JP2642074B2 - ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はボールグリッドアレイ型
半導体装置およびその製造方法に係わり、特にパッケー
ジ表面に露出させた金属細線にハンダボールを形成する
ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体装置は集積度の向上ととも
にその利用分野も工業用機器、民生用機器を含む幅広い
分野の機器に使用されるようになってきた。そのため小
型化、薄型化、低価格および多ピン化等のそれぞれの機
器に使用し易い形状のパッケージを備えた半導体装置が
製品化されている。

【０００３】これらの半導体装置のなかのパッケージ形
態のひとつにボールグリッドアレイ型半導体装置があ
る。この種の半導体装置における一般的な例を断面図を
示した図５を参照すると、銅箔等でエッチングされた配
線パターン１３が、エポキシ樹脂等からなる基板１１の
両面に配設され、その配線パターン１３の一方の先端は
基板１１の中央部に、例えば銀ペーストで固着されて搭
載された半導体チップ１の電極に金属細線３により接続
され、他方の先端は半導体チップ１のさらに外側周辺に
適宜配設されかつ先端に穿孔されたスルーホール１２に
接続される。スルーホール１２は基板１１の裏面のハン
ダボール接続用ソルダパッド（図示せず）に接続されて
いる。これらの部材全体が樹脂封止され、ソルダパッド
の位置にハンダボール６がリフロー等で溶融接合されて
いる。

【０００４】この従来のボールグリッドアレイ型半導体
装置の製造方法の概要は、まずガラスエポキシ樹脂等か
らなる樹脂基板１１に半導体チップ１が接着剤によって
接着されて搭載され、半導体チップ１の電極と樹脂基板
１１の配線パターン電極とがワイヤ３でボンディング接
続される。

【０００５】次に基板１１裏面のあらかじめ定められた
配置にソルダパッドが配設され、このソルダパッドの所
定の位置にある開口部を通してハンダボール６がソルダ
パッドに溶融接合される。ソルダパッドとスルーホール
１２とはスルーホール内面の導電性金属膜によって基板
１１表面のスルーホール１２にを経て、さらに配線パタ
ーン１３により半導体チップ１の電極と接続されている
のでハンダボール６と半導体チップ１の電極との電気的
接続が完了する。

【０００６】この電気的接続が完了した後、基板１１表
面上の部材をすべて樹脂封止することによって製造工程
は終了する。

【０００７】一方、ハンダボールを半導体チップ表面側
の樹脂パッケージ表面に配設したボールグリッドアレイ
型半導体装置の他の例が特開平３−９４４３８号公報に
記載されている。同公報記載の半導体装置のハンダボー
ル形成前の断面図を示した図６（ａ）およびハンダボー
ル形成後の断面図を示した図６（ｂ）を参照すると、こ
の半導体装置は、半導体チップ１を搭載するダイパッド
２と一体に形成されたダミーの支持体１５を有し、半導
体チップ１をダイパッド２上に接着した後、半導体チッ
プ１の電極１４とダミーの支持体１５とを金属配線３で
ボンディング接続し、これら部材全体を樹脂封止する。

【０００８】樹脂封止後、線Ｂ−Ｂ’および線Ｃ−Ｃ’
から外側を切断分離し、半導体チップ１を搭載した部分
を残す。この残った部分の表面および金属細線３を研磨
し、金属細線３の表面を所定の厚さまで露出させる。こ
の金属細線３の露出研磨された部分にハンダボール６を
形成したものである。

【０００９】すなわち、ダミー支持体１５を利用するこ
とによって従来のワイヤボンディング方法が利用できる
ものである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来のボ
ールグリッドアレイ型半導体装置は、樹脂基板１１上に
半導体チップ１が搭載された構造になっているため、樹
脂基板１１の半導体チップ１を搭載する部分以外のスペ
ースにはスルーホール１２とこれらを接続する配線パタ
ーン１３のスペース、およびそれぞれの形成工程が必要
となる。

