JP3024608B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP3024608B2
JP3024608B2 JP9256683A JP25668397A JP3024608B2 JP 3024608 B2 JP3024608 B2 JP 3024608B2 JP 9256683 A JP9256683 A JP 9256683A JP 25668397 A JP25668397 A JP 25668397A JP 3024608 B2 JP3024608 B2 JP 3024608B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
board
substrate
dam frame
editing
positioning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP9256683A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1197465A (ja
Inventor
保彦 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP9256683A priority Critical patent/JP3024608B2/ja
Publication of JPH1197465A publication Critical patent/JPH1197465A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3024608B2 publication Critical patent/JP3024608B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/1627Disposition stacked type assemblies, e.g. stacked multi-cavities

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、ベース基板上に搭載されたチップ部
品を、ダム枠を用いて樹脂封止する半導体装置の製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、絶
縁基板の両面にチップ部品を搭載した半導体装置が開発
されている。この種の半導体装置の製造方法(以下、従
来例1という)は、例えば、次のような工程で行われて
いる。
【0003】まず、複数のベース基板が2次元的に配列
された編集基板を用意し、その編集基板の各ベース基板
の裏面にチップ部品を搭載する。
【0004】次いで、チップ部品の電極とベース基板の
裏面に形成されたパッド部とをワイヤボンディングして
電気的に接続する。
【0005】次いで、ボンディングされたチップ部品を
樹脂で封止する。
【0006】次いで、各ベース基板に対応した位置に開
口部が形成されたダム枠位置決め治具を用意し、そのダ
ム枠位置決め治具の開口部に、熱硬化性接着剤を付着し
た個片のダム枠を嵌め込み、ダム枠位置決め治具と編集
基板を重ね合わせる。
【0007】次いで、重ね合わせたダム枠位置決め治具
と編集基板とを、押え板等を用いて所定の温度で圧着
し、ベース基板とダム枠とを接着する。
【0008】次いで、ベース基板の表面にチップ部品を
搭載し、チップ部品の電極とベース基板の表面に形成さ
れたパッド部とをワイヤボンディングして電気的に接続
する。
【0009】次いで、ダム枠内に樹脂を注入し、ベース
基板の表面に搭載されたチップ部品を封止する。
【0010】最後に、編集基板のつりピンを切断し、ベ
ース基板間を分離する。以上の工程により、ベース基板
の両面にチップ部品を搭載した半導体装置が製造され
る。
【0011】また、特開平4ー305962号公報に
は、集合シート状に形成されたフレーム基板と集合シー
ト状に形成されたダム用基板とを用意し、ダム用基板を
フレーム基板に重ね合わせた後、熱圧着する電子部品搭
載用基板の製造方法(以下、従来例2という)が開示さ
れている。
【0012】従来例2によれば、個片を連結した集合シ
ートを用いて電子部品搭載用基板を製造するので、個片
毎に製造する場合に比べて良好な作業性が発揮される、
としている 。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】従来例1には、次のよ
うな問題点がある。 (1)ボンディング工程前にダム枠を貼り付けるため、
ダム枠位置決め治具と基板表面が接触して、編集基板の
表面のボンディング用のパッド部が汚れてしまい、良好
な接続状態を得ることができない。 (2)ダム枠をダム枠位置決め用治具の開口部にはめ込
むので、その開口部の孔径はダム枠の外形寸法よりも大
きくなるように設計しなければならない。また、ダム枠
位置決め治具と編集基板の位置決めの際のばらつき、治
具内の個々の開口部の位置精度のばらつきもある。これ
