CH663115A5 - Traegerelement mit einem einen integrierten schaltkreis aufweisenden halbleiterplaettchen zum einbau in einen datentraeger, insbesondere in eine ausweiskarte. - Google Patents

Traegerelement mit einem einen integrierten schaltkreis aufweisenden halbleiterplaettchen zum einbau in einen datentraeger, insbesondere in eine ausweiskarte. Download PDF

Info

Publication number
CH663115A5
CH663115A5 CH4999/81A CH499981A CH663115A5 CH 663115 A5 CH663115 A5 CH 663115A5 CH 4999/81 A CH4999/81 A CH 4999/81A CH 499981 A CH499981 A CH 499981A CH 663115 A5 CH663115 A5 CH 663115A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
carrier element
element according
film
carrier
semiconductor chip
Prior art date
Application number
CH4999/81A
Other languages
English (en)
Inventor
Yahya-Tehrani Haghiri
Joachim Hoppe
Original Assignee
Gao Ges Automation Org
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6108951&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CH663115(A5) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Gao Ges Automation Org filed Critical Gao Ges Automation Org
Publication of CH663115A5 publication Critical patent/CH663115A5/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5388—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates for flat cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Trägerelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
In der deutschen Patentanmeldung P 29 20 012 der Anmelderin wird eine Ausweiskarte mit eingelagertem integriertem Schaltkreis (IC) beschrieben. Zur Herstellung der Karten wird ein sogenanntes Zwischenerzeugnis (Trägerelement) verwendet, das den IC-Baustein mit allen Kontaktelementen aufnimmt und das als fertigungstechnisch abgeschlossene Einheit unabhängig von der Kartenherstellung produziert werden kann.
Das Trägerelement, das einen kreisrunden, kastenförmigen
Aufbau haben kann, wird dort unter Verwendung mehrerer Folien im Kaltkaschierverfahren (Klebetechnik) hergestellt.
IC-Ausweiskarten oder auch andere mit ähnlichen elektronischen Schaltungen ausgerüstete Datenträger bieten gegenüber herkömmlichen automationsfähigen Karten wesentliche Vorteile, die u.a. in der höheren Speicherkapazität und in ihrer Fähigkeit, sich aktiv an Kommunikationsvorgängen zu beteiligen, begründet sind. Diese gegenüber herkömmlichen Ausweiskarten zusätzlichen Vorteile vergrössern die Zahl der Anwendungsmöglichkeiten für Ausweiskarten zum Teil ganz erheblich und erschliessen einige völlig neue Anwendungsgebiete.
Für die Anwendung derartiger Ausweiskarten-Systeme ist die Herstellung von IC-Ausweiskarten in sehr grossen Stückzahlen notwendig. Deshalb ist es auch für die Produktion von Trägerelementen von grosser Bedeutung, ein für grosse Stückzahlen wirtschaftliches Verfahren anwenden zu können, wobei zu berücksichtigen ist, dass das Halbleiterplättchen mit seinen Anschlussleitungen während der Herstellung der Ausweiskarten und ihrer Handhabung grossen Belastungen ausgesetzt ist.
Weiter ist zu berücksichtigen, dass bei Ausweiskarten der oben genannten Art in den verschiedenen Anwendungsbereichen sehr unterschiedliche Anforderungen hinsichtlich der mechanischen Belastbarkeit, der Haltbarkeit, der Beständigkeit gegen Umwelteinflüsse und dergleichen gestellt werden. Wegen der aktiven Kommunikationsmöglichkeit betrifft diese neben dem mechanischen Aufbau der Karte selbstverständlich auch die Kontaktbereiche des integrierten Schaltkreises.
Es sind im Laufe der Entwicklung der IC-Ausweiskarten mehrere Kontaktabnahmeverfahren bekannt geworden (z.B. galvanisch, kapazitiv, optisch usw.). Welchem Verfahren der Vorzug bei der Herstellung von Trägerelementen gegeben wird, ist vom Einsatzbereich der Ausweiskarten, dem technischen Aufwand in der Herstellung, der gewünschten Betriebssicherheit und anderen Faktoren abhängig.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, ein in einen Datenträger, insbesondere in eine Ausweiskarte einbringbares Trägerelement zu schaffen, das wirtschaftlich in hohen Stückzahlen herstellbar ist, einen guten Schutz für das eingelagerte Halbleiterplättchen mit seinen Anschlussleitungen bietet und in der Produktion ohne aufwendige Umrüstmassnahmen den unterschiedlichen Anforderungen bezüglich der Lebensdauer der Karten und der Art der Kontaktnahme anpassbar ist.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
In der Vergangenheit sind viele Verfahren bekannt geworden, Halbleiterplättchen zu kontaktieren, d.h. die winzigen Kontaktflächen des Siliziumkristalls mit für die spätere Verwendung geeigneten Anschlüssen zu versehen.
So werden beispielsweise in sogenannten Bondier-Automaten die Kontaktflächen des Kristalls durch feine Golddrähte mit den Anschlussbeinen einer Kontaktspinne verbunden, wobei die Kontaktspinne auch als Träger des Halbleiterplättchens dient.
Andere Verfahren benutzen als Träger für die Plättchen flexibles Material (siehe dazu DE-AS 2 414 297). Das nicht leitende Material (z.B. in Form eines Super-8-Films) ist in äquidi-stanten Abständen mit Fenstern versehen, in die freitragend die Enden einer aus leitendem Material geätzten Kontaktspinne ragen. Alle Kontaktflächen des Plättchens werden synchron mit der Kontaktspinne verbunden, was die Wirtschaftlichkeit des Kontaktierverfahrens gegenüber älteren Verfahren erheblich steigert.
