JPH01119045A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JPH01119045A
JPH01119045A JP62276670A JP27667087A JPH01119045A JP H01119045 A JPH01119045 A JP H01119045A JP 62276670 A JP62276670 A JP 62276670A JP 27667087 A JP27667087 A JP 27667087A JP H01119045 A JPH01119045 A JP H01119045A
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JP
Japan
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die pad
leads
lead frame
wiring substrate
frame
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Pending
Application number
JP62276670A
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English (en)
Inventor
Kazuo Ikenaga
池永 和夫
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH01119045A publication Critical patent/JPH01119045A/ja
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    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、混成集積回路装置(以下、ハイブリッドI
Cという)に利用されるリードフレームに関し、更に詳
しくは、両面実装された配線基板の装着を可能とするリ
ードフレームに係るものである。
[発明の概要] この発明は、基板面にチップ部品が搭載される配線基板
が貼設されるダイパットと、該ダイパットを支えるサポ
ートバーと、前記ダイパットの周囲に対向して配された
複数のリードとを有するリードフレームにおいて、 前記ダイパットに、その周縁部が基板取付枠となるよう
に孔を開設したことにより、 両面実装基板のハイブリッドICを製造するに際し、リ
ードフレームを用いてトランスファモー    ゛ルド
法にて製造することを可能となしたものである。
[従来の技術] 従来、この種のものとしては、特開昭61−24845
6号公報記載の発明がある。この従来例は、第4図に示
すように、素子を搭載するアイランド部(ダイパット)
1と、該アイランド部lの周囲にリードフレームから電
気的に独立して配置された少なくとも1個の部分フレー
ム4と、該部分フレーム4並びに前記アイランド部lを
取り囲んで配置された外部引出し端子2とを有し、絶縁
シート3をもって、少なくとも前記部分フレーム4を規
定の位置に保持させるようにしている。
また、リードフレームを用いたハイブリッドICとして
は、特開昭60−41249号公報記載の発明がある。
第5図に示すように、この従来例は、ベースリボン(リ
ードフレーム)5に絶縁層6を設け、更に絶縁層6に導
電体回路7を設けて半導体素子8を搭載し、しかる後に
樹脂モールド9を施して構成されている。
[発明が解決しようとする問題点コ しかしながら、これら従来例においては、以下に示すよ
うな問題点を有している。
即ち、両者ともリードフレームの一側面に回路が設けら
れた配線基板(絶縁層)が配置、貼設されるため、該配
線基板の接着面には、チップ部品を当然搭載することが
出来ず、所謂両面実装基板を取り付けることが出来ない
問題点を有している。
そのため、リードフレームを用いたハイブリッドICに
あっては、実装効率が低いという問題点を有していた。
本発明は、斯る従来の問題点に着目して創案されたもの
であって、ハイブリッドICの実装効率を高めると共に
、ひいては自動化実装を容易にするリードフレームを得
んとするものである。
[問題点を解決するための手段] そこで、本発明は、基板面にチップ部品が搭載される配
線基板が貼設されるダイパットと、該ダイパットを支え
るサポートバーと、前記ダイパットの周囲に対向して配
された複数のリードとを有するリードフレームにおいて
、前記ダイパットに、その周縁部が基板取付枠となるよ
うに孔を開設したことをその解決手段とじている。
[作用] 即ち、チップ部品が搭載される配線基板は、その周縁部
でダイパットに取り付けられ、該基板の取付は側表面の
中間部はダイパットに開設された孔内で露呈する。その
結果、両面実装された配線基板の取付けを可能にする。
[実施例] 以下、この発明に係るリードフレームの詳細を図面に示
す実施例に基づいて説明する。
第1図は、本実施例を示す斜視図である。同図中、10
はリードフレームであり、このリードフレームlOは、
長尺の金属テープの長手方向に所定間隔をもって多数の
フレーム部11が形成されている。このフレーム部11
は、図示するように、配線基板12が装着されるダイパ
ット13と、フレーム母板14に連結してダイパット1
3を支えるサポートパー15と、前記ダイパット13の
周囲に対向するように形成された複数のリード16〜1
6とから構成されている。
前記ダイパット13は、装着される配線基板12と大き
さ及びその輪郭形状を同一にし、中間部に孔17が開設
されている。また、ダイパット13の表面は、リード1
6の端部より低くなるようにされていて、配線基板12
を取り付けた状態で該基板12の表面とリード16表面
とが路面−となるように設定されている。さらに、リー
ド16〜16の夫々の先端部を結んだ線の形状は、配線
基板’12の輪郭と路間−のものであって、該リード1
6〜16の先端部で囲まれた空間に配線基板12を緊密
に収納できるようになっており、該リード16〜16の
先端部が配線基板12の位置決め機能を果たしている。
そのため、後記するモールド工程における基板12の位