らのばらつきが重なり、最終的なベース基板とダム枠の
貼り付け位置のばらつきは大きなものとなる。その結
果、ダム枠内の有効面積は小さくなり、チップ部品を高
密度に実装する際の妨げになる。 (3)個片のダム枠を専用のダム枠位置決め治具の開口
部に嵌め込み、編集基板に貼り付ける必要があるので、
ダム枠の貼り付け工程数が多くなる。その結果、製造時
間が長くなり、良好な作業性を得ることができない。 (4)専用のダム枠位置決め治具にはダム枠の大きさに
対応した開口部を形成する必要があり、異なったサイズ
のダム枠毎に専用のダム枠位置決め治具が必要である。
そのため、ダム枠位置決め治具を共用化することは困難
であり、個々の半導体製品の初期費用が高くなる。
【0014】従来例2の製造方法には、次のような問題
点がある。 (1)この方法では、ダム用基板をフレーム基板に位置
合わせした状態で貼り合わせ、所定温度に加熱して、ダ
ム用基板の裏面に接着された接着シートを硬化させて、
フレーム基板とダム用基板とを接着する。従って、多数
の半導体装置を製造する場合、ダム用基板とフレーム基
板との貼り合わせ工程、圧着工程及び加熱工程を、何度
も繰り返さなければならないので、良好な作業性を得る
ことができない。 (2)ボンディング工程前にダム枠を貼り付けるため、
ボンディング用のパッド部が汚れてしまい、良好な接続
状態を得ることができないおそれがある。
【0015】なお、従来例2の製造方法では、位置決め
ピンを用いてダム用基板とフレーム基板とを位置合わせ
するが、上記公報には位置決めピンの構成が具体的に開
示されていない。また、上記公報には、フレーム基板の
片面に電子部品を搭載する場合の製造方法について開示
されているが、ベース基板の両面にチップ部品を搭載し
た半導体装置の製造方法については開示されておらず、
それを示唆する記載もない。
【0016】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、高精度かつ信頼性の高い半導体装置を
製造でき、かつ、良好な作業性が得られる半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、(1)複数のベース基板が2次元的に配列さ
れ位置決め孔が形成された編集基板と、その編集基板に
配列されたベース基板に対応する位置にダム枠が形成さ
れ、かつ編集基板に形成された位置決め孔に対応する位
置に位置決め孔が形成されたダム枠基板と、位置決め板
とその位置決め板の所定位置に略垂直方向に設けられた
ガイドピンとを有する位置決め治具と、を用意する工程
と、(2)編集基板の各ベース基板にチップ部品を搭載
する工程と、(3)チップ部品の電極とベース基板に形
成されたパッド部とをボンディングして電気的に接続す
る工程と、(4)ボンディング処理された編集基板とダ
ム枠基板とを、両者の間に接着部を介在させながら、各
位置決め孔に位置決め治具のガイドピンを通すことによ
り交互に積み重ねていく工程と、(5)位置決め治具に
積み重なった編集基板とダム枠基板とを圧着する工程
と、(6)ダム枠基板のダム枠内に樹脂を注入し、ベー
ス基板に搭載されたチップ部品を封止する工程と、
(7)ベース基板間を分離する工程と、を有し、(1)
から(7)の順序で行われることを特徴とするものであ
る。
【0018】上記(4)の工程では、ボンディング処理
された編集基板と、その編集基板に接触する側に接着部
を備えたダム枠基板とを、各位置決め孔に位置決め治具
のガイドピンを通すことにより交互に積み重ねてもよ
い。
【0019】上記接着部として、熱硬化性接着剤を用い
てもよい。この場合上記(5)の工程は、位置決め治具
に積み重なった編集基板とダム枠基板とを圧着した状態
で加熱することになる。
【0020】本発明の半導体装置の製造方法は、ベース
基板の両面にチップ部品を搭載した半導体装置を製造す
る場合にも適用され、その場合には、(1)一方の面が
断面凹状に形成され、他方の面が略平坦状に形成された
複数のベース基板が2次元的に配列され複数の位置決め
孔が形成された編集基板と、その編集基板に配列された
ベース基板に対応する位置にダム枠が形成され、かつ編
集基板に形成された位置決め孔に対応する位置に複数の
位置決め孔が形成されたダム枠基板と、位置決め板とそ
の位置決め板の所定位置に略垂直方向に設けられた複数
のガイドピンとを有する位置決め治具と、を用意する工
程と、(2)編集基板の各ベース基板の一方の面にチッ
プ部品を搭載する工程と、(3)チップ部品の電極とベ
ース基板の一方の面に形成されたパッド部とをボンディ
ングして電気的に接続する工程と、(4)ボンディング
されたチップ部品を樹脂で封止する工程と、(5)編集
基板の各ベース基板の他方の面にチップ部品を搭載する
工程と、(6)チップ部品の電極とベース基板の他方の
面に形成されたパッド部とをボンディングして電気的に
接続する工程と、(7)ボンディング処理された編集基
板の位置決め孔に位置決め治具のガイドピンを通して、