Die Halbleiterplättchen lassen sich in ähnlicher Weise auch auf einem Film, der keine Fenster aufweist, montieren.
Die Erfindung nutzt die erprobten und rationellen Herstellverfahren und gewinnt damit ein Zwischenprodukt, das für die Herstellung von Trägerelementen für grosse Stückzahlen besonders gut geeignet ist und mit geringem Aufwand unter Berück2
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
3
663 115
sichtigung der in Frage kommenden, oben genannten Anforderungen zu den unterschiedlichsten Trägerelementen verarbeitet werden kann.
Aufgrund der Anwendung der Giesstechnik lassen sich Trägerelemente mit den unterschiedlichsten Eigenschaften (Lebensdauer, Kontaktabnahme) ohne kostspielige Umrüstmassnahmen realaisieren. Ausserdem können bei den in Giesstechnik hergestellten Trägerelementen Halbleiterplättchen und Anschlussleitungen in hervorragender Weise gegen mechanische Belastung geschützt werden.
Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung der Ausführungsbeispiele. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. la, lb Aufsicht und Schnitt eines folienkontaktierten Halbleiterplättchens,
Fig. 2 ein nach der Giesstechnik hergestelltes Trägerelement, geeignet für die berührungslose Kontaktabnahme,
Fig. 3 ein nach der Giesstechnik hergestelltes Trägerelement, geeignet für die berührende Kontaktabnahme,
Fig. 4 ein auf einer durchkontaktierten Folie befestigtes Halbleiterplättchen,
Fig. 5a, 5b ein unter Anwendung der durchkontaktierten Folie in Giesstechnik hergestelltes Trägerelement im Schnitt und in der Aufsicht,
Fig. 6 ein unter Anwendung der durchkontaktierten Folie und zusätzlicher Folienmaterialien in Giesstechnik hergestelltes Trägerelement,
Fig. 7a, 7b ein folienkontaktiertes Halbleiterplättchen in der Aufsicht und im Schnitt unter Anwendung der Bondiertechnik und
Fig. 8 die Anordnung der Fig. 7 nach dem Giessvorgang.
Die Fig. la und lb zeigen ein in ein Folienfenster eingelagertes folienkontaktiertes Halbleiterplättchen in Aufsicht und im Schnitt.
Das Halbleiterplättchen 1, angeordnet in einem ausgestanzten Fenster 2 des Films 3, wird in entsprechenden Automaten mit den Enden einer in einem früheren Arbeitsgang geätzten Kontaktspinne 4 verbunden. Der Transport des Films 3 während der einzelnen Arbeitsphasen kann sehr exakt mit Hilfe der Perforationslöcher 5 des Films durchgeführt werden.
Ein sehr einfach herzustellendes Trägerelement unter Verwendung des in den Fig. la und lb gezeigten Zwischenproduktes zeigt die Fig. 2.
Der mit den Halbleiterplättchen 1 kontaktierte Film 3 wird einer Giessstation 6 zugeführt. Die beiden Giessformhälften 6a und 6b sind senkrecht zur Filmebene beweglich angeordnet. Über einen Zuflusskanal 7 wird die Giessstation mit einem geeigneten Giessmaterial gefüllt. Der Abflusskanal 8 vermeidet, dass sich in der Giessstation während des Giessvorgangs Lufteinschlüsse bilden. Giessanordnungen der genannten Art sind bekannt, so dass hier nicht näher darauf eingegangen werden muss. Durch die Wahl des Giessmaterials kann die Festigkeit des fertigen Trägerelementes in weiten Grenzen variiert werden.
Das entsprechend der Darstellung in Fig. 2 hergestellte Trägerelement, das nach dem Giessvorgang als kompakte Einheit 10 aus dem Trägerfilm ausgestanzt werden kann, ist beispielsweise für eine berührungslose Kontaktabnahme (kapazitiv, optisch) geeignet.
Die Fig. 3 zeigt ein Trägerelement, das für die berührende, galvanische Kontaktabnahme geeignet ist.
Zur Herstellung dieses Trägerelementes werden die Kontaktflächen 4a vor dem Giessvorgang zunächst beschichtet, so dass sich über den Kontaktflächen Höcker 41 bilden. Die Beschichtung kann aus leitendem Material bestehen, das beispielsweise galvanisch auf die Kontaktflächen aufgebracht wird. Die Beschichtung kann auch aus einem nicht leitenden elastischen Material (z.B. Silikon) bestehen, das beispielsweise unter Verwendung einer geeigneten Maske auf die Kontaktflächen geräkelt wird. Die so mit Höckern 41 ausgestattete Anordnung wird schliesslich wieder in eine geeignete Giessstation geführt und nach dem Giessvorgang als kompakte Einheit 11 aus dem Trägerfilm ausgestanzt. Die Höcker 41 können so ausgebildet sein, dass sie geringfügig aus dem gegossenen Block herausragen. Bei diesem Trägerelement liegen dann die Kontaktoberflächen nach dem Einbau des Trägerelements in eine Ausweiskarte mit deren Deckfolienoberfläche in einer Ebene.
Verwendet man zur Bildung der Höcker leitendes Material, so ist das Trägerelement für eine berührende, galvanische Kontaktabnahme geeignet.
Werden die Höcker aus nichtleitendem Material gebildet, kann man zur Kontaktierung beispielsweise Nadeln verwenden, die durch das nichtleitende Material (z.B. Silikon) hindurch auf die eigentlichen Kontaktflächen 4a geführt werden. Die letztgenannte Ausführungsform hat den Vorteil, dass die Kontaktflächen des Trägerelements vor Umwelteinflüssen gut geschützt sind.