【００１１】そのため、材料コスト、加工コストおよび
組立コスト等の製造コストが高額になる欠点を有してい
る。

【００１２】一方図６（ａ）および（ｂ）に示した従来
例の場合は、ハンダボール６を形成するための樹脂７お
よび金属細線３の表面を研磨する工程が必要であり、こ
の研磨によって金属細線３の厚みが薄くなり、ハンダボ
ール６を保持する強度が金属細線の有する所定の強度よ
りも低下せざるを得ないことと、チップ周辺に１列に配
置された電極に対応してボンディングされる金属細線に
ハンダボールを１列に並べるため多ピン化に対応するた
めの拡張性が不充分という欠点があった。

【００１３】本発明の目的は、上述した欠点に鑑みなさ
れたものであり、半導体チップを搭載する金属性リード
フレームの幅を部分的に拡張して用いて、半導体チップ
の電極とインナリードを接続する金属細線が露出するよ
うに樹脂封止し、その露出した金属細線を研磨すること
なく直接ハンダボールを形成することにより、既存の製
造工程ラインの下で製造コストを低減し、かつハンダボ
ールの保持力を強化した多ピン化対応のボールグリッド
アレイ型半導体装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のボールグリッド
アレイ型半導体装置の特徴は、搭載した半導体チップの
電極群に接続される金属細線群を所定の引き出し手段に
よりそれぞれパケージ表面に露出させ、これら露出した
金属細線にハンダボールによる入出力端子を接合して形
成するとともにこれら全体をモールド樹脂により封止し
たボールグリッドアレイ型半導体装置において、前記半
導体チップがリードフレームのダイパッドに搭載され、
そのインナリード群が前記半導体チップの厚みと同じか
それ以上の高さに配設されかつそれぞれの両側が複数個
所で幅広く形成された拡張領域と、これら拡張領域上に
それぞれの高さが等しく形成されかつ前記金属細線を支
持するサポート樹脂群と、複数の前記電極群から配線さ
れるとともに前記サポート樹脂上面に接触しかつ跨ぐ状
態でそれぞれ固定された前記金属細線群と、前記サポー
ト樹脂群上の前記金属細線群に溶融接合して形成される
ことにある。

【００１５】また、前記引き出し手段は、前記モールド
樹脂が前記サポート樹脂群上の前記金属細線群が露出す
る高さで前記半導体チップ表面上を樹脂封止することが
できる。

【００１６】さらに、前記サポート樹脂群は、前記拡張
領域上の前記半導体チップ寄りの縁端部近傍に、少なく
ともその上面を跨ぐ前記金属細線が互に接触しない間隔
を維持できる範囲内で細長く配設される。

【００１７】さらにまた、前記インナリード群の位置が
前記半導体チップの高さよりも低く、かつ前記サポート
樹脂の上面が前記半導体チップの高さよりも高くなるよ
うにそれぞれ設定される。

【００１８】また、前記インナリードごとに形成された
複数の前記拡張領域のうち少なくとも１つが長手方向に
それぞれ延長されて隣接する前記インナリードの拡張領
域と前記ダイパッド周辺の各辺ごとに１列または環状に
連結されて形成される。

【００１９】本発明のボールグリッドアレイ型半導体装
置の製造方法の特徴は、搭載した半導体チップの電極群
に接続される金属細線を所定の引き出し手段によりそれ
ぞれパケージ表面に露出させ、これら露出した金属細線
にハンダボールによる入出力端子を接合して形成すると
ともに、これら全体をモールド樹脂により封止したボー
ルグリッドアレイ型半導体装置の製造方法において、イ
ンナリード群が前記半導体チップの厚みと同じかそれ以
上の高さに配設されかつそれぞれの両側が複数個所で幅
広く形成された拡張領域を前記インナリード群に形成さ
せかつダイパッド上に前記半導体チップを搭載したリー
ドフレームであって、前記金属細線を維持するサポート
樹脂群が前記拡張領域上にそれぞれの高さを揃えて形成
される工程と、前記サポート樹脂群のそれぞれの上面に
前記金属細線が接触しかつ跨ぐ状態で、前記電極が複数
個ずつ同一の前記拡張領域の平面上にボンディングされ
る工程と、前記ボンディングされた工程後にモールド樹
脂封止し、この樹脂封止後に前記封止樹脂表面からの開
口によって前記金属細線が前記ボンディング点の手前で
切断される工程と、前記切断後の前記開口が所定の絶縁
性樹脂で埋め戻される工程と、前記封止樹脂表面に露出
した前記金属細線に前記ハンダボール群が融合接合で形
成される工程とからなることにある。

