JP4215886B2 - 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路カードの製造方法 - Google Patents
半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路カードの製造方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路チップの封止方法、及び半導体集積回路カードの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体集積回路カード(ICカード)に装填されている半導体集積回路チップ(ICチップ)は、樹脂のスクリーン印刷によって封止されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
かかる従来のICカードに装填されているICチップは、樹脂のスクリーン印刷によって封止されていたため、強度が低く、しかも、その封止形状や封止厚のばらつきが大きいと言う欠点があった。ICチップの強度が低いと、ICカードが外圧によって曲げられたときに、ICチップが破損したり、ICチップの電極の基板の回路パターンに対する接続が外れたりするおそれがあった。ICチップの封止形状や封止厚のばらつきが大きいと、ICカードの品質や歩留りの制御が困難となる。
【0004】
斯かる点に鑑み、本発明は、強度が頗る高く、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップの封止方法を提案しようとするものである。
【0005】
また、本発明は、半導体集積回路チップ装置が破損したり、その電極の基板の回路パターンに対する接続が外れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留りの制御の容易な半導体集積回路カードの製造方法を提案しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、回路パターンが形成されたフィルム基板上に半導体集積回路チップを接着する工程と、その半導体集積回路チップが接着されたフィルム基板を、第1の封止用樹脂が塗布された、半導体集積回路チップの下面より広い面積を有する第1の補強用金属板の上に載置するとともに、第2の封止用樹脂が塗布された半導体集積回路チップの上に、半導体集積回路チップの上面より広い面積を有する第2の補強用金属板を配する工程と、第1及び第2の補強用金属板と半導体集積回路チップ間の平行状態を保持しつつ、第1及び第2の補強用金属板を介して第1及び第2の封止用樹脂を加圧することによって、第2の封止用樹脂を半導体集積回路チップの周面に流れ込ませて、前記第1及び第2の補強用金属板をそれぞれ前記フィルム基板及び前記半導体集積回路チップに接着する工程と、半導体集積回路チップの周面に流し込まれた第2の封止用樹脂を硬化させることによって前記半導体集積回路チップの周面を被覆する封止用樹脂部を形成する工程により、半導体集積回路チップを封止するものである。
また、その封止された半導体集積回路チップをカード基板間に装填する工程を経て半導体集積回路カードを製造するものである。
【0007】
斯かる本発明によれば、半導体集積回路チップ、その半導体集積回路チップを挟持する第1及び第2の補強用金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、強度が頗る高く、即ち、表裏両面からの曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップの封止方法を得ることができる。従って、斯かる半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カードに装填して頗る好適なものとなる。
【0008】
【発明の実施の形態】
【0011】
〔発明の実施の形態の具体例〕
以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態の具体例の半導体集積回路チップ(ICチップ)の封止方法、半導体集積回路チップ装置(ICチップ装置)及び半導体集積回路カード(ICカード)並びに半導体集積回路カードの製造方法を説明する。
【0012】
先ず、図1及び図2を参照して、具体例のICチップの封止方法及びICチップ装置(図1B)を説明する。図2Aに示す如く、複数の回路パターンKPが形成されたフィルム基板FBを用意する。図2Bに示す如く、図2Aのフィルム基板FBの各回路パターンKP又は各回路パターンKP内のフィルム基板FB上に、ディスペンサを用いて、少量(一定量)の接着剤BD1を塗布する。図2Cに示す如く、フィルム基板FBの各回路パターンKPの接着剤BD1上に各ICチップCPを載置し、その各ICチップCPを加圧すると共に、各ICチップCP及びフィルム基板FBを加熱して、各ICチップCPをフィルム基板FBの各回路パターンKPの所定部分に接着(固着)すると共に、各ICチップCPの電極を、それぞれ対応する回路パターンKPの所定の部分に、半田を用いて接続する。
【0013】
図1A及び図2Dに示す如く、ICチップCPの下面(矩形)と相似で、その下面より面積の広い第1の補強金属板MP1(矩形)を複数設け、その上に、ディスペンサを用いて封着用樹脂SP′(接着剤BD2)を所定量(一定量)塗布する。この工程は、図2A〜Cについて上述した工程の前後及びその工程の途中のいずれでも良い。
【0014】
図2Eに示す如く、ICチップCPが接着されたフィルム基板FBを、塗布された封止用樹脂SP′(接着剤BD2)を介して、各第1の補強用金属板MP1上に載置する。
【0015】
