JPH0883866A - 片面樹脂封止型半導体装置の製造方法及びこれに用いるキャリアフレーム - Google Patents
片面樹脂封止型半導体装置の製造方法及びこれに用いるキャリアフレームInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 片面樹脂封止型半導体装置の製造コストの低
減化を図り、既存設備を利用して効率的な製造を可能に
する。 【構成】 両面に配線パターンを設けた回路基板１０の
半導体素子搭載面側に半導体素子２０を搭載し、半導体
素子搭載部を樹脂封止した後、他面側の配線パターンに
はんだボール３０等の外部接続端子を接合して半導体装
置とする片面樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、個片に形成した回路基板１０を、貫通孔１３が形成
された矩形状のキャリアフレーム１２の前記貫通孔に対
応して位置決めして配置し、前記回路基板１０を前記キ
ャリアフレーム１２に支持して搬送し、半導体素子の搭
載、半導体素子と配線パターンとの電気的接続、半導体
素子搭載部の樹脂封止、配線パターンと外部接続端子と
の接合等の所要の一連の加工を施すことを特徴とする。
減化を図り、既存設備を利用して効率的な製造を可能に
する。 【構成】 両面に配線パターンを設けた回路基板１０の
半導体素子搭載面側に半導体素子２０を搭載し、半導体
素子搭載部を樹脂封止した後、他面側の配線パターンに
はんだボール３０等の外部接続端子を接合して半導体装
置とする片面樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、個片に形成した回路基板１０を、貫通孔１３が形成
された矩形状のキャリアフレーム１２の前記貫通孔に対
応して位置決めして配置し、前記回路基板１０を前記キ
ャリアフレーム１２に支持して搬送し、半導体素子の搭
載、半導体素子と配線パターンとの電気的接続、半導体
素子搭載部の樹脂封止、配線パターンと外部接続端子と
の接合等の所要の一連の加工を施すことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＢＧＡ（Ball Grid Arra
y)等、回路基板を用いた片面樹脂封止型半導体装置の製
造方法及びこれに用いるキャリアフレームに関する。
y)等、回路基板を用いた片面樹脂封止型半導体装置の製
造方法及びこれに用いるキャリアフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＡはプリント基板上に半導体素子を
搭載し、半導体素子を搭載した片面を樹脂封止した後、
基板の裏面にはんだボールを取り付けて製品とする。従
来のＢＧＡの製造にあっては、両面に所定の配線パター
ンを設けた大判のプリント基板を図２３に示すように短
冊状に切断し、この短冊状に形成したプリント基板５を
半導体素子の搭載、ワイヤボンディング、樹脂封止、は
んだボールの接合等の各工程に搬送して製品を製造して
いる。７が樹脂封止部である。
搭載し、半導体素子を搭載した片面を樹脂封止した後、
基板の裏面にはんだボールを取り付けて製品とする。従
来のＢＧＡの製造にあっては、両面に所定の配線パター
ンを設けた大判のプリント基板を図２３に示すように短
冊状に切断し、この短冊状に形成したプリント基板５を
半導体素子の搭載、ワイヤボンディング、樹脂封止、は
んだボールの接合等の各工程に搬送して製品を製造して
いる。７が樹脂封止部である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように短冊状に
形成したプリント基板を各工程に搬送してＢＧＡを製造
する方法は、通常のリードフレームを用いる半導体装置
の製造装置が利用できるという利点があるが、図２３に
示すように短冊状のプリント基板５を使用した場合は、
プリント基板の無駄部分が多くなるという問題点があ
る。すなわち、図２３でＡ線は短冊状のプリント基板５
を切断して最終的に製品となる位置を示すが、図のよう
に、プリント基板５を短冊状に形成した関係上、製品で
必要とするよりも大きなプリント基板５を用意しなけれ
ばならない。
形成したプリント基板を各工程に搬送してＢＧＡを製造
する方法は、通常のリードフレームを用いる半導体装置
の製造装置が利用できるという利点があるが、図２３に
示すように短冊状のプリント基板５を使用した場合は、
プリント基板の無駄部分が多くなるという問題点があ
る。すなわち、図２３でＡ線は短冊状のプリント基板５
を切断して最終的に製品となる位置を示すが、図のよう
に、プリント基板５を短冊状に形成した関係上、製品で
必要とするよりも大きなプリント基板５を用意しなけれ
ばならない。
【０００４】短冊状のプリント基板５を用いてＢＧＡを
製造する場合は、プリント基板５に半導体素子６を搭載
して樹脂モールドし、プリント基板５の裏面にはんだボ
ールなどの外部接続端子を接合した後、図のＡ線で切断
して製品とするから、切断位置よりも外側部分は製品に
使用されない部分であり、短冊状のプリント基板５の周
縁部分の材料が無駄になる。また、大判のプリント基板
から短冊状のプリント基板を作成する際にもプリント基
板の切り代を取る必要があることから、この加工の際に
もプリント基板の材料が無駄になっていた。
製造する場合は、プリント基板５に半導体素子６を搭載
して樹脂モールドし、プリント基板５の裏面にはんだボ
ールなどの外部接続端子を接合した後、図のＡ線で切断
して製品とするから、切断位置よりも外側部分は製品に
使用されない部分であり、短冊状のプリント基板５の周
縁部分の材料が無駄になる。また、大判のプリント基板
から短冊状のプリント基板を作成する際にもプリント基
板の切り代を取る必要があることから、この加工の際に
もプリント基板の材料が無駄になっていた。
【０００５】このような基板材料の無駄をなくす方法と
しては、基板を製品サイズの個片に分離して形成し、個
片を一つずつ搬送して半導体素子の搭載や樹脂モールド
を行うことが考えられる。しかしながら、個片にしたプ
リント基板を取り扱うのは煩雑であり、リードフレーム
を用いた通常の半導体装置の製造に使用する設備が使用
できないといった問題点があった。そこで、本発明はこ
れら問題点を解消すべくなされたものであり、その目的
とするところは、プリント基板の製造コストの無駄を省
くことができ、かつ既存の設備をそのまま利用して半導
体素子の搭載やワイヤボンディング、樹脂封止といった
処理を効率的に行うことを可能にする片面樹脂封止型半
導体装置の製造方法及びこれに用いるキャリアフレーム
を提供するにある。
しては、基板を製品サイズの個片に分離して形成し、個
片を一つずつ搬送して半導体素子の搭載や樹脂モールド
を行うことが考えられる。しかしながら、個片にしたプ
リント基板を取り扱うのは煩雑であり、リードフレーム
を用いた通常の半導体装置の製造に使用する設備が使用
できないといった問題点があった。そこで、本発明はこ
れら問題点を解消すべくなされたものであり、その目的
とするところは、プリント基板の製造コストの無駄を省
くことができ、かつ既存の設備をそのまま利用して半導
体素子の搭載やワイヤボンディング、樹脂封止といった
処理を効率的に行うことを可能にする片面樹脂封止型半
導体装置の製造方法及びこれに用いるキャリアフレーム
を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、次の構成を備える。すなわち、両面に配線パ
ターンを設けた回路基板の半導体素子搭載面側に半導体
素子を搭載し、半導体素子搭載部を樹脂封止した後、他
面側の配線パターンにはんだボール等の外部接続端子を
接合して半導体装置とする片面樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、個片に形成した回路基板を、貫通孔
が形成された矩形状のキャリアフレームの前記貫通孔に
対応して位置決めして配置し、前記回路基板を前記キャ
リアフレームに支持して搬送し、半導体素子の搭載、半
導体素子と配線パターンとの電気的接続、半導体素子搭
載部の樹脂封止、配線パターンと外部接続端子との接合
等の所要の一連の加工を施すことを特徴とする。また、
前記貫通孔が所定の間隔で複数形成されたキャリアフレ
ームの下面に、両面に配線パターンが設けられた個片の
回路基板を、該回路基板の半導体素子搭載面を前記貫通
孔内に露出させ、かつ該半導体素子搭載面側の周縁部を
前記キャリアフレームと当接させて複数個支持し、前記
半導体素子搭載面に半導体素子を搭載し、該半導体素子
と配線パターンとを電気的に接続した後、前記貫通孔の
領域内で半導体素子搭載部を樹脂封止し、前記回路基板
の他面側に設けられた配線パターンと外部接続端子とを
