JPH032099A - Icカードの製造方法 - Google Patents

Icカードの製造方法

Info

Publication number
JPH032099A
JPH032099A JP1138855A JP13885589A JPH032099A JP H032099 A JPH032099 A JP H032099A JP 1138855 A JP1138855 A JP 1138855A JP 13885589 A JP13885589 A JP 13885589A JP H032099 A JPH032099 A JP H032099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
card
reinforcing plate
module
base material
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1138855A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Ando
安藤 鉄男
Hiroshi Yamaji
山地 廣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1138855A priority Critical patent/JPH032099A/ja
Publication of JPH032099A publication Critical patent/JPH032099A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はICカードの製造方法に関する。
(従来の技術) 第4図はICカードの製造方法を説明するための図であ
る。このICカードの製造方法は先ずICモジュール1
から作成される。このICモジュール1は、回路パター
ン2や電極パターン3が形成された回路基板4にICチ
ップ5をマウントしてICチップ5の各電極と回路パタ
ーン2との間をワイヤボンディングする。そして、回路
基板4及びICチップ5を例えばエポキシ樹脂6によっ
てトランスファモールドする。なお、7.7は回路パタ
ーン2と電極パターン3とを電気的に接続するスルーホ
ールである。このようにしてICモジュール1が作成さ
れると、このICモジュール1はカード基材8のモジュ
ール穴9内に組み込まれ、これとともに補強板10がI
Cモジュール1の組み込まれた位置に配置されるととも
にこの補強板10の配置されたカード基材8の面側に裏
シート11が重ねられる。この後、カード基材8、補強
板10及び裏シート11間に加熱加圧が行われてICカ
ードが製造される。
しかしながら、以上のような製造方法では加熱加圧を行
う前に補強板10を位置決めして裏シート11上に配置
し、この後にICモジュール1を組み込んだカード基材
8と裏シート11とを位置合わせすることになる。この
ため、補強板10を位置決めする工程だけ工程数が多く
なり、そのうえ補強板10を位置決めに手間が掛かり、
ICカード製造の作業性が悪くなっている。
(発明が解決しようとする課題) 以上のように補強板10の位置決めに手間が掛かり、I
Cカード製造の作業性が悪いものであった。
そこで本発明は、簡単にICカードを製造できる作業性
の良いICカードの製造方法を提供することを目的とす
る。
[発明の構成コ (課題を解決すための手段と作用) 本発明は、回路基板にICチップをマウントし、次にこ
れら回路基板及びICチップに対して補強板を所定位置
に配置してこれら回路基板。
ICチップ及び補強板を一体的にモールドしてICモジ
ュールを形成し、次にこのICモジュールをカード基材
に組み込んでこのとき補強板が配置されたカード基材の
面側にシートを重ね、次にカード基材、ICモジュール
及びシートを加熱加圧するようにして上記目的を達成し
ようとするICカードの製造方法である。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
ICカードは第1図に示すようにICモジュール20.
カード基材8及び裏シート11から成っている。これら
ICモジュール20.カード基材8及び裏シート11は
それぞれ別の製造工程において作成される。
このうちICモジュール20の作成を第2図を参照して
説明する。先ずフィルム基板21の各面にそれぞれ回路
パターン22及び電極パターン23が形成される。そし
て、スルーホール24゜25が形成されて回路パターン
22と電極パターン23とが電気的に接続される。かく
して回路基板26が作成される。次に回路基板26の回
路パターン22上にICチップ27がマウントされ、こ
のICチップ27の各電極28.29と回路パターン2
2との間がワイヤ30.31によりボンディングされる
。次に補強板32が用意され、この補強板32がICチ
ップ27をマウントした回路基板26の面と対向する位
置に配置される。なお、補強板32はガラスエポキシ材
から成り、その大きさは回路基板26よりも大きく形成
されている。このように補強板32が配置されると、こ
れら回路基板26.ICチップ27及び補強板32はエ
ポキシ樹脂33によって一体的にモールドされる。この
とき、補強板32はガラスエポキシ材により形成されて
いるので、エポキシ樹脂33と密着性良くモールドされ
る。又、補強板32の周面はエポキシ樹脂33によりモ
ールドされずに、いわゆる鍔が出ているように形成され
る。
以上によりICモジュール20が形成される。
次に別の工程で作成されたカード基板8及び裏シート1
1が用意され、このカード基板8のモジュール穴9内に
ICモジュール20が組み込まれる。そして、ICモジ
ュール20が組み込まれたカード基板8における補強板
32の配置された面に裏シート11が重ねられる。第3
図はICモジュール20を組み込んだカード基板8に裏
シート11を重ねた状態を示している。次にこの状態に
カード基板8と裏シート11との間に加熱加圧が行われ
る。以上によりICカードの製造が終了する。
このように上記一実施例においては、回路基板26にI
Cチップ27をマウントしてから補強板32を配置して
これら回路基板26  ICチップ27及び補強板32
を一体的にモールドしてICそジニール20を形成し、
次にこのICモジュール20をカード基材8に組み込む
とともに裏シート11を重ねて加熱加圧するようにした
ので、補強板32を位置決めする工程を無くすことがで
き、ICカードの製造工程の簡単化及びその作業性を向
上できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形しても良い。例えば、I
Cモジュール20の構成は回路基板26上にICチップ
27がマウントされて補強板32と一体的にモールドさ
れていれば良く他の構成であっても良い。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、簡単にICカード
を製造できる作業性の良いICカードの製造方法を提供
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明に係わるICカードの製造方
法の一実施例を説明するための図であって、第1図はI
Cカードの分解構成図、第2図はICモジュールの構成
図、第3図は加熱加圧状態を示す図、第4図は従来のI
Cカードの構成図である。 8・・・カード基板、11・・・裏シート、20・・・
ICモジュール、26・・・回路基板、27・・・IC
チップ、32・・・補強板、33・・・エポキシ樹脂。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 回路基板にICチップをマウントし、次にこれら回路基
    板及びICチップに対して補強板を所定位置に配置して
    これら回路基板、ICチップ及び補強板を一体的にモー
    ルドしてICモジュールを形成し、次にこのICモジュ
    ールをカード基材に組み込んでこのとき前記補強板が配
    置された前記カード基材の面側にシートを重ね、次に前
    記カード基材、前記ICモジュール及び前記シートを加
    熱加圧することを特徴とするICカードの製造方法。
JP1138855A 1989-05-31 1989-05-31 Icカードの製造方法 Pending JPH032099A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1138855A JPH032099A (ja) 1989-05-31 1989-05-31 Icカードの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1138855A JPH032099A (ja) 1989-05-31 1989-05-31 Icカードの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH032099A true JPH032099A (ja) 1991-01-08

