JPH11330143A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH11330143A JPH11330143A JP13013998A JP13013998A JPH11330143A JP H11330143 A JPH11330143 A JP H11330143A JP 13013998 A JP13013998 A JP 13013998A JP 13013998 A JP13013998 A JP 13013998A JP H11330143 A JPH11330143 A JP H11330143A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプレスにより低コストにフリップチップ
接続を行う。 【解決手段】 フリップチップ接続された半導体装置１
は、半導体チップ２の表面に形成された電極パッド２ａ
と、電子部品などを実装するフレキシブルプリント配線
基板３に形成されたランド３ａとが直接接続された構成
となっている。ランド３ａ周辺部は、半導体チップ２側
に突出した形状となっており、半導体チップ２表面とフ
レキシブルプリント配線基板３表面との間にＡＣＦ樹脂
４が介在している。半導体チップ２とフレキシブルプリ
ント配線基板３との機械的接着がなされる。また、ラン
ド３ａと電極パッド２ａと間にはＡＣＦ樹脂４の導電性
粒子が挟み込まれて電気的な接続が得られている。
接続を行う。 【解決手段】 フリップチップ接続された半導体装置１
は、半導体チップ２の表面に形成された電極パッド２ａ
と、電子部品などを実装するフレキシブルプリント配線
基板３に形成されたランド３ａとが直接接続された構成
となっている。ランド３ａ周辺部は、半導体チップ２側
に突出した形状となっており、半導体チップ２表面とフ
レキシブルプリント配線基板３表面との間にＡＣＦ樹脂
４が介在している。半導体チップ２とフレキシブルプリ
ント配線基板３との機械的接着がなされる。また、ラン
ド３ａと電極パッド２ａと間にはＡＣＦ樹脂４の導電性
粒子が挟み込まれて電気的な接続が得られている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、特に、フリップチップ接続の半導体装置お
よびその製造方法に適用して有効な技術に関するもので
ある。
技術に関し、特に、フリップチップ接続の半導体装置お
よびその製造方法に適用して有効な技術に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、フ
リップチップ接続が行われる半導体装置は、半導体チッ
プのパッド上にＡｕ（金）バンプを形成し、ＡＣＦ（Ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌ
ｍ）樹脂が貼り付けられたガラスエポキシ樹脂などから
なるプリント配線基板に該半導体チップを搭載して加
熱、加圧することによって実装が行われている。
リップチップ接続が行われる半導体装置は、半導体チッ
プのパッド上にＡｕ（金）バンプを形成し、ＡＣＦ（Ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌ
ｍ）樹脂が貼り付けられたガラスエポキシ樹脂などから
なるプリント配線基板に該半導体チップを搭載して加
熱、加圧することによって実装が行われている。
【０００３】なお、この種の半導体装置について詳しく
述べてある例としては、１９９４年９月１日、工業調査
会発行「電子材料」Ｐ２２〜Ｐ２９があり、この文献に
は、フリップチップ実装の構造などが記載されている。
述べてある例としては、１９９４年９月１日、工業調査
会発行「電子材料」Ｐ２２〜Ｐ２９があり、この文献に
は、フリップチップ実装の構造などが記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なフリップチップ接続の半導体装置では、次のような問
題点があることが本発明者により見い出された。
なフリップチップ接続の半導体装置では、次のような問
題点があることが本発明者により見い出された。
【０００５】すなわち、半導体チップの各々の電極上
に、Ａｕバンプをワイヤボンディング法などによって形
成しなければならず、それらＡｕバンプの形成に時間が
掛かってしまい、半導体装置の製造効率が低下し、かつ
コストも大きくなるという問題がある。
に、Ａｕバンプをワイヤボンディング法などによって形
成しなければならず、それらＡｕバンプの形成に時間が
掛かってしまい、半導体装置の製造効率が低下し、かつ
コストも大きくなるという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、バンプレスにより、確実
に低コストでフリップチップ接続することのできる半導
体装置およびその製造方法を提供することにある。