接合することを含むことを特徴とする。また、半導体素
子搭載面に半導体素子を搭載し、該半導体素子と配線パ
ターンとを電気的に接続した後、キャリアフレームの上
下面を反転して半導体素子搭載部の樹脂封止および配線
パターンと外部接続端子との接合を行うことを特徴とす
る。また、前記貫通孔の領域内で半導体素子搭載部を樹
脂封止した後、キャリアフレームの上下面を反転して配
線パターンと外部接続端子との接合を行うことを特徴と
する。また、前記半導体素子搭載部の樹脂封止は、樹脂
成形あるいはポッティング等の樹脂コーティングによる
ことを特徴とする。また、前記キャリアフレームの回路
基板が当接する面側で、かつ前記キャリアフレームに形
成した貫通孔から前記回路基板の側面が位置する部位に
まで延出して設けた溝に、半導体素子搭載部を封止する
樹脂を流入させ、前記半導体素子搭載部の封止と同時に
前記回路基板の側面を樹脂封止することを特徴とする。
また、前記貫通孔が所定の間隔で複数形成されたキャリ
アフレームの上面に、両面に配線パターンが設けられた
個片の回路基板を、配線パターンと外部接続端子との接
合面を前記貫通孔内に露出させ、かつ、該接合面側の周
縁部を前記キャリアフレームと当接させて複数個支持
し、前記回路基板の他面側に設けられた半導体素子搭載
面に半導体素子を搭載し、該半導体素子と配線パターン
とを電気的に接続した後、半導体素子搭載部を樹脂封止
し、前記接合面の配線パターンに外部接続端子を接合す
ることを含むことを特徴とする。また、半導体素子搭載
面に半導体素子を搭載し、該半導体素子と配線パターン
とを電気的に接続した後、キャリアフレームの上下面を
反転して半導体素子搭載部の樹脂封止および配線パター
ンと外部接続端子との接合を行うことを特徴とする。ま
た、半導体素子搭載部を樹脂封止した後、キャリアフレ
ームの上下面を反転して配線パターンと外部接続端子と
の接合を行うことを特徴とする。また、半導体素子搭載
部の樹脂封止は、樹脂成形あるいはポッティング等の樹
脂コーティングによることを特徴とする。
するため、次の構成を備える。すなわち、両面に配線パ
ターンを設けた回路基板の半導体素子搭載面側に半導体
素子を搭載し、半導体素子搭載部を樹脂封止した後、他
面側の配線パターンにはんだボール等の外部接続端子を
接合して半導体装置とする片面樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、個片に形成した回路基板を、貫通孔
が形成された矩形状のキャリアフレームの前記貫通孔に
対応して位置決めして配置し、前記回路基板を前記キャ
リアフレームに支持して搬送し、半導体素子の搭載、半
導体素子と配線パターンとの電気的接続、半導体素子搭
載部の樹脂封止、配線パターンと外部接続端子との接合
等の所要の一連の加工を施すことを特徴とする。また、
前記貫通孔が所定の間隔で複数形成されたキャリアフレ
ームの下面に、両面に配線パターンが設けられた個片の
回路基板を、該回路基板の半導体素子搭載面を前記貫通
孔内に露出させ、かつ該半導体素子搭載面側の周縁部を
前記キャリアフレームと当接させて複数個支持し、前記
半導体素子搭載面に半導体素子を搭載し、該半導体素子
と配線パターンとを電気的に接続した後、前記貫通孔の
領域内で半導体素子搭載部を樹脂封止し、前記回路基板
の他面側に設けられた配線パターンと外部接続端子とを
接合することを含むことを特徴とする。また、半導体素
子搭載面に半導体素子を搭載し、該半導体素子と配線パ
ターンとを電気的に接続した後、キャリアフレームの上
下面を反転して半導体素子搭載部の樹脂封止および配線
パターンと外部接続端子との接合を行うことを特徴とす
る。また、前記貫通孔の領域内で半導体素子搭載部を樹
脂封止した後、キャリアフレームの上下面を反転して配
線パターンと外部接続端子との接合を行うことを特徴と
する。また、前記半導体素子搭載部の樹脂封止は、樹脂
成形あるいはポッティング等の樹脂コーティングによる
ことを特徴とする。また、前記キャリアフレームの回路
基板が当接する面側で、かつ前記キャリアフレームに形
成した貫通孔から前記回路基板の側面が位置する部位に
まで延出して設けた溝に、半導体素子搭載部を封止する
樹脂を流入させ、前記半導体素子搭載部の封止と同時に
前記回路基板の側面を樹脂封止することを特徴とする。
また、前記貫通孔が所定の間隔で複数形成されたキャリ
アフレームの上面に、両面に配線パターンが設けられた
個片の回路基板を、配線パターンと外部接続端子との接
合面を前記貫通孔内に露出させ、かつ、該接合面側の周
縁部を前記キャリアフレームと当接させて複数個支持
し、前記回路基板の他面側に設けられた半導体素子搭載
面に半導体素子を搭載し、該半導体素子と配線パターン
とを電気的に接続した後、半導体素子搭載部を樹脂封止
し、前記接合面の配線パターンに外部接続端子を接合す
ることを含むことを特徴とする。また、半導体素子搭載
面に半導体素子を搭載し、該半導体素子と配線パターン
とを電気的に接続した後、キャリアフレームの上下面を
反転して半導体素子搭載部の樹脂封止および配線パター
ンと外部接続端子との接合を行うことを特徴とする。ま
た、半導体素子搭載部を樹脂封止した後、キャリアフレ
ームの上下面を反転して配線パターンと外部接続端子と
の接合を行うことを特徴とする。また、半導体素子搭載
部の樹脂封止は、樹脂成形あるいはポッティング等の樹
脂コーティングによることを特徴とする。
【０００７】個片に形成され両面に配線パターンが設け
られた回路基板を支持して、半導体素子の搭載、半導体
素子と配線パターンとの電気的接続、半導体素子搭載部
の樹脂封止、配線パターンと外部接続端子との接合等の
所要の一連の加工を施す際に共通して使用するキャリア
フレームであって、前記回路基板を一方の面に支持可能
に矩形状に形成され、前記回路基板の半導体素子搭載面
または外部接続端子の接合面が他方の面に露出するよう
に、該回路基板を配置する位置に所定形状の貫通孔が設
けられ、該貫通孔の周囲に、前記回路基板を所定位置に
位置決めして支持する支持手段が設けられたことを特徴
とする。また、前記貫通孔の周囲の少なくとも前記回路
基板を当接する部位に弾性体層が設けられたことを特徴
とし、前記貫通孔が所定の間隔で複数形成されたことを
特徴とする。また、前記支持手段は前記貫通孔の周囲の
前記回路基板を当接する部位に設けた接着層であること
を特徴とする。また、前記支持手段が、キャリアフレー
ムを形成する板材を切り起こして形成され、前記回路基
板の側面に当接して回路基板をキャリアフレームに位置
決めするための係止片と、該係止片との間で回路基板を
挟圧しキャリアフレームに押接する係止部とから成るこ
とを特徴とする。また、前記係止部が、キャリアフレー
ムを形成する板材を切り起こして形成した立ち上がり片
部と、該立ち上がり片部の端部に設けられ、前記回路基
板を押接可能に押接面を斜めに曲げ形成した押圧片部と
から形成されたものであることを特徴とする。また、前
記係止片が、先端をやや外開き状に形成するとともに、
回路基板の厚みに合わせて係止可能に中間にくびれ部を
設けたものであることを特徴とする。
られた回路基板を支持して、半導体素子の搭載、半導体
素子と配線パターンとの電気的接続、半導体素子搭載部
の樹脂封止、配線パターンと外部接続端子との接合等の
所要の一連の加工を施す際に共通して使用するキャリア
フレームであって、前記回路基板を一方の面に支持可能
に矩形状に形成され、前記回路基板の半導体素子搭載面
または外部接続端子の接合面が他方の面に露出するよう
に、該回路基板を配置する位置に所定形状の貫通孔が設
けられ、該貫通孔の周囲に、前記回路基板を所定位置に
位置決めして支持する支持手段が設けられたことを特徴
とする。また、前記貫通孔の周囲の少なくとも前記回路
基板を当接する部位に弾性体層が設けられたことを特徴
とし、前記貫通孔が所定の間隔で複数形成されたことを
特徴とする。また、前記支持手段は前記貫通孔の周囲の
前記回路基板を当接する部位に設けた接着層であること
を特徴とする。また、前記支持手段が、キャリアフレー
ムを形成する板材を切り起こして形成され、前記回路基
板の側面に当接して回路基板をキャリアフレームに位置
決めするための係止片と、該係止片との間で回路基板を
挟圧しキャリアフレームに押接する係止部とから成るこ
とを特徴とする。また、前記係止部が、キャリアフレー
ムを形成する板材を切り起こして形成した立ち上がり片
部と、該立ち上がり片部の端部に設けられ、前記回路基
板を押接可能に押接面を斜めに曲げ形成した押圧片部と
から形成されたものであることを特徴とする。また、前
記係止片が、先端をやや外開き状に形成するとともに、
回路基板の厚みに合わせて係止可能に中間にくびれ部を
設けたものであることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明に係る片面樹脂封止型半導体装置の製造
方法では、所定形状の貫通孔が形成されたキャリアフレ
ームに、製品寸法の個片に形成した回路基板を貫通孔に
対応させて配置し、キャリアフレームごと回路基板を各
工程に搬送して半導体素子の搭載、ワイヤボンディン
グ、樹脂封止といった所要の加工を施すことを特徴とす
る。回路基板には半導体素子搭載面と外部接続端子を接
合するための配線パターンが設けられ、回路基板をキャ
リアフレームに支持した状態で半導体素子の搭載、ワイ
ヤボンディング、樹脂封止、外部接続端子の接合が可能
である。キャリアフレームは個片の回路基板を複数個支
持可能に短冊状に形成され、支持手段によってキャリア
フレームに位置決めして支持される。係止片、係止部に
よって回路基板をキャリアフレームに係止することによ
ってキャリアフレームを上下反転等して回路基板を搬送
して加工することができる。
方法では、所定形状の貫通孔が形成されたキャリアフレ
ームに、製品寸法の個片に形成した回路基板を貫通孔に
対応させて配置し、キャリアフレームごと回路基板を各
工程に搬送して半導体素子の搭載、ワイヤボンディン
グ、樹脂封止といった所要の加工を施すことを特徴とす
る。回路基板には半導体素子搭載面と外部接続端子を接
合するための配線パターンが設けられ、回路基板をキャ
リアフレームに支持した状態で半導体素子の搭載、ワイ
ヤボンディング、樹脂封止、外部接続端子の接合が可能
である。キャリアフレームは個片の回路基板を複数個支
持可能に短冊状に形成され、支持手段によってキャリア
フレームに位置決めして支持される。係止片、係止部に
よって回路基板をキャリアフレームに係止することによ
ってキャリアフレームを上下反転等して回路基板を搬送
して加工することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は片面樹脂封止型半導体装
置の製造方法の実施例としてＢＧＡのアセンブリ工程を
示す。図はＢＧＡの本体である回路基板１０に半導体素
子２０を搭載し、ワイヤボンディングした後、樹脂封止
し、はんだボール３０を接合してＢＧＡ製品とする一連
の工程を示す。実施例はあらかじめ製品寸法に合わせた
個片の回路基板１０を使用し、この回路基板１０を複数
個キャリアフレーム１２に配置し、キャリアフレーム１
２ごと各工程に搬送して所要の加工を施すものである。
キャリアフレーム１２は鉄系の金属や耐熱性樹脂などで
形成されている。
づいて詳細に説明する。図１は片面樹脂封止型半導体装
置の製造方法の実施例としてＢＧＡのアセンブリ工程を
示す。図はＢＧＡの本体である回路基板１０に半導体素
子２０を搭載し、ワイヤボンディングした後、樹脂封止
し、はんだボール３０を接合してＢＧＡ製品とする一連
の工程を示す。実施例はあらかじめ製品寸法に合わせた
個片の回路基板１０を使用し、この回路基板１０を複数
個キャリアフレーム１２に配置し、キャリアフレーム１
２ごと各工程に搬送して所要の加工を施すものである。
キャリアフレーム１２は鉄系の金属や耐熱性樹脂などで
形成されている。
【００１０】回路基板１０は一方の面に半導体素子搭載
面１０ａと搭載した半導体素子とワイヤボンディングす
る配線パターンが設けられ他方の面に外部接続端子を接
合する配線パターンが設けられているから、キャリアフ
レーム１２に回路基板１０を取り付けた状態で所要の加
工を施すことができるようキャリアフレーム１２の回路
基板１０を配置する部位に加工用の貫通孔１３を設け
る。回路基板１０はキャリアフレーム１２の上側にも下
側にも取り付けて加工できるが、図１に示す実施例はキ
ャリアフレーム１２の下面に回路基板１０を支持して加
工する例である。この場合、回路基板１０は半導体素子
搭載面１０ａ側を当接面としてキャリアフレーム１２に
取り付ける。
面１０ａと搭載した半導体素子とワイヤボンディングす
る配線パターンが設けられ他方の面に外部接続端子を接
合する配線パターンが設けられているから、キャリアフ
レーム１２に回路基板１０を取り付けた状態で所要の加
工を施すことができるようキャリアフレーム１２の回路
基板１０を配置する部位に加工用の貫通孔１３を設け
る。回路基板１０はキャリアフレーム１２の上側にも下
側にも取り付けて加工できるが、図１に示す実施例はキ
ャリアフレーム１２の下面に回路基板１０を支持して加
工する例である。この場合、回路基板１０は半導体素子
搭載面１０ａ側を当接面としてキャリアフレーム１２に
取り付ける。
【００１１】図４に回路基板１０をキャリアフレーム１
２で支持した状態を示す。図示例ではキャリアフレーム
１２に回路基板１０を３枚支持し、回路基板１０の配置
位置に各々矩形の貫通孔１３を設けている。なお、実施
例の貫通孔１３は半導体素子搭載面１０ａに半導体素子
２０を搭載し、半導体素子２０と配線パターンとをワイ
ヤボンディングにより電気的に接続するためであると同
時に、半導体素子２０を樹脂封止する際の樹脂封止領域
を規定する作用を有する。
２で支持した状態を示す。図示例ではキャリアフレーム
１２に回路基板１０を３枚支持し、回路基板１０の配置
位置に各々矩形の貫通孔１３を設けている。なお、実施
例の貫通孔１３は半導体素子搭載面１０ａに半導体素子
２０を搭載し、半導体素子２０と配線パターンとをワイ
ヤボンディングにより電気的に接続するためであると同
時に、半導体素子２０を樹脂封止する際の樹脂封止領域
を規定する作用を有する。
【００１２】図５はキャリアフレーム１２に回路基板１
０を位置決めして支持する支持手段を説明するための説
明図、図６は支持手段の平面配置を示す説明図である。
実施例のキャリアフレーム１２は図６に示すように支持
手段として回路基板１０の３辺を支持するための係止片
１４と回路基板１０の残りの１辺を支持する係止部１６
とを有する。図５に示すように係止片１４はキャリアフ
レーム１２を形成する板材を切り起こして形成し、先端
をやや外開き状にして回路基板１０を配置しやすくする
とともに、回路基板１０の厚みに合わせて中間にわずか
なくびれ部を形成して回路基板１０をキャリアフレーム
１２に係止しやすくしている。係止片１４は回路基板１
０を係止する作用とキャリアフレーム１２に位置決めす
る作用をなす。
０を位置決めして支持する支持手段を説明するための説
明図、図６は支持手段の平面配置を示す説明図である。
実施例のキャリアフレーム１２は図６に示すように支持
手段として回路基板１０の３辺を支持するための係止片
１４と回路基板１０の残りの１辺を支持する係止部１６
とを有する。図５に示すように係止片１４はキャリアフ
レーム１２を形成する板材を切り起こして形成し、先端
をやや外開き状にして回路基板１０を配置しやすくする
とともに、回路基板１０の厚みに合わせて中間にわずか
なくびれ部を形成して回路基板１０をキャリアフレーム
１２に係止しやすくしている。係止片１４は回路基板１
０を係止する作用とキャリアフレーム１２に位置決めす
る作用をなす。
【００１３】また、係止部１６は係止片１４と同様にキ
ャリアフレーム１２を形成する板材を切り起こして形成
するもので、板材を切り起こした立ち上がり片部１６ａ
と立ち上がり片部１６ａの端部に設けた押圧片部１６ｂ
から成る。押圧片部１６ｂは回路基板１０をキャリアフ
レーム１２に押さえ付けるようにして支持する作用をな
す。図６に示すように押圧片部１６ｂは立ち上がり片部
１６ａの両側に一つずつ配置し、回路基板１０の取り付
け、取り外しが容易にできるように回路基板１０を押接
する面側を外方に斜めに曲げて形成している。なお、１
８は加工の際にキャリアフレーム１２を定寸送りし、か
つ装置に位置決めするためのパイロット孔である。
ャリアフレーム１２を形成する板材を切り起こして形成
するもので、板材を切り起こした立ち上がり片部１６ａ
と立ち上がり片部１６ａの端部に設けた押圧片部１６ｂ
から成る。押圧片部１６ｂは回路基板１０をキャリアフ
レーム１２に押さえ付けるようにして支持する作用をな
す。図６に示すように押圧片部１６ｂは立ち上がり片部
１６ａの両側に一つずつ配置し、回路基板１０の取り付
け、取り外しが容易にできるように回路基板１０を押接
する面側を外方に斜めに曲げて形成している。なお、１
８は加工の際にキャリアフレーム１２を定寸送りし、か
つ装置に位置決めするためのパイロット孔である。
【００１４】次に、図１に示すＢＧＡの製造工程につい
て説明する。図１(a) は上述した支持手段により回路基
板１０の半導体素子搭載面１０ａを当接面側にしてキャ
リアフレーム１２に回路基板１０を位置決めして支持し
た状態で、半導体素子２０を半導体素子搭載面１０ａに
ダイ付けする工程を示す。ダイ付け工程では回路基板１
