JPH01119045A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH01119045A JPH01119045A JP62276670A JP27667087A JPH01119045A JP H01119045 A JPH01119045 A JP H01119045A JP 62276670 A JP62276670 A JP 62276670A JP 27667087 A JP27667087 A JP 27667087A JP H01119045 A JPH01119045 A JP H01119045A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、混成集積回路装置(以下、ハイブリッドI
Cという)に利用されるリードフレームに関し、更に詳
しくは、両面実装された配線基板の装着を可能とするリ
ードフレームに係るものである。
Cという)に利用されるリードフレームに関し、更に詳
しくは、両面実装された配線基板の装着を可能とするリ
ードフレームに係るものである。
[発明の概要]
この発明は、基板面にチップ部品が搭載される配線基板
が貼設されるダイパットと、該ダイパットを支えるサポ
ートバーと、前記ダイパットの周囲に対向して配された
複数のリードとを有するリードフレームにおいて、 前記ダイパットに、その周縁部が基板取付枠となるよう
に孔を開設したことにより、 両面実装基板のハイブリッドICを製造するに際し、リ
ードフレームを用いてトランスファモー ゛ルド
法にて製造することを可能となしたものである。
が貼設されるダイパットと、該ダイパットを支えるサポ
ートバーと、前記ダイパットの周囲に対向して配された
複数のリードとを有するリードフレームにおいて、 前記ダイパットに、その周縁部が基板取付枠となるよう
に孔を開設したことにより、 両面実装基板のハイブリッドICを製造するに際し、リ
ードフレームを用いてトランスファモー ゛ルド
法にて製造することを可能となしたものである。
[従来の技術]
従来、この種のものとしては、特開昭61−24845
6号公報記載の発明がある。この従来例は、第4図に示
すように、素子を搭載するアイランド部(ダイパット)
1と、該アイランド部lの周囲にリードフレームから電
気的に独立して配置された少なくとも1個の部分フレー
ム4と、該部分フレーム4並びに前記アイランド部lを
取り囲んで配置された外部引出し端子2とを有し、絶縁
シート3をもって、少なくとも前記部分フレーム4を規
定の位置に保持させるようにしている。
6号公報記載の発明がある。この従来例は、第4図に示
すように、素子を搭載するアイランド部(ダイパット)
1と、該アイランド部lの周囲にリードフレームから電
気的に独立して配置された少なくとも1個の部分フレー
ム4と、該部分フレーム4並びに前記アイランド部lを
取り囲んで配置された外部引出し端子2とを有し、絶縁
シート3をもって、少なくとも前記部分フレーム4を規
定の位置に保持させるようにしている。
また、リードフレームを用いたハイブリッドICとして
は、特開昭60−41249号公報記載の発明がある。
は、特開昭60−41249号公報記載の発明がある。
第5図に示すように、この従来例は、ベースリボン(リ
ードフレーム)5に絶縁層6を設け、更に絶縁層6に導
電体回路7を設けて半導体素子8を搭載し、しかる後に
樹脂モールド9を施して構成されている。
ードフレーム)5に絶縁層6を設け、更に絶縁層6に導
電体回路7を設けて半導体素子8を搭載し、しかる後に
樹脂モールド9を施して構成されている。
[発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら、これら従来例においては、以下に示すよ
うな問題点を有している。
うな問題点を有している。
即ち、両者ともリードフレームの一側面に回路が設けら
れた配線基板(絶縁層)が配置、貼設されるため、該配
線基板の接着面には、チップ部品を当然搭載することが
出来ず、所謂両面実装基板を取り付けることが出来ない
問題点を有している。
れた配線基板(絶縁層)が配置、貼設されるため、該配
線基板の接着面には、チップ部品を当然搭載することが
出来ず、所謂両面実装基板を取り付けることが出来ない
問題点を有している。
そのため、リードフレームを用いたハイブリッドICに
あっては、実装効率が低いという問題点を有していた。
あっては、実装効率が低いという問題点を有していた。
本発明は、斯る従来の問題点に着目して創案されたもの
であって、ハイブリッドICの実装効率を高めると共に
、ひいては自動化実装を容易にするリードフレームを得
んとするものである。
であって、ハイブリッドICの実装効率を高めると共に
、ひいては自動化実装を容易にするリードフレームを得
んとするものである。