に低コストでフリップチップ接続することのできる半導
体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０００９】すなわち、本発明の半導体装置は、フレキ
シブルプリント配線基板に形成された基板電極と半導体
チップに形成されたチップ電極とが直接接続され、半導
体チップとフレキシブルプリント配線基板との間に導電
性接着樹脂が介在した構成よりなるものである。
シブルプリント配線基板に形成された基板電極と半導体
チップに形成されたチップ電極とが直接接続され、半導
体チップとフレキシブルプリント配線基板との間に導電
性接着樹脂が介在した構成よりなるものである。
【００１０】また、本発明の半導体装置は、前記フレキ
シブルプリント配線基板における基板電極周辺部が突出
して形成されたものである。
シブルプリント配線基板における基板電極周辺部が突出
して形成されたものである。
【００１１】さらに、本発明の半導体装置は、前記導電
性接着樹脂が、ＡＣＦ樹脂よりなるものである。
性接着樹脂が、ＡＣＦ樹脂よりなるものである。
【００１２】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
表面にチップ電極が形成された半導体チップを準備する
工程と、それぞれのチップ電極に対応した基板電極が設
けられたフレキシブルプリント配線基板を準備する工程
と、シート状の導電性接着樹脂を準備する工程と、当該
フレキシブルプリント配線基板または半導体チップのい
ずれかに導電性接着樹脂を実装する工程と、該導電性接
着樹脂を介してフレキシブルプリント配線基板に半導体
チップを実装する工程と、該半導体チップが実装された
フレキシブルプリント配線基板を、それぞれの基板電極
に対応した突起部が形成された載置手段に載置して加熱
圧着し、それら突起部によってフレキシブルプリント配
線基板における基板電極を半導体チップ側に押し上げて
チップ電極と基板電極とを接続すると同時に導電性接着
樹脂を硬化させ、プリント配線基板と半導体チップとの
接着を行う工程とを有するものである。
表面にチップ電極が形成された半導体チップを準備する
工程と、それぞれのチップ電極に対応した基板電極が設
けられたフレキシブルプリント配線基板を準備する工程
と、シート状の導電性接着樹脂を準備する工程と、当該
フレキシブルプリント配線基板または半導体チップのい
ずれかに導電性接着樹脂を実装する工程と、該導電性接
着樹脂を介してフレキシブルプリント配線基板に半導体
チップを実装する工程と、該半導体チップが実装された
フレキシブルプリント配線基板を、それぞれの基板電極
に対応した突起部が形成された載置手段に載置して加熱
圧着し、それら突起部によってフレキシブルプリント配
線基板における基板電極を半導体チップ側に押し上げて
チップ電極と基板電極とを接続すると同時に導電性接着
樹脂を硬化させ、プリント配線基板と半導体チップとの
接着を行う工程とを有するものである。
【００１３】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、表面にチップ電極が形成された半導体チップを準備
する工程と、それぞれのチップ電極に対応した基板電極
が設けられたフレキシブルプリント配線基板を準備する
工程と、当該フレキシブルプリント配線基板または半導
体チップのいずれかに導電性接着樹脂をポッティングす
る工程と、導電性接着樹脂を介してフレキシブルプリン
ト配線基板に半導体チップを実装する工程と、該半導体
チップが実装されたフレキシブルプリント配線基板を各
々の基板電極に対応した突起部が形成された載置手段に
載置して加熱圧着し、それら突起部によってフレキシブ
ルプリント配線基板における基板電極を半導体チップ側
に押し上げてチップ電極と基板電極とを接続すると同時
に導電性接着樹脂を硬化させ、プリント配線基板と半導
体チップとの接着を行う工程とを有するものである。
は、表面にチップ電極が形成された半導体チップを準備
する工程と、それぞれのチップ電極に対応した基板電極
が設けられたフレキシブルプリント配線基板を準備する
工程と、当該フレキシブルプリント配線基板または半導
体チップのいずれかに導電性接着樹脂をポッティングす
る工程と、導電性接着樹脂を介してフレキシブルプリン
ト配線基板に半導体チップを実装する工程と、該半導体
チップが実装されたフレキシブルプリント配線基板を各
々の基板電極に対応した突起部が形成された載置手段に
載置して加熱圧着し、それら突起部によってフレキシブ
ルプリント配線基板における基板電極を半導体チップ側
に押し上げてチップ電極と基板電極とを接続すると同時
に導電性接着樹脂を硬化させ、プリント配線基板と半導
体チップとの接着を行う工程とを有するものである。
【００１４】以上のことにより、バンプを用いずにフリ
ップチップ接続を行うことができるので、半導体装置の
製造コストを小さくでき、製造効率を大幅に向上するこ
とができる。