編集基板を位置決め治具の位置決め板の表面に載せる工
程と、(8)編集基板の一方の面に接触する側のダム枠
基板の所定位置に熱硬化性接着剤を付着し、そのダム枠
基板の位置決め孔に位置決め治具のガイドピンを通し
て、ダム枠基板を編集基板の他方の面に載せる工程と、
(9)編集基板と、熱硬化性接着剤を付着させたダム枠
基板とを、各位置決め孔にガイドピンを通すことにより
交互に積み重ねていく工程と、(10)位置決め治具に
積み重なった編集基板とダム枠基板とを圧着した状態で
加熱する工程と、(11)ダム枠基板のダム枠内に樹脂
を注入し、ベース基板の他方の面に搭載されたチップ部
品を封止する工程と、(12)ベース基板間を分離する
工程と、を有し、(1)から(12)の順序で行われ
る。
【0021】上記編集基板のベース基板及びダム枠基板
のダム枠は方形状に形成されてもよい。
【0022】上記編集基板及びダム枠基板の位置決め孔
は、それぞれ編集基板及びダム枠基板の周辺部に形成さ
れてもよい。
【0023】本発明によれば、位置決め治具に交互に積
み重ねた編集基板とダム枠基板とを、一括して圧着し、
加熱する(熱硬化性接着剤を用いた場合)ので、接着
(貼り付け)工程数が低減する。
【0024】また、ボンディング工程終了後にダム枠の
貼り付けが行われるので、編集基板の各ベース基板のパ
ッド部が汚れていない状態でボンディングすることがで
きる。
【0025】さらに、交互に積み重ねた編集基板とダム
枠基板は、位置決め治具のガイドピンによって支持され
るので、ダム枠をベース基板に高精度に接着することが
できる。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は、複数のベース基板
を2次元的に配列した編集基板を示す平面図、図2は、
複数のダム枠を2次元的に配列したダム枠基板を示す平
面図である。
【0027】図1に示すように、編集基板1は、全体が
略長方形状に形成され、複数のベース基板2が2次元的
に配列される(例えば図1では、21個のベース基板2
が3列×7行に配列される)。また、編集基板1の左右
の周辺部にはそれぞれ複数(例えば図1では7つ)の位
置決め孔3が形成される。
【0028】図2に示すように、ダム枠基板4は、全体
が略長方形状に形成され、複数のダム枠5が2次元的に
配列される(例えば、図2では、21個のダム枠5が3
列×7行に配列される)。また、ダム枠基板4の左右の
周辺部にはそれぞれ複数(例えば図2では7つ)の位置
決め孔6が形成される。
【0029】編集基板1とダム枠基板4とは同一の外形
になるように設計される。また、編集基板1の位置決め
孔3とダム枠基板4の位置決め孔6は同一の位置に形成
される。
【0030】図3乃至図5は、本発明の半導体装置の製
造方法を説明するための説明図である。
【0031】本発明の半導体装置の製造方法では、ま
ず、複数のベース基板2が2次元的に配列された編集基
板1と、複数のダム枠5が2次元的に配列されたダム枠
基板4と、図4に示すように、位置決め板10とその位
置決め板10の所定位置に略垂直方向に延びて設けられ
た複数(例えば4本)のガイドピン11とを有する位置
決め治具12と、を用意する。
【0032】次いで、編集基板1の各ベース基板2の裏
面にチップ部品7を搭載する。
【0033】次いで、チップ部品7の電極とベース基板
2の裏面に形成されたパッド部とをワイヤボンディング
して電気的に接続する。
【0034】次いで、ワイヤボンディングされたチップ
部品7を樹脂8で封止する。
【0035】次いで、編集基板1の各ベース基板2の表
面にチップ部品7を搭載する。
【0036】次いで、チップ部品7の電極とベース基板
2の表面に形成されたパッド部とをワイヤボンディング
して電気的に接続する(図3参照)。
【0037】次いで、ワイヤボンディング処理された編
集基板1の位置決め孔3に位置決め治具12のガイドピ
ン11を通して、編集基板1を位置決め板10の表面に
載せる。
【0038】次いで、熱硬化性接着剤を付着させたダム
枠基板4の位置決め孔6に位置決め治具12のガイドピ
ン11を通して、ダム枠基板4を編集基板1の表面に載
せる(図4参照)。
【0039】次いで、編集基板1と、熱硬化性接着剤を
付着させたダム枠基板4とを、各位置決め孔3、6にガ
イドピン11を通すことにより交互に積み重ねていく
(図5参照)。
【0040】次いで、位置決め治具12をねじ締めする
ことにより積み重なった編集基板1とダム枠基板4とを
圧着し、その状態で恒温槽に入れ所定温度に加熱する。
それによって、熱硬化性接着剤が硬化するので、編集基
板1とダム枠基板4とが接着する。
【0041】次いで、ダム枠5内に樹脂8を注入し、ベ
ース基板2の表面に搭載されたチップ部品7を封止す
る。
【0042】最後に、編集基板1のつりピンを切断し、
ベース基板2間を分離する。以上の工程により、ベース
基板2の両面にチップ部品7を搭載した半導体装置が製
造される。
【0043】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。例えば、ダム
