JP2000132655A - 非接触型ｉｃカードの製造方法および非接触型ｉｃカード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップのアンテナ基板への実装と、アン
テナ基板と基材との接合工程を、低温の接合工程を用い
て、多くの工数と設備を要することなく行う非接触型Ｉ
Ｃカードの製造方法および非接触型ＩＣカードを提供す
る。 【解決手段】 バンプ６を高分子樹脂を用いて埋め込む
とともに、高分子樹脂を研磨してバンプ６を露出させる
バンプ埋め込み工程と、バンプ６の露出部と、電極端子
４とを、導電性接着剤を用いて接合するとともに、高分
子樹脂のバンプ６が埋め込まれた面のバンプ６の露出部
を除く部分を、アンテナ基板５に高分子接着剤を用いて
接合するＩＣチップ実装工程とを有し、ＩＣチップ７が
実装されたアンテナ基板５を、少なくとも１枚の第２の
基材８に熱可塑性接着剤９を用いて圧着しつつ接合する
とともに、導電性接着剤、高分子接着剤および熱可塑性
接着剤９の加熱硬化を同時に行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は非接触型ＩＣカード
の製造方法および非接触型ＩＣカードに関し、さらに詳
しくは、ＩＣチップとアンテナ基板とを基材に実装する
方法に特徴を有する非接触型ＩＣカードの製造方法およ
び非接触型ＩＣカードに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の非接触型ＩＣカードを、従来の非
接触型ＩＣカードの概略構成断面図である図７およびア
ンテナ基板の概略平面図である図２を参照して説明す
る。図７のように、一般に、非接触型ＩＣカード１３
は、バンプ６を有するＩＣチップ７が実装されたアンテ
ナ基板５が、例えば２枚のシート状の第２の基材８に、
熱可塑性接着剤９により貼り合わされて構成される。ま
た、図２のように、アンテナ基板５は、平面形状が方形
のシート状の第１の基材２上に、例えば４ターンの渦巻
き状のアンテナパターン３と電極端子４などが形成され
ている。

【０００３】この非接触型ＩＣカード１３の作製におい
て、ＩＣチップ７を、バンプ６を介して電極端子４と電
気的接続を行いつつ、アンテナ基板５に実装する場合、
はんだ接合、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）または導電
性接着剤などが用いられる。第１の基材２または第２の
基材８としては、特に、薄型の非接触型ＩＣカード１３
を作製する場合、通常数十μｍから数百μｍの厚さの例
えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、
ポリイミド（ＰＩ）フィルムまたはポリフェニレンサル
ファイド（ＰＰＳ）フィルムなどが用いられる。

【０００４】図８は、異方性導電フィルムを用いてＩＣ
チップを実装したアンテナ基板の１例を示す概略構成断
面図である。図８に示すように、ＩＣチップ７の下面に
はバンプ６が形成されている。第１の基材２の上には、
アンテナパターンの一端および他端に接続された電極端
子４が形成されている。そして、電極端子４の上にはバ
ンプ６が接触するようにＩＣチップ７が配置され、この
ＩＣチップ７と第１の基材２の間には異方性導電フィル
ム１４が配置される。この異方性導電フィルム１４を２
１０℃〜２３０℃に加熱して熱圧着することにより、第
１の基材２の上にＩＣチップ７が実装され、電極端子４
とバンプ６とが電気的に接続される。これにより、バン
プ６は、電極端子４のみと電気的に接続され、バンプ６
間および電極端子４間は絶縁される。

【０００５】このように、異方性導電フィルム１４によ
る接合では、接合および硬化時に、数秒間程度の高温部
分加熱が伴うために、ＰＩフィルムやＰＰＳフィルムは
第１の基材２に適用することは可能だが、安価で生産性
に優れるＰＥＴフィルムには適さない。また、はんだ接
合による方法では、２３０℃〜２６０℃の高温のリフロ
ー工程を用いるために、これらの高分子フィルムは使用
することができない。ＰＥＴフィルムの耐熱性は、１３
０℃程度が限界であり、このフィルムを接合するために
は１００℃〜１５０℃の比較的低温でも硬化が可能な導
電性ペーストなどの導電性接着剤が適している。また、
ＩＣチップ７のアンテナ基板５への実装工程に引き続
き、アンテナ基板５と第２の基材８とをラミネートなど
により加熱圧着接合する工程があり、複数の接着剤を用
いる接合工程を必要とし、多くの工程と設備を要する問
題があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
点に鑑み、ＩＣチップのアンテナ基板への実装と、アン
テナ基板と基材との接合を、低温の接合工程を用いて、
多くの工程と設備を要することなく行う非接触型ＩＣカ
ードの製造方法および非接触型ＩＣカードを提供するこ
とを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の非接触型ＩＣカ
ードの製造方法は、バンプを有するＩＣチップと、第１
の基材上にアンテナパターンと電極端子を有するアンテ
ナ基板とを第２の基材に実装する非接触型ＩＣカードの
製造方法であって、バンプを高分子樹脂を用いて埋め込
むとともに、高分子樹脂を研磨してバンプを露出させる
バンプ埋め込み工程と、バンプの露出部と、電極端子と
を、導電性接着剤を用いて接合するとともに、高分子樹
脂のバンプが埋め込まれた面のバンプの露出部を除く部
分を、アンテナ基板に高分子接着剤を用いて接合するＩ
Ｃチップ実装工程とを有し、ＩＣチップが実装されたア
ンテナ基板を、少なくとも１枚の第２の基材に熱可塑性
接着剤を用いて圧着しつつ接合するとともに、導電性接
着剤、高分子接着剤および熱可塑性接着剤の加熱硬化を
同時に行うことを特徴とする。