ップチップ接続を行うことができるので、半導体装置の
製造コストを小さくでき、製造効率を大幅に向上するこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の一実施の形態による半導
体装置の断面図、図２は、本発明の一実施の形態による
半導体装置の斜視図、図３〜６は、本発明の一実施の形
態による半導体装置における製造工程の説明図、図７
は、本発明の一実施の形態による加熱圧着処理後におけ
る半導体装置の電極部の説明図、図８は、本発明の一実
施の形態による半導体装置を用いて構成されたメモリカ
ードの平面図、図９は、メモリカードの側面における説
明図である。
体装置の断面図、図２は、本発明の一実施の形態による
半導体装置の斜視図、図３〜６は、本発明の一実施の形
態による半導体装置における製造工程の説明図、図７
は、本発明の一実施の形態による加熱圧着処理後におけ
る半導体装置の電極部の説明図、図８は、本発明の一実
施の形態による半導体装置を用いて構成されたメモリカ
ードの平面図、図９は、メモリカードの側面における説
明図である。
【００１７】本実施の形態において、ベアチップ実装技
術の一種であるフリップチップ接続が行われる半導体装
置１は、図１および図２に示すように、半導体チップ２
の表面に形成された電極パッド（チップ電極）２ａが設
けられている。この電極パッド２ａは、アルミニウムや
金などから形成されており、電極パッド２ａ以外の半導
体チップ２の表面には保護膜が形成されている。
術の一種であるフリップチップ接続が行われる半導体装
置１は、図１および図２に示すように、半導体チップ２
の表面に形成された電極パッド（チップ電極）２ａが設
けられている。この電極パッド２ａは、アルミニウムや
金などから形成されており、電極パッド２ａ以外の半導
体チップ２の表面には保護膜が形成されている。
【００１８】また、半導体装置１には、電子部品などを
実装するフレキシブルプリント配線基板３が設けられて
いる。このフレキシブルプリント配線基板３は、ポリイ
ミドフィルムなどからなるベースフィルムにパターン加
工された銅箔が貼り付けられている。
実装するフレキシブルプリント配線基板３が設けられて
いる。このフレキシブルプリント配線基板３は、ポリイ
ミドフィルムなどからなるベースフィルムにパターン加
工された銅箔が貼り付けられている。
【００１９】フレキシブルプリント配線基板３には、半
導体チップ２の電極パッド２ａに対応する位置に電極で
あるランド（基板電極）３ａが形成されている。フレキ
シブルプリント配線基板３において、ランド３ａの周辺
部は、半導体チップ２側に突出した形状とに形成されて
おり、各々のランド３ａと半導体チップ２の電極パッド
２ａが直接接触することによって電気的な接続が行われ
ている。ランド３ａは、たとえば、銅に金めっきが施さ
れた構成となっている。
導体チップ２の電極パッド２ａに対応する位置に電極で
あるランド（基板電極）３ａが形成されている。フレキ
シブルプリント配線基板３において、ランド３ａの周辺
部は、半導体チップ２側に突出した形状とに形成されて
おり、各々のランド３ａと半導体チップ２の電極パッド
２ａが直接接触することによって電気的な接続が行われ
ている。ランド３ａは、たとえば、銅に金めっきが施さ
れた構成となっている。
【００２０】さらに、半導体装置１は、半導体チップ２
表面とフレキシブルプリント配線基板３表面との間にＡ
ＣＦ樹脂（導電性接着樹脂）４が介在している。このＡ
ＣＦ樹脂４は、エポキシ系樹脂などの有機成分に、たと
えば、ニッケル（Ｎｉ）粒子などの導電性粒子が混在し
ている。
表面とフレキシブルプリント配線基板３表面との間にＡ
ＣＦ樹脂（導電性接着樹脂）４が介在している。このＡ
ＣＦ樹脂４は、エポキシ系樹脂などの有機成分に、たと
えば、ニッケル（Ｎｉ）粒子などの導電性粒子が混在し
ている。
【００２１】次に、半導体装置１の製造工程を、図３〜
図７を用いて説明する。
図７を用いて説明する。
【００２２】まず、図３に示すように、フレキシブルプ
リント配線基板３を載置する圧着用治具（載置手段）５
上にフレキシブルプリント配線基板３を載置する。
リント配線基板３を載置する圧着用治具（載置手段）５
上にフレキシブルプリント配線基板３を載置する。
【００２３】この圧着用治具５の表面には、フレキシブ
ルプリント配線基板３に形成されているランド３ａに対
応した突起部５ａが設けられており、フレキシブルプリ
ント配線基板３の載置時には、各々の突起部５ａがラン
ド３ａと重合するようにアライメントを行う。
ルプリント配線基板３に形成されているランド３ａに対
応した突起部５ａが設けられており、フレキシブルプリ
ント配線基板３の載置時には、各々の突起部５ａがラン
ド３ａと重合するようにアライメントを行う。
【００２４】そして、図４に示すように、半導体チップ
２と同じ程度の大きさのシート状のＡＣＦ樹脂４を、該
半導体チップ２が実装されるフレキシブルプリント配線
