JP2000323641A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子が高集積化し、多ピンとなった場
合、インナーリード部の幅の形成には限界があり、また
インナーリード部の数が多くなるため、製造上の課題が
多かった。 【解決手段】 リードフレームは、少なくとも第１のイ
ンナーリード部１３上に第２のインナーリード部１７が
積層接着されたインナーリード部を有し、半導体素子を
支持、搭載するダイパッド部１１と、第１のインナーリ
ード部１３、第２のインナーリード部１７とそれぞれ接
続し、外部端子を構成する屈曲部を有して互いに重なり
合わない第１のアウターリード部１４と第２のアウター
リード部１８とを有し、インナーリード部が２段構成で
接続パッドを有した多ピンのリードフレームを既存の設
備、リードフレームを用いて実現できる。
合、インナーリード部の幅の形成には限界があり、また
インナーリード部の数が多くなるため、製造上の課題が
多かった。 【解決手段】 リードフレームは、少なくとも第１のイ
ンナーリード部１３上に第２のインナーリード部１７が
積層接着されたインナーリード部を有し、半導体素子を
支持、搭載するダイパッド部１１と、第１のインナーリ
ード部１３、第２のインナーリード部１７とそれぞれ接
続し、外部端子を構成する屈曲部を有して互いに重なり
合わない第１のアウターリード部１４と第２のアウター
リード部１８とを有し、インナーリード部が２段構成で
接続パッドを有した多ピンのリードフレームを既存の設
備、リードフレームを用いて実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無理な狭ピッチの
リードを用いずに、多ピン化に対応できるリードフレー
ムおよびその製造方法に関するものであり、特に既存品
種のリードフレームを用い、ワイヤボンドに好適な積層
型のリードフレームおよびその製造方法に関するもので
ある。
リードを用いずに、多ピン化に対応できるリードフレー
ムおよびその製造方法に関するものであり、特に既存品
種のリードフレームを用い、ワイヤボンドに好適な積層
型のリードフレームおよびその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。
するリードフレームについて説明する。
【０００４】図１４は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図１４に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。
示す平面図である。図１４に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。
【０００５】なお、リードフレームは、図１４に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１５は、図１４に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
説明する。図１５は、図１４に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【０００７】図１５に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図１６に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図１５
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図１６において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。
は、図１６に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図１５
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図１６において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部の幅の形成には限界があ
り、多ピンに対応しようとする場合は、インナーリード
部の数が多くなるため、リードフレーム自体が大きくな
り、結果として樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要
望される小型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現でき
ないという課題があった。また、半導体素子の多ピン対
応としてリードフレームのサイズを変更せず、インナー
リード部を増加させる場合は、１本当たりのインナーリ
ード部の幅を細くしなければならず、リードフレーム形
成のエッチング等の加工で課題が多くなってしまう。
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部の幅の形成には限界があ
り、多ピンに対応しようとする場合は、インナーリード
部の数が多くなるため、リードフレーム自体が大きくな
り、結果として樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要
望される小型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現でき
ないという課題があった。また、半導体素子の多ピン対
応としてリードフレームのサイズを変更せず、インナー
リード部を増加させる場合は、１本当たりのインナーリ
ード部の幅を細くしなければならず、リードフレーム形
成のエッチング等の加工で課題が多くなってしまう。
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。また、
ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導体装置は、配線基板
を用いているため、コスト的に高価となるという課題が
ある。
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。また、
ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導体装置は、配線基板
を用いているため、コスト的に高価となるという課題が
ある。
【００１１】さらに近年では特開平０２−２０９７６０
号公報に示されるようなインナーリード部を積層して多
重構成とし、アウターリード部を平面的に配列するよう
な発明が公表されているが、特開平０２−２０９７６０
号公報に示される発明は、インナーリード部、ダムバー
を積層して配置する構成であり、またアウターリード部
は直線状のストレート形状である。そのためアウターリ
ード部のピッチは大きいものであり、結果としてアウタ
ーリード部１本当たりの幅を細くしなければならず、リ
ードフレーム形成のエッチング等の加工で課題は解決さ
れない。また、通常のリードフレームを用いて必要に応
じて多層のインナーリード部を有するリードフレームを
構成する発想はなく、汎用性が低い構成であり、既存の
リードフレーム等の部材、既存設備を利用することはで
きないため、設備投資、新規なリードフレーム設計の必
要性が生じ、コストが高くなってしまうという課題があ
る。
号公報に示されるようなインナーリード部を積層して多
重構成とし、アウターリード部を平面的に配列するよう
な発明が公表されているが、特開平０２−２０９７６０
号公報に示される発明は、インナーリード部、ダムバー
を積層して配置する構成であり、またアウターリード部