【０００８】アンテナ基板は、第１の基材上にアンテナ
パターンと電極端子とが導電性接着剤を用いて形成され
ることも可能である。

【０００９】導電性接着剤、高分子接着剤および熱可塑
性接着剤は硬化温度が１５０℃以下であることが望まし
い。下限温度は限定しないが、好ましくは１００℃以上
である。

【００１０】本発明の非接触型ＩＣカードは、請求項１
に記載の非接触型ＩＣカードの製造方法を用いて製造さ
れたことを特徴とする。

【００１１】本発明の非接触型ＩＣカードの製造方法に
よれば、ＩＣチップのアンテナ基板への実装を、導電性
接着剤などの低温で硬化する接着剤を用いて接合するこ
とにより、後工程のアンテナ基板と基材との接合工程に
おいて、各々の工程の接着剤の硬化工程を同時に行うこ
とができるので製造工程の省力化が図れる。また、基材
として耐熱性のないポリエチレンテレフタレートなどの
高分子フィルムを用いることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、以下の実
施の形態例１〜２により図１〜図６を参照して説明す
る。図１は、本発明の非接触型ＩＣカードの概略構成断
面図である。図２は、アンテナ基板の概略平面図であ
る。図３は、本発明のＩＣチップを実装したアンテナ基
板の概略構成断面図である。図４〜図６は本発明の非接
触型ＩＣカードの製造工程図である。

【００１３】実施の形態例１ 図１に示すように、非接触型ＩＣカード１は、図２のよ
うな第１の基材２上にアンテナパターン３と電極端子４
などが形成されたアンテナ基板５に、バンプ６を有する
ＩＣチップ７が実装されたものを、例えば２枚のシート
状のＰＥＴフィルムの第２の基材８により例えば共重合
ポリエステルなどの熱可塑性接着剤９を用いて例えばラ
ミネートにより加熱圧着接合した構造となっている。図
３に示すように、ＩＣチップ７は、バンプ６を有し、バ
ンプ６は、例えば熱硬化型または紫外線硬化型の高分子
樹脂１０により埋め込まれており、バンプ６は一部が露
出している。また、ＩＣチップ７とアンテナ基板５と
は、バンプ６は電極端子４と例えば導電性ペーストなど
の導電性接着剤１１により接合されており、ＩＣチップ
７のバンプ６埋め込み面のバンプ６を除く部分は、エポ
キシ樹脂などの熱硬化型の高分子接着剤１２により接合
されている。

【００１４】次に、本発明の非接触型ＩＣカードの製造
方法を、非接触型ＩＣカードの製造工程により説明す
る。図４（ａ）〜（ｃ）は、バンプ埋め込み工程を示
し、（ａ）のように、バンプ６を形成したＩＣチップ７
を用意し、（ｂ）のように、バンプ６形成面をバンプ６
を覆うように例えば熱硬化型または紫外線硬化型の高分
子樹脂１０により埋め込む。次に、（ｃ）のように、高
分子樹脂１０を研磨して、バンプ６の一部が露出するよ
うに平坦面を形成する。

【００１５】図５は、ＩＣチップ７をアンテナ基板５に
実装する工程を示し、バンプ６の露出部は、アンテナ基
板の電極端子４と、例えば、スクリーン印刷などにより
形成された導電ペーストなどの導電性接着剤１１により
接合する。さらに、バンプ６埋め込み面のバンプ６を除
く部分は、例えば、ディスペンサなどを用いて塗布され
たエポキシ樹脂などの熱硬化型の高分子接着剤１２によ
りアンテナ基板５に固定する。この場合、導電性接着剤
１１および高分子接着剤１２の加熱硬化は行わない。し
たがって、ＩＣチップ７は、アンテナ基板５に仮り接着
された状態で実装されている。

