JP2003174136A - 樹脂モールド半導体装置 - Google Patents
樹脂モールド半導体装置Info
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームの外部接続リードがモールド
部から引き抜かれにくい樹脂モールド半導体装置を提供
する。 【解決手段】 ダイステージ１０ａと外部接続リード１
０ｂとを備えたリードフレーム１０のダイステージに半
導体素子を搭載し、外部接続リードがモールド樹脂３の
下面に沿って露出するように樹脂モールドして成る樹脂
モールド半導体装置の外部接続リード１０ｂが、樹脂３
の下面に沿って内側が幅広になっている。これによって
外部接続リードに樹脂の底面と平行な力がかかっても、
外部接続リードが樹脂モールド部から引き抜かれにくく
なる。
部から引き抜かれにくい樹脂モールド半導体装置を提供
する。 【解決手段】 ダイステージ１０ａと外部接続リード１
０ｂとを備えたリードフレーム１０のダイステージに半
導体素子を搭載し、外部接続リードがモールド樹脂３の
下面に沿って露出するように樹脂モールドして成る樹脂
モールド半導体装置の外部接続リード１０ｂが、樹脂３
の下面に沿って内側が幅広になっている。これによって
外部接続リードに樹脂の底面と平行な力がかかっても、
外部接続リードが樹脂モールド部から引き抜かれにくく
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
搭載された半導体素子を樹脂モールドしてなる樹脂モー
ルド半導体装置に関する。
搭載された半導体素子を樹脂モールドしてなる樹脂モー
ルド半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂モールド半導体装置の樹脂モールド
方法として、トランスファモールド法が広く知られてい
る。該モールド法は予めリードフレームに半導体素子を
組み込んでおき、これを金型に入れて、粉末状またはタ
ブレット状のエポキシ樹脂などの樹脂を温度と圧力をか
けて溶融させ、粘度の低い状態にして前記金型内に注入
し、硬化させてモールドするものである。
方法として、トランスファモールド法が広く知られてい
る。該モールド法は予めリードフレームに半導体素子を
組み込んでおき、これを金型に入れて、粉末状またはタ
ブレット状のエポキシ樹脂などの樹脂を温度と圧力をか
けて溶融させ、粘度の低い状態にして前記金型内に注入
し、硬化させてモールドするものである。
【０００３】図３には、半導体素子２がリードフレーム
１のダイステージ１ａにダイボンディングされ、樹脂３
でフラット型に樹脂モールドされた半導体装置４の断面
を示している。図３に示すように、半導体装置４は、ダ
イステージ１ａにダイボンディングされ、外部接続リー
ド１ｂと半導体素子２がワイヤ５でワイヤボンディング
されるとともに、外部接続リード１ｂが樹脂３の下面に
沿って露出するようにモールドされている。また、図３
では前記ダイステージ１ａは、外部接続リード１ｂと同
様に前記樹脂３の下面に沿って露出する例を示している
が、ダイステージの下面を電気的に絶縁できるようにモ
ールドすることもある。このような半導体装置４は、プ
リント配線板などにフェイスダウンボンディングされて
利用される。なお、図３は、後述するように、本発明の
半導体装置の説明にも援用する。
１のダイステージ１ａにダイボンディングされ、樹脂３
でフラット型に樹脂モールドされた半導体装置４の断面
を示している。図３に示すように、半導体装置４は、ダ
イステージ１ａにダイボンディングされ、外部接続リー
ド１ｂと半導体素子２がワイヤ５でワイヤボンディング
されるとともに、外部接続リード１ｂが樹脂３の下面に
沿って露出するようにモールドされている。また、図３
では前記ダイステージ１ａは、外部接続リード１ｂと同
様に前記樹脂３の下面に沿って露出する例を示している
が、ダイステージの下面を電気的に絶縁できるようにモ
ールドすることもある。このような半導体装置４は、プ
リント配線板などにフェイスダウンボンディングされて
利用される。なお、図３は、後述するように、本発明の
半導体装置の説明にも援用する。
【０００４】図２において、図２（Ａ）は従来用いられ
ていたリードフレームの平面図、図２（Ｂ）は従来の半
導体装置の底面図である。図２（Ａ）に示すように、従
来のリードフレーム１は、半導体素子２（図３）がダイ
ボンディングされるダイステージ１ａ、前記半導体素子
２とワイヤボンディングされる外部接続リード１ｂ、吊
りリード１ｃから構成され、点線で示す樹脂モールド領
域６内が樹脂モールドされた後、製品として必要のない
外側部分がダイシングされる。
