JPH05270183A - Icモジュール用支持体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 識別カードまたは他のデータ搬送媒体に単
体として組込まれるICモジュール用の支持体であっ
て、カードなどに組み込む以前にICチップを有効に保
護できるICモジュール用支持体を提供することであ
る。 【構成】 金融カードまたは識別カードに、単体で組
込まれるICモジュール用支持体は、通信用のコンタク
ト領域を有するフィルム3と、フィルム3に配置され、
コンタクト領域にリード4により接続されたICチップ
1と、ICチップ1を被覆し、前記フィルム3に平行な
平面を有する直方体であり突出部部分を有しない備えな
い硬化樹脂体からなるモールド部10より構成される。
コンタクト領域はIC1との通信を許容するように樹脂
体内に配置されている。
体として組込まれるICモジュール用の支持体であっ
て、カードなどに組み込む以前にICチップを有効に保
護できるICモジュール用支持体を提供することであ
る。 【構成】 金融カードまたは識別カードに、単体で組
込まれるICモジュール用支持体は、通信用のコンタク
ト領域を有するフィルム3と、フィルム3に配置され、
コンタクト領域にリード4により接続されたICチップ
1と、ICチップ1を被覆し、前記フィルム3に平行な
平面を有する直方体であり突出部部分を有しない備えな
い硬化樹脂体からなるモールド部10より構成される。
コンタクト領域はIC1との通信を許容するように樹脂
体内に配置されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は識別カードまたは他の
データ搬送媒体に組込まれるICモジュール用の支持体
に関する。
データ搬送媒体に組込まれるICモジュール用の支持体
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、ICモジュールが組込まれた識
別カードを形成する場合、ICモジュールおよびその配
線用コンタクトを搭載した支持体がカード本体とは別個
に形成される。この支持体は、低温積層工程において、
複数の層により、例えば円形の箱状に形成される。
別カードを形成する場合、ICモジュールおよびその配
線用コンタクトを搭載した支持体がカード本体とは別個
に形成される。この支持体は、低温積層工程において、
複数の層により、例えば円形の箱状に形成される。
【0003】ICモジュール等の電子回路が組込まれた
識別カードまたは他のデータ搬送媒体は、通常の識別カ
ードと比較して、より大きな記憶容量をもち、かつ種々
の情報伝達にも使用できるという点で有利である。広範
囲の用途のために、多数のIC識別カードを製造するこ
とが要求される。従って、このような多数のIC識別カ
ードを製造する方法に使用可能なICモジュール用支持
体を製造することも非常に重要なことである。
識別カードまたは他のデータ搬送媒体は、通常の識別カ
ードと比較して、より大きな記憶容量をもち、かつ種々
の情報伝達にも使用できるという点で有利である。広範
囲の用途のために、多数のIC識別カードを製造するこ
とが要求される。従って、このような多数のIC識別カ
ードを製造する方法に使用可能なICモジュール用支持
体を製造することも非常に重要なことである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ここで注意すべきこと
は、この支持体の半導体ウェーファおよび配線用リード
が識別カードの製造中および使用時に非常に大きなスト
レスを受けるということである。更に、種々の用途に使
用されるために、機械的強度、耐久性、外部変化に対す
る適応性等の種々の要求がこの種識別カードに対して課
せられることになる。またこれらの要求はカードの構造
自体のみでなく、ICのコンタクト領域に対してもあて
はまることである。
は、この支持体の半導体ウェーファおよび配線用リード
が識別カードの製造中および使用時に非常に大きなスト
レスを受けるということである。更に、種々の用途に使
用されるために、機械的強度、耐久性、外部変化に対す
る適応性等の種々の要求がこの種識別カードに対して課
せられることになる。またこれらの要求はカードの構造
自体のみでなく、ICのコンタクト領域に対してもあて
はまることである。
【0005】この種IC識別カードの発展に伴ない、種
々のコンタクト方法、例えば電流的、容量的、光学的コ
ンタクト方法が知られるようになった。このコンタクト
方法の選択は用途やカードの製造技術等により決定され
る。従って、ここで問題となるのは、いかにして、多数
のカードを経済的に製造し、組込まれた半導体ウェーフ
ァを良好に保護し、かつ高度な技術を要することなく種
々の要求を満足するような調整を可能にするかというこ
とである。
々のコンタクト方法、例えば電流的、容量的、光学的コ
ンタクト方法が知られるようになった。このコンタクト
