し、
その封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）に紫外線を照射
して仮硬化する。図２Ｅ並びに図１Ａ及び図１Ｂに示す
如く、各ＩＣチップＣＰの上面（矩形）と相似で、その
上面より面積の広い複数の第２の補強金属板（矩形）Ｍ
Ｐ２を治具に取り付けて水平に移動させて、仮硬化され
た封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）上に配し、加圧治
具を用いて、各第１及び第２の補強金属板ＭＰ１、ＭＰ
２及び各ＩＣチップＣＰ間の平行状態を保持しつつ、各
第１及び第２の補強金属板ＭＰ１、ＭＰ２間を均一に加
圧して、図１Ｂに示す如く封止厚を一定にすると共に、
封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）を各ＩＣチップＣＰ
の周面に流れ込ませて、各第１の補強金属板ＭＰ１をフ
ィルム基板ＦＢ上に、各第２の補強金属板ＭＰ２をＩＣ
チップＣＰ上に、それぞれ接着すると共に、各ＩＣチッ
プＣＰの周面を被覆する。そして、その封止用樹脂Ｓ
Ｐ′（接着剤ＢＤ３）に紫外線を照射して硬化して、封
止用樹脂部ＳＰとなし、図１Ｂに示す如き、形状が一定
で、封止厚が一定の複数のＩＣチップ装置ＣＰＤを得
る。
ＩＣチップＣＰ上に、ディスペンサを用いて所定量（一
定量）の封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）を塗布し、
その封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）に紫外線を照射
して仮硬化する。図２Ｅ並びに図１Ａ及び図１Ｂに示す
如く、各ＩＣチップＣＰの上面（矩形）と相似で、その
上面より面積の広い複数の第２の補強金属板（矩形）Ｍ
Ｐ２を治具に取り付けて水平に移動させて、仮硬化され
た封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）上に配し、加圧治
具を用いて、各第１及び第２の補強金属板ＭＰ１、ＭＰ
２及び各ＩＣチップＣＰ間の平行状態を保持しつつ、各
第１及び第２の補強金属板ＭＰ１、ＭＰ２間を均一に加
圧して、図１Ｂに示す如く封止厚を一定にすると共に、
封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）を各ＩＣチップＣＰ
の周面に流れ込ませて、各第１の補強金属板ＭＰ１をフ
ィルム基板ＦＢ上に、各第２の補強金属板ＭＰ２をＩＣ
チップＣＰ上に、それぞれ接着すると共に、各ＩＣチッ
プＣＰの周面を被覆する。そして、その封止用樹脂Ｓ
Ｐ′（接着剤ＢＤ３）に紫外線を照射して硬化して、封
止用樹脂部ＳＰとなし、図１Ｂに示す如き、形状が一定
で、封止厚が一定の複数のＩＣチップ装置ＣＰＤを得
る。
【００１６】この複数のＩＣチップ装置ＣＰＤは、図示
せずも、各回路パターンＫＰ毎に打ち抜かれた後、ロー
ルフィルム上に載置されると共に、その各ＩＣチップ装
置ＣＰＤ及びロールフィルム上に亘って、薄膜コーティ
ングが行われた後、加熱ローラ間を通過させて、多数の
ＩＣカードが一列に連結されたカード連結板が得られ、
このカード連結板が定尺切断されて、所定枚数のＩＣカ
ードが一列に連結された定尺カード連結板が複数得ら
れ、その定尺カード連結板が各ＩＣカード毎に打ち抜か
れて、個別のＩＣカードが得られる。
せずも、各回路パターンＫＰ毎に打ち抜かれた後、ロー
ルフィルム上に載置されると共に、その各ＩＣチップ装
置ＣＰＤ及びロールフィルム上に亘って、薄膜コーティ
ングが行われた後、加熱ローラ間を通過させて、多数の
ＩＣカードが一列に連結されたカード連結板が得られ、
このカード連結板が定尺切断されて、所定枚数のＩＣカ
ードが一列に連結された定尺カード連結板が複数得ら
れ、その定尺カード連結板が各ＩＣカード毎に打ち抜か
れて、個別のＩＣカードが得られる。
【００１７】次に、図３を参照して、ＩＣチップＣＰの
封入されたＩＣカード（半導体集積回路カード）の構造
を説明する。ＩＣチップ装置ＣＰＤがカード基板内に装
填されている。即ち、ＩＣチップ装置ＣＰＤが、例え
ば、エポキシ樹脂からなる充填樹脂層ＩＰ内に装填さ
れ、その充填樹脂層ＩＣＰの表裏にそれぞれ、例えば、
ポリエチレンテレフタレートからなる外装樹脂基板Ｏ
Ｐ、ＯＰが接着されて、ＩＣカードが構成される。
封入されたＩＣカード（半導体集積回路カード）の構造
を説明する。ＩＣチップ装置ＣＰＤがカード基板内に装
填されている。即ち、ＩＣチップ装置ＣＰＤが、例え
ば、エポキシ樹脂からなる充填樹脂層ＩＰ内に装填さ
れ、その充填樹脂層ＩＣＰの表裏にそれぞれ、例えば、
ポリエチレンテレフタレートからなる外装樹脂基板Ｏ
Ｐ、ＯＰが接着されて、ＩＣカードが構成される。
【００１８】
【発明の効果】第１の本発明によれば、回路パターンの
形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると
共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パターン
に接続し、且つ第１の補強用金属板上に、封止用樹脂を
所定量塗布し、半導体集積回路チップが接着された基板
を、塗布された封止用樹脂を介して第１の補強用金属板
上に載置し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹
脂を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に第２の補
強金属板を配すると共に、第１及び第２の補強金属板を
介して封止用樹脂を加圧して、その封止用樹脂を半導体
集積回路チップの周面に流れ込ませ、半導体集積回路チ
ップの周面に流れ込まれた封止用樹脂を硬化させるよう
にしたので、半導体集積回路チップ、その半導体集積回