ていたリードフレームの平面図、図２（Ｂ）は従来の半
導体装置の底面図である。図２（Ａ）に示すように、従
来のリードフレーム１は、半導体素子２（図３）がダイ
ボンディングされるダイステージ１ａ、前記半導体素子
２とワイヤボンディングされる外部接続リード１ｂ、吊
りリード１ｃから構成され、点線で示す樹脂モールド領
域６内が樹脂モールドされた後、製品として必要のない
外側部分がダイシングされる。
【０００５】ここで、図２（Ａ）に示すようなフラット
型リードフレームの作製工程について以下説明する。 （１）ベースとなる金属板にレジストを塗布する。 （２）連接された同一パターンの複数のリードフレーム
がデザインされたマスクによりレジストを感光、エッチ
ングする。 （３）エッチングした場所にメッキ膜を積み上げ、リー
ドフレームを形成する。 （４）所定の厚さまでメッキ厚膜が得られた後、不要と
なったレジストを除く。 （５）前記メッキ膜厚上に必要があれば金メッキのボン
ダビリティを向上させるメッキをさらに実施する。 前記工程がリードフレームの作製工程である。 （６）前記工程で得られたリードフレームの各ダイステ
ージに半導体素子をダイボンディングし、外部接続リー
ドと半導体素子とのワイヤボンディングを行い、モール
ド成型を実施した後、前記ベースとなった金属板を剥
す。 （７）連接したリードフレームのダイシングを行い、各
半導体装置に分離する。 なお、前記（１）の工程でベースとなる金属板にメッキ
をしてリードフレームを作製して前記工程（６）で金属
板を剥すので、従来のように吊りリードを必要とせず、
省略することが多い。また、半導体装置の底面と垂直方
向への抜け落ち防止のため、前記（３）の工程におい
て、外部接続リードに最上部から所定厚さオーバーハン
グ（かえり）を設けられている。
型リードフレームの作製工程について以下説明する。 （１）ベースとなる金属板にレジストを塗布する。 （２）連接された同一パターンの複数のリードフレーム
がデザインされたマスクによりレジストを感光、エッチ
ングする。 （３）エッチングした場所にメッキ膜を積み上げ、リー
ドフレームを形成する。 （４）所定の厚さまでメッキ厚膜が得られた後、不要と
なったレジストを除く。 （５）前記メッキ膜厚上に必要があれば金メッキのボン
ダビリティを向上させるメッキをさらに実施する。 前記工程がリードフレームの作製工程である。 （６）前記工程で得られたリードフレームの各ダイステ
ージに半導体素子をダイボンディングし、外部接続リー
ドと半導体素子とのワイヤボンディングを行い、モール
ド成型を実施した後、前記ベースとなった金属板を剥
す。 （７）連接したリードフレームのダイシングを行い、各
半導体装置に分離する。 なお、前記（１）の工程でベースとなる金属板にメッキ
をしてリードフレームを作製して前記工程（６）で金属
板を剥すので、従来のように吊りリードを必要とせず、
省略することが多い。また、半導体装置の底面と垂直方
向への抜け落ち防止のため、前記（３）の工程におい
て、外部接続リードに最上部から所定厚さオーバーハン
グ（かえり）を設けられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
な工程（１）〜（７）で作製された外部接続リードを有
するリードフレームを使用した半導体装置の底面を見る
と、図２（Ｂ）に示すように、外部接続リード１ｂが樹
脂３の底面から露出している。前記（６）の工程や
（７）の工程において、また、プリント基板へのはんだ
付け時において、矢印で示す底面と平行な力が外部接続
リード１ｂにそれぞれかかると、該外部接続リード１ｂ
が樹脂３から剥離したり、引き抜かれ易いことを知見し
た。本発明は、前記問題点に鑑みなされたもので、前記
外部接続リード１ｂが樹脂３からの剥離しにくく引き抜
かれにくいリードフレームおよび該リードフレームを使
用した樹脂モールド半導体装置および前記リードフレー
ムの作製方法を提案するものである。
な工程（１）〜（７）で作製された外部接続リードを有
するリードフレームを使用した半導体装置の底面を見る
と、図２（Ｂ）に示すように、外部接続リード１ｂが樹
脂３の底面から露出している。前記（６）の工程や
（７）の工程において、また、プリント基板へのはんだ
付け時において、矢印で示す底面と平行な力が外部接続
リード１ｂにそれぞれかかると、該外部接続リード１ｂ
が樹脂３から剥離したり、引き抜かれ易いことを知見し
た。本発明は、前記問題点に鑑みなされたもので、前記
外部接続リード１ｂが樹脂３からの剥離しにくく引き抜
かれにくいリードフレームおよび該リードフレームを使
用した樹脂モールド半導体装置および前記リードフレー