枠基板4に付着する接着剤については、接着剤をダム枠
基板4に塗布する他、接着シートをダム枠基板4に貼り
付けてもよい。
【0044】また、編集基板1、ベース基板2、ダム枠
基板4、ダム枠5、位置決め孔3、6、位置決め治具1
2の形状、配置及び配列数は、図示されたものに限定さ
れず、適宜変更することができる。
【0045】
【発明の効果】本発明によれば、次のような優れた効果
を奏する。 (1)位置決め治具に交互に積み重ねた編集基板とダム
枠基板とを、一括して圧着し、加熱する(熱硬化性接着
剤を用いた場合)ので、接着(貼り付け)工程数が低減
する。その結果、良好な作業性を得ることができる。 (2)ボンディング工程終了後にダム枠の貼り付けが行
われるので、編集基板の各ベース基板のパッド部が汚れ
ていない状態でボンディングすることができる。その結
果、良好なボンデョング性を実現でき、信頼性の高い半
導体装置を製造できる。 (3)交互に積み重ねた編集基板とダム枠基板は、位置
決め治具のガイドピンによって支持されるので、ダム枠
をベース基板に高精度に接着することができる。その結
果、従来の製造方法ではダム枠がずれること等を考慮し
て使えなかった部分を使用できるので、ダム枠内の有効
面積が拡大し、チップ部品を高密度に実装することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】複数のベース基板を2次元的に配列した編集基
板を示す平面図である。
【図2】複数のダム枠を2次元的に配列したダム枠基板
を示す平面図である。
【図3】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の説明図である。
【図4】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の説明図である。
【図5】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の説明図である。
【符号の説明】
1:編集基板 2:ベース基板 3:位置決め孔 4:ダム枠基板 5:ダム枠 6:位置決め孔 7:チップ部品 8:樹脂 10:位置決め板 11:ガイドピン 12:位置決め治具

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(1)複数のベース基板が2次元的に配列
    され位置決め孔が形成された編集基板と、その編集基板
    に配列されたベース基板に対応する位置にダム枠が形成
    され、かつ前記編集基板に形成された位置決め孔に対応
    する位置に位置決め孔が形成されたダム枠基板と、位置
    決め板とその位置決め板の所定位置に略垂直方向に設け
    られたガイドピンとを有する位置決め治具と、を用意す
    る工程と、(2)前記編集基板の各ベース基板にチップ
    部品を搭載する工程と、(3)前記チップ部品の電極と
    ベース基板に形成されたパッド部とをボンディングして
    電気的に接続する工程と、(4)ボンディング処理され
    た編集基板と前記ダム枠基板とを、両者の間に接着部を
    介在させながら、各位置決め孔に前記位置決め治具のガ
    イドピンを通すことにより交互に積み重ねていく工程
    と、(5)前記位置決め治具に積み重なった編集基板と
    ダム枠基板とを圧着する工程と、(6)前記ダム枠基板
    のダム枠内に樹脂を注入し、ベース基板に搭載されたチ
    ップ部品を封止する工程と、(7)前記ベース基板間を
    分離する工程と、を有し、(1)から(7)の順序で行
    われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】(1)複数のベース基板が2次元的に配列
    され位置決め孔が形成された編集基板と、その編集基板
    に配列されたベース基板に対応する位置にダム枠が形成
    され、かつ前記編集基板に形成された位置決め孔に対応
    する位置に位置決め孔が形成されたダム枠基板と、位置
    決め板とその位置決め板の所定位置に略垂直方向に設け
    られたガイドピンとを有する位置決め治具と、を用意す
    る工程と、(2)前記編集基板の各ベース基板にチップ
    部品を搭載する工程と、(3)前記チップ部品の電極と
    ベース基板に形成されたパッド部とをボンディングして
    電気的に接続する工程と、(4)ボンディング処理され
    た編集基板と、その編集基板に接触する側に接着部を備
    えたダム枠基板とを、各位置決め孔に前記位置決め治具
    のガイドピンを通すことにより交互に積み重ねていく工
    程と、(5)前記位置決め治具に積み重なった編集基板
    とダム枠基板とを圧着する工程と、(6)前記ダム枠基
    板のダム枠内に樹脂を注入し、ベース基板に搭載された
    チップ部品を封止する工程と、(7)前記ベース基板間