路チップを挟持する第１及び第２の補強金属板並びに封
止用樹脂が一体構造となって、強度が頗る高く、即ち、
表裏両面からの曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐久
力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきの少ない
半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集
積回路チップの封止方法を得ることができる。従って、
かかる半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カー
ドに装填して頗る好適なものとなる。
形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると
共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パターン
に接続し、且つ第１の補強用金属板上に、封止用樹脂を
所定量塗布し、半導体集積回路チップが接着された基板
を、塗布された封止用樹脂を介して第１の補強用金属板
上に載置し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹
脂を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に第２の補
強金属板を配すると共に、第１及び第２の補強金属板を
介して封止用樹脂を加圧して、その封止用樹脂を半導体
集積回路チップの周面に流れ込ませ、半導体集積回路チ
ップの周面に流れ込まれた封止用樹脂を硬化させるよう
にしたので、半導体集積回路チップ、その半導体集積回
路チップを挟持する第１及び第２の補強金属板並びに封
止用樹脂が一体構造となって、強度が頗る高く、即ち、
表裏両面からの曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐久
力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきの少ない
半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集
積回路チップの封止方法を得ることができる。従って、
かかる半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カー
ドに装填して頗る好適なものとなる。
【００１９】第２の本発明によれば、回路パターンの形
成された基板と、その基板上に接着されると共に、電極
が回路パターンに接続された半導体集積回路チップと、
第１及び第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの
周面を被覆し、基板上に第１の補強金属板を固着すると
共に、半導体集積回路チップ上に第２の補強金属板を固
着する封止用樹脂部とを有するので、半導体集積回路チ
ップ、その半導体集積回路チップを挟持する第１及び第
２の補強金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、
強度が頗る高く、即ち、曲げ、荷重、衝撃等の外力に対
する耐久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつき
の少ない半導体装置回路チップ装置を得ることができ
る。従って、かかる半導体集積回路チップ装置を半導体
集積回路カードに装填して頗る好適なものとなる。
成された基板と、その基板上に接着されると共に、電極
が回路パターンに接続された半導体集積回路チップと、
第１及び第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの
周面を被覆し、基板上に第１の補強金属板を固着すると
共に、半導体集積回路チップ上に第２の補強金属板を固
着する封止用樹脂部とを有するので、半導体集積回路チ
ップ、その半導体集積回路チップを挟持する第１及び第
２の補強金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、
強度が頗る高く、即ち、曲げ、荷重、衝撃等の外力に対
する耐久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつき
の少ない半導体装置回路チップ装置を得ることができ
る。従って、かかる半導体集積回路チップ装置を半導体
集積回路カードに装填して頗る好適なものとなる。
【００２０】第３の本発明によれば、回路パターンの形
成された基板と、その基板上に接着されると共に、電極
が回路パターンに接続された半導体集積回路チップと、
第１及び第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの
周面を被覆し、基板上に第１の補強金属板を固着すると
共に、半導体集積回路チップ上に第２の補強金属板を固
着する封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装
置が、カード基板内に装填されてなるので、回路パター
ンの形成された基板と、その基板上に接着されると共
に、電極が回路パターンに接続された半導体集積回路チ
ップと、その半導体集積回路チップを挟持する第１及び
第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を被
覆すると共に、その半導体集積回路チップ上に補強金属
板を固着する封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チ
ップ装置が、カード基板内に装填されてなるので、その
半導体集積回路チップ装置は、半導体集積回路チップ、
その半導体集積回路チップを挟持する第１及び第２お補