基板３の表面にアライメント後、貼り付ける。
２と同じ程度の大きさのシート状のＡＣＦ樹脂４を、該
半導体チップ２が実装されるフレキシブルプリント配線
基板３の表面にアライメント後、貼り付ける。
【００２５】ここで、このＡＣＦ樹脂４は、予め半導体
チップ２の表面に貼り付けておくようにしてもよい。ま
た、ＡＣＦ樹脂４が、液体の場合には、半導体チップ２
の表面またはフレキシブルプリント配線基板３の表面の
いずれかに液体のＡＣＦ樹脂４をポッティングする。
チップ２の表面に貼り付けておくようにしてもよい。ま
た、ＡＣＦ樹脂４が、液体の場合には、半導体チップ２
の表面またはフレキシブルプリント配線基板３の表面の
いずれかに液体のＡＣＦ樹脂４をポッティングする。
【００２６】次に、図５、図６に示すように、ＡＣＦ樹
脂４が貼り付けられたフレキシブルプリント配線基板３
の表面に、電極パッド部２ａとランド３ａとが対応する
ように半導体チップ２をアライメントして搭載した後、
約１８０℃程度の温度によって加熱しながら加圧処理を
行うことによってＡＣＦ樹脂４が流動、硬化し、半導体
チップ２とフレキシブルプリント配線基板３との機械的
接着がなされる。
脂４が貼り付けられたフレキシブルプリント配線基板３
の表面に、電極パッド部２ａとランド３ａとが対応する
ように半導体チップ２をアライメントして搭載した後、
約１８０℃程度の温度によって加熱しながら加圧処理を
行うことによってＡＣＦ樹脂４が流動、硬化し、半導体
チップ２とフレキシブルプリント配線基板３との機械的
接着がなされる。
【００２７】また、この加熱圧着処理において、図７に
示すように、圧着用治具５の突起部５ａよりフレキシブ
ルプリント配線基板３のランド３ａが押し上げられるこ
とになり、ランド３ａと電極パッド２ａとが接触し、そ
れと同時に、前述したＡＣＦ樹脂４の導電性粒子が、ラ
ンド３ａと電極パッド２ａと間に挟み込まれて電気的な
接続が得られることになる。
示すように、圧着用治具５の突起部５ａよりフレキシブ
ルプリント配線基板３のランド３ａが押し上げられるこ
とになり、ランド３ａと電極パッド２ａとが接触し、そ
れと同時に、前述したＡＣＦ樹脂４の導電性粒子が、ラ
ンド３ａと電極パッド２ａと間に挟み込まれて電気的な
接続が得られることになる。
【００２８】次に、半導体装置１が用いられて構成され
たメモリカード６について説明する。
たメモリカード６について説明する。
【００２９】このメモリカード６は、たとえば、外部記
憶メディアとしてノートブック型のパーソナルコンピュ
ータや多機能端末機などの電子システムに用いられる。
また、メモリカード６は、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒ
ａｎｄｏｍ ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）などの半導体
メモリを中心として回路構成されており、電子システム
側との信号のやり取りが行われる。
憶メディアとしてノートブック型のパーソナルコンピュ
ータや多機能端末機などの電子システムに用いられる。
また、メモリカード６は、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒ
ａｎｄｏｍ ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）などの半導体
メモリを中心として回路構成されており、電子システム
側との信号のやり取りが行われる。
【００３０】メモリカード６には、図８ならびに図９に
示すように、フレキシブルプリント配線基板３が設けら
れており、このフレキシブルプリント配線基板３には、
９個の半導体チップ２が実装されている。これら半導体
チップ２は、ＳＲＡＭなどからなる半導体メモリであ
る。
示すように、フレキシブルプリント配線基板３が設けら
れており、このフレキシブルプリント配線基板３には、
９個の半導体チップ２が実装されている。これら半導体
チップ２は、ＳＲＡＭなどからなる半導体メモリであ
る。
【００３１】また、フレキシブルプリント配線基板３に
は、半導体メモリのすべての制御を司るマイクロコンピ
ュータ７ならびに電子システム側との信号のやり取りを
行うコネクタ８が実装されている。
は、半導体メモリのすべての制御を司るマイクロコンピ
ュータ７ならびに電子システム側との信号のやり取りを
行うコネクタ８が実装されている。
【００３２】さらに、これら半導体チップ２、マイクロ
コンピュータ７およびコネクタ８などの電子部品が実装
されたフレキシブルプリント配線基板３は、フレームお
よび上下よりのパネルによって固定されており、メモリ
カード６は、カード形状となっている。
コンピュータ７およびコネクタ８などの電子部品が実装
されたフレキシブルプリント配線基板３は、フレームお
よび上下よりのパネルによって固定されており、メモリ
カード６は、カード形状となっている。