は直線状のストレート形状である。そのためアウターリ
ード部のピッチは大きいものであり、結果としてアウタ
ーリード部１本当たりの幅を細くしなければならず、リ
ードフレーム形成のエッチング等の加工で課題は解決さ
れない。また、通常のリードフレームを用いて必要に応
じて多層のインナーリード部を有するリードフレームを
構成する発想はなく、汎用性が低い構成であり、既存の
リードフレーム等の部材、既存設備を利用することはで
きないため、設備投資、新規なリードフレーム設計の必
要性が生じ、コストが高くなってしまうという課題があ
る。
【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、特にインナーリード部間のピッチを無理に狭ピッ
チとすることなく、多ピン化に対応でき、既存技術を利
用して低コストで実現できるリードフレームを実現する
ことを目的とするものである。
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、特にインナーリード部間のピッチを無理に狭ピッ
チとすることなく、多ピン化に対応でき、既存技術を利
用して低コストで実現できるリードフレームを実現する
ことを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームは、金属板よりなる
メインフレーム本体と、前記メインフレーム本体の領域
内の開口領域に配設され、その先端部で半導体素子を搭
載するダイパッド部を支持し、末端部で前記メインフレ
ーム枠に接続した吊りリード部と、前記ダイパッド部に
その先端部が延在して配置された第１のインナーリード
部と、前記第１のインナーリード部と接続し、末端部が
前記メインフレーム枠と接続した第１のアウターリード
部とよりなるメインリードフレームと、前記メインフレ
ーム本体と形状、寸法が一致した金属板よりなり、前記
メインフレーム本体と積層されたサブフレーム本体と、
前記サブフレーム本体の領域内の開口領域に配設され、
前記第１のインナーリード部上に積層配置され、その形
状、幅寸法を一致させ、長さ自体が前記第１のインナー
リード部よりも短い構成の第２のインナーリード部と、
前記第２のインナーリード部と接続し、末端部が前記サ
ブフレーム枠と接続した第２のアウターリード部を有す
るサブリードフレームとよりなるリードフレームであっ
て、前記第１、第２の両インナーリード部の先端部が、
距離的、面積的にワイヤーボンドに支障をきたさない配
置を有しているリードフレームである。
るために、本発明のリードフレームは、金属板よりなる
メインフレーム本体と、前記メインフレーム本体の領域
内の開口領域に配設され、その先端部で半導体素子を搭
載するダイパッド部を支持し、末端部で前記メインフレ
ーム枠に接続した吊りリード部と、前記ダイパッド部に
その先端部が延在して配置された第１のインナーリード
部と、前記第１のインナーリード部と接続し、末端部が
前記メインフレーム枠と接続した第１のアウターリード
部とよりなるメインリードフレームと、前記メインフレ
ーム本体と形状、寸法が一致した金属板よりなり、前記
メインフレーム本体と積層されたサブフレーム本体と、
前記サブフレーム本体の領域内の開口領域に配設され、
前記第１のインナーリード部上に積層配置され、その形
状、幅寸法を一致させ、長さ自体が前記第１のインナー
リード部よりも短い構成の第２のインナーリード部と、
前記第２のインナーリード部と接続し、末端部が前記サ
ブフレーム枠と接続した第２のアウターリード部を有す
るサブリードフレームとよりなるリードフレームであっ
て、前記第１、第２の両インナーリード部の先端部が、
距離的、面積的にワイヤーボンドに支障をきたさない配
置を有しているリードフレームである。
【００１４】具体的には、第１のアウターリード部は屈
曲部を有し、第２のアウターリード部は前記第１のアウ
ターリード部と反対方向に引き回す屈曲部を有し、それ
らアウターリード部どうしが重なることなく、平面的に
並列で配置しているリードフレームである。
曲部を有し、第２のアウターリード部は前記第１のアウ
ターリード部と反対方向に引き回す屈曲部を有し、それ
らアウターリード部どうしが重なることなく、平面的に
並列で配置しているリードフレームである。
【００１５】また、第１のインナーリード部の先端部と
第２のインナーリード部の先端との間は１００［μｍ］
の距離を有して前記第１のインナーリード部の先端部を
露出させて、前記第１のインナーリード部上に第２のイ
ンナーリード部を積層配置されているリードフレームで
ある。
第２のインナーリード部の先端との間は１００［μｍ］
の距離を有して前記第１のインナーリード部の先端部を
露出させて、前記第１のインナーリード部上に第２のイ
ンナーリード部を積層配置されているリードフレームで
ある。
【００１６】本発明のリードフレームの製造方法は、金
属板よりなるメインフレーム本体と、前記メインフレー
ム本体の領域内の開口領域に配設され、ダイパッド部を
支持し、末端部で前記メインフレーム枠に接続した吊り
リード部と、前記ダイパッド部にその先端部が延在して
配置された第１のインナーリード部と、前記インナーリ
ード部と接続し、末端部が前記メインフレーム枠と接続
した第１のアウターリード部とよりなるメインリードフ
レームを用意する工程と、前記メインフレーム本体と形
状、寸法が一致した金属板よりなるサブフレーム本体
と、前記サブフレーム本体の領域内の開口領域に配設さ
れ、前記第１のリードフレームの前記第１のインナーリ
ード部と形状、幅寸法を一致させて配置した第２のイン
ナーリード部と、前記第２のインナーリード部と接続
し、末端部が前記サブフレーム枠と接続した第２のアウ
ターリード部とよりなるサブリードフレームを用意する
工程と、用意した前記メインリードフレームと前記サブ
リードフレームとをそれぞれの第１のインナーリード部
と第２のインナーリード部とを一致させて積層し、少な
くとも第１のインナーリード部と第２のインナーリード
部とを絶縁性接着剤を介して接着して一体化し、金属板
よりなるメインフレーム本体と、前記メインフレーム本
体の領域内の開口領域に配設され、その先端部で半導体
素子を搭載するダイパッド部を支持し、末端部で前記メ
インフレーム枠に接続した吊りリード部と、前記ダイパ
ッド部にその先端部が延在して配置された第１のインナ
ーリード部と、前記第１のインナーリード部と接続し、
末端部が前記メインフレーム枠と接続した第１のアウタ
ーリード部とよりなるメインリードフレームと、前記メ
インフレーム本体と形状、寸法が一致した金属板よりな
り、前記メインフレーム本体と積層されたサブフレーム
本体と、前記サブフレーム本体の領域内の開口領域に配
設され、前記第１のインナーリード部上に積層配置さ
れ、その形状、幅寸法を一致させ、長さ自体が前記第１
のインナーリード部よりも短い構成の第２のインナーリ
ード部と、前記第２のインナーリード部と接続し、末端
部が前記サブフレーム枠と接続した第２のアウターリー
ド部を有し、前記第１、第２の両インナーリード部の先
端部が、距離的、面積的にワイヤーボンドに支障をきた
さない配置を有しているリードフレームを得る工程とよ
りなるリードフレームの製造方法である。
属板よりなるメインフレーム本体と、前記メインフレー
ム本体の領域内の開口領域に配設され、ダイパッド部を
支持し、末端部で前記メインフレーム枠に接続した吊り
リード部と、前記ダイパッド部にその先端部が延在して
配置された第１のインナーリード部と、前記インナーリ
ード部と接続し、末端部が前記メインフレーム枠と接続
した第１のアウターリード部とよりなるメインリードフ
レームを用意する工程と、前記メインフレーム本体と形
状、寸法が一致した金属板よりなるサブフレーム本体