０の下面にヒータブロック２２を当接し、ダイ付け部を
加熱しＡｕ−Ｓｉ共晶接合、はんだ接合などで行う。な
お、常温で熱硬化性樹脂によりダイ付けしてもよい。
て説明する。図１(a) は上述した支持手段により回路基
板１０の半導体素子搭載面１０ａを当接面側にしてキャ
リアフレーム１２に回路基板１０を位置決めして支持し
た状態で、半導体素子２０を半導体素子搭載面１０ａに
ダイ付けする工程を示す。ダイ付け工程では回路基板１
０の下面にヒータブロック２２を当接し、ダイ付け部を
加熱しＡｕ−Ｓｉ共晶接合、はんだ接合などで行う。な
お、常温で熱硬化性樹脂によりダイ付けしてもよい。
【００１５】次いで、図１(b) に示すように半導体素子
２０と配線パターンとをワイヤボンディングにより電気
的に接続する。２４はワイヤボンディング用のボンダー
である。なお、半導体素子２０と回路基板１０の配線パ
ターンとの電気的接続はワイヤボンディングに限るもの
ではなく、ＴＡＢテープを使用する方法、フリップチッ
プ法による方法等が可能である。
２０と配線パターンとをワイヤボンディングにより電気
的に接続する。２４はワイヤボンディング用のボンダー
である。なお、半導体素子２０と回路基板１０の配線パ
ターンとの電気的接続はワイヤボンディングに限るもの
ではなく、ＴＡＢテープを使用する方法、フリップチッ
プ法による方法等が可能である。
【００１６】次に、樹脂封止工程において半導体素子２
０を樹脂封止する。図１(c) はモールド金型２６ａ、２
６ｂにより回路基板１０およびキャリアフレーム１２を
クランプして樹脂封止する様子を示す。樹脂封止操作は
半導体素子２０を搭載した回路基板１０の片面側につい
て行うから、上型側のモールド金型２６ａにキャビティ
凹部を形成し、キャリアフレーム１２の上面にランナー
路２８を配置してキャビティに樹脂を充填する。図１
(c) に示すようにモールド金型２６ａで回路基板１０を
クランプして樹脂を充填すると、樹脂はモールド金型２
６ａに設けたキャビティ凹部とキャリアフレーム１２の
貫通孔１３部分（キャリアフレーム１２の厚み分）に充
填されて樹脂成形される。
０を樹脂封止する。図１(c) はモールド金型２６ａ、２
６ｂにより回路基板１０およびキャリアフレーム１２を
クランプして樹脂封止する様子を示す。樹脂封止操作は
半導体素子２０を搭載した回路基板１０の片面側につい
て行うから、上型側のモールド金型２６ａにキャビティ
凹部を形成し、キャリアフレーム１２の上面にランナー
路２８を配置してキャビティに樹脂を充填する。図１
(c) に示すようにモールド金型２６ａで回路基板１０を
クランプして樹脂を充填すると、樹脂はモールド金型２
６ａに設けたキャビティ凹部とキャリアフレーム１２の
貫通孔１３部分（キャリアフレーム１２の厚み分）に充
填されて樹脂成形される。
【００１７】なお、回路基板１０は後工程でキャリアフ
レーム１２から取り外すから、樹脂封止する際の樹脂成
形範囲は貫通孔１３の領域よりも大きくならないように
モールド金型２６ａを設計する必要がある。本実施例の
ように回路基板１０をキャリアフレーム１２の下側に配
置して樹脂モールドする方法による場合は、図１(c)に
示すようにランナー路２８がキャリアフレーム１２に付
着するだけで、回路基板１０に樹脂を付着させずに樹脂
封止できるという利点がある。
レーム１２から取り外すから、樹脂封止する際の樹脂成
形範囲は貫通孔１３の領域よりも大きくならないように
モールド金型２６ａを設計する必要がある。本実施例の
ように回路基板１０をキャリアフレーム１２の下側に配
置して樹脂モールドする方法による場合は、図１(c)に
示すようにランナー路２８がキャリアフレーム１２に付
着するだけで、回路基板１０に樹脂を付着させずに樹脂
封止できるという利点がある。
【００１８】樹脂封止した後、図１(d) に示すように回
路基板１０の下面に実装基板などと接続する外部接続端
子としてはんだボール３０を取り付ける。回路基板１０
は支持手段によってキャリアフレーム１２に弾性的に支
持しているだけであるからキャリアフレーム１２から簡
単に取り外すことができて単体のＢＧＡ製品として得ら
れる。２９が樹脂封止部である。なお、ＢＧＡの場合は
外部接続端子としてはんだボールを使用するが、片面樹
脂封止型半導体装置としてはんだボールの他にリードピ
ン等を外部接続端子として使用することが可能である。
路基板１０の下面に実装基板などと接続する外部接続端
子としてはんだボール３０を取り付ける。回路基板１０
は支持手段によってキャリアフレーム１２に弾性的に支
持しているだけであるからキャリアフレーム１２から簡
単に取り外すことができて単体のＢＧＡ製品として得ら
れる。２９が樹脂封止部である。なお、ＢＧＡの場合は
外部接続端子としてはんだボールを使用するが、片面樹
脂封止型半導体装置としてはんだボールの他にリードピ
ン等を外部接続端子として使用することが可能である。
【００１９】また、一般に片面樹脂封止型半導体装置に
用いられる回路基板１０にはプリント基板が使用され、
その性質上吸水性や吸湿性がセラミックパッケージなど
より高く、回路基板１０の側面が露出していることによ
って側面部分から吸湿されやすく、これが問題となるこ
とがある。これを防止する方法として、図２、３に示す
ように、キャリアフレーム１２として回路基板１０を支
持する面上に貫通孔１３のコーナー部から回路基板１０
の縁部にまで通じる溝１５を形成したものを使用し、下
型側のモールド金型２６ｂとしては回路基板１０をセッ
トするセット凹部の寸法を回路基板１０の外形寸法より
も若干大きく形成したものを使用することによって、樹
脂封止時に溝１５からモールド金型２６ｂのセット凹部
の側壁と回路基板１０の側面との間に樹脂が回り込むよ
うにして樹脂封止するとよい。
用いられる回路基板１０にはプリント基板が使用され、
その性質上吸水性や吸湿性がセラミックパッケージなど
より高く、回路基板１０の側面が露出していることによ
って側面部分から吸湿されやすく、これが問題となるこ
とがある。これを防止する方法として、図２、３に示す
ように、キャリアフレーム１２として回路基板１０を支
持する面上に貫通孔１３のコーナー部から回路基板１０
の縁部にまで通じる溝１５を形成したものを使用し、下
型側のモールド金型２６ｂとしては回路基板１０をセッ
トするセット凹部の寸法を回路基板１０の外形寸法より
も若干大きく形成したものを使用することによって、樹
脂封止時に溝１５からモールド金型２６ｂのセット凹部
の側壁と回路基板１０の側面との間に樹脂が回り込むよ
うにして樹脂封止するとよい。
【００２０】この樹脂封止方法によれば回路基板１０の
側面全体が樹脂によって封止されることにより、回路基
板１０の側面からの吸水性、吸湿性を防止することがで
きる。なお、キャリアフレーム１２に設ける溝１５は回
路基板１０の側面に樹脂を回り込ませるようにするため
のものであるから、貫通孔１３と回路基板１０の縁部と
を連絡できればよく、設置位置も貫通孔１３のコーナー
部に限らず適宜位置とすることができ、設置数もとくに
限定されるものではない。図２は図３でのＡ−Ａ線断面
図を示す。
側面全体が樹脂によって封止されることにより、回路基
板１０の側面からの吸水性、吸湿性を防止することがで
きる。なお、キャリアフレーム１２に設ける溝１５は回
路基板１０の側面に樹脂を回り込ませるようにするため
のものであるから、貫通孔１３と回路基板１０の縁部と
を連絡できればよく、設置位置も貫通孔１３のコーナー
部に限らず適宜位置とすることができ、設置数もとくに
限定されるものではない。図２は図３でのＡ−Ａ線断面
図を示す。
【００２１】キャリアフレーム１２に回路基板１０を複
数個支持して一連のアセンブリ工程を経過させる場合、
上記実施例では回路基板１０を常に上向きにしてキャリ
アフレーム１２を搬送したが、装置によってはキャリア
フレーム１２を工程中で上下反転して加工した方が都合
がよい場合がある。図７は回路基板１０に半導体素子２
０を搭載しワイヤボンディング工程が完了した後、キャ
リアフレーム１２を上下反転させて樹脂封止とはんだボ
ール３０の接合を行う実施例を示す。この実施例の場合
は樹脂封止の際に回路基板１０がキャリアフレーム１２
の上側にあることから回路基板１０の支持がより確実に
できることと、はんだボール３０を接合する回路基板１
０の面が上側にあることではんだボール３０を容易に接
合できるという利点がある。
数個支持して一連のアセンブリ工程を経過させる場合、
上記実施例では回路基板１０を常に上向きにしてキャリ
アフレーム１２を搬送したが、装置によってはキャリア
フレーム１２を工程中で上下反転して加工した方が都合
がよい場合がある。図７は回路基板１０に半導体素子２
０を搭載しワイヤボンディング工程が完了した後、キャ