【００３３】そして、半導体チップ２のフレキシブルプ
リント配線基板３への実装は、上記した製造工程によっ
て行われることになる。
リント配線基板３への実装は、上記した製造工程によっ
て行われることになる。
【００３４】それにより、本実施の形態では、フレキシ
ブルプリント配線基板３を用いることによってバンプレ
スでフリップチップ接続を行うことができるので、バン
プ形成の工数や時間、ならびにコストを大幅に低減する
ことができ、半導体装置の製造効率を向上することがで
きる。
ブルプリント配線基板３を用いることによってバンプレ
スでフリップチップ接続を行うことができるので、バン
プ形成の工数や時間、ならびにコストを大幅に低減する
ことができ、半導体装置の製造効率を向上することがで
きる。
【００３５】また、半導体装置１をメモリカード６など
の電子装置に用いることによって、製品コストおよび工
数などを大幅に低減することができる。
の電子装置に用いることによって、製品コストおよび工
数などを大幅に低減することができる。
【００３６】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００３７】たとえば、前記実施の形態においては、フ
リップチップ接続の半導体装置について記載したが、Ｔ
ＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）などの半導体装置に用いられる半導体チップとテ
ープ状の絶縁フィルムとの実装技術に用いるようにして
もよい。
リップチップ接続の半導体装置について記載したが、Ｔ
ＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）などの半導体装置に用いられる半導体チップとテ
ープ状の絶縁フィルムとの実装技術に用いるようにして
もよい。
【００３８】また、前記実施の形態では、半導体装置を
メモリカードに用いた場合について記載したが、このバ
ンプレスの半導体装置をノートブック型パーソナルコン
ピュータや携帯電話などの電子装置に用いることによっ
て、小型で高性能、かつ低コストとすることができる。
メモリカードに用いた場合について記載したが、このバ
ンプレスの半導体装置をノートブック型パーソナルコン
ピュータや携帯電話などの電子装置に用いることによっ
て、小型で高性能、かつ低コストとすることができる。
【００３９】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００４０】（１）本発明によれば、半導体チップのチ
ップ電極とフレキシブルプリント配線基板の基板電極と
を直接接続することができるので、バンプを用いること
なくフリップチップ接続を行うことができる。
ップ電極とフレキシブルプリント配線基板の基板電極と
を直接接続することができるので、バンプを用いること
なくフリップチップ接続を行うことができる。
【００４１】（２）また、本発明では、上記（１）によ
り、バンプの材料費やバンプ形成に伴う時間、コストな
どを大幅に低減でき、半導体装置の製造効率を向上する
ことができる。
り、バンプの材料費やバンプ形成に伴う時間、コストな
どを大幅に低減でき、半導体装置の製造効率を向上する
ことができる。
【図１】本発明の一実施の形態による半導体装置の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施の形態による半導体装置の斜視
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施の形態による半導体装置におけ
る製造工程の説明図である。
る製造工程の説明図である。
【図４】図３に続く半導体装置における製造工程の説明
図である。
図である。
【図５】図４に続く半導体装置における製造工程の説明
図である。
図である。
【図６】加熱処理前の半導体装置における電極部の説明
図である。
図である。
【図７】本発明の一実施の形態による加熱圧着処理後の
半導体装置における電極部の説明図である。
半導体装置における電極部の説明図である。
【図８】本発明の一実施の形態による半導体装置を用い
て構成されたメモリカードの平面図である。
て構成されたメモリカードの平面図である。
【図９】本発明の一実施の形態による半導体装置を用い
て構成されたメモリカードの側面における説明図であ
る。
て構成されたメモリカードの側面における説明図であ
る。
１ 半導体装置 ２ 半導体チップ ２ａ 電極パッド（チップ電極） ３ フレキシブルプリント配線基板 ３ａ ランド（基板電極） ４ ＡＣＦ樹脂（導電性接着樹脂） ５ 圧着用治具（載置手段） ５ａ 突起部 ６ メモリカード ７ マイクロコンピュータ ８ コネクタ
Claims (5)
- 【請求項１】 フレキシブルプリント配線基板に形成さ
れた基板電極と半導体チップに形成されたチップ電極と
が直接接続され、前記半導体チップと前記フレキシブル