[問題点を解決するための手段]
そこで、本発明は、基板面にチップ部品が搭載される配
線基板が貼設されるダイパットと、該ダイパットを支え
るサポートバーと、前記ダイパットの周囲に対向して配
された複数のリードとを有するリードフレームにおいて
、前記ダイパットに、その周縁部が基板取付枠となるよ
うに孔を開設したことをその解決手段とじている。
線基板が貼設されるダイパットと、該ダイパットを支え
るサポートバーと、前記ダイパットの周囲に対向して配
された複数のリードとを有するリードフレームにおいて
、前記ダイパットに、その周縁部が基板取付枠となるよ
うに孔を開設したことをその解決手段とじている。
[作用]
即ち、チップ部品が搭載される配線基板は、その周縁部
でダイパットに取り付けられ、該基板の取付は側表面の
中間部はダイパットに開設された孔内で露呈する。その
結果、両面実装された配線基板の取付けを可能にする。
でダイパットに取り付けられ、該基板の取付は側表面の
中間部はダイパットに開設された孔内で露呈する。その
結果、両面実装された配線基板の取付けを可能にする。
[実施例]
以下、この発明に係るリードフレームの詳細を図面に示
す実施例に基づいて説明する。
す実施例に基づいて説明する。
第1図は、本実施例を示す斜視図である。同図中、10
はリードフレームであり、このリードフレームlOは、
長尺の金属テープの長手方向に所定間隔をもって多数の
フレーム部11が形成されている。このフレーム部11
は、図示するように、配線基板12が装着されるダイパ
ット13と、フレーム母板14に連結してダイパット1
3を支えるサポートパー15と、前記ダイパット13の
周囲に対向するように形成された複数のリード16〜1
6とから構成されている。
はリードフレームであり、このリードフレームlOは、
長尺の金属テープの長手方向に所定間隔をもって多数の
フレーム部11が形成されている。このフレーム部11
は、図示するように、配線基板12が装着されるダイパ
ット13と、フレーム母板14に連結してダイパット1
3を支えるサポートパー15と、前記ダイパット13の
周囲に対向するように形成された複数のリード16〜1
6とから構成されている。
前記ダイパット13は、装着される配線基板12と大き
さ及びその輪郭形状を同一にし、中間部に孔17が開設
されている。また、ダイパット13の表面は、リード1
6の端部より低くなるようにされていて、配線基板12
を取り付けた状態で該基板12の表面とリード16表面
とが路面−となるように設定されている。さらに、リー
ド16〜16の夫々の先端部を結んだ線の形状は、配線
基板’12の輪郭と路間−のものであって、該リード1
6〜16の先端部で囲まれた空間に配線基板12を緊密
に収納できるようになっており、該リード16〜16の
先端部が配線基板12の位置決め機能を果たしている。
さ及びその輪郭形状を同一にし、中間部に孔17が開設
されている。また、ダイパット13の表面は、リード1
6の端部より低くなるようにされていて、配線基板12
を取り付けた状態で該基板12の表面とリード16表面
とが路面−となるように設定されている。さらに、リー
ド16〜16の夫々の先端部を結んだ線の形状は、配線
基板’12の輪郭と路間−のものであって、該リード1
6〜16の先端部で囲まれた空間に配線基板12を緊密
に収納できるようになっており、該リード16〜16の
先端部が配線基板12の位置決め機能を果たしている。
そのため、後記するモールド工程における基板12の位
置ズレを防止し、さらに、基板12側とり−ド16を結
ぶワイヤ等の破損を防止する。そして、ダイパット13
の四方に形成されたリード16〜16の中間部どうしは
、タイバー19が横架、形成されていて、モールド部2
0がトランスファモールドされる場合に、当該タイバー
19は型内に注入される樹脂の流出を防止する。
置ズレを防止し、さらに、基板12側とり−ド16を結
ぶワイヤ等の破損を防止する。そして、ダイパット13
の四方に形成されたリード16〜16の中間部どうしは
、タイバー19が横架、形成されていて、モールド部2
0がトランスファモールドされる場合に、当該タイバー
19は型内に注入される樹脂の流出を防止する。
なお、第2図が示すように、配線基板12は、前記ダイ
パット13に孔17が開設されているため、両側面に各
種チップ部品18が実装されたものを用いている。
パット13に孔17が開設されているため、両側面に各
種チップ部品18が実装されたものを用いている。
斯る構成リードフレームIOの製造方法は、例えば鉄−
ニッケルでなる帯状板にグイパット13゜リード16な
どを残すようにカッティングやエツチング等が施されて
行なわれ、さらに、グイパット13とリード16とに段
差を付けるためにプレス加工が行なわれる。なお、前記
カッティングを行う場合、同時にプレス加工を施しても