リアフレーム１２を上下反転させて樹脂封止とはんだボ
ール３０の接合を行う実施例を示す。この実施例の場合
は樹脂封止の際に回路基板１０がキャリアフレーム１２
の上側にあることから回路基板１０の支持がより確実に
できることと、はんだボール３０を接合する回路基板１
０の面が上側にあることではんだボール３０を容易に接
合できるという利点がある。
【００２２】図８は樹脂封止工程までは回路基板１０を
キャリアフレーム１２の下面に支持し、樹脂封止後にキ
ャリアフレーム１２を上下反転してはんだボール３０の
接合を行う実施例を示す。上記実施例では半導体素子１
２を封止する方法としてモールド金型２６ａ、２６ｂを
用いた樹脂成形によっているが、半導体素子１２の封止
は必ずしも樹脂成形に限定されるものではなく、たとえ
ば、封止材をポッティングするといった樹脂コーティン
グによることも可能である。このような場合は、図８に
示すように樹脂封止工程までは回路基板１０の半導体素
子搭載部を上向きにしておく必要がある。
キャリアフレーム１２の下面に支持し、樹脂封止後にキ
ャリアフレーム１２を上下反転してはんだボール３０の
接合を行う実施例を示す。上記実施例では半導体素子１
２を封止する方法としてモールド金型２６ａ、２６ｂを
用いた樹脂成形によっているが、半導体素子１２の封止
は必ずしも樹脂成形に限定されるものではなく、たとえ
ば、封止材をポッティングするといった樹脂コーティン
グによることも可能である。このような場合は、図８に
示すように樹脂封止工程までは回路基板１０の半導体素
子搭載部を上向きにしておく必要がある。
【００２３】図７、６に示した例はいずれもキャリアフ
レーム１２を加工工程中で１回のみ上下反転させて加工
する場合であるが、キャリアフレーム１２をさらに反転
して加工することも可能である。たとえば、図７、６に
示す例で、樹脂封止した後、キャリアフレーム１２を再
度反転し、はんだボール３０の接合面を下向きにしては
んだボール３０を接合することも可能である。本実施例
で使用する短冊状のキャリアフレーム１２は図４、３、
４で示したように回路基板１０をキャリアフレーム１２
で係止して支持するから、キャリアフレーム１２を反転
等して加工する操作にまったく支障なく使用することが
できる。
レーム１２を加工工程中で１回のみ上下反転させて加工
する場合であるが、キャリアフレーム１２をさらに反転
して加工することも可能である。たとえば、図７、６に
示す例で、樹脂封止した後、キャリアフレーム１２を再
度反転し、はんだボール３０の接合面を下向きにしては
んだボール３０を接合することも可能である。本実施例
で使用する短冊状のキャリアフレーム１２は図４、３、
４で示したように回路基板１０をキャリアフレーム１２
で係止して支持するから、キャリアフレーム１２を反転
等して加工する操作にまったく支障なく使用することが
できる。
【００２４】上記各実施例で使用したキャリアフレーム
１２は半導体素子搭載面１０ａをキャリアフレーム１２
に当接させて回路基板１０を支持するものである。図９
はこのように半導体素子搭載面１０ａをキャリアフレー
ム１２に当接して支持するキャリアフレーム１２の他の
実施例を示す。この実施例のキャリアフレーム１２はキ
ャリアフレーム１２の基材の表裏面に弾性体層１２ａ、
１２ｂを設けたことを特徴とする。
１２は半導体素子搭載面１０ａをキャリアフレーム１２
に当接させて回路基板１０を支持するものである。図９
はこのように半導体素子搭載面１０ａをキャリアフレー
ム１２に当接して支持するキャリアフレーム１２の他の
実施例を示す。この実施例のキャリアフレーム１２はキ
ャリアフレーム１２の基材の表裏面に弾性体層１２ａ、
１２ｂを設けたことを特徴とする。
【００２５】図１０は弾性体層１２ａ、１２ｂを設けた
キャリアフレーム１２に回路基板１０を装着し、モール
ド金型２６ａ、２６ｂでクランプして樹脂封止する様子
を示す。回路基板１０はキャリアフレーム１２ごとモー
ルド金型２６ａ、２６ｂによってクランプされて樹脂封
止されるが、本実施例のキャリアフレーム１２はその表
裏面に弾性体層１２ａ、１２ｂを設けたことによってモ
ールド金型２６ａ、２６ｂにより回路基板１０を好適に
クランプして樹脂封止することができる。
キャリアフレーム１２に回路基板１０を装着し、モール
ド金型２６ａ、２６ｂでクランプして樹脂封止する様子
を示す。回路基板１０はキャリアフレーム１２ごとモー
ルド金型２６ａ、２６ｂによってクランプされて樹脂封
止されるが、本実施例のキャリアフレーム１２はその表
裏面に弾性体層１２ａ、１２ｂを設けたことによってモ
ールド金型２６ａ、２６ｂにより回路基板１０を好適に
クランプして樹脂封止することができる。
【００２６】キャリアフレーム１２の表裏面に設けた弾
性体層１２ａ、１２ｂはモールド金型２６ａ、２６ｂに
よって回路基板１０をクランプする際に挟圧力が的確に
回路基板１０に作用して樹脂封止領域から樹脂漏れが生
じることを防止し、その緩衝作用によってモールド金型
２６ａ、２６ｂがキャリアフレーム１２を介して強く回
路基板１０をクランプした際に回路基板１０の表面に設
けたレジスト膜層にクラックや圧痕が生じたり、回路基
板１０の配線パターンが傷むといったことを防止するこ
とができる。
性体層１２ａ、１２ｂはモールド金型２６ａ、２６ｂに
よって回路基板１０をクランプする際に挟圧力が的確に
回路基板１０に作用して樹脂封止領域から樹脂漏れが生
じることを防止し、その緩衝作用によってモールド金型
２６ａ、２６ｂがキャリアフレーム１２を介して強く回
路基板１０をクランプした際に回路基板１０の表面に設
けたレジスト膜層にクラックや圧痕が生じたり、回路基
板１０の配線パターンが傷むといったことを防止するこ
とができる。
【００２７】なお、弾性体層１２ａ、１２ｂはとくに材
質が限定されるものではなく、耐熱シリコン等の弾性を
有する素材であれば適宜使用できる。また、本実施例で
はキャリアフレーム１２の基材の両面に弾性体層１２
ａ、１２ｂを設けたが、弾性体層１２ａ、１２ｂはキャ
リアフレーム１２の少なくとも回路基板１０が当接する
面に設けることにより、樹脂漏れ防止、レジスト層ある
いは配線パターンを傷めるといったことを防止すること
ができる。また、弾性体層１２ａ、１２ｂはキャリアフ
レーム１２の全面に設けてもよいし、図９に示すように
回路基板１０とモールド金型２６ａが当接する部位にの
み設けるようにしてもよい。
質が限定されるものではなく、耐熱シリコン等の弾性を
有する素材であれば適宜使用できる。また、本実施例で
はキャリアフレーム１２の基材の両面に弾性体層１２
ａ、１２ｂを設けたが、弾性体層１２ａ、１２ｂはキャ
リアフレーム１２の少なくとも回路基板１０が当接する
面に設けることにより、樹脂漏れ防止、レジスト層ある
いは配線パターンを傷めるといったことを防止すること
ができる。また、弾性体層１２ａ、１２ｂはキャリアフ
レーム１２の全面に設けてもよいし、図９に示すように
回路基板１０とモールド金型２６ａが当接する部位にの
み設けるようにしてもよい。
【００２８】図１１はキャリアフレーム１２の他の実施
例を示す。この実施例はキャリアフレーム１２で回路基
板１０を支持する面の貫通孔１３の周縁部に接着層１２
ｃを設けて回路基板１０をキャリアフレーム１２に接着
して支持するように構成したことを特徴とする。前記図
５に示すキャリアフレーム１２では係止片１４を設けて
回路基板１０を支持したが、本実施例のように接着層１
２ｃを設ける方法によれば回路基板１０を簡単に支持で
きるとともにキャリアフレーム１２を製造する場合も係
止片１４を切り起こして成形することが必要なくなり、
容易にキャリアフレーム１２を作成することができると
いう利点がある。また、接着層１２ｃは上記実施例の弾
性体層１２ａ、１２ｂと同様な緩衝作用も有するという
利点がある。
例を示す。この実施例はキャリアフレーム１２で回路基
板１０を支持する面の貫通孔１３の周縁部に接着層１２
ｃを設けて回路基板１０をキャリアフレーム１２に接着
して支持するように構成したことを特徴とする。前記図
５に示すキャリアフレーム１２では係止片１４を設けて
回路基板１０を支持したが、本実施例のように接着層１
２ｃを設ける方法によれば回路基板１０を簡単に支持で
きるとともにキャリアフレーム１２を製造する場合も係
止片１４を切り起こして成形することが必要なくなり、
容易にキャリアフレーム１２を作成することができると
いう利点がある。また、接着層１２ｃは上記実施例の弾
性体層１２ａ、１２ｂと同様な緩衝作用も有するという
利点がある。
【００２９】接着層１２ｃはキャリアフレーム１２の表
面に接着剤を塗布する方法、あるいは接着性を有するフ
ィルムを貼着する方法等によって形成することができ
る。接着性を有するフィルムとしてはたとえば、紫外線