Die oben genannten Ausführungsbeispiele verwenden als Zwischenprodukte eine Anordnung, bei der die Halbleiterplättchen in ausgestanzten Fenstern einer Folie freitragend mit entsprechenden Anschlussleitern verbunden sind. Ein Nachteil dieser Anordnungen kann sich für bestimmte Anwendungsfälle dann ergeben, wenn ein möglichst geringer Abstand zwischen den Kontaktflächen erforderlich wird. Bei den o.g. Anordnungen wird der Mindestabstand der Kontaktflächen durch die Grösse des ausgestanzten Fensters und damit durch die Grösse des Halbleiterplättchens festgelegt. Um einen möglichst geringen Abstand zwischen den Kontaktflächen zu erzielen, ist es auch möglich, als Zwischenprodukt die in Fig. 4 gezeigte Anordnung zu verwenden.
Die beidseitig der Folie 12 angeordneten Kontaktflächen 16 werden im Durchkontaktierverfahren miteinander verbunden. Auf die so vorbereitete Folie wird das Halbleiterplättchen 1 nach bekannten Techniken aufgebracht.
In den Fig. 5a, 5b ist das unter Verwendung des oben genannten Zwischenproduktes hergestellte Trägerelement 15 im Schnitt und in der Aufsicht dargestellt. Der Giessvorgang kann, ähnlichwie im Zusammenhang mit der Fig. 2 erläutert, durchgeführt werden. Wie die Fig. 5b zeigt, erlaubt die Verwendung des letztgenannten Zwischenproduktes eine eng benachbarte Anordnung der Kontaktflächen 16.
Die Fig. 6 zeigt ein Trägerelement, bei dem eine sogenannte durchkontaktierte Folie als Zwischenprodukt verwendet wird. Diese Anordnung zeichnet sich durch eine extrem hohe Steifigkeit aus.
Das Trägerelement besteht in diesem Fall aus einer sogenannten durchkontaktierten Folie 42, einer Abstandsfolie 17 und einer rückwärtigen Deckfolie 18. Die rückwärtige Deckfolie ist mit Öffnungen 19 versehen, die den Zu- bzw. Abfluss der Vergussmasse in der Giessstation ermöglichen. Die Abstandsfolie 17 weist zur Aufnahme der Halbleiterplättchen in regelmässigen Abständen entsprechende Hohlräume 20 auf. In der Giessstation wird der Hohlraum 20 mit einer geeigneten Vergussmasse gefüllt. Während des Giessvorgangs dringt dabei auch ein Teil der Vergussmasse zwischen die einzelnen Folien, wodurch diese sich besonders gut miteinander verbinden. Zwischen den Halbleiterplättchen sind in diesem Beispiel die einzelnen Folien 42, 17, 18 durch einen geeigneten Kleber 25 miteinander verbunden. Auf diese Weise wird das Eindringen der Vergussmasse in die Zwischenräume erleichtert und gleichzeitig begrenzt. Die Begrenzung der Vergussmasse kann selbstverständlich auch dadurch erreicht werden, dass der Folienverbund beidseitig der Giessstation zusammengepresst wird.
Die Steifigkeit der Anordnung kann noch verbessert werden, wenn man Folien aus glasfaserverstärktem Epoxyharz (GEP) verwendet und wenn das zur Herstellung der Folien gewählte Harz mit der Vergussmasse identisch ist. In diesem Fall
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
663 115
4
dringt die Vergussmasse auch zwischen die einzelnen Folien, womit ein Trägerelement hoher Steifigkeit und kompakten Aufbaus hergestellt werden kann.
Die Fig. 7a und 7b zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel eines verwendbaren Zwischenproduktes zur Herstellung von Trägerelementen. Das hier gezeigte Halbleiterplättchen 30 wird in der sogenannten Bondiertechnik kontaktiert. Dazu wird der Trägerfilm 31 in regelmässigen Abständen zunächst in der Form gestanzt, dass sich die in den Figuren gezeigte Aussparung 32 mit den fingerförmigen Fortsätzen 32a ergibt. Daraufhin wird der Trägerfilm 31 ganzflächig mit einer Folie 33 aus leitendem Material kaschiert. Aus dieser Folie werden nun nach bekannten Ätztechniken die Bereiche 34 isoliert, die die Kontaktflächen des fertigen Trägerelements bilden.
Der so vorbereitete Trägerfilm wird schliesslich in handelsüblichen Bondier-Automaten mit Halbleiterplättchen bestückt. Dabei wird jeweils ein Plättchen 30 in die Aussparung 32 gesetzt und dort mit Hilfe eines geeigneten Klebers 36 auf der leitenden Folie 33 fixiert. Anschliessend werden die Anschlusspunkte des Plättchens 30 über feine Golddrähte 37 mit den Kontaktflächen 34 verbunden.
Die Fig. 8 zeigt das gemäss den Fig. 7a und 7b hergestellte Trägerelement 40, bei dem die Aussparung 32 mit den finger-5 förmigen Fortsätzen 32a beispielsweise in einer Giessstation der oben erwähnten Art mit einem geeigneten Harz ausgefüllt ist. Dabei dringt das Harz auch in die während des Ätzvorgangs entstandenen Bereiche 39 zwischen den Kontaktflächen 34. Das Ausfüllen der Hohlräume muss bei der letztgenannten Anordnung nicht unbedingt in einer der oben gezeigten Giessstationen durchgeführt werden.
Verschliesst man die Anordnung, wie in der Fig. 8 gezeigt, einseitig, beispielsweise mit einer Selbstklebefolie 38, so lassen 15 sich die Hohlräume auf einfache Weise mit einem Harz auffüllen. Die Selbstklebefolie, die vor der Weiterverarbeitung des Trägerelements entfernt wird, bietet gleichzeitig einen guten Schutz für die Kontaktflächen, falls die Trägerelemente über längere Zeiträume zu lagern sind.
v
3 Blätter Zeichnungen