【００２０】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。

【００２１】図１（ａ）は本発明のボールグリッドアレ
イ型半導体装置の第１の実施例の主要部を示した平面図
であり、説明を容易にするため、実線部分が樹脂封止を
していない状態を示し、点線部分が樹脂封止した状態で
ハンダボールを形成した状態を示している。図１（ｂ）
は（ａ）図の切断線Ａ−Ａ′における断面図である。

【００２２】図１（ａ）および図１（ｂ）を参照する
と、このボールグリッドアレイ型半導体装置は、半導体
チップ１を搭載するダイパッド２およびインナリード５
を有する金属材質のリードフレームを備え、このインナ
リード５は、それぞれが半導体チップ１の厚みと同じか
それ以上の高さに配設され、かつ等長、等間隔および互
いに平行に４辺（ＤＩＰ型の場合は対向する両辺）に配
設され、それぞれの両側が複数個所、例えば３個所で幅
広く形成された拡張領域５ａ，５ｂ，５ｃと、これら拡
張領域上にそれぞれの高さが等しく形成されかつ金属細
線を支持するサポート樹脂４ａ，４ｂ，４ｃと、一端が
半導体チップ１上の複数の電極群から配線されるととも
に、サポート樹脂４ａ，４ｂ，４ｃ上面に接触しかつ跨
ぐ状態でそれぞれ拡張領域上に他端がボンディングされ
た金属細線３と、サポート樹脂４ａ，４ｂ，４ｃ上の金
属細線３に溶融接合して形成されるハンダボール６ａ，
６ｂ，６ｃとからなる構造を有する。

【００２３】上述した金属細線３は、細線間のたるみに
よる接触を防止するために、同一の拡張領域５ａ，５
ｂ，５ｃに配線される細線長がインナリード５を挟んで
左右対称形になるように配線されている。すなわち、イ
ンナリード５に最も近い細線が最も短かく、インナリー
ド５に最も遠い細線が最も長くななっている。このよう
に配線することによって、短かい細線同志はそれ自身の
たるみが少ないので最も接近した状態にあるにもかかわ
らず、接触の危険度は極めて少ない。

【００２４】一方、隣接するインナリード５間において
は、隣りの拡張領域５ａ，５ｂ，５ｃとの間にそれぞれ
樹脂封入時における樹脂の流れを容易にするために所定
のスペースを開けてある。すなわち、インナリード５間
のスペースに最も近い細線が最も長く、インナリード５
に最も遠い細線が最も短かくなっている。このように配
線することによって、隣接する長い細線同志はそれ自身
のたるみが大きくなる状態にあるにもかかわらず、その
間隔がスペース分さらに開くので接触の危険度は極めて
少ない。

【００２５】なお、上述したように、金属細線３の配線
は、金属細線３間の接触を防止するために、インナリー
ド５の両側およびインナリード５間のスペースを挟んで
その両側がそれぞれ対称配線となるように考慮されてい
るが、その接触の危険度にある程度の余裕がある場合
は、インナリード５の両側に位置して最も近接する細線
のうち、一方側が最も長く、同じ一方側のインナリード
から最も離れた細線が最も短くなる非対称配線をインナ
リード５ごとに繰り返し配線してもよい。

【００２６】図１（ａ）を再び参照すると、インナリー
ド５は、ダイパッド２に対して少なくとも半導体チップ
１の高さと等しいかそれ以上の高い位置になるように配
設されている。このように配設することによって、金属
細線３はサポート樹脂４ａ，４ｂ，４ｃの頂上部分に確
実に接触させることが可能であり、ハンダボール群の形
成を確実に実施することができる。さらに、金属細線３
のたるみを防止し、金属細線３が半導体チップ１の角に
接触するエッジタッチをも防止する。