強金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、強度が
頗る高く、即ち、曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐
久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきが少な
くなり、このため、半導体集積回路チップ装置が破損し
たり、その電極の基板の回路パターンに対する接続が外
れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留りの制御
の容易な半導体集積回路カードを得ることができる。
成された基板と、その基板上に接着されると共に、電極
が回路パターンに接続された半導体集積回路チップと、
第１及び第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの
周面を被覆し、基板上に第１の補強金属板を固着すると
共に、半導体集積回路チップ上に第２の補強金属板を固
着する封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装
置が、カード基板内に装填されてなるので、回路パター
ンの形成された基板と、その基板上に接着されると共
に、電極が回路パターンに接続された半導体集積回路チ
ップと、その半導体集積回路チップを挟持する第１及び
第２の補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を被
覆すると共に、その半導体集積回路チップ上に補強金属
板を固着する封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チ
ップ装置が、カード基板内に装填されてなるので、その
半導体集積回路チップ装置は、半導体集積回路チップ、
その半導体集積回路チップを挟持する第１及び第２お補
強金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、強度が
頗る高く、即ち、曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐
久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきが少な
くなり、このため、半導体集積回路チップ装置が破損し
たり、その電極の基板の回路パターンに対する接続が外
れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留りの制御
の容易な半導体集積回路カードを得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態の具体例のＩＣチップの封
止方法の具体例の主要部を示す工程図である。
止方法の具体例の主要部を示す工程図である。
【図２】本発明の実施の形態の具体例のＩＣチップの封
止方法の具体例の工程図である。
止方法の具体例の工程図である。
【図３】本発明の実施の形態の具体例のＩＣカードを示
す断面図である。
す断面図である。
ＦＢ フィルム基板、ＣＰ ＩＣチップ、ＭＰ１、ＭＰ
２ 第１及び第２の補強金属板、ＳＰ′ 封止用樹脂、
ＳＰ 封止用樹脂部、ＣＰＤ ＩＣチップ装置、ＩＰ
充填樹脂層、ＯＰ 外装樹脂板。
２ 第１及び第２の補強金属板、ＳＰ′ 封止用樹脂、
ＳＰ 封止用樹脂部、ＣＰＤ ＩＣチップ装置、ＩＰ
充填樹脂層、ＯＰ 外装樹脂板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C005 MA10 MA11 NB34 NB37 PA18 PA26 RA09 4M109 AA02 BA05 CA05 CA22 EE01 GA03 5B035 AA04 AA08 CA01 CA03 CA08
Claims (3)
- 【請求項１】 回路パターンの形成された基板上に半導
体集積回路チップを接着すると共に、該半導体集積回路
チップの電極を上記回路パターンに接続し、且つ第１の
補強用金属板上に、封止用樹脂を所定量塗布し、 上記半導体集積回路チップが接着された上記基板を、上
記塗布された封止用樹脂を介して上記第１の補強用金属
板上に載置し、 該半導体集積回路チップの上に封止用樹脂を所定量塗布
し、 上記塗布された封止用樹脂上に第２の補強金属板を配す
ると共に、上記第１及び第２の補強金属板を介して上記
封止用樹脂を加圧して、該封止用樹脂を上記半導体集積
回路チップの周面に流れ込ませ、 上記半導体集積回路チップの周面に流れ込まれた上記封
止用樹脂を硬化させることを特徴とする半導体集積回路
チップの封止方法。 - 【請求項２】 回路パターンの形成された基板と、 該基板上に接着されると共に、電極が上記回路パターン
に接続された半導体集積回路チップと、 第１及び第２の補強金属板と、 上記半導体集積回路チップの周面を被覆し、上記基板上
に上記第１の補強金属板を固着すると共に、上記半導体
集積回路チップ上に上記第２の補強金属板を固着する封
止用樹脂部とを有することを特徴とする半導体集積回路
チップ装置。 - 【請求項３】 回路パターンの形成された基板と、 該基板上に接着されると共に、電極が上記回路パターン
に接続された半導体集積回路チップと、 第１及び第２の補強金属板と、 上記半導体集積回路チップの周面を被覆し、上記基板上
に上記第１の補強金属板を固着すると共に、上記半導体
集積回路チップ上に上記第２の補強金属板を固着する封
止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置が、カ
ード基板内に装填されてなることを特徴とする半導体集
積回路カード。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2651999A JP4215886B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路カードの製造方法 |