Claims (13)

663 115 PATENTANSPRÜCHE
1. Trägerelement mit einem einen integrierten Schaltkreis aufweisenden Halbleiterplättchen (1, 30) zum Einbau in einen Datenträger, insbesondere in eine Ausweiskarte, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterplättchen (1, 30) folienkontak-tiert und mit einer Vergussmasse zu einer kompakten Einheit (10, 11, 15, 40) vorgegebener Dicke vergossen ist.
2. Trägerelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterplättchen (1) mittig in der aus der Vergussmasse als Block (10, 11) gebildeten kompakten Einheit angeordnet ist.
3. Trägerelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Kontaktflächen (4a) an den Enden von mit dem Halbleiterplättchen verbundenen Leiterbahnen mit Höckern (41) versehen sind, die etwa mit der Oberfläche des Blocks (11) ab-schliessen (Fig. 3).
4. Trägerelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Höcker (41)) aus leitendem Material sind.
5. Trägerelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Höcker (41) aus elastischem, nichtleitendem Material sind.
6. Trägerelement nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterplättchen (1) auf einer durchkontaktierten Folie (12) befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterplättchen (1) auf der Seite seines Halbleiterkristalls zu der kompakten Einheit (15) aufgegossen ist (Fig. 4, 5a, 5b).
7. Trägerelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterplättchen (1, 30) gemeinsam mit zusätzlichen Folienmaterialien (17, 18) zu der kompakten Einheit (10, 15, 40) vergossen ist (Fig. 6).
8. Trägerelement nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterplättchen (1) durch eine Abstandsfolie (17) und eine rückwärtige Deckfolie (18) ergänzt ist und der sich durch eine Aussparung in der Abstandsfolie (17) ergebende Hohlraum (20) ausgegossen ist (Fig. 6).
9. Trägerelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergussmasse auch zwischen den einzelnen Folien (42, 17, 18) vorhanden ist (Fig. 6).
10. Trägerelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Folien (12, 17, 18) aus glasfaserverstärktem Epo-xyharz bestehen.
11. Trägerelement nach den Ansprüchen 9 und 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergussmasse ein mit dem zur Herstellung der Folien verwendeten Epoxyharz identisches Giessharz ist.
12. Trägerelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterplättchen (30) in einem ausgestanzten Fenster (32) einer Folie (31) auf einer mit der Folie (31) verbundenen leitenden Beschichtung (33) fixiert und über Golddrähte (37) mit von der Beschichtung isolierten Kontaktflächen (34) verbunden ist (Fig. 7b).
13. Trägerelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass nur die Hohlräume (32, 32a, 39) mit Vergussmasse gefüllt sind.
CH4999/81A 1980-08-05 1981-08-03 Traegerelement mit einem einen integrierten schaltkreis aufweisenden halbleiterplaettchen zum einbau in einen datentraeger, insbesondere in eine ausweiskarte. CH663115A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19803029667 DE3029667A1 (de) 1980-08-05 1980-08-05 Traegerelement fuer einen ic-baustein

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH663115A5 true CH663115A5 (de) 1987-11-13

Family

ID=6108951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH4999/81A CH663115A5 (de) 1980-08-05 1981-08-03 Traegerelement mit einem einen integrierten schaltkreis aufweisenden halbleiterplaettchen zum einbau in einen datentraeger, insbesondere in eine ausweiskarte.

Country Status (10)

Country Link
US (2) US4709254A (de)
JP (2) JPH0158657B2 (de)
BE (1) BE889815A (de)
CH (1) CH663115A5 (de)
DE (2) DE3029667A1 (de)
FR (1) FR2488446A1 (de)
GB (2) GB2081974B (de)
IT (1) IT1137805B (de)
NL (1) NL194174C (de)
SE (1) SE461694B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3924439A1 (de) * 1989-07-24 1991-04-18 Edgar Schneider Traegerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten, sowie verfahren zur herstellung dieser traegerelemente
DE4232625A1 (de) * 1992-09-29 1994-03-31 Siemens Ag Verfahren zur Montage von integrierten Halbleiterschaltkreisen
DE4427309A1 (de) * 1994-08-02 1996-02-15 Ibm Herstellung eines Trägerelementmoduls zum Einbau in Chipkarten oder andere Datenträgerkarten
DE19705615A1 (de) * 1997-02-14 1998-06-04 Dirk Prof Dr Ing Jansen Chipkarte mit Temperatur- Aufzeichnungsfunktion

