KR100793468B1 - 반도체 장치 및 그 제조 방법과, 상기 반도체 장치를 구비한 액정 모듈 및 반도체 모듈 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (29)
- 배선 패턴이 형성된 필름 기판과, 상기 배선 패턴 간의 접속용 단자를 능동면에 갖고, 상기 접속용 단자가 상기 배선 패턴과 대향하도록 상기 필름 기판 상에 탑재된 반도체 소자를 구비하며, 상기 반도체 소자가 밀봉 수지로 피복되어 이루어지는 반도체 장치로서,상기 밀봉 수지가, 상기 반도체 소자와 배선 패턴 간의 접속 영역을 밀봉하는 제1 밀봉 수지층과, 적어도 상기 반도체 소자의 노출 상태에 있는 각(角)부를 밀봉하도록 상기 반도체 소자를 피복하는 제2 밀봉 수지층의 2층 구조를 갖고 있고,상기 제1 밀봉 수지층과 제2 밀봉 수지층은, 서로 상이한 수지에 의해 형성되며,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 수지로 이루어지며,상기 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼로 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2 밀봉 수지층은 모두 절연성 수지로 이루어짐과 함께, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자보다도 열 전도성이 높은 절연성 수지로 이루어지고, 상기 제2 밀봉 수지층은 적어도 상기 반도체 소자의 노출 상태에 있는 각부를 밀봉하도록 상기 반도체 소자에서 상기 제1 밀봉 수지층으로부터 노출하고 있는 부분을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서의 상기 능동면과는 반대측의 면을 완전히 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 부분 중, 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에, 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지는 열 확산판이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 열 확산판을 포함하여 상기 반도체 소자를 피복하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 배선 패턴이 형성된 필름 기판과, 상기 배선 패턴 간의 접속용 단자를 능동면에 갖고, 상기 접속용 단자가 상기 배선 패턴과 대향하도록 상기 필름 기판 상에 탑재된 반도체 소자를 구비하며, 상기 반도체 소자가 밀봉 수지로 피복되어 이루어지는 반도체 장치의 제조 방법으로서,상기 반도체 소자와 배선 패턴 간의 접속 영역을 제1 밀봉 수지로 밀봉하고, 상기 제1 밀봉 수지를 경화시켜서 제1 밀봉 수지층을 형성한 후, 적어도 상기 반도체 소자의 노출 상태에 있는 각부를 밀봉하도록 제2 밀봉 수지로 상기 반도체 소자를 피복하며, 상기 제2 밀봉 수지를 경화시켜서 제2 밀봉 수지층을 형성함으로써, 2 단계로 상기 반도체 소자에서의 수지 밀봉을 행하고,상기 제1 밀봉 수지와 제2 밀봉 수지로서 서로 상이한 수지를 사용하며,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 수지로 이루어지며,상기 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼로 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2 밀봉 수지층은 모두 절연성 수지로 이루어짐과 함께, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자보다도 열 전도성이 높은 절연성 수지로 이루어지고, 상기 제2 밀봉 수지층은 적어도 상기 반도체 소자의 노출 상태에 있는 각부를 밀봉하도록 상기 반도체 소자에서 상기 제1 밀봉 수지층으로부터 노출하고 있는 부분을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제9항에 있어서,상기 제1 밀봉 수지층을 형성한 후, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에, 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지는 열 확산판을 적층하고, 그 후, 상기 제2 밀봉 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에, 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지는 열 확산판을 적층한 후, 상기 열 확산판이 적층된 반도체 소자를, 상기 필름 기판 상에 탑재하고, 상기 제1 밀봉 수지층을 형성한 후, 상기 제2 밀봉 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 배선 패턴이 형성된 필름 기판과, 상기 배선 패턴 간의 접속용 단자를 능동면에 갖고, 상기 접속용 단자가 상기 배선 패턴과 대향하도록 상기 필름 기판 상에 탑재된 반도체 소자를 구비하며, 상기 반도체 소자가 밀봉 수지로 피복되어 이루어지며, 상기 밀봉 수지가, 상기 반도체 소자와 배선 패턴 간의 접속 영역을 밀봉하는 제1 밀봉 수지층과, 적어도 상기 반도체 소자의 노출 상태에 있는 각부를 밀봉하도록 상기 반도체 소자를 피복하는 제2 밀봉 수지층의 2층 구조를 갖고 있고,상기 제1 밀봉 수지층과 제2 밀봉 수지층은, 서로 상이한 수지에 의해 형성되며,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 수지로 이루어지며,상기 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼로 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2 밀봉 수지층은 모두 절연성 수지로 이루어짐과 함께, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자보다도 열 전도성이 높은 절연성 수지로 이루어지고, 상기 제2 밀봉 수지층은 적어도 상기 반도체 소자의 노출 상태에 있는 각부를 밀봉하도록 상기 반도체 소자에서 상기 제1 밀봉 수지층으로부터 노출하고 있는 부분을 피복하고 있는 반도체 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
- 반도체 장치에서의 한쪽 외부 접속용 단자가 액정 패널에 접속되는 한편, 다른쪽 외부 접속용 단자가 프린트 배선 기판에 접속된 액정 모듈로서,상기 반도체 장치가,배선 패턴이 형성된 필름 기판과, 상기 배선 패턴 간의 접속용 단자를 능동면에 갖고, 상기 접속용 단자가 상기 배선 패턴과 대향하도록 상기 필름 기판 상에 탑재된 반도체 소자를 구비하며, 상기 반도체 소자가 밀봉 수지로 피복되어 이루어지며, 상기 밀봉 수지가, 상기 반도체 소자와 배선 패턴 간의 접속 영역을 밀봉하는 제1 밀봉 수지층과, 적어도 상기 반도체 소자의 노출 상태에 있는 각부를 밀봉하도록 상기 반도체 소자를 피복하는 제2 밀봉 수지층의 2층 구조를 갖고 있고,상기 제1 밀봉 수지층과 제2 밀봉 수지층은, 서로 상이한 수지에 의해 형성되며,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 수지로 이루어지며,상기 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼로 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2 밀봉 수지층은 모두 절연성 수지로 이루어짐과 함께, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자보다도 열 전도성이 높은 절연성 수지로 이루어지고, 상기 제2 밀봉 수지층은 적어도 상기 반도체 소자의 노출 상태에 있는 각부를 밀봉하도록 상기 반도체 소자에서 상기 제1 밀봉 수지층으로부터 노출하고 있는 부분을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 모듈.