置ズレを防止し、さらに、基板12側とり−ド16を結
ぶワイヤ等の破損を防止する。そして、ダイパット13
の四方に形成されたリード16〜16の中間部どうしは
、タイバー19が横架、形成されていて、モールド部2
0がトランスファモールドされる場合に、当該タイバー
19は型内に注入される樹脂の流出を防止する。
なお、第2図が示すように、配線基板12は、前記ダイ
パット13に孔17が開設されているため、両側面に各
種チップ部品18が実装されたものを用いている。
斯る構成リードフレームIOの製造方法は、例えば鉄−
ニッケルでなる帯状板にグイパット13゜リード16な
どを残すようにカッティングやエツチング等が施されて
行なわれ、さらに、グイパット13とリード16とに段
差を付けるためにプレス加工が行なわれる。なお、前記
カッティングを行う場合、同時にプレス加工を施しても
よい。
次に、このリードフレームlOを用いて、ハイブリッド
ICを製造する方法について説明する。
先ず、予めチップ部品18が両側面に実装されている配
線基板12を、ダイパット13に接着する。次に、該基
板12側とり−ド16とにワイヤボンディングを行う。
さらに、リードフレームIOの上下方向から一対の成型
金型を型合わせする。
次に、粉末状またはタブレット状の例えばエポキシ、シ
リコーンなどの樹脂を温度と圧力をかけて溶融させ、粘
度の低い状態にして金型内に注入し、樹脂を固化させる
(トランスファーモールド法)。
次に、カッティング工程でフレーム母板14からハイブ
リッドICは切り取られると共に、タイバー19.サポ
ートパー15などがカッティング又はエツチングされる
。さらに、モールド部20の四周より延在するリード1
6を取付け、接続に適するように折り曲げてハイブリッ
ドICの完成品が得られる。
第3図は、本発明に係るリードフレーム10の他の実施
例を示している。この実施例にあっては、ダイパット1
3をリードフレームIOの幅方向両側を夫々2本のサポ
ートパー15でフレーム母板14に支持しており、フレ
ーム長手方向の両側にリード16〜16が夫々配置され
ている。なお、他の構成については、上記実施例と同様
の構成である。
以上、両実施例について説明したが、本発明にあっては
、この他各種の設計変更が可能であり、例えば、上記両
実施例においては、ダイパット13がリード16とい段
差を有し、取り付けた基板12とリード!6の表面が路
面−となるように設定して、ワイヤボンディングの作業
性を向上させた構成としているが、ダイパット13とリ
ード16とが同一平面を形成するようにしても勿論よく
、両面実装基板の取付けを可能とする利益を得ることは
同様である また、グイパット13には片面実装基板を取り付けるこ
とも勿論可能であり、この場合、チップ部品18の高さ
に応じて、グイパット13とリード16の段差寸法を設
定することにより、モールド部の中立位置にチップ部品
18を位置させることが可能である。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明に係るリードフ
レームにあっては、ダイパットに孔が開設されたことに
より、両面実装基板を取り付けることが可能となり、ハ
イブリッドICの実装効率を飛躍的に高める効果がある
また、ダイパットとリードとに段差を設けしかもリード
先端が配線基板の位置決めを果たすように構成すれば、
実装自動化を容易にすると共に、モールド工程における
基板の位置ズレ、ボンディングワイヤの破損を防止出来
る効果がある。特に、モールド樹脂の融点がワイヤボン
ディングに供される半田の融点に近づく程、基板の位置
ズレ等による応力発生を防止する必要があり、この点で
ボンディングワイヤの破損1M脱を有効に防止する効果
がある。
サラに、このようにリードフレームを用いてハイブリッ
ドICをトタンスファモールド法で製造可能としたこと
により、ペアチップの使用が可能となり、工程数を減少
させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るリードフレームの実施例を示す斜
視図、第2図はリードフレームを用いて製造されたハイ
ブリッドICを示す断面図、第3図は本発明に係る他の
゛実施例を示す斜視図、第4図は従来例を示す平面図、
第5図は他の従来例を示す断面図である。 lO・・・リードフレーム、12・・・配線展板、1゛
3・・・ダイパット、15・・・サポートバー、16・
・・リード、17・・・孔、18・・・チップ部品。 往来す)2示す平面図 第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  基板面にチップ部品が搭載される配線基板が貼設され
    るダイパットと、該ダイパットを支えるサポートバーと
    、前記ダイパットの周囲に対向して配された複数のリー
    ドとを有するリードフレームにおいて、 前記ダイパットに、その周縁部が基板取付枠となるよう
    に孔を開設したことを特徴とするリードフレーム。
JP62276670A 1987-10-31 1987-10-31 リードフレーム Pending JPH01119045A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02305456A (ja) * 1989-05-19 1990-12-19 Sanyo Electric Co Ltd リードフレームとその加工方法、および半導体装置の製法
US5615475A (en) * 1995-01-30 1997-04-01 Staktek Corporation Method of manufacturing an integrated package having a pair of die on a common lead frame

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02305456A (ja) * 1989-05-19 1990-12-19 Sanyo Electric Co Ltd リードフレームとその加工方法、および半導体装置の製法
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