【００２７】これら各インナーリード群５の拡張領域５
ａ，５ｂ，５ｃ上にそれぞれ１個のサポート樹脂４ａ，
４ｂ，４ｃの底面が接着剤で接着され、かつ半導体チッ
プ１の電極群がサポート樹脂４ａ，４ｂ，４ｃを跨いで
拡張領域５ａ，５ｂ，５ｃ上にそれぞれワイヤ３でボン
ディング接続された状態で熱硬化性樹脂、例えば公知の
技術である、エポキシペレット（Ｅペレット）を低圧ト
ランスファモールド法を用いて、サポート樹脂４ａ，４
ｂ，４ｃの表面と同一平面になるように樹脂封止されて
いる。すなわち、同一平面であるからこの樹脂封止され
たパッケージ表面には金属細線３がそれぞれ露出された
状態になっている。

【００２８】この樹脂封止されたパッケージの上面から
拡張領域５ａ，５ｂ，５ｃの底面方向に所定の大きさの
ホール８ａ，８ｂ，８ｃがそれぞれ開口される。

【００２９】これらのホール８ａ，８ｂ，８ｃを開口す
る位置は、例えば１つの拡張領域５ａ上にボンディング
された金属細線３の上であってサポート樹脂４ａの後縁
に沿って垂直に開口することによってサポート樹脂４ａ
と拡張領域５ａとの間で金属細線３を切断する。この切
断によって同一拡張領域５ａ上にボンディングされた他
の金属細線３と電気的接続が遮断されることになり独立
の配線となる。この配線切断のための開口を順次他の金
属細線上にも実施する。

【００３０】これらのホール８ａ，８ｂ，８ｃは例えば
ポリマー樹脂等で埋め戻しておくが、このパッケージの
使用環境によってはホールはそのままの状態でもよい。

【００３１】これらのホール群８ａ，８ｂ，８ｃに隣接
し、かつサポート樹脂４ａ，４ｂ，４ｃの頂上に配設さ
れ表面に露出された金属細線３にそれぞれハンダボール
群が形成されるとともに、金属細線３とハンダボール群
とがそれぞれ溶融接合されてなる。

【００３２】上述した本実施例によれば、例えば半導体
チップ１の電極が千鳥状に複数列に配置された多ピン化
対応の半導体装置であっても適用することが出来るので
融通性が広い。

【００３３】上述した構成からなるボールグリッドアレ
イ型半導体装置の製造方法は、その製造工程のうち、リ
ードフレームに搭載した半導体チップにワイヤボンディ
ングした後であって樹脂封止前の半導体装置の断面図を
示した図２（ａ）、樹脂封止した状態の半導体装置の断
面図を示した図２（ｂ）、パッケージ表面に金属細線切
断用のホールが開口された状態の断面図を示す図２
（ｃ）、開口されたホールをポリマー樹脂で埋め戻した
状態の断面図を示す図２（ｄ）、パッケージ表面のイン
ナリード３にそれぞれハンダボール群を形成した状態の
断面図を示した図２（ｅ）をそれぞれ併せて参照する
と、まずリードフレームが用意される。

【００３４】前述したようにリードフレームにはサポー
ト樹脂４ａ，４ｂ，４ｃを接着するための拡張領域、本
実施例では例えば５ａ，５ｂ，５ｃの３個がそれぞれ形
成されたインナリード５が、同一の辺側においては等
長、等間隔および互いに平行に配設され、かつそれぞれ
が所定のスペースを保って４辺（図１では１辺側のみ表
示）に配設されている。

【００３５】次に、インナリード５の各拡張領域５ａ，
５ｂ，５ｃ上に絶縁材料で製作された公知技術によるサ
ポート樹脂４ａ，４ｂ，４ｃを接着する。この接着固定
後に半導体チップ１の信号入出力用の電極群と対応する
拡張領域５ａ，５ｂ，５ｃとがそれぞれワイヤボンディ
ング接続される（図２（ａ））。

【００３６】このワイヤボンディング接続が終了すると
封止工程において前述した熱硬化性樹脂７により半導体
チップ１が封止され、１枚のリードフレームに１個のパ
ッケージが搭載され、樹脂７はサポート樹脂４ａ，４
ｂ，４ｃの表面と同一面になるように樹脂の吐出量がコ
ントロールされ封止された状態になる（図２（ｂ））。