よい。
ニッケルでなる帯状板にグイパット13゜リード16な
どを残すようにカッティングやエツチング等が施されて
行なわれ、さらに、グイパット13とリード16とに段
差を付けるためにプレス加工が行なわれる。なお、前記
カッティングを行う場合、同時にプレス加工を施しても
よい。
次に、このリードフレームlOを用いて、ハイブリッド
ICを製造する方法について説明する。
ICを製造する方法について説明する。
先ず、予めチップ部品18が両側面に実装されている配
線基板12を、ダイパット13に接着する。次に、該基
板12側とり−ド16とにワイヤボンディングを行う。
線基板12を、ダイパット13に接着する。次に、該基
板12側とり−ド16とにワイヤボンディングを行う。
さらに、リードフレームIOの上下方向から一対の成型
金型を型合わせする。
金型を型合わせする。
次に、粉末状またはタブレット状の例えばエポキシ、シ
リコーンなどの樹脂を温度と圧力をかけて溶融させ、粘
度の低い状態にして金型内に注入し、樹脂を固化させる
(トランスファーモールド法)。
リコーンなどの樹脂を温度と圧力をかけて溶融させ、粘
度の低い状態にして金型内に注入し、樹脂を固化させる
(トランスファーモールド法)。
次に、カッティング工程でフレーム母板14からハイブ
リッドICは切り取られると共に、タイバー19.サポ
ートパー15などがカッティング又はエツチングされる
。さらに、モールド部20の四周より延在するリード1
6を取付け、接続に適するように折り曲げてハイブリッ
ドICの完成品が得られる。
リッドICは切り取られると共に、タイバー19.サポ
ートパー15などがカッティング又はエツチングされる
。さらに、モールド部20の四周より延在するリード1
6を取付け、接続に適するように折り曲げてハイブリッ
ドICの完成品が得られる。
第3図は、本発明に係るリードフレーム10の他の実施
例を示している。この実施例にあっては、ダイパット1
3をリードフレームIOの幅方向両側を夫々2本のサポ
ートパー15でフレーム母板14に支持しており、フレ
ーム長手方向の両側にリード16〜16が夫々配置され
ている。なお、他の構成については、上記実施例と同様
の構成である。
例を示している。この実施例にあっては、ダイパット1
3をリードフレームIOの幅方向両側を夫々2本のサポ
ートパー15でフレーム母板14に支持しており、フレ
ーム長手方向の両側にリード16〜16が夫々配置され
ている。なお、他の構成については、上記実施例と同様
の構成である。
以上、両実施例について説明したが、本発明にあっては
、この他各種の設計変更が可能であり、例えば、上記両
実施例においては、ダイパット13がリード16とい段
差を有し、取り付けた基板12とリード!6の表面が路
面−となるように設定して、ワイヤボンディングの作業
性を向上させた構成としているが、ダイパット13とリ
ード16とが同一平面を形成するようにしても勿論よく
、両面実装基板の取付けを可能とする利益を得ることは
同様である また、グイパット13には片面実装基板を取り付けるこ
とも勿論可能であり、この場合、チップ部品18の高さ
に応じて、グイパット13とリード16の段差寸法を設
定することにより、モールド部の中立位置にチップ部品
18を位置させることが可能である。
、この他各種の設計変更が可能であり、例えば、上記両
実施例においては、ダイパット13がリード16とい段
差を有し、取り付けた基板12とリード!6の表面が路
面−となるように設定して、ワイヤボンディングの作業
性を向上させた構成としているが、ダイパット13とリ
ード16とが同一平面を形成するようにしても勿論よく
、両面実装基板の取付けを可能とする利益を得ることは
同様である また、グイパット13には片面実装基板を取り付けるこ
とも勿論可能であり、この場合、チップ部品18の高さ
に応じて、グイパット13とリード16の段差寸法を設
定することにより、モールド部の中立位置にチップ部品
18を位置させることが可能である。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明に係るリードフ
レームにあっては、ダイパットに孔が開設されたことに
より、両面実装基板を取り付けることが可能となり、ハ
イブリッドICの実装効率を飛躍的に高める効果がある
。
レームにあっては、ダイパットに孔が開設されたことに
より、両面実装基板を取り付けることが可能となり、ハ
イブリッドICの実装効率を飛躍的に高める効果がある
。
また、ダイパットとリードとに段差を設けしかもリード
先端が配線基板の位置決めを果たすように構成すれば、
実装自動化を容易にすると共に、モールド工程における
基板の位置ズレ、ボンディングワイヤの破損を防止出来
る効果がある。特に、モールド樹脂の融点がワイヤボン
ディングに供される半田の融点に近づく程、基板の位置