    を分離する工程と、を有し、(1)から(7)の順序で
    行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】(1)複数のベース基板が2次元的に配列
    され位置決め孔が形成された編集基板と、その編集基板
    に配列されたベース基板に対応する位置にダム枠が形成
    され、かつ前記編集基板に形成された位置決め孔に対応
    する位置に位置決め孔が形成されたダム枠基板と、位置
    決め板とその位置決め板の所定位置に略垂直方向に設け
    られたガイドピンとを有する位置決め治具と、を用意す
    る工程と、(2)前記編集基板の各ベース基板にチップ
    部品を搭載する工程と、(3)前記チップ部品の電極と
    ベース基板に形成されたパッド部とをボンディングして
    電気的に接続する工程と、(4)ボンディング処理され
    た編集基板と、その編集基板に接触する側に熱硬化性接
    着剤を付着させたダム枠基板とを、各位置決め孔に前記
    位置決め治具のガイドピンを通すことにより交互に積み
    重ねていく工程と、(5)前記位置決め治具に積み重な
    った編集基板とダム枠基板とを圧着した状態で加熱する
    工程と、(6)前記ダム枠基板のダム枠内に樹脂を注入
    し、ベース基板に搭載されたチップ部品を封止する工程
    と、(7)前記ベース基板間を分離する工程と、を有
    し、(1)から(7)の順序で行われることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項4】(1)一方の面が断面凹状に形成され、他
    方の面が略平坦状に形成された複数のベース基板が2次
    元的に配列され複数の位置決め孔が形成された編集基板
    と、その編集基板に配列されたベース基板に対応する位
    置にダム枠が形成され、かつ前記編集基板に形成された
    位置決め孔に対応する位置に複数の位置決め孔が形成さ
    れたダム枠基板と、位置決め板とその位置決め板の所定
    位置に略垂直方向に設けられた複数のガイドピンとを有
    する位置決め治具と、を用意する工程と、(2)前記編
    集基板の各ベース基板の一方の面にチップ部品を搭載す
    る工程と、(3)前記チップ部品の電極とベース基板の
    一方の面に形成されたパッド部とをボンディングして電
    気的に接続する工程と、(4)ボンディングされたチッ
    プ部品を樹脂で封止する工程と、(5)前記編集基板の
    各ベース基板の他方の面にチップ部品を搭載する工程
    と、(6)チップ部品の電極とベース基板の他方の面に
    形成されたパッド部とをボンディングして電気的に接続
    する工程と、(7)ボンディング処理された編集基板の
    位置決め孔に前記位置決め治具のガイドピンを通して、
    前記編集基板を前記位置決め治具の位置決め板の表面に
    載せる工程と、(8)前記編集基板の一方の面に接触す
    る側の前記ダム枠基板の所定位置に熱硬化性接着剤を付
    着し、そのダム枠基板の位置決め孔に前記位置決め治具
    のガイドピンを通して、前記ダム枠基板を前記編集基板
    の他方の面に載せる工程と、(9)編集基板と、熱硬化
    性接着剤を付着させたダム枠基板とを、各位置決め孔に
    ガイドピンを通すことにより交互に積み重ねていく工程
    と、(10)前記位置決め治具に積み重なった編集基板
    とダム枠基板とを圧着した状態で加熱する工程と、(1
    1)前記ダム枠基板のダム枠内に樹脂を注入し、ベース
    基板の他方の面に搭載されたチップ部品を封止する工程
    と、(12)前記ベース基板間を分離する工程と、を有
    し、(1)から(12)の順序で行われることを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項5】前記編集基板のベース基板及びダム枠基板
    のダム枠は方形状に形成されることを特徴とする請求項
    1乃至4のいずれか1つの項に記載の半導体装置の製造
    方法。
  6. 【請求項6】前記編集基板及びダム枠基板の位置決め孔
    は、それぞれ前記編集基板及びダム枠基板の周辺部に形
    成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1
    つの項に記載の半導体装置の製造方法。
JP9256683A 1997-09-22 1997-09-22 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP3024608B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9256683A JP3024608B2 (ja) 1997-09-22 1997-09-22 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9256683A JP3024608B2 (ja) 1997-09-22 1997-09-22 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1197465A JPH1197465A (ja) 1999-04-09