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3029667A1 (de) * 1980-08-05 1982-03-11 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Traegerelement fuer einen ic-baustein
US4549247A (en) * 1980-11-21 1985-10-22 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Carrier element for IC-modules
DE3131216C3 (de) * 1981-04-14 1994-09-01 Gao Ges Automation Org Ausweiskarte mit IC-Baustein
FR2520541A1 (fr) * 1982-01-22 1983-07-29 Flonic Sa Procede d'insertion d'un circuit integre dans une carte a memoire et carte obtenue suivant ce procede
FR2521350B1 (fr) * 1982-02-05 1986-01-24 Hitachi Ltd Boitier porteur de puce semi-conductrice
DE3235650A1 (de) * 1982-09-27 1984-03-29 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Informationskarte und verfahren zu ihrer herstellung
CH660551GA3 (de) * 1982-12-27 1987-05-15
DE3248385A1 (de) * 1982-12-28 1984-06-28 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit integriertem schaltkreis
US4581678A (en) * 1983-03-16 1986-04-08 Oxley Developments Company Limited Circuit component assemblies
DE3466108D1 (en) * 1983-06-09 1987-10-15 Flonic Sa Method of producing memory cards, and cards obtained thereby
FR2548857B1 (fr) * 1983-07-04 1987-11-27 Cortaillod Cables Sa Procede de fabrication en continu d'une carte imprimee
DE3338597A1 (de) * 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS6180195U (de) * 1984-11-01 1986-05-28
JPS61123990A (ja) * 1984-11-05 1986-06-11 Casio Comput Co Ltd Ｉｃカ−ド
FR2579798B1 (fr) * 1985-04-02 1990-09-28 Ebauchesfabrik Eta Ag Procede de fabrication de modules electroniques pour cartes a microcircuits et modules obtenus selon ce procede
FR2580416B1 (fr) * 1985-04-12 1987-06-05 Radiotechnique Compelec Procede et dispositif pour fabriquer une carte d'identification electronique
FR2583574B1 (fr) * 1985-06-14 1988-06-17 Eurotechnique Sa Micromodule a contacts enterres et carte contenant des circuits comportant un tel micromodule.
FR2584862B1 (fr) * 1985-07-12 1988-05-20 Eurotechnique Sa Procede de fabrication en continu de micromodules pour cartes contenant des composants, bande continue de micromodules et micromodules realises selon un tel procede
WO1987000486A1 (en) * 1985-07-17 1987-01-29 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board for ic cards
FR2588695B1 (fr) * 1985-10-11 1988-07-29 Eurotechnique Sa Procede de fabrication d'un microboitier, microboitier a contacts effleurants et application aux cartes contenant des composants
FR2590052B1 (fr) * 1985-11-08 1991-03-01 Eurotechnique Sa Procede de recyclage d'une carte comportant un composant, carte prevue pour etre recyclee
FR2590051B1 (fr) * 1985-11-08 1991-05-17 Eurotechnique Sa Carte comportant un composant et micromodule a contacts de flanc
DE3624852A1 (de) * 1986-01-10 1987-07-16 Orga Druck Gmbh Elektronische daten- und/oder programmtraeger und verfahren zu seiner herstellung
JPS62161595A (ja) * 1986-01-13 1987-07-17 日立マクセル株式会社 Ｉｃカ−ドの製造方法
JP2502511B2 (ja) * 1986-02-06 1996-05-29 日立マクセル株式会社 半導体装置の製造方法
JPS6314455A (ja) * 1986-07-07 1988-01-21 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置
JPH0524554Y2 (de) * 1986-07-21 1993-06-22
FR2609821B1 (fr) * 1987-01-16 1989-03-31 Flonic Sa Procede de realisation de cartes a memoire et cartes obtenues par la mise en oeuvre dudit procede
WO1988006348A1 (en) * 1987-02-20 1988-08-25 Lsi Logic Corporation Integrated circuit package assembly
US4907060A (en) * 1987-06-02 1990-03-06 Nelson John L Encapsulated thermoelectric heat pump and method of manufacture
FR2617668B1 (fr) * 1987-07-03 1995-07-07 Radiotechnique Compelec Dispositif comportant un circuit electronique monte sur un support souple et carte souple le comprenant
FR2620586A1 (fr) * 1987-09-14 1989-03-17 Em Microelectronic Marin Sa Procede de fabrication de modules electroniques, notamment pour cartes a microcircuits
FR2624652B1 (fr) * 1987-12-14 1990-08-31 Sgs Thomson Microelectronics Procede de mise en place sur un support, d'un composant electronique, muni de ses contacts
US5182631A (en) * 1988-04-15 1993-01-26 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Film carrier for RF IC
FR2630843B1 (fr) * 1988-04-28 1990-08-03 Schlumberger Ind Sa Procede de realisation de cartes comportant des elements graphiques et cartes obtenues par ledit procede
US5030407A (en) * 1988-04-28 1991-07-09 Schlumberger Industries Method of making cards having graphics elements thereon
US5387306A (en) * 1988-06-21 1995-02-07 Gec Avery Limited Manufacturing integrated circuit cards
EP0350179B1 (de) * 1988-06-21 1994-01-19 Gec Avery Limited Herstellung von tragbaren elektronischen Karten
USRE35578E (en) * 1988-12-12 1997-08-12 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method to install an electronic component and its electrical connections on a support, and product obtained thereby
FR2641102B1 (de) * 1988-12-27 1991-02-22 Ebauchesfabrik Eta Ag
DE3905657A1 (de) * 1989-02-24 1990-08-30 Telefunken Electronic Gmbh Flexible traegerfolie
JPH063819B2 (ja) * 1989-04-17 1994-01-12 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の実装構造および実装方法
DE3912891A1 (de) * 1989-04-19 1990-11-08 Siemens Ag Montagevorrichtung zur kontaktierung und zum einbau eines integrierten schaltkreissystems fuer eine wertkarte
US5244840A (en) * 1989-05-23 1993-09-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an encapsulated IC card having a molded frame and a circuit board