ムの作製方法を提案するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ダイステージと外部接続リードとを備えたリードフレー
ムの前記ダイステージに半導体素子を搭載し、前記外部
接続リードがモールド樹脂の下面に沿って露出するよう
に樹脂モールドしてなる樹脂モールド半導体装置の前記
外部接続リードを前記モールド樹脂の下面に沿った内側
を幅広に形成する。また、本発明のリードフレームは、
ダイステージと外部接続リードとを備えたリードフレー
ムの前記ダイステージに半導体素子を搭載し、前記外部
接続リードがモールド樹脂の下面に沿って露出するよう
に樹脂モールドしてなる樹脂モールド半導体装置のリー
ドフレームであって、前記外部接続リードを前記ダイス
テージに向けて幅広に形成する。
ダイステージと外部接続リードとを備えたリードフレー
ムの前記ダイステージに半導体素子を搭載し、前記外部
接続リードがモールド樹脂の下面に沿って露出するよう
に樹脂モールドしてなる樹脂モールド半導体装置の前記
外部接続リードを前記モールド樹脂の下面に沿った内側
を幅広に形成する。また、本発明のリードフレームは、
ダイステージと外部接続リードとを備えたリードフレー
ムの前記ダイステージに半導体素子を搭載し、前記外部
接続リードがモールド樹脂の下面に沿って露出するよう
に樹脂モールドしてなる樹脂モールド半導体装置のリー
ドフレームであって、前記外部接続リードを前記ダイス
テージに向けて幅広に形成する。
【０００８】
【発明の実施の形態】まず、本発明のリードフレームを
利用した半導体装置を図３の断面図を参照しながら説明
する。図３に示すように、半導体装置４は、ダイステー
ジ１０ａにダイボンディングされ、外部接続リード１０
ｂと半導体素子２がワイヤ５でワイヤボンディングされ
るとともに、ダイステージ１０ａと外部接続リード１０
ｂが樹脂３の下面に沿って露出するように樹脂モールド
されている。なお、吊りリード１０ｃの有無については
後述する。
利用した半導体装置を図３の断面図を参照しながら説明
する。図３に示すように、半導体装置４は、ダイステー
ジ１０ａにダイボンディングされ、外部接続リード１０
ｂと半導体素子２がワイヤ５でワイヤボンディングされ
るとともに、ダイステージ１０ａと外部接続リード１０
ｂが樹脂３の下面に沿って露出するように樹脂モールド
されている。なお、吊りリード１０ｃの有無については
後述する。
【０００９】以下、本発明の半導体装置に利用する前記
問題点を解決したリードフレームの形状について説明す
る。図１（Ａ）に示すように、本発明のリードフレーム
１０は、半導体素子がダイボンディングされるダイステ
ージ１０ａ、半導体素子とワイヤボンディングされる外
部接続リード１０ｂ、必要に応じて吊りリード１０ｃか
ら構成され、前記外部接続リード１０ｂがダイステージ
１０ａ側に向けて幅広に形成されている。図３に示す、
ダイステージ１０ａと外部接続リード１０ｂとを備えた
リードフレーム１０の前記ダイステージ１０ａに半導体
素子２を搭載し、前記外部接続リード１０ｂが樹脂３の
下面に沿って露出するように樹脂モールドして成る樹脂
モールド半導体装置４に適用すると、図１（Ｂ）の底面
図に示すように、前記外部接続リード１０ｂが前記樹脂
３の下面に露出するとともに内側（ダイステージ１０ａ
側）に向けて幅広になっている。図示の形状は、直線状
に幅広に、つまり台形状になっているが、半円形状、半
楕円形状などの形状でも実施することができた。
問題点を解決したリードフレームの形状について説明す
る。図１（Ａ）に示すように、本発明のリードフレーム
１０は、半導体素子がダイボンディングされるダイステ
ージ１０ａ、半導体素子とワイヤボンディングされる外
部接続リード１０ｂ、必要に応じて吊りリード１０ｃか
ら構成され、前記外部接続リード１０ｂがダイステージ
１０ａ側に向けて幅広に形成されている。図３に示す、
ダイステージ１０ａと外部接続リード１０ｂとを備えた
リードフレーム１０の前記ダイステージ１０ａに半導体
素子２を搭載し、前記外部接続リード１０ｂが樹脂３の
下面に沿って露出するように樹脂モールドして成る樹脂
モールド半導体装置４に適用すると、図１（Ｂ）の底面
図に示すように、前記外部接続リード１０ｂが前記樹脂
３の下面に露出するとともに内側（ダイステージ１０ａ
側）に向けて幅広になっている。図示の形状は、直線状
に幅広に、つまり台形状になっているが、半円形状、半
楕円形状などの形状でも実施することができた。
【００１０】前記構成のリードフレーム及び半導体装置
は以下の工程を経て作製される。 （１）ベースとなる金属板にレジストを塗布する。 （２）前記段落０００９に記載の形状の外部接続リード
を備え、連接された同一パターンの複数のリードフレー