方法の選択は用途やカードの製造技術等により決定され
る。従って、ここで問題となるのは、いかにして、多数
のカードを経済的に製造し、組込まれた半導体ウェーフ
ァを良好に保護し、かつ高度な技術を要することなく種
々の要求を満足するような調整を可能にするかというこ
とである。
【0006】
【課題を解決するための手段と作用】この発明におい
て、上記課題は半導体ウェーファを箔に結合した状態
で、所定の厚さに鋳型することにより解決される。従来
においては、例えばシリコン結晶層上に小さなコンタク
ト領域を形成することにより、半導体ウェーファに対す
るコンタクトを形成する方法が知られている。この場
合、シリコン結晶層のコンタクト領域は細い金線により
コンタクト金属領域の結線用リードに結合される。この
コンタクト金属領域は半導体ウェーファの支持体として
も使用されている。一列の方法において、この半導体ウ
ェーファは可撓性材料により支持される(例えば西独公
告公報第2414297号明細書に記載されている)。
例えば8ミリフィルムのように、等間隔で窓をもつ非導
電性の材料を使用し、この窓を通してコンタクト金属領
域からの導電性端部を延出させる。ウェーファ上のすべ
てのコンタクト領域はコンタクト金属領域に同時に結合
されるので、従来の方法と比較してこの方法は非常に効
果的である。同様の方法で、窓のないフィルム上に半導
体ウェーファを配置することも可能である。
て、上記課題は半導体ウェーファを箔に結合した状態
で、所定の厚さに鋳型することにより解決される。従来
においては、例えばシリコン結晶層上に小さなコンタク
ト領域を形成することにより、半導体ウェーファに対す
るコンタクトを形成する方法が知られている。この場
合、シリコン結晶層のコンタクト領域は細い金線により
コンタクト金属領域の結線用リードに結合される。この
コンタクト金属領域は半導体ウェーファの支持体として
も使用されている。一列の方法において、この半導体ウ
ェーファは可撓性材料により支持される(例えば西独公
告公報第2414297号明細書に記載されている)。
例えば8ミリフィルムのように、等間隔で窓をもつ非導
電性の材料を使用し、この窓を通してコンタクト金属領
域からの導電性端部を延出させる。ウェーファ上のすべ
てのコンタクト領域はコンタクト金属領域に同時に結合
されるので、従来の方法と比較してこの方法は非常に効
果的である。同様の方法で、窓のないフィルム上に半導
体ウェーファを配置することも可能である。
【0007】この発明においては、このような従来の技
術を効果的に利用することにより良好なICモジュール
用支持体を得ている。また本発明においては鋳込技術を
利用しているので、用途に応じて支持体の特性を容易に
変更し得る。
術を効果的に利用することにより良好なICモジュール
用支持体を得ている。また本発明においては鋳込技術を
利用しているので、用途に応じて支持体の特性を容易に
変更し得る。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。
明する。
【0009】図1(a)および(b)はそれぞれフィル
ムの窓内に形成された半導体ウェーファの上面図および
断面図を示す。図から明らかなように、フィルム3の窓
2内に配置された半導体ウェーファ1は、前工程におい
て形成されたコンタクトリード4の端部に、適当なオー
トメーション装置により結合される。フィルム3の搬送
はこのフィルム3に形成された透孔により精度良く制御
される。
ムの窓内に形成された半導体ウェーファの上面図および
断面図を示す。図から明らかなように、フィルム3の窓
2内に配置された半導体ウェーファ1は、前工程におい
て形成されたコンタクトリード4の端部に、適当なオー
トメーション装置により結合される。フィルム3の搬送
はこのフィルム3に形成された透孔により精度良く制御
される。
【0010】こうして得られた支持体を図2に示す。半
導体ウェーファが配置されたフィルム3が鋳込器6に向
けて搬送される。2つのモールド部6aおよび6bがフ
ィルム面に対して垂直方向に可動的に設けられている。
この鋳込器6内にはモールド材料が注入路を介して注入
される。通路8は鋳造工程において空気がこの鋳込ユニ
ット内にはいりこむのを阻止するために形成されてい
る。この種の鋳込器は通常良く知られているものであ
る。このモールド材料を適当に選択することにより、完
成した支持体の硬度を広範囲に変更することが可能であ
る。
導体ウェーファが配置されたフィルム3が鋳込器6に向
けて搬送される。2つのモールド部6aおよび6bがフ
ィルム面に対して垂直方向に可動的に設けられている。
この鋳込器6内にはモールド材料が注入路を介して注入
される。通路8は鋳造工程において空気がこの鋳込ユニ
ット内にはいりこむのを阻止するために形成されてい
る。この種の鋳込器は通常良く知られているものであ
る。このモールド材料を適当に選択することにより、完