JPH0680706B2 (ja) * 1989-08-22 1994-10-12 三菱電機株式会社 キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US5155068A (en) * 1989-08-31 1992-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an IC module for an IC card whereby an IC device and surrounding encapsulant are thinned by material removal
DE9100665U1 (de) * 1991-01-21 1992-07-16 Telbus Gesellschaft Fuer Elektronische Kommunikations-Systeme Mbh, 8057 Eching, De
US5091769A (en) * 1991-03-27 1992-02-25 Eichelberger Charles W Configuration for testing and burn-in of integrated circuit chips
DE59205116D1 (de) * 1991-05-10 1996-02-29 Gao Ges Automation Org Verfahren und vorrichtung zum herstellen von kunststoff-formstücken mit bereichsweise reduzierter wandstärke
US5278442A (en) * 1991-07-15 1994-01-11 Prinz Fritz B Electronic packages and smart structures formed by thermal spray deposition
EP0553477A2 (de) * 1992-01-30 1993-08-04 Siemens Aktiengesellschaft Mit Bauelementen zu bestückende Leiterplatte
DE4209184C1 (de) * 1992-03-21 1993-05-19 Orga Kartensysteme Gmbh, 6072 Dreieich, De
DE4224103A1 (de) * 1992-07-22 1994-01-27 Manfred Dr Ing Michalk Miniaturgehäuse mit elektronischen Bauelementen
JP2774906B2 (ja) * 1992-09-17 1998-07-09 三菱電機株式会社 薄形半導体装置及びその製造方法
CH686325A5 (de) * 1992-11-27 1996-02-29 Esec Sempac Sa Elektronikmodul und Chip-Karte.
ZA941671B (en) * 1993-03-11 1994-10-12 Csir Attaching an electronic circuit to a substrate.
GB9313749D0 (en) * 1993-07-02 1993-08-18 Gec Avery Ltd A device comprising a flexible printed circuit
EP0644587B1 (de) * 1993-09-01 2002-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteraufbau und Verfahren zur Herstellung
DE4336501A1 (de) * 1993-10-26 1995-04-27 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung von Ausweiskarten mit elektronischen Modulen
DE4337921C2 (de) * 1993-11-06 1998-09-03 Ods Gmbh & Co Kg Kontaktlose Chipkarte mit Antennenspule
DE4340847A1 (de) * 1993-11-26 1995-06-01 Optosys Gmbh Berlin Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
DE4401588C2 (de) * 1994-01-20 2003-02-20 Gemplus Gmbh Verfahren zum Verkappen eines Chipkarten-Moduls und Chipkarten-Modul
FR2715754B1 (fr) * 1994-02-01 1996-03-29 Gemplus Card Int Procédé de protection des plots de contacts d'une carte à mémoire.
WO1995032520A1 (en) * 1994-05-23 1995-11-30 Toray Industries, Inc. Electronic device package and its manufacture
JP3267449B2 (ja) * 1994-05-31 2002-03-18 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録装置
FR2721731B1 (fr) * 1994-06-24 1996-08-09 Schlumberger Ind Sa Carte à mémoire.
DE19512191C2 (de) * 1995-03-31 2000-03-09 Siemens Ag Kartenförmiger Datenträger und Leadframe zur Verwendung in einem solchen Datenträger
DE19526010B4 (de) * 1995-07-17 2005-10-13 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement
FR2738077B1 (fr) * 1995-08-23 1997-09-19 Schlumberger Ind Sa Micro-boitier electronique pour carte a memoire electronique et procede de realisation
US5817207A (en) 1995-10-17 1998-10-06 Leighton; Keith R. Radio frequency identification card and hot lamination process for the manufacture of radio frequency identification cards
DE19539181C2 (de) * 1995-10-20 1998-05-14 Ods Gmbh & Co Kg Chipkartenmodul sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
DE19541072A1 (de) * 1995-11-03 1997-05-07 Siemens Ag Chipmodul
DE19609636C1 (de) * 1996-03-12 1997-08-14 Siemens Ag Chipkarte und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte
DE19625228C2 (de) * 1996-06-24 1998-05-14 Siemens Ag Systemträger für die Montage einer integrierten Schaltung in einem Spritzgußgehäuse
US5786988A (en) * 1996-07-02 1998-07-28 Sandisk Corporation Integrated circuit chips made bendable by forming indentations in their back surfaces flexible packages thereof and methods of manufacture
DE19708617C2 (de) 1997-03-03 1999-02-04 Siemens Ag Chipkartenmodul und Verfahren zu seiner Herstellung sowie diesen umfassende Chipkarte
US6208019B1 (en) * 1998-03-13 2001-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultra-thin card-type semiconductor device having an embredded semiconductor element in a space provided therein
DE29824520U1 (de) * 1998-09-10 2001-06-28 Skidata Ag Kartenförmiger Datenträger
DE19845665C2 (de) * 1998-10-05 2000-08-17 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen IC-Baustein zum Einbau in Chipkarten
FR2788882A1 (fr) * 1999-01-27 2000-07-28 Schlumberger Systems & Service Dispositif a circuits integres, module electronique pour carte a puce utilisant le dispositif et procede de fabrication dudit dispositif
TW449796B (en) * 2000-08-02 2001-08-11 Chiou Wen Wen Manufacturing method for integrated circuit module
EP1360722B1 (de) 2001-02-09 2016-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE102004028218B4 (de) * 2004-06-09 2006-06-29 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung eines tragbaren Datenträgers
EP1780662A1 (de) * 2005-10-27 2007-05-02 Axalto SA Verstärktes Chipkartenmodul und Herstellungsverfahren dafür
EP1804202A1 (de) * 2006-01-02 2007-07-04 Tibc Corporation Filmträger und Modul für eine mit Kontakten versehene Chipkarte sowie Verfahren zur Herstellung des Filmträgers
WO2008101807A1 (fr) * 2007-02-09 2008-08-28 Nagraid S.A. Procede de fabrication de cartes electroniques comprenant au moins un motif imprime
JP5277894B2 (ja) * 2008-11-19 2013-08-28 富士通株式会社 樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置
US8649820B2 (en) 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
USD703208S1 (en) 2012-04-13 2014-04-22 Blackberry Limited UICC apparatus