ムがデザインされたマスクによりレジストを感光、エッ
チングする。 （３）エッチングした場所にメッキ膜を積み上げ、リー
ドフレームを形成する。 （４）所定の厚さまでメッキ厚膜が得られた後、不要と
なったレジストを除く。 （５）前記メッキ膜厚上に必要があれば金メッキのボン
ダビリティを向上させるメッキをさらに実施する。 前記工程が本発明のリードフレームの作製工程である。 （６）前記工程で得られたリードフレームの各ダイステ
ージに半導体素子をダイボンディングし、半導体素子と
外部接続リードとのワイヤボンディングを行い、モール
ド成型を実施した後、前記ベースとなった金属板を剥
す。 （７）連接したリードフレームのダイシングを行い、各
半導体装置に分離する。
は以下の工程を経て作製される。 （１）ベースとなる金属板にレジストを塗布する。 （２）前記段落０００９に記載の形状の外部接続リード
を備え、連接された同一パターンの複数のリードフレー
ムがデザインされたマスクによりレジストを感光、エッ
チングする。 （３）エッチングした場所にメッキ膜を積み上げ、リー
ドフレームを形成する。 （４）所定の厚さまでメッキ厚膜が得られた後、不要と
なったレジストを除く。 （５）前記メッキ膜厚上に必要があれば金メッキのボン
ダビリティを向上させるメッキをさらに実施する。 前記工程が本発明のリードフレームの作製工程である。 （６）前記工程で得られたリードフレームの各ダイステ
ージに半導体素子をダイボンディングし、半導体素子と
外部接続リードとのワイヤボンディングを行い、モール
ド成型を実施した後、前記ベースとなった金属板を剥
す。 （７）連接したリードフレームのダイシングを行い、各
半導体装置に分離する。
【００１１】ここで、前記吊りリード１０ｃの有無につ
いて述べると、前記（１）の工程でベースとなる金属板
にメッキをしてリードフレームを作製して前記工程
（６）で金属板を剥すので、吊りリードを必要とせず、
省略することが多いが、金属板を剥した後に、連接した
リードフレームの各リードフレームのダイステージの底
面や外部接続リードに電解メッキを施す際は吊りリード
が電流通路となり、吊りリードを残すのが有効である。
いて述べると、前記（１）の工程でベースとなる金属板
にメッキをしてリードフレームを作製して前記工程
（６）で金属板を剥すので、吊りリードを必要とせず、
省略することが多いが、金属板を剥した後に、連接した
リードフレームの各リードフレームのダイステージの底
面や外部接続リードに電解メッキを施す際は吊りリード
が電流通路となり、吊りリードを残すのが有効である。
【００１２】
【発明の効果】本発明のリードフレームを用いた樹脂モ
ールド半導体装置は、外部接続リードが前記形状を有す
ることにより、樹脂底面と平行な力が外部接続リードに
かかっても樹脂から剥離しにくい樹脂モールド半導体装
置が得られる。
ールド半導体装置は、外部接続リードが前記形状を有す
ることにより、樹脂底面と平行な力が外部接続リードに
かかっても樹脂から剥離しにくい樹脂モールド半導体装
置が得られる。
【図１】本発明リードフレームの平面図及び本発明リー
ドフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の底面図で
ある。
ドフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の底面図で
ある。
【図２】従来のリードフレームの平面図及び本発明リー
ドフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の底面図で
ある。
ドフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の底面図で
ある。
【図３】本発明及び従来の樹脂モールド半導体装置の説
明に供する半導体装置の断面図である。
明に供する半導体装置の断面図である。
３・・樹脂 １０リードフレーム １０ａ・・ダイステ
ージ １０ｂ・・外部接続リード １０ｃ・・吊りリー
ド
ージ １０ｂ・・外部接続リード １０ｃ・・吊りリー
ド
Claims (6)
- 【請求項１】ダイステージと外部接続リードとを備えた
リードフレームの前記ダイステージに半導体素子を搭載
し、前記外部接続リードがモールド樹脂の下面に沿って
露出するように樹脂モールドしてなる樹脂モールド半導
体装置であって、 前記外部接続リードが前記モールド樹脂の下面に沿って
内側が幅広になっていることを特徴とする樹脂モールド
半導体装置。 - 【請求項２】前記外部接続リードの形状が台形状、半円
形状又は半楕円形状であることを特徴とする請求項１の
樹脂モールド半導体装置。 - 【請求項３】ダイステージと外部接続リードとを備えた