そして、図2E及び図1Aに示す如く、各ICチップCP上に、ディスペンサを用いて所定量(一定量)の封止用樹脂SP′(接着剤BD3)を塗布し、その封止用樹脂SP′(接着剤BD3)に紫外線を照射して仮硬化する。図2E並びに図1A及び図1Bに示す如く、各ICチップCPの上面(矩形)と相似で、その上面より面積の広い複数の第2の補強金属板(矩形)MP2を治具に取り付けて水平に移動させて、仮硬化された封止用樹脂SP′(接着剤BD3)上に配し、加圧治具を用いて、各第1及び第2の補強金属板MP1、MP2及び各ICチップCP間の平行状態を保持しつつ、各第1及び第2の補強金属板MP1、MP2間を均一に加圧して、図1Bに示す如く封止厚を一定にすると共に、封止用樹脂SP′(接着剤BD3)を各ICチップCPの周面に流れ込ませて、各第1の補強金属板MP1をフィルム基板FB上に、各第2の補強金属板MP2をICチップCP上に、それぞれ接着すると共に、各ICチップCPの周面を被覆する。そして、その封止用樹脂SP′(接着剤BD3)に紫外線を照射して硬化して、封止用樹脂部SPとなし、図1Bに示す如き、形状が一定で、封止厚が一定の複数のICチップ装置CPDを得る。
【0016】
この複数のICチップ装置CPDは、図示せずも、各回路パターンKP毎に打ち抜かれた後、ロールフィルム上に載置されると共に、その各ICチップ装置CPD及びロールフィルム上に亘って、薄膜コーティングが行われた後、加熱ローラ間を通過させて、多数のICカードが一列に連結されたカード連結板が得られ、このカード連結板が定尺切断されて、所定枚数のICカードが一列に連結された定尺カード連結板が複数得られ、その定尺カード連結板が各ICカード毎に打ち抜かれて、個別のICカードが得られる。
【0017】
次に、図3を参照して、ICチップCPの封入されたICカード(半導体集積回路カード)の構造を説明する。ICチップ装置CPDがカード基板内に装填されている。即ち、ICチップ装置CPDが、例えば、エポキシ樹脂からなる充填樹脂層IP内に装填され、その充填樹脂層ICPの表裏にそれぞれ、例えば、ポリエチレンテレフタレートからなる外装樹脂基板OP、OPが接着されて、ICカードが構成される。
【0018】
【発明の効果】
本発明の半導体集積回路チップの封止方法によれば、半導体集積回路チップ、その半導体集積回路チップを挟持する第1及び第2の補強金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、強度が頗る高く、即ち、表裏両面からの曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることができる。従って、斯かる半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カードに装填して頗る好適なものとなる。
【0019】
本発明の半導体集積回路カードの製造方法によれば、上記半導体集積回路チップの封止方法により生成された半導体集積回路チップ装置を、カード基板間に装填して半導体集積回路カードを製造している。その半導体集積回路カード内に装填されている半導体集積回路チップ装置は、半導体集積回路チップ、その半導体集積回路チップを挟持する第1及び第2の補強金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、強度が頗る高く、即ち、曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきが少ない。このため、半導体集積回路チップ装置が破損したり、その電極の基板の回路パターンに対する接続が外れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留りの制御の容易な半導体集積回路カードを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の具体例のICチップの封止方法の具体例の主要部を示す工程図である。
【図2】本発明の実施の形態の具体例のICチップの封止方法の具体例の工程図である。
【図3】本発明の実施の形態の具体例のICカードを示す断面図である。
【符号の説明】
FB フィルム基板、CP ICチップ、MP1、MP2 第1及び第2の補強金属板、SP′ 封止用樹脂、SP 封止用樹脂部、CPD ICチップ装置、IP 充填樹脂層、OP 外装樹脂板。
Claims (2)
- 回路パターンが形成されたフィルム基板上に半導体集積回路チップを接着する工程と、
前記半導体集積回路チップが接着されたフィルム基板を、第1の封止用樹脂が塗布された、前記半導体集積回路チップの下面より広い面積を有する第1の補強用金属板の上に載置するとともに、第2の封止用樹脂が塗布された前記半導体集積回路チップの上に、前記半導体集積回路チップの上面より広い面積を有する第2の補強用金属板を配する工程と、
前記第1及び第2の補強用金属板と前記半導体集積回路チップ間の平行状態を保持しつつ、前記第1及び第2の補強用金属板を介して前記第1及び第2の封止用樹脂を加圧することによって、前記第2の封止用樹脂を前記半導体集積回路チップの周面に流れ込ませて、前記第1及び第2の補強用金属板をそれぞれ前記フィルム基板及び前記半導体集積回路チップに接着する工程と、
前記半導体集積回路チップの周面に流し込まれた前記第2の封止用樹脂を硬化させることによって前記半導体集積回路チップの周面を被覆する封止用樹脂部を形成する工程
を有することを特徴とする半導体集積回路チップの封止方法。 - 回路パターンが形成されたフィルム基板上に半導体集積回路チップを接着する工程と、
前記半導体集積回路チップが接着されたフィルム基板を、第1の封止用樹脂が塗布された、前記半導体集積回路チップの下面より広い面積を有する第1の補強用金属板の上に載置するとともに、第2の封止用樹脂が塗布された前記半導体集積回路チップの上に、前記半導体集積回路チップの上面より広い面積を有する第2の補強用金属板を配する工程と、
前記第1及び第2の補強用金属板と前記半導体集積回路チップ間の平行状態を保持しつつ、前記第1及び第2の補強用金属板を介して前記第1及び第2の封止用樹脂を加圧することによって、前記第2の封止用樹脂を前記半導体集積回路チップの周面に流れ込ませて、前記第1及び第2の補強用金属板をそれぞれ前記フィルム基板及び前記半導体集積回路チップに接着する工程と、
前記半導体集積回路チップの周面に流し込まれた前記第2の封止用樹脂を硬化させることによって前記半導体集積回路チップの周面を被覆する封止用樹脂部を形成して半導体集積回路チップを封止する工程と、
前記封止された半導体集積回路チップをカード基板間に装填する工程
を有することを特徴とする半導体集積回路カードの製造方法。
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