成した支持体の硬度を広範囲に変更することが可能であ
る。
【0011】図2に示すようにして得られた支持体は、
この鋳込工程後において、単体ユニット10として切出
される。この支持体は間接的コンタクト方法、例えば容
量的および光学的コンタクト方式に適している。
この鋳込工程後において、単体ユニット10として切出
される。この支持体は間接的コンタクト方法、例えば容
量的および光学的コンタクト方式に適している。
【0012】図3は電流的コンタクト方式に適した支持
体を示す。この支持体を形成するために、コンタクト領
域4a上には鋳込工程の前に例えば導電性の層7が形成
される。この層7をシリコンのような非導電性で、弾性
的な材料で形成してもよい。こうして形成された層7を
もつ支持体は鋳込器に送られて、前述したと同様にして
モールド成型された後に、導体ユニットとして切出され
る。またこの層7はモールド11よりもわずかに高めに
形成される。この支持体が識別カード本体に組込まれた
時に、この層7はカード本体の被膜と同一平面上に位置
することになる。層7が導電性材料により形成されてい
る場合には直接的コンタクト方式が使えるし、またこの
層7がシリコン等の非導電性材料により形成されている
場合には、このシリコン層を介して針がコンタクト領域
4aに突通される。この場合、コンタクト領域の外部環
境から保護され有利である。
体を示す。この支持体を形成するために、コンタクト領
域4a上には鋳込工程の前に例えば導電性の層7が形成
される。この層7をシリコンのような非導電性で、弾性
的な材料で形成してもよい。こうして形成された層7を
もつ支持体は鋳込器に送られて、前述したと同様にして
モールド成型された後に、導体ユニットとして切出され
る。またこの層7はモールド11よりもわずかに高めに
形成される。この支持体が識別カード本体に組込まれた
時に、この層7はカード本体の被膜と同一平面上に位置
することになる。層7が導電性材料により形成されてい
る場合には直接的コンタクト方式が使えるし、またこの
層7がシリコン等の非導電性材料により形成されている
場合には、このシリコン層を介して針がコンタクト領域
4aに突通される。この場合、コンタクト領域の外部環
境から保護され有利である。
【0013】上述の実施例においては、半導体ウェーフ
ァは適当な結線リードによりフィルムの窓内に保持され
る。しかし、これではコンタクト領域間の間隔を狭くで
きない。上述の実施例においては、コンタクト領域間の
最小間隔は窓および半導体ウェーファの寸法により決定
される。このコンタクト領域間の間隔を狭くするために
は、図4に示す実施例が有利である。図4において、フ
ィルム12の両側に配置されたコンタクト領域16は貫
通導電方式により相互に結合されている。こうして得ら
れたフィルム上に半導体ウェーファ1が取付けられる。
ァは適当な結線リードによりフィルムの窓内に保持され
る。しかし、これではコンタクト領域間の間隔を狭くで
きない。上述の実施例においては、コンタクト領域間の
最小間隔は窓および半導体ウェーファの寸法により決定
される。このコンタクト領域間の間隔を狭くするために
は、図4に示す実施例が有利である。図4において、フ
ィルム12の両側に配置されたコンタクト領域16は貫
通導電方式により相互に結合されている。こうして得ら
れたフィルム上に半導体ウェーファ1が取付けられる。
【0014】図5(a)および(b)は上述した方法に
より形成した支持体15の断面図および上面図を示す。
鋳込工程は前述したと同様にして実施される。図5
(b)に示すように、隣接するコンタクト領域間の間隔
を狭くすることができる。
より形成した支持体15の断面図および上面図を示す。
鋳込工程は前述したと同様にして実施される。図5
(b)に示すように、隣接するコンタクト領域間の間隔
を狭くすることができる。
【0015】図6は貫通導通されたフィルムを利用した
支持体を示す。この支持体は非常に頑丈な構造をもつ。
この支持体は導通された透孔をもつフィルム12と、ス
ペーサ用フィルム17と、裏面被膜18とを備えてい
る。この被膜18はモールド材料を通過させるための開
口部19を備えている。またスペーサ用フィルム17は
等間隔で半導体ウェーファ31を受入れるための空間2
0を限定している。
支持体を示す。この支持体は非常に頑丈な構造をもつ。
この支持体は導通された透孔をもつフィルム12と、ス
ペーサ用フィルム17と、裏面被膜18とを備えてい
る。この被膜18はモールド材料を通過させるための開
口部19を備えている。またスペーサ用フィルム17は
等間隔で半導体ウェーファ31を受入れるための空間2
0を限定している。
【0016】鋳込器6内において、この空間20にモー
ルド材料が注入される。この鋳込工程において、種々の
膜間にもモールド材料が侵入する。隣接する半導体ウェ
ーファ6において、膜12,17および18が適当な接
着剤25により相互に結合されている。このように、モ