リードフレームの前記ダイステージに半導体素子を搭載
し、前記外部接続リードがモールド樹脂の下面に沿って
露出するように樹脂モールドしてなる樹脂モールド半導
体装置のリードフレームであって、 前記外部接続リードを前記ダイステージに向けて幅広に
なっていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】前記外部接続リードの形状が台形状、半円
形状又は半楕円形状であることを特徴とする請求項３の
樹脂モールド半導体装置。 - 【請求項５】ダイステージと外部接続リードとを備えた
リードフレームの前記ダイステージに半導体素子を搭載
し、前記外部接続リードがモールド樹脂の下面に沿って
露出するように樹脂モールドしてなる樹脂モールド半導
体装置の前記外部接続リードがダイステージに向けて幅
広になっているリードフレームの作製方法において、ベ
ースとなる金属板にレジストを塗布する工程、連接され
た同一パターンの複数のリードフレームがデザインされ
たマスクによりレジストを感光、エッチングする工程、
エッチングした場所にメッキ膜を積み上げ、リードフレ
ームを形成する工程、所定の厚さまでメッキ厚膜が得ら
れた後、不要となったレジストを除く工程、を有するこ
とを特徴とするリードフレームの作製方法。 - 【請求項６】ダイステージと外部接続リードとを備えた
リードフレームの前記ダイステージに半導体素子を搭載
し、前記外部接続リードがモールド樹脂の下面に沿って
露出するように樹脂モールドしてなる樹脂モールド半導
体装置の前記外部接続リードがダイステージに向けて幅
広になっている樹脂モールド半導体装置の作製方法にお
いて、ベースとなる金属板にレジストを塗布する工程、
連接した同一パターンの複数のリードフレームがデザイ
ンされたマスクによりレジストを感光、エッチングする
工程、エッチングした場所にメッキ膜を積み上げ、リー
ドフレームを形成する工程、所定の厚さまでメッキ厚膜
が得られた後、不要となったレジストを除く工程、前記
工程で得られたリードフレームの各ダイステージに半導
体素子をダイボンディングし、ワイヤボンディングを行
い、モールド成型を実施した後、前記ベースとなった金
属板を剥す工程、連接したリードフレームのダイシング
を行い、各半導体装置に分離する工程を有することを特
徴とする樹脂モールド半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001373964A JP2003174136A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 樹脂モールド半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001373964A JP2003174136A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 樹脂モールド半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003174136A true JP2003174136A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=19182598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001373964A Pending JP2003174136A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 樹脂モールド半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003174136A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010061826A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム、このリードフレームを用いた半導体装置及びその中間製品、並びにこれらの製造方法 |
| JP2012235172A (ja) * | 2012-09-04 | 2012-11-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置用基板及び半導体装置 |
| JP2013118215A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
Citations (5)
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