- 제9항에 있어서,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 부분 중, 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 부분 중, 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
- 제14항에 있어서, 상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 부분 중, 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 모듈.
- 제6항에 있어서,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 부분 중, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에서의 각부만, 또는 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에서의 각부와 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면으로부터 반도체 소자 측면에 걸쳐 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제15항에 있어서,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 부분 중, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에서의 각부만, 또는 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에서의 각부와 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면으로부터 반도체 소자 측면에 걸쳐 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 부분 중, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에서의 각부만, 또는 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에서의 각부와 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면으로부터 반도체 소자 측면에 걸쳐 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 구비하는 반도체 모듈.
- 제17항에 있어서,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 부분 중, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에서의 각부만, 또는 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에서의 각부와 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면으로부터 반도체 소자 측면에 걸쳐 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 반도체 소자는, 상기 제1 밀봉 수지층과 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지고, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에 설치된 열 확산판으로 밀봉되지 않은 부분을 구비하고,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 상기 제1 밀봉 수지층 및 상기 열 확산판으로 밀봉되어 있지 않는 부분 중, 상기 제1 밀봉 수지층 및 상기 열 확산판으로 밀봉되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제9항에 있어서,상기 반도체 소자는, 상기 제1 밀봉 수지층과 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지고, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에 설치된 열 확산판으로 밀봉되지 않은 부분을 구비하고,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 상기 제1 밀봉 수지층 및 상기 열 확산판으로 밀봉되어 있지 않는 부분 중, 상기 제1 밀봉 수지층 및 상기 열 확산판으로 밀봉되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 반도체 소자는, 상기 제1 밀봉 수지층과 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지고, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에 설치된 열 확산판으로 밀봉되지 않은 부분을 구비하고,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 상기 제1 밀봉 수지층 및 상기 열 확산판으로 밀봉되어 있지 않는 부분 중, 상기 제1 밀봉 수지층 및 상기 열 확산판으로 밀봉되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 반도체 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
- 제14항에 있어서,상기 반도체 소자는, 상기 제1 밀봉 수지층과 상기 반도체 소자보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지고, 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면에 설치된 열 확산판으로 밀봉되지 않은 부분을 구비하고,상기 제2 밀봉 수지층은, 상기 반도체 소자에서, 상기 제1 밀봉 수지층 및 상기 열 확산판으로 밀봉되어 있지 않는 부분 중, 상기 제1 밀봉 수지층 및 상기 열 확산판으로 밀봉되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 모듈.
- 제22항에 있어서,상기 열 확산판이 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면보다 작고 또한, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면의 각부와 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면으로부터 상기 반도체 소자 측면에 걸쳐 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있거나, 또는상기 열 확산판이 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면보다 크고 또한, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자 측면의 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제23항에 있어서,상기 열 확산판이 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면보다 작고 또한, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면의 각부와 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면으로부터 상기 반도체 소자 측면에 걸쳐 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있거나, 또는상기 열 확산판이 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면보다 크고 또한, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자 측면의 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제24항에 있어서,상기 열 확산판이 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면보다 작고 또한, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면의 각부와 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면으로부터 상기 반도체 소자 측면에 걸쳐 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있거나, 또는상기 열 확산판이 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면보다 크고 또한, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자 측면의 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 반도체 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
- 제25항에 있어서,상기 열 확산판이 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면보다 작고 또한, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면의 각부와 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면으로부터 상기 반도체 소자 측면에 걸쳐 상기 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있거나, 또는상기 열 확산판이 상기 반도체 소자에서의 능동면과는 반대측의 면보다 크고 또한, 상기 제2 밀봉 수지층은 상기 반도체 소자 측면의 제1 밀봉 수지층으로 피복되어 있지 않는 각부만을 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 모듈.
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