ールド材料の侵入は容易にかつ限定された範囲で実行さ
れることになる。
ルド材料が注入される。この鋳込工程において、種々の
膜間にもモールド材料が侵入する。隣接する半導体ウェ
ーファ6において、膜12,17および18が適当な接
着剤25により相互に結合されている。このように、モ
ールド材料の侵入は容易にかつ限定された範囲で実行さ
れることになる。
【0017】複合被膜を鋳込器の側壁に押付けることに
より、モールド材料の侵入を制限することが可能であ
る。この支持体はグラスファイバにより補強されたエポ
キシ樹脂により形成された被膜を使用し、このフィルム
用樹脂と同じモールド材料を使用することにより更に頑
丈に構成される。この場合も、モールド材料は被膜間に
侵入し、支持体の構造を堅固にし、かつコンパクトにす
る。
より、モールド材料の侵入を制限することが可能であ
る。この支持体はグラスファイバにより補強されたエポ
キシ樹脂により形成された被膜を使用し、このフィルム
用樹脂と同じモールド材料を使用することにより更に頑
丈に構成される。この場合も、モールド材料は被膜間に
侵入し、支持体の構造を堅固にし、かつコンパクトにす
る。
【0018】図7(a)および(b)は更に別の実施例
を示す。この実施例において、半導体ウェーファ30は
通常のボンディング法によりコンタクト領域と結線され
る。このため、搬送フィルム31は一定間隔でパンチン
グされ、フィンガ部32aをもつリセス32が形成され
る。この後、このフィルム31上に導電膜33が取付け
られる。通常のエッチング技術により、支持体が完成さ
れた時にコンタクト領域として使用される領域34がこ
の導電膜33から形成される。
を示す。この実施例において、半導体ウェーファ30は
通常のボンディング法によりコンタクト領域と結線され
る。このため、搬送フィルム31は一定間隔でパンチン
グされ、フィンガ部32aをもつリセス32が形成され
る。この後、このフィルム31上に導電膜33が取付け
られる。通常のエッチング技術により、支持体が完成さ
れた時にコンタクト領域として使用される領域34がこ
の導電膜33から形成される。
【0019】こうして得られたフィルムに、自動式ボン
ディングユニットにより半導体ウェーファが結合され
る。各半導体ウェーファがリセス32内に収容され、適
当な接着剤36により導電膜33上に取付けられる。こ
の後、半導体ウェーファ30の結線部が金線37により
コンタクト領域34と結合される。
ディングユニットにより半導体ウェーファが結合され
る。各半導体ウェーファがリセス32内に収容され、適
当な接着剤36により導電膜33上に取付けられる。こ
の後、半導体ウェーファ30の結線部が金線37により
コンタクト領域34と結合される。
【0020】図8は図7(a)および(b)に示す実施
例に基いて構成された支持体40を示す。ここではフィ
ンガ延長部32aをもつリセス32には鋳込器において
モールド材料が詰込まれる。この工程において、モール
ド材はエッチング処理により生じたコンタクト領域34
間の空間領域39内にも注入される。空洞部には必らず
しも樹脂を詰込む必要はない。例えば、図8に示すよう
に支持体の片側面を接着性フィルム38により密封され
た場合、空洞部に樹脂を詰込むのは容易なことである。
この接着性フィルムは、この支持体を更に処理する場合
に、はがされるものではあるが、この支持体を長期にわ
たって保存する場合等にはコンタクト領域を保護するた
めにも使用される。
例に基いて構成された支持体40を示す。ここではフィ
ンガ延長部32aをもつリセス32には鋳込器において
モールド材料が詰込まれる。この工程において、モール
ド材はエッチング処理により生じたコンタクト領域34
間の空間領域39内にも注入される。空洞部には必らず
しも樹脂を詰込む必要はない。例えば、図8に示すよう
に支持体の片側面を接着性フィルム38により密封され
た場合、空洞部に樹脂を詰込むのは容易なことである。
この接着性フィルムは、この支持体を更に処理する場合
に、はがされるものではあるが、この支持体を長期にわ
たって保存する場合等にはコンタクト領域を保護するた
めにも使用される。
【図1】aおよびbは箔に結合された半導体ウェーファ
の上面および平面図である。
の上面および平面図である。
【図2】間接的コンタクト方式に適切な支持体の説明図
である。
である。
【図3】貫通導通されたフィルムに取付けられた半導体
ウェーファの説明図である。
ウェーファの説明図である。
【図4】貫通導通されたフィルムに取付けられた半導体
ウェーファの説明図である。
ウェーファの説明図である。
【図5】aおよびbは貫通導通されたフィルムを使用し
た支持体の断面図および上面図である。
た支持体の断面図および上面図である。
【図6】貫通導通されたフィルムおよび被膜を使用した
支持体の断面図である。
支持体の断面図である。
【図7】aおよびbは導電箔にボンディングされた半導
体ウェーファを備えた支持体の上面図および断面図であ