硬化フィルム、半硬化エポキシフィルム等が利用でき
る。なお、アセンブリ後にはキャリアフレーム１２から
回路基板１０を分離するから接着層１２ｃはアセンブリ
後に回路基板１２が容易に取り外しできる性質のものが
好適である。
面に接着剤を塗布する方法、あるいは接着性を有するフ
ィルムを貼着する方法等によって形成することができ
る。接着性を有するフィルムとしてはたとえば、紫外線
硬化フィルム、半硬化エポキシフィルム等が利用でき
る。なお、アセンブリ後にはキャリアフレーム１２から
回路基板１０を分離するから接着層１２ｃはアセンブリ
後に回路基板１２が容易に取り外しできる性質のものが
好適である。
【００３０】次に、回路基板１０をキャリアフレーム１
２の上面で支持して所要のアセンブリ工程を経過させて
製造する実施例を示す。上記各実施例ではいずれも半導
体素子搭載面をキャリアフレーム１２に当接するように
回路基板１０を装着して樹脂封止したが、以下の実施例
ははんだボール３０を接合する接合面をキャリアフレー
ム１２に当接して回路基板１０を支持する場合である。
２の上面で支持して所要のアセンブリ工程を経過させて
製造する実施例を示す。上記各実施例ではいずれも半導
体素子搭載面をキャリアフレーム１２に当接するように
回路基板１０を装着して樹脂封止したが、以下の実施例
ははんだボール３０を接合する接合面をキャリアフレー
ム１２に当接して回路基板１０を支持する場合である。
【００３１】図１２にキャリアフレーム１２の上面に回
路基板１０を装着する様子を示す。キャリアフレーム１
２に貫通孔１３を設けること、係止片１４によって回路
基板１０を位置決めして支持するようにすることも前述
した実施例と同様である。図１３、１２、１３は短冊状
のキャリアフレーム１２の上面に回路基板１０を支持す
る他の実施例を示す。
路基板１０を装着する様子を示す。キャリアフレーム１
２に貫通孔１３を設けること、係止片１４によって回路
基板１０を位置決めして支持するようにすることも前述
した実施例と同様である。図１３、１２、１３は短冊状
のキャリアフレーム１２の上面に回路基板１０を支持す
る他の実施例を示す。
【００３２】図１３に示す例は、キャリアフレーム１２
を形成する板材を切り起こして係止片１４を形成し、こ
の係止片１４に回路基板１０の側面を当接させることに
よってキャリアフレーム１２に対し回路基板１０を位置
決めをするとともに、キャリアフレーム１２とは別体で
形成したバネ性を有する可動係止片３２をキャリアフレ
ーム１２の下面にろう付けして固定し、可動係止片３２
によって回路基板１０をキャリアフレーム１２に押接し
て支持するように構成したものである。回路基板１０を
脱着する場合は可動係止片３２を押し開いて操作する。
このキャリアフレーム１２は可動係止片３２を別体で形
成するから部品点数が多くなるが、弾性を有する可動係
止片３２を設けたことによって回路基板１０を確実に支
持できるという利点がある。
を形成する板材を切り起こして係止片１４を形成し、こ
の係止片１４に回路基板１０の側面を当接させることに
よってキャリアフレーム１２に対し回路基板１０を位置
決めをするとともに、キャリアフレーム１２とは別体で
形成したバネ性を有する可動係止片３２をキャリアフレ
ーム１２の下面にろう付けして固定し、可動係止片３２
によって回路基板１０をキャリアフレーム１２に押接し
て支持するように構成したものである。回路基板１０を
脱着する場合は可動係止片３２を押し開いて操作する。
このキャリアフレーム１２は可動係止片３２を別体で形
成するから部品点数が多くなるが、弾性を有する可動係
止片３２を設けたことによって回路基板１０を確実に支
持できるという利点がある。
【００３３】図１４に示す例は、回路基板１０をキャリ
アフレーム１２に押接する可動係止片３３をキャリアフ
レーム１２の板材を比較的長く切り起こして形成し、可
動係止片３３の内面で回路基板１０の側面の上縁を押接
することにより回路基板１０をキャリアフレーム１２に
支持するよう構成した例である。可動係止片３３の上端
縁を若干外開き状に曲げ形成し、可動係止片３３を押し
開く操作を容易にするとともに回路基板１０の装着を容
易にしている。この例では可動係止片３３をキャリアフ
レーム１２と一体形成しているからキャリアフレーム１
２の構成が単純になるという利点がある。
アフレーム１２に押接する可動係止片３３をキャリアフ
レーム１２の板材を比較的長く切り起こして形成し、可
動係止片３３の内面で回路基板１０の側面の上縁を押接
することにより回路基板１０をキャリアフレーム１２に
支持するよう構成した例である。可動係止片３３の上端
縁を若干外開き状に曲げ形成し、可動係止片３３を押し
開く操作を容易にするとともに回路基板１０の装着を容
易にしている。この例では可動係止片３３をキャリアフ
レーム１２と一体形成しているからキャリアフレーム１
２の構成が単純になるという利点がある。
【００３４】図１５に示す例は、回路基板１０をキャリ
アフレーム１２に係止するためキャリアフレーム１２を
形成する板材をバーリング加工して回路基板１０の係止
位置に係止用ピン３４を立設し、係止用ピン３４にすり
割りを設けてバネ性を持たせたものである。係止用ピン
３４はその上端縁を外開き状に広げ、回路基板１０をセ
ットした際に係止用ピン３４の側面で回路基板１０の側
面を係止してキャリアフレーム１２に押接するように構
成した。
アフレーム１２に係止するためキャリアフレーム１２を
形成する板材をバーリング加工して回路基板１０の係止
位置に係止用ピン３４を立設し、係止用ピン３４にすり
割りを設けてバネ性を持たせたものである。係止用ピン
３４はその上端縁を外開き状に広げ、回路基板１０をセ
ットした際に係止用ピン３４の側面で回路基板１０の側
面を係止してキャリアフレーム１２に押接するように構
成した。
【００３５】図１６は図１２に示すキャリアフレーム１
２に回路基板１０を装着してアセンブリする工程を示
す。キャリアフレーム１２に回路基板１０を装着した後
（図１６(a) ）、回路基板１０の半導体素子搭載面１０
ａに半導体素子２０を搭載し、ワイヤボンディングによ
って半導体素子２０と回路基板１０の配線パターンとを
電気的に接続する（図１６(b) ）。次いで、モールド金
型２６ａ、２６ｂで回路基板１０とキャリアフレーム１
２をクランプして樹脂封止する（図１６(c) ）。この場
合の樹脂封止操作では回路基板１０にじかにモールド金
型２６ａが当接し、ランナー路２８からキャビティに樹
脂を充填する際に回路基板１０の側面に樹脂が接触す
る。
２に回路基板１０を装着してアセンブリする工程を示
す。キャリアフレーム１２に回路基板１０を装着した後
（図１６(a) ）、回路基板１０の半導体素子搭載面１０
ａに半導体素子２０を搭載し、ワイヤボンディングによ
って半導体素子２０と回路基板１０の配線パターンとを
電気的に接続する（図１６(b) ）。次いで、モールド金
型２６ａ、２６ｂで回路基板１０とキャリアフレーム１
２をクランプして樹脂封止する（図１６(c) ）。この場
合の樹脂封止操作では回路基板１０にじかにモールド金
型２６ａが当接し、ランナー路２８からキャビティに樹
脂を充填する際に回路基板１０の側面に樹脂が接触す
る。
【００３６】樹脂封止した後、図１６(d) に示すように
回路基板１０の下面にはんだボール３０を接合する。キ
ャリアフレーム１２から回路基板１０を取り外し単体の
製品として得られる。本実施例の場合も貫通孔１３を設
けたキャリアフレーム１２に回路基板１０を装着して搬
送することにより所要のアセンブリ工程を効率的に行う
ことができる。なお、図１６に示すような製造工程で
は、キャリアフレーム１２に設けた支持手段は単に回路
基板１０をキャリアフレーム１２に位置合わせする位置
合わせ用ピンのみの構成であってもよい。
回路基板１０の下面にはんだボール３０を接合する。キ
ャリアフレーム１２から回路基板１０を取り外し単体の
製品として得られる。本実施例の場合も貫通孔１３を設
けたキャリアフレーム１２に回路基板１０を装着して搬
送することにより所要のアセンブリ工程を効率的に行う
ことができる。なお、図１６に示すような製造工程で
は、キャリアフレーム１２に設けた支持手段は単に回路
基板１０をキャリアフレーム１２に位置合わせする位置
合わせ用ピンのみの構成であってもよい。
【００３７】図１７ははんだボールの接合面をキャリア
フレーム１２に当接して回路基板１０を支持した状態で
アセンブリ工程を経過させる他の実施例を示す。この実
施例では回路基板１０に半導体素子２０を搭載してワイ
ヤボンディングした後、キャリアフレーム１２の上下面
を反転した状態で樹脂封止し（図１７(b) ）、次いでは
んだボール３０を接合して製品とする。図１８はさらに
他の実施例を示す。この実施例では回路基板１０をキャ