と、前記サブフレーム本体の領域内の開口領域に配設さ
れ、前記第１のリードフレームの前記第１のインナーリ
ード部と形状、幅寸法を一致させて配置した第２のイン
ナーリード部と、前記第２のインナーリード部と接続
し、末端部が前記サブフレーム枠と接続した第２のアウ
ターリード部とよりなるサブリードフレームを用意する
工程と、用意した前記メインリードフレームと前記サブ
リードフレームとをそれぞれの第１のインナーリード部
と第２のインナーリード部とを一致させて積層し、少な
くとも第１のインナーリード部と第２のインナーリード
部とを絶縁性接着剤を介して接着して一体化し、金属板
よりなるメインフレーム本体と、前記メインフレーム本
体の領域内の開口領域に配設され、その先端部で半導体
素子を搭載するダイパッド部を支持し、末端部で前記メ
インフレーム枠に接続した吊りリード部と、前記ダイパ
ッド部にその先端部が延在して配置された第１のインナ
ーリード部と、前記第１のインナーリード部と接続し、
末端部が前記メインフレーム枠と接続した第１のアウタ
ーリード部とよりなるメインリードフレームと、前記メ
インフレーム本体と形状、寸法が一致した金属板よりな
り、前記メインフレーム本体と積層されたサブフレーム
本体と、前記サブフレーム本体の領域内の開口領域に配
設され、前記第１のインナーリード部上に積層配置さ
れ、その形状、幅寸法を一致させ、長さ自体が前記第１
のインナーリード部よりも短い構成の第２のインナーリ
ード部と、前記第２のインナーリード部と接続し、末端
部が前記サブフレーム枠と接続した第２のアウターリー
ド部を有し、前記第１、第２の両インナーリード部の先
端部が、距離的、面積的にワイヤーボンドに支障をきた
さない配置を有しているリードフレームを得る工程とよ
りなるリードフレームの製造方法である。
【００１７】具体的には、メインリードフレームを用意
する工程は、第１のアウターリード部に屈曲部を有して
いるメインリードフレームを用意し、サブリードフレー
ムを用意する工程は、第２のアウターリード部に前記第
１のアウターリード部と反対方向に引き回す屈曲部を有
しているサブリードフレームを用意し、それらアウター
リード部どうしが重なることなく、平面的に並列で配置
されるリードフレームを得るリードフレームの製造方法
である。
する工程は、第１のアウターリード部に屈曲部を有して
いるメインリードフレームを用意し、サブリードフレー
ムを用意する工程は、第２のアウターリード部に前記第
１のアウターリード部と反対方向に引き回す屈曲部を有
しているサブリードフレームを用意し、それらアウター
リード部どうしが重なることなく、平面的に並列で配置
されるリードフレームを得るリードフレームの製造方法
である。
【００１８】前記構成の通り、本発明のリードフレーム
は、既存の品種のメインリードフレームに対して、メイ
ンリードフレームの形状、寸法に合致したもう１枚のサ
ブリードフレームを積層して２層のインナーリード部を
構成するリードフレームを構成するため、新規な設備投
資や開発設計投資を必要とせず、既存技術、設備を利用
して低コストで実現できるものである。そしてタイバー
に加えてフレーム枠をも共通とし、互いに重なり合う構
成のインナーリード部と、屈曲部を有して互いに重なり
合わないアウターリード部とを有した２種類のフレーム
体の積層構造により構成された多ピン対応のリードフレ
ームを実現できるものである。
は、既存の品種のメインリードフレームに対して、メイ
ンリードフレームの形状、寸法に合致したもう１枚のサ
ブリードフレームを積層して２層のインナーリード部を
構成するリードフレームを構成するため、新規な設備投
資や開発設計投資を必要とせず、既存技術、設備を利用
して低コストで実現できるものである。そしてタイバー
に加えてフレーム枠をも共通とし、互いに重なり合う構
成のインナーリード部と、屈曲部を有して互いに重なり
合わないアウターリード部とを有した２種類のフレーム
体の積層構造により構成された多ピン対応のリードフレ
ームを実現できるものである。
【００１９】また第１のインナーリード部の先端部と第
２のインナーリード部の先端との間は１００［μｍ］の
距離を有して、第１のインナーリード部の先端部を露出
させて、前記第１のインナーリード部上に第２のインナ
ーリード部を積層配置されているので、ワイヤーボンド
時のワイヤー接触を防止し、また互いに邪魔にならない
ワイヤーボンドに最好適な配置を有する。
２のインナーリード部の先端との間は１００［μｍ］の
距離を有して、第１のインナーリード部の先端部を露出
させて、前記第１のインナーリード部上に第２のインナ
ーリード部を積層配置されているので、ワイヤーボンド
時のワイヤー接触を防止し、また互いに邪魔にならない
ワイヤーボンドに最好適な配置を有する。
【００２０】そのため本発明のリードフレームを用い
て、半導体素子を搭載し、ワイヤーボンド、樹脂封止し
て樹脂封止型半導体装置を構成する際、搭載する半導体
素子の電極パッド数が１６０以上の多ピンであっても、
ワイヤーボンドするインナーリード部が同一幅でも２段
構成で接続パッドを有するものであり、狭ピッチを避け
て樹脂封止型半導体装置を構成することができる。
て、半導体素子を搭載し、ワイヤーボンド、樹脂封止し
て樹脂封止型半導体装置を構成する際、搭載する半導体
素子の電極パッド数が１６０以上の多ピンであっても、
ワイヤーボンドするインナーリード部が同一幅でも２段
構成で接続パッドを有するものであり、狭ピッチを避け
て樹脂封止型半導体装置を構成することができる。
【００２１】また本発明のリードフレームは、従来のＱ
ＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置で用いられるリード
フレームと、フレーム枠、タイバー、インナーリード部
の幅寸法、アウターリード部の各構成が共通するもので
ある。そのため、本発明のリードフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を製造する際には、既存の製造設備を
用いることができ、新規な設備導入、設備投資を必要と
せず、低コストで樹脂封止型半導体装置を製造できるも
のである。
ＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置で用いられるリード
フレームと、フレーム枠、タイバー、インナーリード部
の幅寸法、アウターリード部の各構成が共通するもので
ある。そのため、本発明のリードフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を製造する際には、既存の製造設備を
用いることができ、新規な設備導入、設備投資を必要と
せず、低コストで樹脂封止型半導体装置を製造できるも
のである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームお
よびその製造方法の一実施形態について図面を参照しな
がら説明する。
よびその製造方法の一実施形態について図面を参照しな
がら説明する。
【００２３】図１は本実施形態のリードフレームを示す
平面図である。
平面図である。
【００２４】図示するように本実施形態のリードフレー
ムは、銅材または、４２−アロイ等の通常の汎用品種の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内の開口領
域に配設され、その先端部で半導体素子を搭載するダイ
パッド部１１を支持し、末端部でフレーム枠１０に接続
した吊りリード部１２と、開口領域の略中央部に配置さ
れたダイパッド部１１にその先端部が延在して配置され
た第１のインナーリード部１３と、そのインナーリード
