JPS6394894A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野〕 本発明は、ＩＣカード、ＩＣカートリッジ、時計、電卓
などの電子装置に搭載される超薄形の半導体装置に関す
る。

〔従来技術〕

第４図に、従来よりＩＣカードに搭載されているこの種
の半導体装置の一例を示す（特開昭６ｌ−３４６８７）
。第４図に示すように、この半導体装Ｍ１は、主として
１回路基板２と、ＩＣチップ３と、封止枠体４と、封止
樹脂５とがら成る。

前記回路基板２は、表面に電源印加、データ入出力、ク
ロック入力、接地などのための複数個の端子電極６ｘ、
６ｚ・・・が形成された端子電極基板７と、片面に前記
端子電極６ｘ、６ｚ・・・と電気的に接続された所望の
配線パターン８が形成された配線パターン基板９との積
層体によって形成されている。これら端子電極基板７及
び配設パターン基板９は、厚さが約０．０８ｍ＋ｎ−０
，１５ｍ＋ｎ程度のガラス繊維混入エポキシやポリイミ
ドなとの合成樹脂フィルムによって作製されており、接
着層１０を介して高圧な負荷することにより一体にラミ
ネートされる。前記配線パターン基板９の所定の位置に
は予じめ透孔１１が開設されており、前記端子電極基板
７及び配設パターン基板９をラミネートした段階で、凹
溝状のＩＣチップ設定部１２が形成される。

ＩＣチップ３は、例えばＩＣ化されたデータ処理部とＩ
Ｃ化されたメモリ部とから成り、表面の所定の位置に電
極１３が形成されている。このＩＣチップ３は、前記Ｉ
Ｃチップ設定部１２の底面（端子電極基板７の表面）に
固定される。前記型ｒ！ｉ１３と前記配線パターン基板
９にパターニングされた配線パターン８とはリード１４
で接続され、所要の半導体回路が構成さｈる。

前記封止枠体４は前記ＩＣチップ３を前記回路基板２の
ＩＣチップ設定部１２内に樹脂対重する際の封止領域を
規制するものであって、例えばステンレス等の硬質金属
などのよって形成され、前記配線パターン基板９の前記
ＩＣチップ設定部１２の周囲に配設される。

封止樹脂５は、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性の樹
脂が用いられ、前記封止枠体４及び１Ｃチップ設定部１
２内に充填され、前記端子電極基板７、配線パターン基
板１０、ＩＣチップ３、封止枠体４、リード１４を一体
に封止する。

上記のように構成された半導体装置ｌは、第５図及び第
６図に示すように、カード本体１５の表面の磁気ストラ
イプ１６とエンボスエリア１７の中間領域に凹設された
凹陥部１８内に嵌め込まれ、接着剤１９により接着され
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記半導体装ｔ！１１においては、より薄形化すること
が最も重要な技術的課題の１つである。前記のように、
回路基板２にＩＣチップ設定部１２を凹設し、このＩＣ
チップ設定部１２内にＩＣチップ３を埋設するようにす
ると、回路基板２の表面、即ち配線パターン基板９の配
線パターン形成面にＩＣチップ：３を取り付ける場合に
比べて、配線パターン基板９の１１さｄの分たけ半導体
装置１の全厚りを小さくすることができる。

しかしながら、ＩＣチップ３を端子電極基板７に接着し
て成る前記半導体装［１は、Ｉｃチップ設定部１２の剛
性が低いため、例えばリーダーライターに装着し、た際
にコンタクトピンの押圧力が端子電極基板７に作用した
り、あるいは携帯時に不所望の曲げ力がカード本体１５
に作用した場合、その外力がＩＣチップ３に直接作用し
、ＩＣチップ３が破壊したり、リード１４が断線したり
し、易いという問題がある。