US8936199B2 (en) 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
USD701864S1 (en) * 2012-04-23 2014-04-01 Blackberry Limited UICC apparatus
USD707682S1 (en) * 2012-12-05 2014-06-24 Logomotion, S.R.O. Memory card
USD758372S1 (en) 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
US9888283B2 (en) 2013-03-13 2018-02-06 Nagrastar Llc Systems and methods for performing transport I/O
USD759022S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
USD729808S1 (en) * 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
US9647997B2 (en) 2013-03-13 2017-05-09 Nagrastar, Llc USB interface for performing transport I/O
USD780763S1 (en) * 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD864968S1 (en) 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1915501U (de) 1964-04-11 1965-05-13 Fritsch K G A Hoernchenwickelgeraet fuer teigausrollmaschinen.
DE1909480U (de) 1964-12-07 1965-02-04 Fritz Krug Geraet zum schleifen von saegeketten.
GB1243175A (en) * 1967-09-01 1971-08-18 Lucas Industries Ltd Electrical component assemblies
DE1817434C3 (de) * 1967-12-30 1980-05-14 Sony Corp., Tokio Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung
DE1909480C2 (de) * 1968-03-01 1984-10-11 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Trägeranordnung und Verfahren zur elektrischen Kontaktierung von Halbleiterchips
US3570115A (en) * 1968-05-06 1971-03-16 Honeywell Inc Method for mounting electronic chips
DE1789063A1 (de) * 1968-09-30 1971-12-30 Siemens Ag Traeger fuer Halbleiterbauelemente
DE1915501C3 (de) * 1969-03-26 1975-10-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Verbinden einer integrierten Schaltung mit äußeren elektrischen Zuleitungen
US3591839A (en) * 1969-08-27 1971-07-06 Siliconix Inc Micro-electronic circuit with novel hermetic sealing structure and method of manufacture
US3848077A (en) * 1970-10-16 1974-11-12 M Whitman Package for electronic semiconductor devices
US3864728A (en) * 1970-11-20 1975-02-04 Siemens Ag Semiconductor components having bimetallic lead connected thereto
US3706464A (en) * 1970-12-13 1972-12-19 Canadian Kenworth Ltd Power system for loading an empty trailer onto a tractor or for loading pre-loaded trailers onto a fifth wheel of the tractor
JPS5247419Y2 (de) * 1972-10-09 1977-10-27
JPS5040166U (de) * 1973-08-10 1975-04-24
JPS5853874B2 (ja) * 1973-09-03 1983-12-01 アリムラ クニタカ アツデンオンカンソシオ モチイタ ケンシユツホウホウ
US3868724A (en) * 1973-11-21 1975-02-25 Fairchild Camera Instr Co Multi-layer connecting structures for packaging semiconductor devices mounted on a flexible carrier
DE2414297C3 (de) * 1974-03-25 1980-01-17 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur teilautomatischen Herstellung von Zwischenträgern für Halbleiterbauelemente
JPS5716386Y2 (de) * 1974-04-18 1982-04-06
JPS519578A (en) * 1974-07-12 1976-01-26 Sharp Kk Handotaisochino seizoho
US4004133A (en) * 1974-12-30 1977-01-18 Rca Corporation Credit card containing electronic circuit
FR2299724A1 (fr) * 1975-01-29 1976-08-27 Honeywell Bull Soc Ind Perfectionnements aux supports de conditionnement de micro-plaquettes de circuits integres
JPS51130866A (en) * 1975-05-08 1976-11-13 Seiko Instr & Electronics Method of mounting electronic timekeeper circuits
US4222516A (en) * 1975-12-31 1980-09-16 Compagnie Internationale Pour L'informatique Cii-Honeywell Bull Standardized information card
FR2337381A1 (fr) * 1975-12-31 1977-07-29 Honeywell Bull Soc Ind Carte portative pour systeme de traitement de signaux electriques et procede de fabrication de cette carte
US4064552A (en) * 1976-02-03 1977-12-20 Angelucci Thomas L Multilayer flexible printed circuit tape
US4143456A (en) * 1976-06-28 1979-03-13 Citizen Watch Commpany Ltd. Semiconductor device insulation method
JPS591463B2 (ja) * 1976-07-01 1984-01-12 鐘淵化学工業株式会社 起泡性組成物
JPS535571A (en) * 1976-07-05 1978-01-19 Seiko Instr & Electronics Ltd Circuit block and its manufacture
JPS5923110B2 (ja) * 1976-11-09 1984-05-30 松下電器産業株式会社 フイルムキヤリア状電子部品の取付装置
JPS53147968A (en) * 1977-05-30 1978-12-23 Hitachi Ltd Thick film circuit board
US4300153A (en) * 1977-09-22 1981-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Flat shaped semiconductor encapsulation
JPS5481073A (en) * 1977-12-12 1979-06-28 Seiko Instr & Electronics Ltd Sealing method for semiconductor element
JPS5513985A (en) * 1978-07-18 1980-01-31 Citizen Watch Co Ltd Ic mounting structure
FR2439478A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Boitier plat pour dispositifs a circuits integres
FR2439438A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Ruban porteur de dispositifs de traitement de signaux electriques, son procede de fabrication et application de ce ruban a un element de traitement de signaux
JPS5562591A (en) * 1978-10-30 1980-05-12 Fujitsu Ltd Memory card
DE2920012B1 (de) * 1979-05-17 1980-11-20 Gao Ges Automation Org Ausweiskarte mit IC-Baustein und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Ausweiskarte
FR2480008A1 (fr) * 1980-04-04 1981-10-09 Flonic Sa Perfectionnements aux cartes a memoire
DE3019207A1 (de) * 1980-05-20 1981-11-26 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Traegerelement fuer einen ic-chip
DE3029667A1 (de) * 1980-08-05 1982-03-11 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Traegerelement fuer einen ic-baustein
JPS6018145B2 (ja) * 1980-09-22 1985-05-09 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
GB2093401B (en) * 1981-01-17 1985-07-17 Sanyo Electric Co Composite film