る。
体ウェーファを備えた支持体の上面図および断面図であ
る。
【図8】図7aおよび図7bに示す支持体にモールド材
料を注入して得られた支持体の断面図を示す。
料を注入して得られた支持体の断面図を示す。
1…半導体ウェーファ(チップ)、2…まど、3…フィ
ルム、4…リード、10…モールド部。
ルム、4…リード、10…モールド部。
Claims (5)
- 【請求項1】金融カードまたは識別カードに単体で組込
まれるICモジュール用支持体において、前記支持体
は、 半導体チップ挿入用の開口とこの支持体と外部間の通信
用のコンタクト領域を有する支持層と、 前記支持層の開口内に配置され、前記支持層のコンタク
ト領域に導電体により電気的に接続されたICチップ
と、 前記ICチップと前記支持層と前記導電体を囲み、前記
支持層に平行な平面と実質的に均一な厚さを有し、突出
部のない固体構造としての支持体を形成又は定義し、前
記ICチップと前記支持層及び前記導電体を保護し、硬
化樹脂体からなるモールド部、を備え、 前記コンタクト領域はこの支持体と外部との通信を許容
するように前記樹脂体内に配置されて保護されており、 金融カードまたは識別カードに組込まれる以前の段階に
おいてICチップを有効に保護可能としたことを特徴と
するICモジュール用支持体。 - 【請求項2】前記コンタクト領域は前記樹脂体に埋め込
まれており、非接触性通信に適するように構成されてい
ることを特徴とする請求項1記載の支持体。 - 【請求項3】前記コンタクト領域は前記樹脂体に埋め込
まれており、前記支持体の平面と実質的に同一面を形成
するように形成された導電性材料からなる突起を備え、
前記接触面に応用される電極との通信を可能にすること
を特徴とする請求項1記載の支持体。 - 【請求項4】前記コンタクト領域は前記樹脂体に埋め込
まれており、弾性の非導電性材料からなる突起が設けら
れており、前記突起を貫通する電極による通信を可能と
することを特徴とする請求項1記載の支持体。 - 【請求項5】前記支持層は前記支持体のほぼ中央に配置
されていることを特徴とする請求項2乃至4の何れか1
つに記載の支持体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3029667:4 | 1980-08-05 | ||
DE19803029667 DE3029667A1 (de) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | Traegerelement fuer einen ic-baustein |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12198281A Division JPH0158657B2 (ja) | 1980-08-05 | 1981-08-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05270183A true JPH05270183A (ja) | 1993-10-19 |
JP2702012B2 JP2702012B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=6108951
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12198281A Expired JPH0158657B2 (ja) | 1980-08-05 | 1981-08-05 | |
JP26244391A Expired - Lifetime JP2702012B2 (ja) | 1980-08-05 | 1991-10-09 | Icチップ用支持体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12198281A Expired JPH0158657B2 (ja) | 1980-08-05 | 1981-08-05 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4709254A (ja) |
JP (2) | JPH0158657B2 (ja) |
BE (1) | BE889815A (ja) |
CH (1) | CH663115A5 (ja) |
DE (2) | DE3051195C2 (ja) |
FR (1) | FR2488446A1 (ja) |
GB (2) | GB2081974B (ja) |
IT (1) | IT1137805B (ja) |
NL (1) | NL194174C (ja) |
SE (1) | SE461694B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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