また、前記回路基板２は端子電極基板７と配線パターン
基板９とをラミネートして成るが、端子電極基板７が薄
いフィルム状に形成されており、かつ配線パターン基板
９にはＩＣチップ設定部１２を形成するための透孔１１
が開設されているため、ラミネート時に負荷される押圧
力によって端子電極基板７の前記透孔１１と対向する部
分が透孔１１側に湾曲変形するといった不具合を惹起し
易い。かかる不具合を生じると、同一平面上に配列され
る入き複数個の端子電極６．．６２・・・が湾曲して、
製品の美観が悪くなるばかりでなく、コンタクトピンと
の接触が悪くなって情報授受の際にエラーを生し易くな
る。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記した従来技術の問題点を解消し、耐久性
、信頼性、及び生産性に優れた半導体装置を提供するた
め、回路基板に凹設されたＩＣチップ設定部にＩＣチッ
プを埋設し、前記回路基板及びＩＣチップ、それに前記
回路基板に形成された配線パターンと前記ＩＣチップの
電極とを接続するリードとを樹脂封止して成る半導体装
置において、前記回路基板の少なくともＩＣチップ設定
部に補強部材を設けたことを特徴とするものである。

〔作用〕

補強部材を設けると、回路基板のＩＣチップ設定部の剛
性が向上し、ＩＣチップが破損するなどの事故を減少す
ることができる。また、端子電極基板と配線パターン基
板をラミネートする際の端子電極基板の湾曲が防止され
、美観の改善、歩留りの向上、情報授受の信頼性の向上
を図ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の第１実施例を第１図に基づいて説明する
。第１実施例に係る半導体装置は、基本的な構造につい
ては前記した従来の半導体装置と全く同様であり、ＩＣ
チップ設定部に補強部材を設けたことを特徴とする。

第１図において、２１は補強板を示し、その他第４図に
示したと同様の部材については同一の符号をもって表示
されている。

前記補強板２１としては、端子電極基板を構成する材料
よりも剛性（曲げ強度）の高いものであれば任意のもの
を用いることができるが、耐熱性が良好であること及び
曲げ強度が高いことから、チタン、ニッケル、クロム、
銅、及び二九らの合金、及びこれらと他の物質の積層体
などの金属材料、それに窒化ケイ素、炭化ケイ素、サイ
アロン、窒化アルミ、アルミナ、ジルコニアなどのセラ
ミックスが好適である。その厚さは補強板１を貼着する
ことによって向上する剛性の大きさと半導体装置の全厚
りの増大とを考慮して適宜設定可能であるが、０．０１
！ＩＩｍ〜０．０３ｍｍ程度が好適である。

前記補強板２１は、端子電極基板７上に接着される。そ
の接着剤２１ａとしては任意の接着剤を用いることがで
きるが、接着力が強固であるところから、エポキシ系接
着剤が特に良好である。

また、前記ＩＣチップ３は、前記補強板ｌ上に接着され
る。この接着剤２１ｂとしてもエポキシ系接着剤が特に
適する。

前記第１実施例の半導体装置は、端子電極基板７のＩＣ
チップ設定部１２に補強板２１を貼着したので、その分
生導体装置１の剛性が向上し、使用中に作用する外力に
よってＩＣチップ３が破損したり、リード１４が断線す
る等の事故を減少す５ことができる。

次に、本発明の第２実施例を第２図に基づいて説明する
。第２実施例に係る半導体装置も基本的構造については
前記した従来の半導体装置と全く同様であり、端子電極
基板の配線パターン基板接着側のほぼ全面に補強層を設
けたことを特徴とする、 第２図において、２２は補強層を示し、その他第４図に
示したと同様の部１ｔについては同一の符号をもって表
示されている。

補強層２２は、端子電極基板７の端子電極６１゜６ｚ・
・・が形成されない面のほぼ全面にラミネートされる。

この補強層２２としては、上記第１実施例において掲げ
た如き任意の硬質物質を適用することができるが、比較
的大面積の端子電極基板に一様にラミネート可能である
ところから、銅、ニッケル、クロム、すずめつきされた
銅箔などの金属箔が特に好適である。

前記配線パターン基板９は、この補強層２２を介して前
記端子電極基板７にラミネートされる。

また、前記ＩＣチップ３は、前記補強層２２上に接着さ
れる。

上記第２実施例の半導体装置は、上記第１実施例の半導
体装置と同様の効果を奏するほか、端子電極基板７の片
面のほぼ全面に補強層２２を貼着したので、端子電極基
板７と配線パターン基板９をラミネートする際の押圧力
によって端子電極基板の透孔１１と対向する部分が湾曲
変形することがない。また、前記補強層２２は、端子電
極基板７の片面に端子電極６１．６２・・・のめつき下
地をラミネートする際に同時にラミネートすることがで
きるので、はとんど製造コストが割高になる。二ともな
い。