JP3024608B2 true JP3024608B2 (ja) 2000-03-21

Family

ID=17296026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9256683A Expired - Lifetime JP3024608B2 (ja) 1997-09-22 1997-09-22 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3024608B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005015646A1 (ja) * 2003-08-07 2005-02-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led照明光源

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1197465A (ja) 1999-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101268548B (zh) 微电子封装及其方法
US5258330A (en) Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
US7427810B2 (en) Semiconductor device including semiconductor element mounted on another semiconductor element
US5148265A (en) Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
KR100219791B1 (ko) 반도체장치와 반도체장치의 제조방법 및 리드프레임의제조방법
US4974057A (en) Semiconductor device package with circuit board and resin
US7198969B1 (en) Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
JPH0883866A (ja) 片面樹脂封止型半導体装置の製造方法及びこれに用いるキャリアフレーム
JPH06244360A (ja) 半導体装置
US5382546A (en) Semiconductor device and method of fabricating same, as well as lead frame used therein and method of fabricating same
JP3024608B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TW419756B (en) Process for producing BGA type semiconductor device, TAB tape for BGA type semiconductor device, and BGA type semiconductor device
JP3226244B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP4038021B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3103281B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US5661900A (en) Method of fabricating an ultrasonically welded plastic support ring
JP3248853B2 (ja) 複数のicチップを備えた密封型半導体装置の構造
JPH02229461A (ja) 半導体装置
JP2642074B2 (ja) ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法
KR100771860B1 (ko) 솔더볼을 사용하지 않는 반도체 패키지 모듈 및 그 제조방법
JPH0532903B2 (ja)
JPH04280439A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH10199899A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04329650A (ja) Tabテープ
JPH03178139A (ja) 半導体装置の製造方法