部１３と接続し、末端部がフレーム枠１０と接続した第
１のアウターリード部１４と、インナーリード部１３と
アウターリード部１４との境界部であって、樹脂封止す
る境界部を構成する第１のタイバー１５（第２のタイバ
ー１６）とよりなるリードフレームであって、第１のイ
ンナーリード部１３上には形状、幅寸法を一致させ、長
さ自体が第１のインナーリード部１３よりも短い構成の
第２のインナーリード部１７が絶縁性接着剤を介して配
置されているリードフレームである。また第２のインナ
ーリード部１７と接続し、末端部がフレーム枠１０と接
続した第２のアウターリード部１８を有するものであ
り、第１のアウターリード部１４と第２のアウターリー
ド部１８とは、重なることなく、平面的に並列で配置さ
れているものである。勿論、第２のインナーリード部１
７と第２のアウターリード部１８との境界部分には第２
のタイバー１６が形成されている。なお、吊りリード部
１２にはダイパッド部１１をダウンセットするためのデ
ィプレス部（図示せず）が設けられている。
ムは、銅材または、４２−アロイ等の通常の汎用品種の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内の開口領
域に配設され、その先端部で半導体素子を搭載するダイ
パッド部１１を支持し、末端部でフレーム枠１０に接続
した吊りリード部１２と、開口領域の略中央部に配置さ
れたダイパッド部１１にその先端部が延在して配置され
た第１のインナーリード部１３と、そのインナーリード
部１３と接続し、末端部がフレーム枠１０と接続した第
１のアウターリード部１４と、インナーリード部１３と
アウターリード部１４との境界部であって、樹脂封止す
る境界部を構成する第１のタイバー１５（第２のタイバ
ー１６）とよりなるリードフレームであって、第１のイ
ンナーリード部１３上には形状、幅寸法を一致させ、長
さ自体が第１のインナーリード部１３よりも短い構成の
第２のインナーリード部１７が絶縁性接着剤を介して配
置されているリードフレームである。また第２のインナ
ーリード部１７と接続し、末端部がフレーム枠１０と接
続した第２のアウターリード部１８を有するものであ
り、第１のアウターリード部１４と第２のアウターリー
ド部１８とは、重なることなく、平面的に並列で配置さ
れているものである。勿論、第２のインナーリード部１
７と第２のアウターリード部１８との境界部分には第２
のタイバー１６が形成されている。なお、吊りリード部
１２にはダイパッド部１１をダウンセットするためのデ
ィプレス部（図示せず）が設けられている。
【００２５】すなわち本実施形態のリードフレームは、
汎用品種のメインリードフレームに対して、その汎用品
種のインナーリード部配置を有したサブリードフレーム
との２枚の積層リードフレームであって、フレーム枠、
タイバーを共通とし、互いに重なり合う構成のインナー
リード部と、それ自身が有する屈曲部により互いに重な
り合わないで配置したアウターリード部とを有した２種
類のフレーム体の積層構造により構成された多ピン（多
インナーリード）のリードフレームである。
汎用品種のメインリードフレームに対して、その汎用品
種のインナーリード部配置を有したサブリードフレーム
との２枚の積層リードフレームであって、フレーム枠、
タイバーを共通とし、互いに重なり合う構成のインナー
リード部と、それ自身が有する屈曲部により互いに重な
り合わないで配置したアウターリード部とを有した２種
類のフレーム体の積層構造により構成された多ピン（多
インナーリード）のリードフレームである。
【００２６】本実施形態のリードフレームについて、図
２、図３を参照してさらに詳細に説明する。図２は本実
施形態のリードフレームの一部分を示す平面図であり、
図３は本実施形態のリードフレームの一部分を示す断面
図であり、図２におけるＡ−Ａ１箇所の断面を示してい
る。
２、図３を参照してさらに詳細に説明する。図２は本実
施形態のリードフレームの一部分を示す平面図であり、
図３は本実施形態のリードフレームの一部分を示す断面
図であり、図２におけるＡ−Ａ１箇所の断面を示してい
る。
【００２７】図２、図３に示すように、本実施形態のリ
ードフレームは、メインリードフレームの第１のインナ
ーリード部１３上に形状、幅寸法を一致させ、長さ自体
が第１のインナーリード部１３よりも短い構成のサブリ
ードフレームの第２のインナーリード部１７が絶縁性接
着剤１９を介して配置されている。そして第１のインナ
ーリード部１３はその先端部がワイヤーボンド可能な領
域を有して露出し、第２のインナーリード部１７はワイ
ヤーボンドされる半導体素子より距離的に離れすぎない
ように第１のインナーリード部１３上に積層接着されて
いるものである。すなわち第１のインナーリード部１３
と第２のインナーリード部１７との積層配置関係は、両
インナーリード部の先端部が、距離的、面積的にワイヤ
ーボンド（ツール押圧等）に支障をきたさない配置であ
り、第１のインナーリード部１３の露出領域は、少なく
とも５０［μｍ□］以上であって、好ましくは１００
［μｍ□］程度の接続領域を有している。したがって少
なくとも第２のインナーリード部１７の先端は、第１の
インナーリード部１３よりも１００［μｍ］タイバー側
に配置されるものであり、ワイヤー接触を防止し、また
互いに邪魔にならないワイヤーボンドに最好適な配置で
ある。さらに第１のアウターリード部１４と第２のアウ
ターリード部１８とは、重なることなく、平面的に並列
で配置できるように、屈曲部を有して平面的に引き回し
ているものである。アウターリード部の屈曲部について
は、両アウターリード部に設けてもよく、またはリード
幅、ピッチに応じて、どちらかのアウターリード部にの
み設けてもよい。
ードフレームは、メインリードフレームの第１のインナ
ーリード部１３上に形状、幅寸法を一致させ、長さ自体
が第１のインナーリード部１３よりも短い構成のサブリ
ードフレームの第２のインナーリード部１７が絶縁性接
着剤１９を介して配置されている。そして第１のインナ
ーリード部１３はその先端部がワイヤーボンド可能な領
域を有して露出し、第２のインナーリード部１７はワイ
ヤーボンドされる半導体素子より距離的に離れすぎない
ように第１のインナーリード部１３上に積層接着されて
いるものである。すなわち第１のインナーリード部１３
と第２のインナーリード部１７との積層配置関係は、両
インナーリード部の先端部が、距離的、面積的にワイヤ
ーボンド（ツール押圧等）に支障をきたさない配置であ
り、第１のインナーリード部１３の露出領域は、少なく
とも５０［μｍ□］以上であって、好ましくは１００
［μｍ□］程度の接続領域を有している。したがって少
なくとも第２のインナーリード部１７の先端は、第１の
インナーリード部１３よりも１００［μｍ］タイバー側
に配置されるものであり、ワイヤー接触を防止し、また
互いに邪魔にならないワイヤーボンドに最好適な配置で
ある。さらに第１のアウターリード部１４と第２のアウ
ターリード部１８とは、重なることなく、平面的に並列
で配置できるように、屈曲部を有して平面的に引き回し
ているものである。アウターリード部の屈曲部について
は、両アウターリード部に設けてもよく、またはリード
幅、ピッチに応じて、どちらかのアウターリード部にの
み設けてもよい。
【００２８】ここで第１のインナーリード部１３と第２
のインナーリード部１７とを接着する絶縁性接着剤１９
は、絶縁性樹脂よりなる接着剤の他、絶縁性の熱硬化性
接着剤や、絶縁性を有した接着テープでもよく、また余
分なはみ出しを防止して両インナーリード部を接着でき
るものであればよい。また、インナーリード部間のみな
らず、他のタイバー、フレーム枠をも同時に接着するこ
とにより、リードフレームどうしのズレを確実に防止で
きる。