Family

ID=15231728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1138855A Pending JPH032099A (ja) 1989-05-31 1989-05-31 Icカードの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH032099A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2684235A1 (fr) * 1991-11-25 1993-05-28 Gemplus Card Int Carte a circuit integre comprenant des moyens de protection du circuit integre.
US5550709A (en) * 1993-07-23 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba External storage device
US5822190A (en) * 1996-06-11 1998-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Card type memory device and a method for manufacturing the same
US5866950A (en) * 1993-09-01 1999-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and fabrication method
US6002605A (en) * 1997-02-28 1999-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Connecting apparatus, and information processing apparatus
US6022763A (en) * 1996-05-10 2000-02-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof
US6054774A (en) * 1994-03-22 2000-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin type semiconductor package
US6166431A (en) * 1995-08-25 2000-12-26 Kabushiki Kaisha Tishiba Semiconductor device with a thickness of 1 MM or less
US6201295B1 (en) 1993-04-28 2001-03-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Plate-shaped external storage device and method of producing the same
US6266724B1 (en) 1993-09-01 2001-07-24 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
US6893268B1 (en) 1993-09-01 2005-05-17 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2684235A1 (fr) * 1991-11-25 1993-05-28 Gemplus Card Int Carte a circuit integre comprenant des moyens de protection du circuit integre.
US6274926B1 (en) 1993-04-28 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Plate-shaped external storage device and method of producing the same
US6201295B1 (en) 1993-04-28 2001-03-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Plate-shaped external storage device and method of producing the same
US6147861A (en) * 1993-07-23 2000-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba External storage device unit
US6141210A (en) * 1993-07-23 2000-10-31 Kabushiki Kaisha Toshiba External storage device
US6147860A (en) * 1993-07-23 2000-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba External storage device
US6362957B1 (en) 1993-07-23 2002-03-26 Kabushiki Kaisha Toshiba External storage device
US5550709A (en) * 1993-07-23 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba External storage device
US6266724B1 (en) 1993-09-01 2001-07-24 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
US7137011B1 (en) 1993-09-01 2006-11-14 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
US6981068B1 (en) 1993-09-01 2005-12-27 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
US6893268B1 (en) 1993-09-01 2005-05-17 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
US5866950A (en) * 1993-09-01 1999-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and fabrication method
US6054774A (en) * 1994-03-22 2000-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin type semiconductor package
US6333212B1 (en) 1995-08-25 2001-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6166431A (en) * 1995-08-25 2000-12-26 Kabushiki Kaisha Tishiba Semiconductor device with a thickness of 1 MM or less
US6022763A (en) * 1996-05-10 2000-02-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof
US5822190A (en) * 1996-06-11 1998-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Card type memory device and a method for manufacturing the same
US6085412A (en) * 1996-06-11 2000-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing card type memory device
US6002605A (en) * 1997-02-28 1999-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Connecting apparatus, and information processing apparatus
US6137710A (en) * 1997-02-28 2000-10-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Connecting apparatus, and information processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08162606A (ja) プリント回路板を使用した電子部品パッケージの立体相互接続
JPH032099A (ja) Icカードの製造方法
JPH09169187A (ja) 電子メモリカード用の1組の電子モジュールの製造方法
US5614443A (en) Method of producing a frame made of connected semiconductor die mounting substrates
US7288847B2 (en) Assembly including a circuit and an encapsulation frame, and method of making the same
JP2000148949A (ja) 非接触icカードおよびその製造方法
JP2003142797A (ja) 電子部品実装済完成品の製造方法及び電子部品実装済完成品
CN210640175U (zh) 电子芯片封装结构
CN209447195U (zh) 生物识别模组
JP2001223295A (ja) 半導体素子支持基板及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置
JPH0435000A (ja) 回路基板へのチップ部品の実装方法
JPH081109Y2 (ja) 複数チップ内蔵のicモジュール
CN111081561A (zh) 电子芯片封装结构及其方法
JP2000155821A (ja) 非接触icカードおよびその製造方法
JPH04199723A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4702820B2 (ja) Icタグラベルの製造方法
JPH081108Y2 (ja) Icモジュール
JP3024608B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61294845A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11266081A (ja) プリント配線板およびその製造方法
JP3040682U (ja) プリント回路
JPS5824463Y2 (ja) 混成集積回路のパッケ−ジ構造
JPH073646Y2 (ja) 半導体装置の構造
JPH11330143A (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN110032943A (zh) 生物识别模组及其制造方法