尚、本発明の要旨は回路基板の少なくともＩＣチップ設
定部に補強部材を設けたことにあるのであって１回路基
板の構造が上記各実施例に示したものに限定さＪするも
のではなく、必要に応じて適宜設計し得ることは勿論で
ある。例えば第３図に示すように、所定の位置に予じめ
１ｃチップ設定部１２が凹設された１枚の回路基板２３
の表裏両面に端子電極６１．６ｚ・・・及び配線パター
ン８を形成し、前記ＩＣチップ設定部１２の底面に補強
板２１を貼着することもできる。

その他、ＩＣチップの￥ｆ１類やボンディング方式、そ
れに封止枠体の形状や材質、さらには封１樹脂の種類等
についても前記各実施例において示したものに限定され
ろものではなく、必要に応じて適宜選択可能であること
は勿論である。

また、−Ｆ記各実施例においては、ＩＣカード用半導体
″！Ａ装を例にとって説明したが、本発明の要旨はこれ
に限定さ机るものではなく、ＩＣカートリッジ用、時計
用、電＊用など、他の任意の半導体装置についても同様
に適用することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の半導体装置は。

回路基板の少なくともＩＣチップ設定部に補強部材を設
けたので１回路基板のＩＣチップ設定部の剛性が向トし
、ＩＣチップが破損するなどの事故を減少することがで
きる。また、端子電極基板と配線パターン基板をラミネ
ートする際の端子１１１極基板の湾曲が防出され、美観
の改善１歩留りの向ヒ、情報授受の信頼悦の向上を図る
ことができろ。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例に係る半導体装置の断面図
、第２図は本発明の第２実施例に係ろ半導ｔｋ装震の断
面図、第３図は本発明の第３実施例に係る半導体装置の
断面図、第４図は従来知ら九でいる半導体装置の一例を
示す断面図、第５図はＩＣカードの平面図、第６図はＩ
Ｃカードの半導１１一 体装置埋設部の断面図である。 に半導体装置、２：回路基板、３：１ｃチツプ、４：封
止枠体、５：封ＩＦ樹脂、６ｘ、６ｚ・・・：端子電極
、７：端子電極基板、８：配線パターン、９：配線パタ
ーン基板、１０：接着層、１１：透孔、１２：ＩＣチッ
プ設定部、１３：電極、１４：リード、２１：補強板、
２２：補強層、２３：回路基板 第１図 第２図 第３図 第４図 第６図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）回路基板に凹設されたＩＣチツプ設定部にＩＣチ
   ツプを埋設し、前記回路基板及びＩＣチツプ、それに前
   記回路基板に形成された配線パターンと前記ＩＣチツプ
   の電極とを接続するリードとを樹脂封止して成る半導体
   装置において、前記回路基板の少なくともＩＣチツプ設
   定部に補強部材を設けたことを特徴とする半導体装置。
2. （２）特許請求の範囲第１項記載の半導体装置において
   、回路基板の少なくともＩＣチツプ設定部に、金属箔あ
   るいはセラミツクスの薄板を貼着したことを特徴とする
   半導体装置。
3. （３）特許請求の範囲第１項及び第２項記載の半導体装
   置において、回路基板を所定の端子電極がパターニング
   されたフイルム状の端子電極基板と、所定の配線パター
   ンがパターニングされ、ＩＣチツプ設定部に透孔が開設
   された配線パターン基板とから構成し、前記端子電極基
   板のＩＣチツプ接着側のほぼ全面に補強部材を貼着した
   ことを特徴とする半導体装置。
4. （４）特許請求の範囲第１項及び第２項記載の半導体装
   置において、配線基板を所定の端子電極がパターニング
   されたフイルム状の端子電極基板と、所定の配線パター
   ンがパターニングされ、ＩＣチツプ設定部に透孔が開設
   された配線パターン基板とから構成し、前記端子電極基
   板の前記透孔によつて囲まれる部分に補強部材を貼着し
   たことを特徴とする半導体装置。
5. （５）特許請求の範囲第１項及び第２項記載の半導体装
   置において、表裏両面にそれぞれ端子電極と配線パター
   ンとがパターニングされ、ＩＣチップ設定部に凹陥部が
   凹設された回路基板の当該凹陥部の底面に補強部材を貼
   着したことを特徴とする半導体装置。