リアフレーム１２の上にした状態で樹脂封止した後（図
１８(a) ）、キャリアフレーム１２の上下面を反転して
はんだボール３０を接合する。
フレーム１２に当接して回路基板１０を支持した状態で
アセンブリ工程を経過させる他の実施例を示す。この実
施例では回路基板１０に半導体素子２０を搭載してワイ
ヤボンディングした後、キャリアフレーム１２の上下面
を反転した状態で樹脂封止し（図１７(b) ）、次いでは
んだボール３０を接合して製品とする。図１８はさらに
他の実施例を示す。この実施例では回路基板１０をキャ
リアフレーム１２の上にした状態で樹脂封止した後（図
１８(a) ）、キャリアフレーム１２の上下面を反転して
はんだボール３０を接合する。
【００３８】これら図１６、１５、１６で示す実施例に
おいても前述した実施例と同様にモールド金型２６ａ、
２６ｂを用いた樹脂成形によるかわりに、ポッティング
等の樹脂コーティングによって半導体素子２０を封止す
る方法によることもできる。また、実施例では外部接続
端子としてははんだボール３０を使用した例を示すが、
外部接続端子としてリードピンを使用することも可能で
ある。また、上記各実施例ではキャリアフレーム１２に
複数の貫通孔１３を設けたものを使用したが、１つのキ
ャリアフレーム１２に１つの回路基板１０を装着する場
合にも適用でき、貫通孔１３を縦横に複数列で設けて回
路基板１０を縦横に複数列で装着するキャリアフレーム
を使用することもできる。
おいても前述した実施例と同様にモールド金型２６ａ、
２６ｂを用いた樹脂成形によるかわりに、ポッティング
等の樹脂コーティングによって半導体素子２０を封止す
る方法によることもできる。また、実施例では外部接続
端子としてははんだボール３０を使用した例を示すが、
外部接続端子としてリードピンを使用することも可能で
ある。また、上記各実施例ではキャリアフレーム１２に
複数の貫通孔１３を設けたものを使用したが、１つのキ
ャリアフレーム１２に１つの回路基板１０を装着する場
合にも適用でき、貫通孔１３を縦横に複数列で設けて回
路基板１０を縦横に複数列で装着するキャリアフレーム
を使用することもできる。
【００３９】図１９および図２０は回路基板１０を装着
するキャリアフレーム１２のさらに他の実施例を示す。
これらの実施例のキャリアフレーム１２ではキャリアフ
レーム１２上に突設した固定ピン４０を回路基板１０の
樹脂封止範囲の外側に設けたスルーホール１１に嵌入し
て回路基板１０を係止することを特徴とする。図２１は
キャリアフレーム１２に回路基板１０を装着した状態の
平面図を示す。実施例では回路基板１０の四隅にスルー
ホール１１を設け、各々のスルーホール１１に固定ピン
４０を嵌入して固定した。
するキャリアフレーム１２のさらに他の実施例を示す。
これらの実施例のキャリアフレーム１２ではキャリアフ
レーム１２上に突設した固定ピン４０を回路基板１０の
樹脂封止範囲の外側に設けたスルーホール１１に嵌入し
て回路基板１０を係止することを特徴とする。図２１は
キャリアフレーム１２に回路基板１０を装着した状態の
平面図を示す。実施例では回路基板１０の四隅にスルー
ホール１１を設け、各々のスルーホール１１に固定ピン
４０を嵌入して固定した。
【００４０】図１９はキャリアフレーム１２の上面に回
路基板１０を装着して樹脂封止した状態、図２０はキャ
リアフレーム１２の下面に回路基板１０を装着して樹脂
封止した状態を示す。いずれの場合も固定ピン４０の突
端部をスルーホール１１の内径よりも大径な球状とし、
スルーホール１１に固定ピン４０を嵌入した際に回路基
板１０を確実にキャリアフレーム１２に固定できるよう
にしている。
路基板１０を装着して樹脂封止した状態、図２０はキャ
リアフレーム１２の下面に回路基板１０を装着して樹脂
封止した状態を示す。いずれの場合も固定ピン４０の突
端部をスルーホール１１の内径よりも大径な球状とし、
スルーホール１１に固定ピン４０を嵌入した際に回路基
板１０を確実にキャリアフレーム１２に固定できるよう
にしている。
【００４１】図２２はキャリアフレーム１２に設ける固
定ピン４０の他の形状を示す。図２２(a) は固定ピン４
０の突端部を楕円体状としたもの、図２２(b) は固定ピ
ン４０の先端部を円錐状（断面菱形）としたものであ
る。また、図２２(a) ではスルーホール１１の内面にめ
っき４２を施し、図２２(b) ではスルーホール１１の内
面にフッ素樹脂コーティング４４を施した例を示す。ス
ルーホール１１にこれらの処理を施すことによって固定
ピン４０を抜き差しした際にスルーホール１１を傷めな
いようにすることができる。
定ピン４０の他の形状を示す。図２２(a) は固定ピン４
０の突端部を楕円体状としたもの、図２２(b) は固定ピ
ン４０の先端部を円錐状（断面菱形）としたものであ
る。また、図２２(a) ではスルーホール１１の内面にめ
っき４２を施し、図２２(b) ではスルーホール１１の内
面にフッ素樹脂コーティング４４を施した例を示す。ス
ルーホール１１にこれらの処理を施すことによって固定
ピン４０を抜き差しした際にスルーホール１１を傷めな
いようにすることができる。
【００４２】これら実施例のようにキャリアフレーム１
２に固定ピン４０を設けて回路基板１０を装着する方法
は、図５に示すキャリアフレーム１２のように回路基板
１０の側縁部を係止片１４や係止部１６で係止して装着
する場合にくらべて回路基板１０の位置決め精度を高め
ることができて確実に固定でき、また回路基板１０の側
縁部を傷めたりせずに装着できるという利点がある。ま
た、キャリアフレーム１２の再利用が容易に可能になる
という利点もある。
２に固定ピン４０を設けて回路基板１０を装着する方法
は、図５に示すキャリアフレーム１２のように回路基板
１０の側縁部を係止片１４や係止部１６で係止して装着
する場合にくらべて回路基板１０の位置決め精度を高め
ることができて確実に固定でき、また回路基板１０の側
縁部を傷めたりせずに装着できるという利点がある。ま
た、キャリアフレーム１２の再利用が容易に可能になる
という利点もある。
【００４３】
【発明の効果】本発明に係る片面樹脂封止型半導体装置
の製造方法によれば、上述したように片面樹脂封止型半
導体装置の製造コストの低減化を有効に図ることがで
き、また、キャリアフレームで回路基板を支持して搬送
するように構成したことによって既存設備を利用して効
率的な製造を行うことが可能になる。また、本発明に係
るキャリアフレームによれば片面樹脂封止型半導体装置
を好適に製造することができる等の著効を奏する。
の製造方法によれば、上述したように片面樹脂封止型半
導体装置の製造コストの低減化を有効に図ることがで
き、また、キャリアフレームで回路基板を支持して搬送
するように構成したことによって既存設備を利用して効
率的な製造を行うことが可能になる。また、本発明に係
るキャリアフレームによれば片面樹脂封止型半導体装置
を好適に製造することができる等の著効を奏する。
【図１】片面樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す説
明図である。
明図である。
【図２】片面樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す説
明図である。
明図である。
【図３】溝を設けたキャリアフレームに回路基板を装着
した状態の説明図である。
した状態の説明図である。
【図４】キャリアフレームに回路基板を装着した状態を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図５】キャリアフレームで回路基板を支持する支持手
段を示す説明図である。
段を示す説明図である。
【図６】回路基板を支持する支持手段の平面配置を示す
説明図である。
説明図である。
【図７】片面樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図８】片面樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図９】弾性体層を設けたキャリアフレームの実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１０】弾性体層を設けたキャリアフレームに回路基
板を装着して樹脂封止した状態を一部拡大して示す断面
図である。
板を装着して樹脂封止した状態を一部拡大して示す断面
図である。
【図１１】接着層を設けたキャリアフレームに回路基板
を装着した状態を示す断面図である。
を装着した状態を示す断面図である。
【図１２】キャリアフレームに回路基板を装着した状態
の説明図である。
の説明図である。
【図１３】キャリアフレームで回路基板を支持する支持