プリント配線基板との間に導電性接着樹脂が介在した構
成よりなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記フレキシブルプリント配線基板における前記基板電極
周辺部が、突出して形成されたことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置にお
いて、前記導電性接着樹脂が、ＡＣＦ樹脂であることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 表面にチップ電極が形成された半導体チ
ップを準備する工程と、 前記チップ電極に対応した基板電極が設けられたフレキ
シブルプリント配線基板を準備する工程と、 シート状の導電性接着樹脂を準備する工程と、 前記フレキシブルプリント配線基板または前記半導体チ
ップのいずれかに前記導電性接着樹脂を実装する工程
と、 前記導電性接着樹脂を介して前記フレキシブルプリント
配線基板に前記半導体チップを実装する工程と、 前記半導体チップが実装された前記フレキシブルプリン
ト配線基板を、前記基板電極に対応した突起部が形成さ
れた載置手段に載置して加熱圧着し、前記突起部によっ
て前記フレキシブルプリント配線基板における基板電極
を前記半導体チップ側に押し上げて前記チップ電極と前
記基板電極とを接続すると同時に前記導電性接着樹脂を
硬化させ、前記プリント配線基板と前記半導体チップと
の接着を行う工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項５】 表面にチップ電極が形成された半導体チ
ップを準備する工程と、 前記チップ電極に対応した基板電極が設けられたフレキ
シブルプリント配線基板を準備する工程と、 前記フレキシブルプリント配線基板または前記半導体チ
ップのいずれかに前記導電性接着樹脂をポッティングす
る工程と、 前記導電性接着樹脂を介して前記フレキシブルプリント
配線基板に前記半導体チップを実装する工程と、 前記半導体チップが実装された前記フレキシブルプリン
ト配線基板を、前記基板電極に対応した突起部が形成さ
れた載置手段に載置して加熱圧着し、前記突起部によっ
て前記フレキシブルプリント配線基板における基板電極
を前記半導体チップ側に押し上げて前記チップ電極と前
記基板電極とを接続すると同時に前記導電性接着樹脂を
硬化させ、前記プリント配線基板と前記半導体チップと
の接着を行う工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13013998A JPH11330143A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13013998A JPH11330143A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330143A true JPH11330143A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15026903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13013998A Pending JPH11330143A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330143A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056213A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Denso Corp | 半導体装置の実装方法 |
| US8860221B2 (en) | 2011-12-02 | 2014-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrode connecting structures containing copper |
-
1998
- 1998-05-13 JP JP13013998A patent/JPH11330143A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056213A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Denso Corp | 半導体装置の実装方法 |
| US8860221B2 (en) | 2011-12-02 | 2014-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrode connecting structures containing copper |
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