【００１６】図６は、ＩＣチップ７を実装したアンテナ
基板５と第２の基材８との接合工程を示し、例えば２枚
のＰＥＴフィルムなどのシート状の第２の基材８に、例
えば共重合ポリエステルなどの熱可塑性接着剤９を塗布
したものを用いて、アンテナ基板５を、両側から挟み込
み例えばラミネートにより加熱圧着接合する。この場
合、不図示のラミネート装置により、第２の基材８を、
第２の基材８の両側から圧着するとともに、加熱するこ
とにより接合し、最終的に非接触型ＩＣカード１が完成
する。導電性接着剤１１、高分子接着剤１２および熱可
塑性接着剤９はこの段階で、同一の加熱条件により硬化
する。加熱温度は、例えば１００℃〜１５０℃の範囲内
であり、ＰＥＴフィルムなどの第１の基材２および第２
の基材８は熱損傷を受けない。

【００１７】実施の形態例２ 実施の形態例１において、アンテナ基板を作製する場
合、ＰＥＴフィルムなどの第１の基材上に導電性ペース
トなどの導電性接着剤を用いてスクリーン印刷法などに
よりアンテナパターンおよび電極端子を形成する。この
場合、導電性接着剤の硬化は行わない。以下、この方法
を用いて作製したアンテナ基板を用いて、実施の形態例
１と同様な工程により、ＩＣチップを実装した後、第２
の基材を加熱圧着接合することにより最終的に非接触型
ＩＣカードを完成する。アンテナ基板のアンテナパター
ンおよび電極端子は、この加熱圧着接合の段階で熱硬化
する。

【００１８】上記の実施の形態例においては、第１の基
材または第２の基材として、ＰＥＴフィルムの基材を用
いる例を説明したが、ＰＩフィルム、ＰＰＳフィルムな
どを用いることも可能である。

【００１９】

【発明の効果】本発明の非接触型ＩＣカードの製造方法
によれば、ＩＣチップのアンテナ基板への実装を、導電
性接着剤などの低温の接着剤を用いて接合することによ
り、後工程のアンテナ基板と基材との接合工程におい
て、各々の工程の接着剤の硬化工程を同時に行うことが
できる。したがって、複数の接着剤の硬化工程を同時に
行うことができ、多くの工程と設備を必要としない。ま
た、基材として耐熱性のないポリエチレンテレフタレー
トなどの高分子フィルムを用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の非接触型ＩＣカードの概略構成断面
図である。

【図２】 アンテナ基板の概略平面図である。

【図３】 本発明のＩＣチップを実装したアンテナ基板
の概略構成断面図である。

【図４】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の非接触型ＩＣカ
ードの製造工程図である。

【図５】 図４に続く、本発明の非接触型ＩＣカードの
製造工程図である。

【図６】 図５に続く、本発明の非接触型ＩＣカードの
製造工程図である。

【図７】 従来の非接触型ＩＣカードの概略構成断面図
である。

【図８】 従来のＩＣチップを実装したアンテナ基板の
概略構成断面図である。

【符号の説明】

１，１３…非接触型ＩＣカード、２…第１の基材、３…
アンテナパターン、４…電極端子、５…アンテナ基板、
６…バンプ、７…ＩＣチップ、８…第２の基材、９…熱
可塑性接着剤、１０…高分子樹脂、１１…導電性接着
剤、１２…高分子接着剤、１４…異方性導電フィルム

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バンプを有するＩＣチップと、第１の基
   材上にアンテナパターンと電極端子を有するアンテナ基
   板とを第２の基材に実装する非接触型ＩＣカードの製造
   方法であって、 前記バンプを高分子樹脂を用いて埋め込むとともに、前
   記高分子樹脂を研磨して前記バンプを露出させるバンプ
   埋め込み工程と、 前記バンプの露出部と、前記電極端子とを、導電性接着
   剤を用いて接合するとともに、前記高分子樹脂の前記バ
   ンプが埋め込まれた面の前記バンプの露出部を除く部分
   を、前記アンテナ基板に高分子接着剤を用いて接合する
   ＩＣチップ実装工程とを有し、 前記ＩＣチップが実装された前記アンテナ基板を、少な
   くとも１枚の前記第２の基材に熱可塑性接着剤を用いて
   圧着しつつ接合するとともに、前記導電性接着剤、前記
   高分子接着剤および前記熱可塑性接着剤の加熱硬化を同
   時に行うことを特徴とする非接触型ＩＣカードの製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記アンテナ基板は、前記第１の基材上
   に前記アンテナパターンと前記電極端子とが導電性接着
   剤を用いて形成されたことを特徴とする請求項１に記載
   の非接触型ＩＣカードの製造方法。
3. 【請求項３】 前記導電性接着剤、前記高分子接着剤お
   よび前記熱可塑性接着剤は硬化温度が１５０℃以下であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の非接触型ＩＣカー
   ドの製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の非接触型ＩＣカードの
   製造方法を用いて製造されたことを特徴とする非接触型
   ＩＣカード。