【００３７】この封止されたパッケージを、例えばレー
ザ光線または小径ドリル１０によりパッケージ表面から
拡張領域面の方向に垂直にホール８ａ，８ｂ，８ｃをそ
れぞれ開口する。開口する位置は、サポート樹脂４ａ，
４ｂ，４ｃの後縁に沿って金属細線３上に対応する位置
であれば任意の位置でよく、このホール開口によって拡
張領域５ａ，５ｂ，５ｃ上に接続された金属細線３が切
断される。

【００３８】これらのホール群８ａ，８ｂ，８ｃの位置
において、インナリード５の配列方向の間隔は拡張領域
５ａ，５ｂ，５ｃのピッチで決り、個々の拡張領域の幅
は、金属細線３に溶融接合される拡張領域５ａ上のハン
ダボールの最も近接する間隔を少くとも満足する間隔を
考慮して決る幅でよいが、拡張領域５ｂ，５ｃに接着さ
れる金属細線３をもサポート樹脂４ａに支持させるため
には他の領域５ｂ，５ｃと同じ幅をあらかじめ設定する
ことが望ましい。

【００３９】なお、ハンダボール群を接合するためサポ
ート樹脂上の配線間隔は現状では１００μｍ以上が必要
である。

【００４０】また、これらホール８ａ，８ｂ，８ｃは通
常のプリント基板における抵抗等のリード取り付け孔と
同じ大きさ（直径）の開口で充分である（図２
（ｃ））。

【００４１】開口により金属細線を切断した後、ホール
８ａ，８ｂ，８ｃは、例えばポリマー樹脂等の絶縁性樹
脂を充填することによって埋め戻される。この場合、パ
ッケージ封入樹脂と同じ樹脂も考えられるが、開口工程
が封入後の樹脂硬化状態で行なわれるため、埋め戻す樹
脂との密着性からポリマー樹脂を適用する（図２
（ｄ））。

【００４２】次に、公知の技術であるハンダボール法に
よりハンダボール６ａ，６ｂ，６ｃをサポート樹脂４
ａ，４ｂ，４ｃ上の露出した金属細線３に配置した後、
赤外線リフロー炉内で加熱しハンダボール６ａ，６ｂ，
６ｃと金属細線３とをそれぞれ溶融接合する。

【００４３】この接合により、半導体チップ１の入出力
信号線の電気的接続は、入出力信号用の電極群と金属細
線３とハンダボール６ａ，６ｂ，６ｃとを介してそれぞ
れ接続されることになる（図２（ｅ））。

【００４４】ハンダボール６ａ，６ｂ，６ｃが接合され
たパッケージを搭載したリードフレームは、それぞれの
インナーリード５がパッケージの側面から外部へ突き出
た個所で切断分離されて個々のパッケージとなる。

【００４５】上述のように形成されたハンダボール群を
有するパッケージは、これらのハンダボール６ａ，６
ｂ，６ｃを使用して、ＬＳＩ試験装置に実装され、搭載
された半導体チップ１の電気的特性試験を実施すること
によって良品を選別する。

【００４６】なお、本実施例では、インナリード５は互
いに平行に配列されたリードフレームを用いて説明した
が、必しも平行である必要はなく他の配列の場合も適用
可能である。しかし、ハンダボール群を直線的に規則正
しく配列するためには、平行リードのリードフレームの
方が容易である。

【００４７】次に、第２の実施例の主要部を示した図３
を参照すると、本実施例は第１の実施例の変形例であ
り、第１の実施例との相違点は、インナリードの拡張領
域５ａがそれぞれ両側に延長されて環状の１本に連結さ
れたことである。それ以外の構成要素は第１の実施例と
同様であるから同一の構成要素には同一の符号を付して
構成の説明は省略する。

【００４８】本実施例によれば、拡張領域５ａが４辺と
も連結されているので、インナリード間の水平位置がよ
り安定し、樹脂封止時にサポート樹脂群の頂上を同一面
上に揃えることが容易になる。