手段を示す説明図である。
手段を示す説明図である。
【図１４】キャリアフレームで回路基板を支持する支持
手段を示す説明図である。
手段を示す説明図である。
【図１５】キャリアフレームで回路基板を支持する支持
手段を示す説明図である。
手段を示す説明図である。
【図１６】片面樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図１７】片面樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図１８】片面樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図１９】固定ピンを有するキャリアフレームに回路基
板を装着して樹脂封止した状態を示す断面図である。
板を装着して樹脂封止した状態を示す断面図である。
【図２０】固定ピンを有するキャリアフレームに回路基
板を装着して樹脂封止した状態を示す断面図である。
板を装着して樹脂封止した状態を示す断面図である。
【図２１】キャリアフレームに回路基板を装着した状態
の平面図である。
の平面図である。
【図２２】キャリアフレームの形成する固定ピンの他の
形成例を示す断面図である。
形成例を示す断面図である。
【図２３】プリント基板を片面樹脂封止した状態を示す
説明図である。
説明図である。
１０ 回路基板 １１ スルーホール １２ キャリアフレーム １２ａ、１２ｂ 弾性体層 １２ｃ 接着層 １３ 貫通孔 １４ 係止片 １５ 溝 １６ 係止部 １８ パイロット孔 ２０ 半導体素子 ２２ ヒータブロック ２４ ボンダー ２６ａ、２６ｂ モールド金型 ２８ ランナー路 ３０ はんだボール ３２、３３ 可動係止片 ３４ 係止用ピン ４０ 固定ピン ４２ めっき ４４ フッ素樹脂コーティング
Claims (17)
- 【請求項１】 両面に配線パターンを設けた回路基板の
半導体素子搭載面側に半導体素子を搭載し、半導体素子
搭載部を樹脂封止した後、他面側の配線パターンにはん
だボール等の外部接続端子を接合して半導体装置とする
片面樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 個片に形成した回路基板を、貫通孔が形成された矩形状
のキャリアフレームの前記貫通孔に対応して位置決めし
て配置し、 前記回路基板を前記キャリアフレームに支持して搬送
し、半導体素子の搭載、半導体素子と配線パターンとの
電気的接続、半導体素子搭載部の樹脂封止、配線パター
ンと外部接続端子との接合等の所要の一連の加工を施す
ことを特徴とする片面樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 貫通孔が所定の間隔で複数形成されたキ
ャリアフレームの下面に、両面に配線パターンが設けら
れた個片の回路基板を、該回路基板の半導体素子搭載面
を前記貫通孔内に露出させ、かつ該半導体素子搭載面側
の周縁部を前記キャリアフレームと当接させて複数個支
持し、 前記半導体素子搭載面に半導体素子を搭載し、該半導体
素子と配線パターンとを電気的に接続した後、 前記貫通孔の領域内で半導体素子搭載部を樹脂封止し、 前記回路基板の他面側に設けられた配線パターンと外部
接続端子とを接合することを含むことを特徴とする片面
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体素子搭載面に半導体素子を搭載
し、該半導体素子と配線パターンとを電気的に接続した
後、キャリアフレームの上下面を反転して半導体素子搭
載部の樹脂封止および配線パターンと外部接続端子との
接合を行うことを特徴とする請求項２記載の片面樹脂封
止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 貫通孔の領域内で半導体素子搭載部を樹
脂封止した後、キャリアフレームの上下面を反転して配
線パターンと外部接続端子との接合を行うことを特徴と
する請求項２記載の片面樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 半導体素子搭載部の樹脂封止は、樹脂成
形あるいはポッティング等の樹脂コーティングによるこ
とを特徴とする請求項２記載の片面樹脂封止型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項６】 キャリアフレームの回路基板が当接する
面側で、かつ前記キャリアフレームに形成した貫通孔か
ら前記回路基板の側面が位置する部位にまで延出して設
けた溝に、半導体素子搭載部を封止する樹脂を流入さ
せ、前記半導体素子搭載部の封止と同時に前記回路基板
の側面を樹脂封止することを特徴とする請求項２記載の
片面樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 貫通孔が所定の間隔で複数形成されたキ
ャリアフレームの上面に、両面に配線パターンが設けら
れた個片の回路基板を、配線パターンと外部接続端子と
の接合面を前記貫通孔内に露出させ、かつ、該接合面側
の周縁部を前記キャリアフレームと当接させて複数個支
持し、 前記回路基板の他面側に設けられた半導体素子搭載面に
半導体素子を搭載し、該半導体素子と配線パターンとを
電気的に接続した後、 半導体素子搭載部を樹脂封止し、 前記接合面の配線パターンに外部接続端子を接合するこ
とを含むことを特徴とする片面樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項８】 半導体素子搭載面に半導体素子を搭載
し、該半導体素子と配線パターンとを電気的に接続した
後、キャリアフレームの上下面を反転して半導体素子搭
載部の樹脂封止および配線パターンと外部接続端子との
接合を行うことを特徴とする請求項７記載の片面樹脂封
止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 半導体素子搭載部を樹脂封止した後、キ
ャリアフレームの上下面を反転して配線パターンと外部
接続端子との接合を行うことを特徴とする請求項７記載
の片面樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 半導体素子搭載部の樹脂封止は、樹脂
成形あるいはポッティング等の樹脂コーティングによる
ことを特徴とする請求項７記載の片面樹脂封止型半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１１】 個片に形成され両面に配線パターンが
設けられた回路基板を支持して、半導体素子の搭載、半
導体素子と配線パターンとの電気的接続、半導体素子搭
載部の樹脂封止、配線パターンと外部接続端子との接合
等の所要の一連の加工を施す際に共通して使用するキャ
リアフレームであって、 前記回路基板を一方の面に支持可能に矩形状に形成さ
れ、 前記回路基板の半導体素子搭載面または外部接続端子の
接合面が他方の面に露出するように、該回路基板を配置
する位置に所定形状の貫通孔が設けられ、 該貫通孔の周囲に、前記回路基板を所定位置に位置決め
して支持する支持手段が設けられたことを特徴とするキ
ャリアフレーム。 - 【請求項１２】 前記貫通孔の周囲の少なくとも前記回
路基板を当接する部位に弾性体層が設けられたことを特
徴とする請求項１１記載のキャリアフレーム。 - 【請求項１３】 貫通孔が所定の間隔で複数形成された
ことを特徴とする請求項１１または１２記載のキャリア
フレーム。 - 【請求項１４】 前記支持手段は前記貫通孔の周囲の前
記回路基板を当接する部位に設けた接着層であることを
特徴とする請求項１１または１３記載のキャリアフレー
ム。 - 【請求項１５】 支持手段が、キャリアフレームを形成
する板材を切り起こして形成され、前記回路基板の側面
に当接して回路基板をキャリアフレームに位置決めする
ための係止片と、該係止片との間で回路基板を挟圧しキ
ャリアフレームに押接する係止部とから成ることを特徴
とする請求項１１、１２または１３記載のキャリアフレ
ーム。 - 【請求項１６】 係止部が、キャリアフレームを形成す
る板材を切り起こして形成した立ち上がり片部と、該立
ち上がり片部の端部に設けられ、前記回路基板を押接可
能に押接面を斜めに曲げ形成した押圧片部とから形成さ
れたものであることを特徴とする請求項１５記載のキャ
リアフレーム。 - 【請求項１７】 係止片が、先端をやや外開き状に形成
するとともに、回路基板の厚みに合わせて係止可能に中
間にくびれ部を設けたものであることを特徴とする請求
項１５記載のキャリアフレーム。
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