のインナーリード部１７とを接着する絶縁性接着剤１９
は、絶縁性樹脂よりなる接着剤の他、絶縁性の熱硬化性
接着剤や、絶縁性を有した接着テープでもよく、また余
分なはみ出しを防止して両インナーリード部を接着でき
るものであればよい。また、インナーリード部間のみな
らず、他のタイバー、フレーム枠をも同時に接着するこ
とにより、リードフレームどうしのズレを確実に防止で
きる。
【００２９】本実施形態のリードフレームにより、半導
体素子を搭載し、ワイヤーボンド、樹脂封止して樹脂封
止型半導体装置を構成する際、搭載する半導体素子の電
極パッド数が１６０以上の多ピンであっても、ワイヤー
ボンドするインナーリード部が同一幅でも２段構成で接
続パッドを有するものであり、狭ピッチを避けて樹脂封
止型半導体装置を構成することができる。
体素子を搭載し、ワイヤーボンド、樹脂封止して樹脂封
止型半導体装置を構成する際、搭載する半導体素子の電
極パッド数が１６０以上の多ピンであっても、ワイヤー
ボンドするインナーリード部が同一幅でも２段構成で接
続パッドを有するものであり、狭ピッチを避けて樹脂封
止型半導体装置を構成することができる。
【００３０】なお、本実施形態ではインナーリード部を
２層で積層した形態を示したが、２層以上の複数層でも
よい。
２層で積層した形態を示したが、２層以上の複数層でも
よい。
【００３１】次に本発明のリードフレームの製造方法に
ついてその一実施形態を図面を参照しながら説明する。
図４、図５および図６は本実施形態のリードフレームの
製造方法を示す平面図である。
ついてその一実施形態を図面を参照しながら説明する。
図４、図５および図６は本実施形態のリードフレームの
製造方法を示す平面図である。
【００３２】まず図４に示すように、銅材または、４２
−アロイ等の通常のＱＦＰ等の汎用品種用のリードフレ
ームに用いられている金属板よりなるフレーム本体１０
（メイン）と、そのフレーム本体１０の領域内の開口領
域に配設され、その先端部で半導体素子を搭載するダイ
パッド部１１を支持し、末端部でフレーム枠１０に接続
した吊りリード部１２と、開口領域の略中央部に配置さ
れたダイパッド部１１にその先端部が延在して配置され
た第１のインナーリード部１３と、そのインナーリード
部１３と接続し、末端部がフレーム枠１０と接続し、屈
曲部を有した第１のアウターリード部１４と、第１のイ
ンナーリード部１３と第１のアウターリード部１４との
境界部であって、樹脂封止する境界部を構成する第１の
タイバー１５とよりなる第１のリードフレーム（メイン
リードフレーム）を用意する。
−アロイ等の通常のＱＦＰ等の汎用品種用のリードフレ
ームに用いられている金属板よりなるフレーム本体１０
（メイン）と、そのフレーム本体１０の領域内の開口領
域に配設され、その先端部で半導体素子を搭載するダイ
パッド部１１を支持し、末端部でフレーム枠１０に接続
した吊りリード部１２と、開口領域の略中央部に配置さ
れたダイパッド部１１にその先端部が延在して配置され
た第１のインナーリード部１３と、そのインナーリード
部１３と接続し、末端部がフレーム枠１０と接続し、屈
曲部を有した第１のアウターリード部１４と、第１のイ
ンナーリード部１３と第１のアウターリード部１４との
境界部であって、樹脂封止する境界部を構成する第１の
タイバー１５とよりなる第１のリードフレーム（メイン
リードフレーム）を用意する。
【００３３】次に図５に示すように、銅材または、４２
−アロイ等の通常のリードフレームに用いられている金
属板よりなるフレーム本体１０（サブ）と、そのフレー
ム本体１０の領域内の開口領域に配設され、第１のリー
ドフレームの第１のインナーリード部と形状、幅寸法を
一致させて配置した第２のインナーリード部１７と、第
２のインナーリード部１７と接続し、末端部がフレーム
枠１０と接続し、メインリードフレームの第１のアウタ
ーリード部と反対方向に引き回す屈曲部を有した第２の
アウターリード部１８と、第２のインナーリード部１７
と第２のアウターリード部１８との境界部であって、樹
脂封止する境界部を構成する第２のタイバー１６とより
なる第２のリードフレーム（サブリードフレーム）を用
意する。
−アロイ等の通常のリードフレームに用いられている金
属板よりなるフレーム本体１０（サブ）と、そのフレー
ム本体１０の領域内の開口領域に配設され、第１のリー
ドフレームの第１のインナーリード部と形状、幅寸法を
一致させて配置した第２のインナーリード部１７と、第
２のインナーリード部１７と接続し、末端部がフレーム
枠１０と接続し、メインリードフレームの第１のアウタ
ーリード部と反対方向に引き回す屈曲部を有した第２の
アウターリード部１８と、第２のインナーリード部１７
と第２のアウターリード部１８との境界部であって、樹
脂封止する境界部を構成する第２のタイバー１６とより
なる第２のリードフレーム（サブリードフレーム）を用
意する。
【００３４】そしてそれぞれ用意した第１のリードフレ
ームと、第２のリードフレームとを積層させて、それら
両者間に絶縁性接着剤を介して接着して一体化すること
により、図６に示すように、二重のフレーム本体１０
と、そのフレーム本体１０の領域内の開口領域に配設さ
れ、その先端部で半導体素子を搭載するダイパッド部１
１を支持し、末端部でフレーム枠１０に接続した吊りリ
ード部１２と、開口領域の略中央部に配置されたダイパ
ッド部１１にその先端部が延在して配置された第１のイ
ンナーリード部１３と、その第１のインナーリード部１
３と接続し、末端部がフレーム枠１０と接続した第１の
アウターリード部１４と、第１のインナーリード部１３
と第１のアウターリード部１４との境界部であって、樹
脂封止する境界部を構成する第１のタイバー１５と第２
のタイバー１６とによる二重のタイバーとよりなるリー
ドフレームであって、第１のインナーリード部１３上に
は形状、幅寸法を一致させ、長さ自体が第１のインナー
リード部１３よりも短い構成の第２のインナーリード部
１７が絶縁性接着剤を介して配置されているリードフレ
ームを得ることができる。
ームと、第２のリードフレームとを積層させて、それら
両者間に絶縁性接着剤を介して接着して一体化すること
により、図６に示すように、二重のフレーム本体１０
と、そのフレーム本体１０の領域内の開口領域に配設さ
れ、その先端部で半導体素子を搭載するダイパッド部１
１を支持し、末端部でフレーム枠１０に接続した吊りリ
ード部１２と、開口領域の略中央部に配置されたダイパ
ッド部１１にその先端部が延在して配置された第１のイ
ンナーリード部１３と、その第１のインナーリード部１
３と接続し、末端部がフレーム枠１０と接続した第１の
アウターリード部１４と、第１のインナーリード部１３
と第１のアウターリード部１４との境界部であって、樹
脂封止する境界部を構成する第１のタイバー１５と第２
のタイバー１６とによる二重のタイバーとよりなるリー
ドフレームであって、第１のインナーリード部１３上に
は形状、幅寸法を一致させ、長さ自体が第１のインナー
リード部１３よりも短い構成の第２のインナーリード部
１７が絶縁性接着剤を介して配置されているリードフレ
ームを得ることができる。
【００３５】本実施形態のリードフレームの製造方法で
は、第１のリードフレームであるメインリードフレーム
のフレーム枠、タイバーは、第２のリードフレームであ
るサブリードフレームのフレーム枠、タイバーと形状、
各寸法、周辺に設けた位置決め用孔などの諸構成を一致
させており、既存設備により、２枚のリードフレームを
積層させることができるため、低コストでかつ複雑な技
術を用いずに実現できる。すなわち、電極パッド数の多
い半導体素子を搭載する必要が生じた場合、メインリー
ドフレームに対して、サブリードフレームを積層接着す