【００４９】また、本実施例では拡張領域５ａは１本に
連結されているが、４辺それぞれが独立して配設されて
もよいことは明らかである。

【００５０】さらに、拡張領域５ａ，５ｂ，５ｃはそれ
ぞれ連結されて１つの平板であってもよい。

【００５１】次に、第３の実施例の主要部を示した図４
を参照すると、本実施例も第１の実施例の変形例であ
り、第１の実施例との相違点は、インナリード５の位置
を半導体チップ１の高さよりも低い位置に配設し、拡張
領域５ａ，５ｂ，５ｃ上に配設されるサポート樹脂４
ａ，４ｂ，４ｃの高さを半導体チップ１の高さよりも高
く配設したことである。それ以外の構成要素は第１の実
施例と同様であるから同一の構成要素には同一の符号を
付して構成の説明は省略する。

【００５２】本実施例によれば、インナリード５はダイ
パッド２と同一平面上から半導体チップ１の高さまでの
範囲内で任意に設定することができ、第１の実施例同様
に金属細線３はサポート樹脂４ａ，４ｂ，４ｃの頂上部
分に確実に接触させることが可能であり、ハンダボール
６の形成を確実に実施することができる。さらに、金属
細線３のたるみを防止し、金属細線３が半導体チップ１
の角に接触するエッジタッチをも防止する。

【００５３】なお、本実施例と第２の実施例の組み合せ
でもよいことは明らかである。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように本発明のボールグリ
ッドアレイ型半導体装置およびその製造方法は、半導体
チップを搭載する金属材質のリードフレームのインナリ
ード群がそれぞれ半導体チップの厚みと同じかそれ以上
の高さに配設されかつそれぞれの両側が複数個所で幅広
く形成された拡張領域と、これら拡張領域上にそれぞれ
の高さが等しく形成されかつ金属細線を支持するサポー
ト樹脂群と、一端が半導体チップ上の複数の電極群から
配線されるとともにサポート樹脂群上面に接触しかつ跨
ぐ状態でそれぞれ拡張領域上に他端がボンディングされ
た金属細線群と、ボンディング後樹脂封止されたパッケ
ージ表面より開口され拡張領域上のボンディング個所か
ら金属細線を切断するホール群と、サポート樹脂表面に
露出した金属細線群に接合形成されるハンダボール群と
からなる構造を有するので、従来のように半導体チップ
の電極とハンダボール群とを樹脂基板を介して接続する
必要がなく、サポート樹脂表面に露出した金属細線群に
直接ハンダボール群を接合することにより、既存の製造
工程ラインから樹脂基板の製作加工、取付工程が不要と
なり製造コストを低減しかつハンダボール群の保持力を
強化した多ピン化に対応するボールグリッドアレイ型半
導体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明のボールグリッドアレイ型半導体
装置の第１の実施例の主要部を示した平面図である。 （ｂ）（ａ）図の切断線Ａ−Ａ′における断面図であ
る。

【図２】（ａ）本発明のボールグリッドアレイ型半導体
装置の製造方法におけるリードフレームに半導体チップ
を搭載した樹脂封止前の断面図である。 （ｂ）樹脂封止した状態の断面図である。 （ｃ）金属細線切断用のホールが開口された状態の断面
図である。 （ｄ）金属細線切断後にホールをポリマー樹脂で埋め戻
した状態の断面図である。 （ｅ）パッケージ表面の金属細線５にそれぞれハンダボ
ール群を接合した状態の断面図である。

【図３】本発明の第２の実施例の主要部を示した平面図
である。

【図４】本発明の第３の実施例の主要部を示した断面図
である。

【図５】従来のボールグリッドアレイ型半導体装置の一
例の断面図である。

【図６】（ａ）従来のボールグリッドアレイ型半導体装
置の他の例におけるハンダボール形成前の断面図であ
る。 （ｂ）ハンダボール形成後の断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体チップ ２ ダイパッド ３ 金属細線 ４ａ，４ｂ，４ｃ サポート樹脂 ５ インナリード ６，６ａ，６ｂ，６ｃ ハンダボール ７ 樹脂 ８ａ，８ｂ，８ｃ ホール ９ａ，９ｂ，９ｃ ポリマー樹脂 １０ ドリル １１ 基板 １２ スルーホール １３ 配線パターン １４ 電極 １５ ダミーの支持体