| SG9905073A SG80077A1 (en) | 1998-10-19 | 1999-10-11 | Semiconductor integrated circuit card manufacturing method, and semiconductor integrated circuit card |
| CNB991231392A CN1145207C (zh) | 1998-10-19 | 1999-10-19 | 半导体集成电路卡制造方法和半导体集成电路卡 |
| HK00106727A HK1028842A1 (en) | 1998-10-19 | 2000-10-23 | Method for producing semiconductor integrated circuit card and semiconductor integrated circuit card. |
| US09/413,594 US6765286B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-07-02 | Semiconductor integrated circuit device |
| US10/790,450 US7041536B2 (en) | 1998-10-19 | 2004-02-27 | Semiconductor integrated circuit card manufacturing method, and semiconductor integrated circuit card |
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|---|---|---|---|
| JP2651999A JP4215886B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路カードの製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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Family
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Family Applications (1)
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002163624A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Sony Corp | Ｉｃカード |
| EP1243442A1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-09-25 | Sony Corporation | Noncontact ic card |
| JP2003006588A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃモジュールとその製造方法、およびｉｃカード製造方法 |
| JP2003059957A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置および半導体集積回路カード |
| US7135782B2 (en) | 2001-12-03 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module and production method therefor and module for IC cards and the like |
-
1999
- 1999-02-03 JP JP2651999A patent/JP4215886B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002163624A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Sony Corp | Ｉｃカード |
| EP1243442A1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-09-25 | Sony Corporation | Noncontact ic card |
| EP1243442A4 (en) * | 2000-11-30 | 2006-03-29 | Sony Corp | INTEGRATED CIRCUIT BOARD WITHOUT CONTACT |
| JP2003006588A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃモジュールとその製造方法、およびｉｃカード製造方法 |
| JP2003059957A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置および半導体集積回路カード |
| US7135782B2 (en) | 2001-12-03 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module and production method therefor and module for IC cards and the like |
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| JP4215886B2 (ja) | 2009-01-28 |
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