るだけで、インナーリード部を積層させて２重として多
ピン化に対応できるものである。
は、第１のリードフレームであるメインリードフレーム
のフレーム枠、タイバーは、第２のリードフレームであ
るサブリードフレームのフレーム枠、タイバーと形状、
各寸法、周辺に設けた位置決め用孔などの諸構成を一致
させており、既存設備により、２枚のリードフレームを
積層させることができるため、低コストでかつ複雑な技
術を用いずに実現できる。すなわち、電極パッド数の多
い半導体素子を搭載する必要が生じた場合、メインリー
ドフレームに対して、サブリードフレームを積層接着す
るだけで、インナーリード部を積層させて２重として多
ピン化に対応できるものである。
【００３６】なお、本実施形態のリードフレームの製造
方法では、インナーリード部、アウターリード部をはじ
め各リードフレーム構成は、コストを考慮して、エッチ
ングではなく、プレス工法により形成されるものである
が、コスト的に採算が合うのであればもちろんエッチン
グでも形成可能である。
方法では、インナーリード部、アウターリード部をはじ
め各リードフレーム構成は、コストを考慮して、エッチ
ングではなく、プレス工法により形成されるものである
が、コスト的に採算が合うのであればもちろんエッチン
グでも形成可能である。
【００３７】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の一実
施形態について図面を参照しながら説明する。図７、図
８は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であ
り、図７は断面図、図８は側面図である。
施形態について図面を参照しながら説明する。図７、図
８は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であ
り、図７は断面図、図８は側面図である。
【００３８】図示するように、本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、リードフレームのダイパッド部１１上に
導電性接着剤、または絶縁性接着剤により接合されて搭
載された半導体素子２０と、半導体素子２０の電極パッ
ド（図示せず）と第１のインナーリード部１３とを電気
的に接続した金（Ａｕ）線等の金属細線２１と、半導体
素子２０の電極パッド（図示せず）と第２のインナーリ
ード部１７とを電気的に接続した金（Ａｕ）線等の金属
細線２１と、第１のインナーリード部１３と第２のイン
ナーリード部１７とを積層して接着した絶縁性接着剤１
９と、第１のインナーリード部１３と接続し、外部端子
を構成する第１のアウターリード部１４と、第１のアウ
ターリード部１４と重なり合わずに段差を有して平面的
に配列し、第２のインナーリード部１７と接続し、外部
端子を構成する第２のアウターリード部１８と、第１の
アウターリード部１４と第２のアウターリード部１８と
を露出させ、ダイパッド部１１、半導体素子２０、金属
細線２１および第１のインナーリード部１３、第２のイ
ンナーリード部１７の外囲を封止した封止樹脂２２とよ
り構成されている。
半導体装置は、リードフレームのダイパッド部１１上に
導電性接着剤、または絶縁性接着剤により接合されて搭
載された半導体素子２０と、半導体素子２０の電極パッ
ド（図示せず）と第１のインナーリード部１３とを電気
的に接続した金（Ａｕ）線等の金属細線２１と、半導体
素子２０の電極パッド（図示せず）と第２のインナーリ
ード部１７とを電気的に接続した金（Ａｕ）線等の金属
細線２１と、第１のインナーリード部１３と第２のイン
ナーリード部１７とを積層して接着した絶縁性接着剤１
９と、第１のインナーリード部１３と接続し、外部端子
を構成する第１のアウターリード部１４と、第１のアウ
ターリード部１４と重なり合わずに段差を有して平面的
に配列し、第２のインナーリード部１７と接続し、外部
端子を構成する第２のアウターリード部１８と、第１の
アウターリード部１４と第２のアウターリード部１８と
を露出させ、ダイパッド部１１、半導体素子２０、金属
細線２１および第１のインナーリード部１３、第２のイ
ンナーリード部１７の外囲を封止した封止樹脂２２とよ
り構成されている。
【００３９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、搭
載した半導体素子２０の電極パッド数が１６０以上の多
ピンであっても、金属細線２１で接続するインナーリー
ド部が従来と同一幅でも、第１と第２とによる２段構成
の積層インナーリード部であり、２段で接続パッドを有
するものであるため、狭ピッチを避けて電気的に接続し
て樹脂封止型半導体装置を構成することができる。
載した半導体素子２０の電極パッド数が１６０以上の多
ピンであっても、金属細線２１で接続するインナーリー
ド部が従来と同一幅でも、第１と第２とによる２段構成
の積層インナーリード部であり、２段で接続パッドを有
するものであるため、狭ピッチを避けて電気的に接続し
て樹脂封止型半導体装置を構成することができる。
【００４０】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の一実施形態について図面を参照しながら説明す
る。図９〜図１３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図である。
方法の一実施形態について図面を参照しながら説明す
る。図９〜図１３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図である。
【００４１】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、金属板よりなるフレーム本体と、そのフレーム
本体の領域内の開口領域に配設され、その先端部で半導
体素子を搭載するダイパッド部を支持し、末端部でフレ
ーム枠に接続した吊りリード部と、ダイパッド部にその
先端部が延在して配置された第１のインナーリード部
と、インナーリード部と接続し、末端部がフレーム枠と
接続した第１のアウターリード部と、第１のインナーリ
ード部上に積層配置され、その形状、幅寸法を一致さ
せ、長さ自体が第１のインナーリード部よりも短い構成
の第２のインナーリード部と、第２のインナーリード部
と接続し、末端部がフレーム枠と接続した第２のアウタ
ーリード部を有するリードフレームを用いた樹脂封止型
半導体装置の製造方法であり、ＱＦＰパッケージ等の既
存の樹脂封止型半導体装置の製造で用いる設備を用いて
製造できるものである。
方法は、金属板よりなるフレーム本体と、そのフレーム
本体の領域内の開口領域に配設され、その先端部で半導
体素子を搭載するダイパッド部を支持し、末端部でフレ
ーム枠に接続した吊りリード部と、ダイパッド部にその
先端部が延在して配置された第１のインナーリード部
と、インナーリード部と接続し、末端部がフレーム枠と
接続した第１のアウターリード部と、第１のインナーリ
ード部上に積層配置され、その形状、幅寸法を一致さ
せ、長さ自体が第１のインナーリード部よりも短い構成
の第２のインナーリード部と、第２のインナーリード部
と接続し、末端部がフレーム枠と接続した第２のアウタ
ーリード部を有するリードフレームを用いた樹脂封止型
半導体装置の製造方法であり、ＱＦＰパッケージ等の既
存の樹脂封止型半導体装置の製造で用いる設備を用いて
製造できるものである。
【００４２】具体的には、まず図９に示すように、少な
くとも第１のインナーリード部１３上に絶縁性接着剤１
９を介して第２のインナーリード部１７が積層接着され
たインナーリード部を有し、半導体素子を支持、搭載す
るダイパッド部１１と、第１のインナーリード部１３、
第２のインナーリード部１７とそれぞれ接続し、外部端
子を構成するアウターリード部を有するリードフレーム
を用意する。
くとも第１のインナーリード部１３上に絶縁性接着剤１
９を介して第２のインナーリード部１７が積層接着され
たインナーリード部を有し、半導体素子を支持、搭載す
るダイパッド部１１と、第１のインナーリード部１３、
第２のインナーリード部１７とそれぞれ接続し、外部端
子を構成するアウターリード部を有するリードフレーム
を用意する。
【００４３】次に図１０に示すように、用意したリード
フレームのダイパッド部１１上に導電性接着剤または絶
縁性接着剤により半導体素子２０を接合する。
フレームのダイパッド部１１上に導電性接着剤または絶
縁性接着剤により半導体素子２０を接合する。
【００４４】次に図１１に示すように、ダイパッド部１
１上に搭載した半導体素子２０の主面の電極パッドと、
第１のインナーリード部１３、第２のインナーリード部
１７を金線等の金属細線２１で電気的に接続する。
１上に搭載した半導体素子２０の主面の電極パッドと、
第１のインナーリード部１３、第２のインナーリード部
１７を金線等の金属細線２１で電気的に接続する。
【００４５】そして図１２に示すように、アウターリー
ド部を露出させ、ダイパッド部１１、半導体素子２０、
金属細線２１および第１のインナーリード部１３、第２
のインナーリード部１７の外囲を封止樹脂２２によりト
ランスファーモールドにより封止する。
ド部を露出させ、ダイパッド部１１、半導体素子２０、
金属細線２１および第１のインナーリード部１３、第２
のインナーリード部１７の外囲を封止樹脂２２によりト
ランスファーモールドにより封止する。
【００４６】最後に図１３に示すように、リードフレー
ムのタイバーカット、およびアウターリード部をリード
フレームのフレーム枠より切断し、封止樹脂２２より露
出した第１のアウターリード部１４、第２のアウターリ
ード部１８をガルウィング状に成形して樹脂封止型半導
体装置を得る。またアウターリード部の形状はガルウィ
ング形状以外でもよい。
ムのタイバーカット、およびアウターリード部をリード
フレームのフレーム枠より切断し、封止樹脂２２より露
出した第１のアウターリード部１４、第２のアウターリ
ード部１８をガルウィング状に成形して樹脂封止型半導
体装置を得る。またアウターリード部の形状はガルウィ
ング形状以外でもよい。
【００４７】以上、本実施形態のリードフレームは、２
枚のリードフレームの積層接着によりインナーリード部
が第１のインナーリード部、第２のインナーリード部の
２段構成を有するリードフレームであって、インナーリ
ード部としては、外部端子を構成するアウターリードと
それぞれが接続し、２つの接続部分を有したインナーリ
ード部のため、多ピンに対応できるものである。
枚のリードフレームの積層接着によりインナーリード部
が第１のインナーリード部、第２のインナーリード部の
２段構成を有するリードフレームであって、インナーリ
ード部としては、外部端子を構成するアウターリードと
それぞれが接続し、２つの接続部分を有したインナーリ
ード部のため、多ピンに対応できるものである。
【００４８】また本実施形態のリードフレームは、従来
のＱＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置で用いられるリ
ードフレームと、フレーム枠、タイバー、インナーリー
ド部の幅寸法、アウターリード部の各構成が共通するも
のである。そのため、本実施形態のリードフレームを用
いて樹脂封止型半導体装置を製造する際には、既存の製
造設備を用いることができ、新規な設備導入、設備投資
を必要とせず、低コストで樹脂封止型半導体装置を製造
できるものである。
のＱＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置で用いられるリ
ードフレームと、フレーム枠、タイバー、インナーリー
ド部の幅寸法、アウターリード部の各構成が共通するも
のである。そのため、本実施形態のリードフレームを用
いて樹脂封止型半導体装置を製造する際には、既存の製
造設備を用いることができ、新規な設備導入、設備投資
を必要とせず、低コストで樹脂封止型半導体装置を製造
できるものである。
【００４９】さらにリードフレームの製造においても、
リード間ピッチが狭ピッチを実現するために、高コス
ト、高精度が要求されるエッチングによりリードフレー
ムを製造する必要がなく、２種類のリードフレームをそ
れぞれプレス工法により製造し、積層するだけでリード
フレームを製造できるため、低コストを実現できるもの
である。
リード間ピッチが狭ピッチを実現するために、高コス
ト、高精度が要求されるエッチングによりリードフレー
ムを製造する必要がなく、２種類のリードフレームをそ
れぞれプレス工法により製造し、積層するだけでリード
フレームを製造できるため、低コストを実現できるもの
である。
【００５０】
【発明の効果】以上、本発明のリードフレームにより、
半導体素子を搭載し、ワイヤーボンド、樹脂封止して樹
脂封止型半導体装置を構成する際、搭載する半導体素子
の電極パッド数が１６０以上の多ピンであっても、ワイ
ヤーボンドするインナーリード部が同一幅でも２段構成
で接続パッドを有するものであり、狭ピッチを避けて樹
脂封止型半導体装置を構成することができる。
半導体素子を搭載し、ワイヤーボンド、樹脂封止して樹
脂封止型半導体装置を構成する際、搭載する半導体素子
の電極パッド数が１６０以上の多ピンであっても、ワイ
ヤーボンドするインナーリード部が同一幅でも２段構成
で接続パッドを有するものであり、狭ピッチを避けて樹
脂封止型半導体装置を構成することができる。
【００５１】また本発明のリードフレームは、従来のＱ
ＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置で用いられるリード
フレームと、フレーム枠、タイバー、インナーリード部
の幅寸法、アウターリード部の各構成が共通するもので
ある。そのため、本実施形態のリードフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を製造する際には、既存の製造設
備を用いることができ、新規な設備導入、設備投資を必
要としないため、低コストを実現できるものである。
ＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置で用いられるリード
フレームと、フレーム枠、タイバー、インナーリード部
の幅寸法、アウターリード部の各構成が共通するもので
ある。そのため、本実施形態のリードフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を製造する際には、既存の製造設
備を用いることができ、新規な設備導入、設備投資を必
要としないため、低コストを実現できるものである。
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図２】本発明の一実施形態のリードフレームを示す部
分平面図
分平面図
【図３】本発明の一実施形態のリードフレームを示す部
分断面図
分断面図
【図４】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
法を示す平面図
【図５】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
法を示す平面図
【図６】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
法を示す平面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す側面図