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 搭載した半導体チップの電極群に接続さ
   れる金属細線群を所定の引き出し手段によりそれぞれパ
   ケージ表面に露出させ、これら露出した金属細線にハン
   ダボールによる入出力端子を接合して形成するとともに
   これら全体をモールド樹脂により封止したボールグリッ
   ドアレイ型半導体装置において、前記半導体チップがリ
   ードフレームのダイパッドに搭載され、そのインナリー
   ド群が前記半導体チップの厚みと同じかそれ以上の高さ
   に配設されかつそれぞれの両側が複数個所で幅広く形成
   された拡張領域と、これら拡張領域上にそれぞれの高さ
   が等しく形成されかつ前記金属細線を支持するサポート
   樹脂群と、複数の前記電極群から配線されるとともに前
   記サポート樹脂上面に接触しかつ跨ぐ状態でそれぞれ固
   定された前記金属細線群と、前記サポート樹脂群上の前
   記金属細線群に溶融接合して形成されるハンダボール群
   とからなる構造を特徴とするボールグリッドアレイ型半
   導体装置。
2. 【請求項２】 前記引き出し手段は、前記モールド樹脂
   が前記サポート樹脂群上の前記金属細線群が露出する高
   さで前記半導体チップ表面上を樹脂封止する請求項１記
   載のボールグリッドアレイ型半導体装置。
3. 【請求項３】 前記サポート樹脂群は、前記拡張領域上
   の前記半導体チップ寄りの縁端部近傍に、少なくともそ
   の上面を跨ぐ前記金属細線が互に接触しない間隔を維持
   できる範囲内で細長く配設される請求項１記載のボール
   グリッドアレイ型半導体装置。
4. 【請求項４】 前記インナリード群の位置が前記半導体
   チップの高さよりも低く、かつ前記サポート樹脂の上面
   が前記半導体チップの高さよりも高くなるようにそれぞ
   れ設定される請求項１記載のボールグリッドアレイ型半
   導体装置。
5. 【請求項５】 前記インナリードごとに形成された複数
   の前記拡張領域のうち少なくとも１つが長手方向にそれ
   ぞれ延長されて隣接する前記インナリードの拡張領域と
   前記ダイパッド周辺の各辺ごとに１列または環状に連結
   されて形成される請求項１記載のボールグリッドアレイ
   型半導体装置。
6. 【請求項６】 搭載した半導体チップの電極群に接続さ
   れる金属細線を所定の引き出し手段によりそれぞれパケ
   ージ表面に露出させ、これら露出した金属細線にハンダ
   ボールによる入出力端子を接合して形成するとともに、
   これら全体をモールド樹脂により封止したボールグリッ
   ドアレイ型半導体装置の製造方法において、インナリー
   ド群が前記半導体チップの厚みと同じかそれ以上の高さ
   に配設されかつそれぞれの両側が複数個所で幅広く形成
   された拡張領域を前記インナリード群に形成させかつダ
   イパッド上に前記半導体チップを搭載したリードフレー
   ムであって、前記金属細線を維持するサポート樹脂群が
   前記拡張領域上にそれぞれの高さを揃えて形成される工
   程と、前記サポート樹脂群のそれぞれの上面に前記金属
   細線が接触しかつ跨ぐ状態で、前記電極が複数個ずつ同
   一の前記拡張領域の平面上にボンディングされる工程
   と、前記ボンディングされた工程後にモールド樹脂封止
   し、この樹脂封止後に前記封止樹脂表面からの開口によ
   って前記金属細線が前記ボンディング点の手前で切断さ
   れる工程と、前記切断後の前記開口が所定の絶縁性樹脂
   で埋め戻される工程と、前記封止樹脂表面に露出した前
   記金属細線に前記ハンダボール群が溶融接合で形成され
   る工程とからなることを特徴とするボールグリッドアレ
   イ型半導体装置の製造方法。