ズレ等による応力発生を防止する必要があり、この点で
ボンディングワイヤの破損1M脱を有効に防止する効果
がある。
先端が配線基板の位置決めを果たすように構成すれば、
実装自動化を容易にすると共に、モールド工程における
基板の位置ズレ、ボンディングワイヤの破損を防止出来
る効果がある。特に、モールド樹脂の融点がワイヤボン
ディングに供される半田の融点に近づく程、基板の位置
ズレ等による応力発生を防止する必要があり、この点で
ボンディングワイヤの破損1M脱を有効に防止する効果
がある。
サラに、このようにリードフレームを用いてハイブリッ
ドICをトタンスファモールド法で製造可能としたこと
により、ペアチップの使用が可能となり、工程数を減少
させる効果がある。
ドICをトタンスファモールド法で製造可能としたこと
により、ペアチップの使用が可能となり、工程数を減少
させる効果がある。
第1図は本発明に係るリードフレームの実施例を示す斜
視図、第2図はリードフレームを用いて製造されたハイ
ブリッドICを示す断面図、第3図は本発明に係る他の
゛実施例を示す斜視図、第4図は従来例を示す平面図、
第5図は他の従来例を示す断面図である。 lO・・・リードフレーム、12・・・配線展板、1゛
3・・・ダイパット、15・・・サポートバー、16・
・・リード、17・・・孔、18・・・チップ部品。 往来す)2示す平面図 第4図 第5図
視図、第2図はリードフレームを用いて製造されたハイ
ブリッドICを示す断面図、第3図は本発明に係る他の
゛実施例を示す斜視図、第4図は従来例を示す平面図、
第5図は他の従来例を示す断面図である。 lO・・・リードフレーム、12・・・配線展板、1゛
3・・・ダイパット、15・・・サポートバー、16・
・・リード、17・・・孔、18・・・チップ部品。 往来す)2示す平面図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板面にチップ部品が搭載される配線基板が貼設され
るダイパットと、該ダイパットを支えるサポートバーと
、前記ダイパットの周囲に対向して配された複数のリー
ドとを有するリードフレームにおいて、 前記ダイパットに、その周縁部が基板取付枠となるよう
に孔を開設したことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62276670A JPH01119045A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62276670A JPH01119045A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01119045A true JPH01119045A (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=17572679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62276670A Pending JPH01119045A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01119045A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02305456A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレームとその加工方法、および半導体装置の製法 |
US5615475A (en) * | 1995-01-30 | 1997-04-01 | Staktek Corporation | Method of manufacturing an integrated package having a pair of die on a common lead frame |
-
1987
- 1987-10-31 JP JP62276670A patent/JPH01119045A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02305456A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレームとその加工方法、および半導体装置の製法 |
US5615475A (en) * | 1995-01-30 | 1997-04-01 | Staktek Corporation | Method of manufacturing an integrated package having a pair of die on a common lead frame |
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