示す側面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１４】従来のリードフレームを示す平面図
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図１６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図
す平面図
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム本体 １１ ダイパッド部 １２ 吊りリード部 １３ 第１のインナーリード部 １４ 第１のアウターリード部 １５ 第１のタイバー １６ 第２のタイバー １７ 第２のインナーリード部 １８ 第２のアウターリード部 １９ 絶縁性接着剤 ２０ 半導体素子 ２１ 金属細線 ２２ 封止樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 金属板よりなるメインフレーム本体と、
前記メインフレーム本体の領域内の開口領域に配設さ
れ、その先端部で半導体素子を搭載するダイパッド部を
支持し、末端部で前記メインフレーム枠に接続した吊り
リード部と、前記ダイパッド部にその先端部が延在して
配置された第１のインナーリード部と、前記第１のイン
ナーリード部と接続し、末端部が前記メインフレーム枠
と接続した第１のアウターリード部とよりなるメインリ
ードフレームと、前記メインフレーム本体と形状、寸法
が一致した金属板よりなり、前記メインフレーム本体と
積層されたサブフレーム本体と、前記サブフレーム本体
の領域内の開口領域に配設され、前記第１のインナーリ
ード部上に積層配置され、その形状、幅寸法を一致さ
せ、長さ自体が前記第１のインナーリード部よりも短い
構成の第２のインナーリード部と、前記第２のインナー
リード部と接続し、末端部が前記サブフレーム枠と接続
した第２のアウターリード部を有するサブリードフレー
ムとよりなるリードフレームであって、前記第１、第２
の両インナーリード部の先端部が、距離的、面積的にワ
イヤーボンドに支障をきたさない配置を有していること
を特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 第１のアウターリード部は屈曲部を有
し、第２のアウターリード部は前記第１のアウターリー
ド部と反対方向に引き回す屈曲部を有し、それらアウタ
ーリード部どうしが重なることなく、平面的に並列で配
置していることを特徴とする請求項１に記載のリードフ
レーム。 - 【請求項３】 第１のインナーリード部の先端部と第２
のインナーリード部の先端との間は１００［μｍ］の距
離を有して前記第１のインナーリード部の先端部を露出
させて、前記第１のインナーリード部上に第２のインナ
ーリード部を積層配置されていることを特徴とする請求
項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 金属板よりなるメインフレーム本体と、
前記メインフレーム本体の領域内の開口領域に配設さ
れ、ダイパッド部を支持し、末端部で前記メインフレー
ム枠に接続した吊りリード部と、前記ダイパッド部にそ
の先端部が延在して配置された第１のインナーリード部
と、前記インナーリード部と接続し、末端部が前記メイ
ンフレーム枠と接続した第１のアウターリード部とより
なるメインリードフレームを用意する工程と、前記メイ
ンフレーム本体と形状、寸法が一致した金属板よりなる
サブフレーム本体と、前記サブフレーム本体の領域内の
開口領域に配設され、前記第１のリードフレームの前記
第１のインナーリード部と形状、幅寸法を一致させて配
置した第２のインナーリード部と、前記第２のインナー
リード部と接続し、末端部が前記サブフレーム枠と接続
した第２のアウターリード部とよりなるサブリードフレ
ームを用意する工程と、用意した前記メインリードフレ
ームと前記サブリードフレームとをそれぞれの第１のイ
ンナーリード部と第２のインナーリード部とを一致させ
て積層し、少なくとも第１のインナーリード部と第２の
インナーリード部とを絶縁性接着剤を介して接着して一
体化し、金属板よりなるメインフレーム本体と、前記メ
インフレーム本体の領域内の開口領域に配設され、その
先端部で半導体素子を搭載するダイパッド部を支持し、
末端部で前記メインフレーム枠に接続した吊りリード部
と、前記ダイパッド部にその先端部が延在して配置され
た第１のインナーリード部と、前記第１のインナーリー
ド部と接続し、末端部が前記メインフレーム枠と接続し
た第１のアウターリード部とよりなるメインリードフレ
ームと、前記メインフレーム本体と形状、寸法が一致し
た金属板よりなり、前記メインフレーム本体と積層され
たサブフレーム本体と、前記サブフレーム本体の領域内
の開口領域に配設され、前記第１のインナーリード部上
に積層配置され、その形状、幅寸法を一致させ、長さ自
体が前記第１のインナーリード部よりも短い構成の第２
のインナーリード部と、前記第２のインナーリード部と
接続し、末端部が前記サブフレーム枠と接続した第２の
アウターリード部を有し、前記第１、第２の両インナー
リード部の先端部が、距離的、面積的にワイヤーボンド
に支障をきたさない配置を有しているリードフレームを
得る工程とよりなることを特徴とするリードフレームの
製造方法。 - 【請求項５】 メインリードフレームを用意する工程
は、第１のアウターリード部に屈曲部を有しているメイ
ンリードフレームを用意し、サブリードフレームを用意
する工程は、第２のアウターリード部に前記第１のアウ
ターリード部と反対方向に引き回す屈曲部を有している
サブリードフレームを用意し、それらアウターリード部
どうしが重なることなく、平面的に並列で配置されるリ
ードフレームを得ることを特徴とする請求項４に記載の
リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12663699A JP2000323641A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12663699A JP2000323641A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323641A true JP2000323641A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14940111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12663699A Pending JP2000323641A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7408291B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-08-05 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12663699A patent/JP2000323641A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7408291B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-08-05 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device |
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