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3924439A1 (de) * 1989-07-24 1991-04-18 Edgar Schneider Traegerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten, sowie verfahren zur herstellung dieser traegerelemente
DE4232625A1 (de) * 1992-09-29 1994-03-31 Siemens Ag Verfahren zur Montage von integrierten Halbleiterschaltkreisen
EP0591668A1 (de) * 1992-09-29 1994-04-13 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Montage von integrierten Halbleiterschaltkreisen
DE4427309A1 (de) * 1994-08-02 1996-02-15 Ibm Herstellung eines Trägerelementmoduls zum Einbau in Chipkarten oder andere Datenträgerkarten
DE4427309C2 (de) * 1994-08-02 1999-12-02 Ibm Herstellung eines Trägerelementmoduls zum Einbau in Chipkarten oder andere Datenträgerkarten
DE19705615A1 (de) * 1997-02-14 1998-06-04 Dirk Prof Dr Ing Jansen Chipkarte mit Temperatur- Aufzeichnungsfunktion

Also Published As

Publication number Publication date
IT8123372A0 (it) 1981-08-04
DE3051195C2 (de) 1997-08-28
GB2081974A (en) 1982-02-24
JPS5754356A (de) 1982-03-31
JPH05270183A (ja) 1993-10-19
JP2702012B2 (ja) 1998-01-21
GB8431488D0 (en) 1985-01-23
IT1137805B (it) 1986-09-10
GB2149209B (en) 1985-12-04
NL194174C (nl) 2001-08-03
US4803542A (en) 1989-02-07
JPH0158657B2 (de) 1989-12-13
FR2488446A1 (fr) 1982-02-12
FR2488446B1 (de) 1984-11-16
SE461694B (sv) 1990-03-12
NL8103598A (nl) 1982-03-01
NL194174B (nl) 2001-04-02
GB2149209A (en) 1985-06-05
DE3029667A1 (de) 1982-03-11
SE8104663L (sv) 1982-02-06
DE3029667C2 (de) 1990-10-11
US4709254A (en) 1987-11-24
GB2081974B (en) 1985-07-17
BE889815A (fr) 1981-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH663115A5 (de) Traegerelement mit einem einen integrierten schaltkreis aufweisenden halbleiterplaettchen zum einbau in einen datentraeger, insbesondere in eine ausweiskarte.
DE3019207C2 (de)
DE3131216C2 (de)
DE2942397A1 (de) Traegerband fuer elektronische schaltkreiselemente, verfahren zu seiner herstellung und anwendung bei einer signalverarbeitungseinrichtung
EP0723244A2 (de) Datenträger mit einem elektronischen Modul
CH654143A5 (de) Traegerelement mit einem ic-baustein und ausweiskarte.
CH686325A5 (de) Elektronikmodul und Chip-Karte.
WO1985002046A1 (fr) Support d'informations muni d'un circuit integre et procede pour la fabrication
DE2532421A1 (de) Optische anzeige
EP0554916A2 (de) Baustein mit integrierten Schaltkreisen
DE2920012B1 (de) Ausweiskarte mit IC-Baustein und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Ausweiskarte
DE3420051A1 (de) Datentraeger mit ic-baustein und verfahren zur herstellung eines derartigen datentraegers
EP0521502B1 (de) Verfahren zum Einbau eines Trägerelements
EP1122685B1 (de) Chipkarte mit Sollbiegestellen
DE1764671A1 (de) Integrierte magnetische Schaltung
EP0568572B1 (de) Trägerelement für integrierte halbleiter-schaltkreise, insbesondere zum einbau in chip-karten
DE10200569A1 (de) Chipkarte und Herstellungsverfahren
DE10356153B4 (de) Modul für kontaktlose Chipkarten oder Identifizierungssysteme
EP0992065B1 (de) Folie als träger von integrierten schaltungen
DE10236666A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Kontaktlosen und/oder gemischten Chipkarten
EP3259709A1 (de) Bandförmiges substrat zur herstellung von chipkartenmodulen
DE102014108916A1 (de) Bandförmiges Substrat zur Herstellung von Chipträgern, elektronisches Modul mit einem solchen Chipträger, elektronische Einrichtung mit einem solchen Modul und Verfahren zur Herstellung eines Substrates
DE102015105151B4 (de) Chipkarte und Verfahren zur Ausbildung einer Chipkarte
DE202012100694U1 (de) Substrat mit vergrößerter Chipinsel
DE3341115A1 (de) Ausweiskarte aus einem laminat miteinander verbundener, insbesondere thermoplastischer folien

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased