JP2001024107A - 半導体装置実装構造 - Google Patents
半導体装置実装構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄型でフレキシビリティを有する半導体装置
実装構造を低コストで実現する。 【解決手段】 回路基板３の裏面にプラスチックテープ
のボトム基板４を貼付し、その回路基板３の貫通孔３ａ
内のボトム基板４上に半導体装置１をボンディングし、
その半導体装置１と回路基板３の基板電極５を金属細線
２で接続し、貫通孔３ａに絶縁性樹脂６を注入充填し、
回路基板３の上面にプラスチックテープのカバーフィル
ム７を貼付する。
実装構造を低コストで実現する。 【解決手段】 回路基板３の裏面にプラスチックテープ
のボトム基板４を貼付し、その回路基板３の貫通孔３ａ
内のボトム基板４上に半導体装置１をボンディングし、
その半導体装置１と回路基板３の基板電極５を金属細線
２で接続し、貫通孔３ａに絶縁性樹脂６を注入充填し、
回路基板３の上面にプラスチックテープのカバーフィル
ム７を貼付する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に半導体
装置を実装して電子カード等を実現する半導体装置実装
構造に係り、特にコスト安に薄型化とフレキシビリティ
を実現する技術に関するものである。
装置を実装して電子カード等を実現する半導体装置実装
構造に係り、特にコスト安に薄型化とフレキシビリティ
を実現する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ等の半導体素装置を回路基板に実装
して薄型に実現したいわゆる電子カードには、より薄く
より小型化が要求されるところから、種々の実装技術が
施されている。また、薄型化に伴い、電子カード本体の
フレキシビリティも要求さている。このような要請は、
電子カードに平面アンテナを組み込んだ非接触式電子カ
ードも同様であった。
して薄型に実現したいわゆる電子カードには、より薄く
より小型化が要求されるところから、種々の実装技術が
施されている。また、薄型化に伴い、電子カード本体の
フレキシビリティも要求さている。このような要請は、
電子カードに平面アンテナを組み込んだ非接触式電子カ
ードも同様であった。
【０００３】従来の薄型の半導体装置実装構造を図５に
示す。この実装構造は、窪み５１ａを形成した回路基板
５１のその窪み５１ａの底面に、銀ペースト等の接着剤
５２によって半導体装置５３を接合収納し、同窪み５１
ａの底面に形成した基板電極５４と半導体装置５３の電
極との間を、金属細線５５で電気的に接続し、その窪み
５１ａに絶縁樹脂５６を注入充填して構成したものであ
る。
示す。この実装構造は、窪み５１ａを形成した回路基板
５１のその窪み５１ａの底面に、銀ペースト等の接着剤
５２によって半導体装置５３を接合収納し、同窪み５１
ａの底面に形成した基板電極５４と半導体装置５３の電
極との間を、金属細線５５で電気的に接続し、その窪み
５１ａに絶縁樹脂５６を注入充填して構成したものであ
る。
【０００４】別の半導体装置実装構造を図６に示す。こ
の実装構造は、回路基板６１の上面に予め貫通孔６２ａ
を形成した絶縁板６２を接合し、その絶縁板６２の穴６
２ａ内の回路基板６１に形成した基板電極６３に半導体
装置６４の突起電極６４ａを導電性接着剤６５で接続
し、孔６２ａ内に絶縁性樹脂６６を注入充填し、最後に
半導体装置６４の上面を覆うように放熱用の金属板６７
を接着剤により接着したものである。
の実装構造は、回路基板６１の上面に予め貫通孔６２ａ
を形成した絶縁板６２を接合し、その絶縁板６２の穴６
２ａ内の回路基板６１に形成した基板電極６３に半導体
装置６４の突起電極６４ａを導電性接着剤６５で接続
し、孔６２ａ内に絶縁性樹脂６６を注入充填し、最後に
半導体装置６４の上面を覆うように放熱用の金属板６７
を接着剤により接着したものである。
【０００５】更なる別の半導体装置実装構造を図７に示
す。この実装構造は、回路基板７１の上面に接続用配線
材７２とチップマウント剤７３によって紫外線でデータ
が消去できるＥＰＲＯＭチップ７４を実装し、そのＥＰ
ＲＯＭチップ７４、接続用線材７２、チップマウント剤
７３を紫外線透過性樹脂７５により封止し、その樹脂７
５の表面を酸素非透過性の紫外線透過性材７６でコート
し、紫外線透過性樹脂７５の酸化による劣化を防止して
消去性能劣化を防止したものである。
す。この実装構造は、回路基板７１の上面に接続用配線
材７２とチップマウント剤７３によって紫外線でデータ
が消去できるＥＰＲＯＭチップ７４を実装し、そのＥＰ
ＲＯＭチップ７４、接続用線材７２、チップマウント剤
７３を紫外線透過性樹脂７５により封止し、その樹脂７
５の表面を酸素非透過性の紫外線透過性材７６でコート
し、紫外線透過性樹脂７５の酸化による劣化を防止して
消去性能劣化を防止したものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図５に示し
た実装構造では、回路基板５１に窪み５１ａを設ける必
要があるが、その形成法としてザグリ加工を使用すると
きは深さの精度を確保するためにコスト高となり、また
貫通孔を有する基板とその穴なしの基板を張り合わせて
加工するときは、２枚の基板が要求され同様にコスト高
となる。
た実装構造では、回路基板５１に窪み５１ａを設ける必
要があるが、その形成法としてザグリ加工を使用すると
きは深さの精度を確保するためにコスト高となり、また
貫通孔を有する基板とその穴なしの基板を張り合わせて
加工するときは、２枚の基板が要求され同様にコスト高
となる。
【０００７】また、この実装構造では、耐湿性および金
属細線５５の保護のために絶縁樹脂５６で金属細線５５
までも完全に被覆する必要があるところから、その樹脂
５６の厚みを半導体装置５３の厚みに金属細線５５のル
ープ高さおよびそれらのバラツキを考慮した厚みに制御
しなければならず、このため半導体収納厚さ（窪み５１
ａの深さ）を比較的大きくする必要があり、加えてその
窪み５１ａの底面の厚さも所定の強度上から要求される
ところから、回路基板５１の全体の厚みが大きくなり、
薄型に制約が生じる。
属細線５５の保護のために絶縁樹脂５６で金属細線５５
までも完全に被覆する必要があるところから、その樹脂
５６の厚みを半導体装置５３の厚みに金属細線５５のル
ープ高さおよびそれらのバラツキを考慮した厚みに制御
しなければならず、このため半導体収納厚さ（窪み５１
ａの深さ）を比較的大きくする必要があり、加えてその
窪み５１ａの底面の厚さも所定の強度上から要求される
ところから、回路基板５１の全体の厚みが大きくなり、
薄型に制約が生じる。
【０００８】さらに、樹脂５６がドーム形状に固化して
いるので、全体を折り曲げるような場合に、その樹脂５
６が薄く機械的強度の弱い周辺部にクラックが発生し易
く、欠陥が発生する恐れがある。
いるので、全体を折り曲げるような場合に、その樹脂５
６が薄く機械的強度の弱い周辺部にクラックが発生し易
く、欠陥が発生する恐れがある。
【０００９】図６に示した実装構造では、接着剤で互い
に接着した半導体装置６４と金属板６７の熱膨張係数の
違いから半導体装置６４にクラックが発生する恐れがあ
る。
に接着した半導体装置６４と金属板６７の熱膨張係数の
違いから半導体装置６４にクラックが発生する恐れがあ
る。
【００１０】また、半導体装置６４の上下面を金属板６
７と回路基板６１で挟む構造であることに加えて、回路
基板６１と半導体装置６４との電気接続がバンプ構造で
あるためそのバンプ接続保持上から基板６１にある程度
剛性を持たせなければないことから、全体としてのフレ
キシビリティを発揮させることができない。
７と回路基板６１で挟む構造であることに加えて、回路
基板６１と半導体装置６４との電気接続がバンプ構造で
あるためそのバンプ接続保持上から基板６１にある程度
剛性を持たせなければないことから、全体としてのフレ
キシビリティを発揮させることができない。
【００１１】図７に示した実装構造では、樹脂７５をコ
ート材７６で被覆処理する構造であるので、物理的接触
に対しては強度が充分でない。
ート材７６で被覆処理する構造であるので、物理的接触
に対しては強度が充分でない。
【００１２】以上のように、従来の半導体装置実装構造
では、製造コスト、薄型化、フレキシビリティ、物理的
強度等の面から、問題があった。
では、製造コスト、薄型化、フレキシビリティ、物理的
強度等の面から、問題があった。
【００１３】本発明の課題は、このような問題を解決し
た半導体装置実装構造を提供することである。
た半導体装置実装構造を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の発明は、貫通孔が形成され上面に基板電極が形
成されたフレキシブルな回路基板と、該回路基板の前記
上面と反対面に貼付されたフレキシブルな絶縁性テープ
からなるボトム基板と、前記貫通孔内の前記ボトム基板
上にボンディングされた半導体装置と、該半導体装置の
電極と前記基板電極とを接続する金属細線と、前記貫通
孔内に前記半導体装置の全部を覆うよう注入充填された
絶縁性樹脂と、前記回路基板の前記上面、前記絶縁性樹
脂の上面、および前記金属細線を覆うように貼付された
フレキシブルな絶縁性テープからなるカバーフィルムと
を具備するよう構成した。
の第１の発明は、貫通孔が形成され上面に基板電極が形
成されたフレキシブルな回路基板と、該回路基板の前記
上面と反対面に貼付されたフレキシブルな絶縁性テープ
からなるボトム基板と、前記貫通孔内の前記ボトム基板
上にボンディングされた半導体装置と、該半導体装置の
電極と前記基板電極とを接続する金属細線と、前記貫通
孔内に前記半導体装置の全部を覆うよう注入充填された
絶縁性樹脂と、前記回路基板の前記上面、前記絶縁性樹
脂の上面、および前記金属細線を覆うように貼付された
フレキシブルな絶縁性テープからなるカバーフィルムと
を具備するよう構成した。
【００１５】第２の発明は、第１の発明において、前記
回路基板の前記貫通孔に面する角部分に前記金属細線の
太さと同程度の深さの段差を形成し、該段差の底面に前
記基板電極を形成して構成した。
回路基板の前記貫通孔に面する角部分に前記金属細線の
太さと同程度の深さの段差を形成し、該段差の底面に前
記基板電極を形成して構成した。
【００１６】第３の発明は、第１又は第２の発明におい
て、前記絶縁性樹脂を、前記回路基板の前記上面から前
記金属細線の太さと同程度の距離だけ低いレベルの高さ
にまで注入充填して構成した。
て、前記絶縁性樹脂を、前記回路基板の前記上面から前
記金属細線の太さと同程度の距離だけ低いレベルの高さ
にまで注入充填して構成した。
【００１７】第４の発明は、第１乃至第３の発明におい
て、前記回路基板の前記上面の周囲に金属配線による平
面アンテナを形成し、該アンテナの両端を前記金属細線
を経由して前記半導体装置に接続して構成した。
て、前記回路基板の前記上面の周囲に金属配線による平
面アンテナを形成し、該アンテナの両端を前記金属細線
を経由して前記半導体装置に接続して構成した。
【００１８】
【発明の実施の形態】［第１の実施形態］図１は本発明
の第１の実施形態の半導体装置実装構造の断面図であ
る。１は半導体装置、２はこの半導体装置１の電極に接
続した金線等からなる金属細線、３は貫通孔穴３ａが予
め形成されたフレキシブルな回路基板、４は半導体装置
１と回路基板３が搭載されるフレキシブルな絶縁性テー
プからなるボトム基板、５は回路基板３上に形成された
基板電極、６は注入充填された封止用の絶縁性樹脂、７
は全体の上面を覆うフレキシブルな絶縁性テープからな
るカバーフィルムである。
の第１の実施形態の半導体装置実装構造の断面図であ
る。１は半導体装置、２はこの半導体装置１の電極に接
続した金線等からなる金属細線、３は貫通孔穴３ａが予
め形成されたフレキシブルな回路基板、４は半導体装置
１と回路基板３が搭載されるフレキシブルな絶縁性テー
プからなるボトム基板、５は回路基板３上に形成された
基板電極、６は注入充填された封止用の絶縁性樹脂、７
は全体の上面を覆うフレキシブルな絶縁性テープからな
るカバーフィルムである。
【００１９】次に、この半導体装置実装構造の製造方法
を説明する。まず、半導体装置１の収納用の貫通孔３ａ
をパンチングやドリル等により加工した回路基板３を準
備する。この回路基板３の材質としては、例えば１００
℃程度（１２０℃以下）でのワイヤーボンディング作業
に充分耐え得る耐熱プラスティック板やガラスエポキシ
とし、その厚さは１００μｍ程度としてフレキシビリテ
ィを持たせる。
を説明する。まず、半導体装置１の収納用の貫通孔３ａ
をパンチングやドリル等により加工した回路基板３を準
備する。この回路基板３の材質としては、例えば１００
℃程度（１２０℃以下）でのワイヤーボンディング作業
に充分耐え得る耐熱プラスティック板やガラスエポキシ
とし、その厚さは１００μｍ程度としてフレキシビリテ
ィを持たせる。
【００２０】次に、ボトム基板４として、厚さ３０μｍ
程度のポリイミドテープ、ポリエステルテープ等のプラ
スチックテープにエポキシ材やシリコーン材等の粘着性
接着剤を１０μｍ程度塗布したものを準備し、このボト
ム基板４をその接着剤によって回路基板３の基板電極５
が形成された面と反対面（裏面）に張り付ける。
程度のポリイミドテープ、ポリエステルテープ等のプラ
スチックテープにエポキシ材やシリコーン材等の粘着性
接着剤を１０μｍ程度塗布したものを準備し、このボト
ム基板４をその接着剤によって回路基板３の基板電極５
が形成された面と反対面（裏面）に張り付ける。
【００２１】このボトム基板４の接着剤には、接続用の
金属細線２の１００℃程度（１２０℃以下）でのワイヤ
ーボンディング作業でも粘着力を有するものを使う。ま
た、ボトム基板４にも同様の耐熱性を有するものを使用
する。
金属細線２の１００℃程度（１２０℃以下）でのワイヤ
ーボンディング作業でも粘着力を有するものを使う。ま
た、ボトム基板４にも同様の耐熱性を有するものを使用
する。
【００２２】この後、回路基板３の貫通孔３ａ内に位置
するボトム基板４の接着剤層の上面に、半導体装置１を
ダイボンディングする。このとき使用する半導体装置１
の厚さは貫通孔３ａより充分薄い５０μｍ程度とした。
するボトム基板４の接着剤層の上面に、半導体装置１を
ダイボンディングする。このとき使用する半導体装置１
の厚さは貫通孔３ａより充分薄い５０μｍ程度とした。
【００２３】このダイボンディング時の荷重は、接着剤
として銀ペーストを使用する通常の場合では１００ｇｆ
以上を必要とするが、ボトム基板４に接着する本実施形
態では、その約１／３程度の荷重で作業ができ、半導体
装置１が薄くても破壊の危険性はない。また、銀ペース
トを使用しないのでその銀ペーストが側面から濡れ上が
り半導体装置１表面を汚染することもない。
として銀ペーストを使用する通常の場合では１００ｇｆ
以上を必要とするが、ボトム基板４に接着する本実施形
態では、その約１／３程度の荷重で作業ができ、半導体
装置１が薄くても破壊の危険性はない。また、銀ペース
トを使用しないのでその銀ペーストが側面から濡れ上が
り半導体装置１表面を汚染することもない。
【００２４】ダイボンディングの後、作業温度を１００
℃前後（１２０℃以下）として、半導体装置１の電極と
回路基板３の基板電極５との間に、金属細線２をワイヤ
ボンディングする。このワイヤボンディングは超音波と
熱を併用した方式により行い、金属細線２としては直径
２３μｍ〜３０μｍ程度の太さのものを使用する。
℃前後（１２０℃以下）として、半導体装置１の電極と
回路基板３の基板電極５との間に、金属細線２をワイヤ
ボンディングする。このワイヤボンディングは超音波と
熱を併用した方式により行い、金属細線２としては直径
２３μｍ〜３０μｍ程度の太さのものを使用する。
【００２５】ワイヤボンディングの後、回路基板３の貫
通孔３ａ内に、半導体装置１の表面を完全に覆う程度
に、液状樹脂を注入充填する。この液状樹脂としてはエ
ポキシ樹脂やシリコーン樹脂を用いる。
通孔３ａ内に、半導体装置１の表面を完全に覆う程度
に、液状樹脂を注入充填する。この液状樹脂としてはエ
ポキシ樹脂やシリコーン樹脂を用いる。
【００２６】この液状樹脂の注入充填は、半導体装置１
の耐湿性を向上させるための他に、ワイヤーボンディン
グした金属細線２が半導体装置１の表面に接触して電気
的にショートすることを防止するためであるが、回路基
板３の表面を覆う程度で充分であり、その表面レベルを
大きく超えないように充填することが好ましい。そし
て、この液状樹脂を注入充填した後に、１００℃程度で
４時間程度の熱処理を行いその液状樹脂を硬化させ、絶
縁性樹脂６とする。このように、ここでは１００℃程度
で硬化のための熱処理をするようにして、回路基板３や
半導体装置１への熱的影響を極力低減する。
の耐湿性を向上させるための他に、ワイヤーボンディン
グした金属細線２が半導体装置１の表面に接触して電気
的にショートすることを防止するためであるが、回路基
板３の表面を覆う程度で充分であり、その表面レベルを
大きく超えないように充填することが好ましい。そし
て、この液状樹脂を注入充填した後に、１００℃程度で
４時間程度の熱処理を行いその液状樹脂を硬化させ、絶
縁性樹脂６とする。このように、ここでは１００℃程度
で硬化のための熱処理をするようにして、回路基板３や
半導体装置１への熱的影響を極力低減する。
【００２７】絶縁性樹脂６の形成の後では、ワイヤボン
ディングした金属細線２の一部がこの絶縁性樹脂６の表
面から露出し、また回路基板３の基板電極５からも露出
している。そこで、この金属細線２、回路基板３、基板
電極５、絶縁性樹脂６等を覆うように、回路基板３の表
面をカバーフィルム７にて接着被覆する。これにより、
金属細線２は平坦化される。
ディングした金属細線２の一部がこの絶縁性樹脂６の表
面から露出し、また回路基板３の基板電極５からも露出
している。そこで、この金属細線２、回路基板３、基板
電極５、絶縁性樹脂６等を覆うように、回路基板３の表
面をカバーフィルム７にて接着被覆する。これにより、
金属細線２は平坦化される。
【００２８】このカバーフィルム７としては、前記ボト
ム基板４と同様に、ポリイミドテープ、ポリエステルテ
ープ等のプラスチックテープを使用し、その厚さは５０
μｍ程度で片面に１０μｍ程度のエポキシ樹脂やシリコ
ーン樹脂系の粘着性接着剤層が塗布されているものを使
用する。
ム基板４と同様に、ポリイミドテープ、ポリエステルテ
ープ等のプラスチックテープを使用し、その厚さは５０
μｍ程度で片面に１０μｍ程度のエポキシ樹脂やシリコ
ーン樹脂系の粘着性接着剤層が塗布されているものを使
用する。
【００２９】以上のようにして製造される半導体装置実
装構造は、全体の厚さが半導体装置１の厚さ、金属細線
２のループ高さ、絶縁性樹脂６の厚みのバラツキ等の影
響を受けず、回路基板３、ボトム基板４及びカバーフィ
ルム７の厚さによって決定されるのでコスト安に薄型に
形成できる。また回路基板３の両面がボトム基板４及び
カバーフィルム７で覆われるので耐湿性とフレキシビリ
ティを有する。さらに絶縁性樹脂６は貫通孔３ａ内に全
面に亘ってほぼ同じレベルで充填されるので、折り曲げ
時に剥離やクラックが発生することもない。さらに両面
がボトム基板４とカバーフィルム７で保護されるので他
の部材との物理的接触に対しても強靱となる。
装構造は、全体の厚さが半導体装置１の厚さ、金属細線
２のループ高さ、絶縁性樹脂６の厚みのバラツキ等の影
響を受けず、回路基板３、ボトム基板４及びカバーフィ
ルム７の厚さによって決定されるのでコスト安に薄型に
形成できる。また回路基板３の両面がボトム基板４及び
カバーフィルム７で覆われるので耐湿性とフレキシビリ
ティを有する。さらに絶縁性樹脂６は貫通孔３ａ内に全
面に亘ってほぼ同じレベルで充填されるので、折り曲げ
時に剥離やクラックが発生することもない。さらに両面
がボトム基板４とカバーフィルム７で保護されるので他
の部材との物理的接触に対しても強靱となる。
【００３０】［第２の実施形態］図２は第２の実施形態
の半導体装置実装構造の断面図である。ここでは、回路
基板３の貫通孔３ａ側の角部分に段差３ｂを形成し、そ
の段差３ｂ内に基板電極５を形成しそこに金属細線２を
接続する。
の半導体装置実装構造の断面図である。ここでは、回路
基板３の貫通孔３ａ側の角部分に段差３ｂを形成し、そ
の段差３ｂ内に基板電極５を形成しそこに金属細線２を
接続する。
【００３１】この段差３ｂの深さを金属細線２の直径に
ほぼ相当する３０μｍ程度とするかそれより深くするこ
とで、基板電極５に接続した金属細線２が絶縁性樹脂６
の注入充填硬化の後に被覆するカバーフィルム７によっ
て押さえ付けられるとき、その金属細線２に大きな変形
が生じたりつぶれたりすることを防止できる。
ほぼ相当する３０μｍ程度とするかそれより深くするこ
とで、基板電極５に接続した金属細線２が絶縁性樹脂６
の注入充填硬化の後に被覆するカバーフィルム７によっ
て押さえ付けられるとき、その金属細線２に大きな変形
が生じたりつぶれたりすることを防止できる。
【００３２】なお、この段差３ｂの形成方法としては、
回路基板３の表面から機械的な削り取りにより形成した
り、或いはレジスト層を設けて写真蝕刻法によりエッチ
ングしても良い。
回路基板３の表面から機械的な削り取りにより形成した
り、或いはレジスト層を設けて写真蝕刻法によりエッチ
ングしても良い。
【００３３】この実施形態では、金属細線２のつぶれが
防止できることの他に、その金属細線２が全体の厚さに
与える影響が小さくなるという利点もある。
防止できることの他に、その金属細線２が全体の厚さに
与える影響が小さくなるという利点もある。
【００３４】［第３の実施形態］図３は第３の実施形態
の半導体装置実装構造の断面図である。ここでは、絶縁
性樹脂６の充填量を調整してその樹脂の表面６ａが回路
基板３の表面よりも（金属細線２の直径程度）低くなる
ようにしたものである。このようにしても、カバーフィ
ルム７を被覆する際の金属細線２のつぶれを防止でき
る。
の半導体装置実装構造の断面図である。ここでは、絶縁
性樹脂６の充填量を調整してその樹脂の表面６ａが回路
基板３の表面よりも（金属細線２の直径程度）低くなる
ようにしたものである。このようにしても、カバーフィ
ルム７を被覆する際の金属細線２のつぶれを防止でき
る。
【００３５】なお、この図３のように絶縁性樹脂６の充
填量を調整することに加えて、図２に示したように回路
基板３に段差３ｂを形成し、その段差３ｂの底面レベル
と絶縁性樹脂６の上面レベルがほぼ同じになるように調
整すれば、カバーフィルム７を被覆した際の金属細線２
のつぶれやその金属細線２が全体の厚さに与える影響を
より効果的に防止できる。
填量を調整することに加えて、図２に示したように回路
基板３に段差３ｂを形成し、その段差３ｂの底面レベル
と絶縁性樹脂６の上面レベルがほぼ同じになるように調
整すれば、カバーフィルム７を被覆した際の金属細線２
のつぶれやその金属細線２が全体の厚さに与える影響を
より効果的に防止できる。
【００３６】［第４の実施形態］図４は前記した半導体
装置実装構造を適用した非接触型電子カードの斜視図で
ある。ここでは、裏面にボトム基板４を貼付した回路基
板３の貫通孔３ａに半導体装置１を取り付け、またその
回路基板３の上面に金属配線で平面アンテナ８を予めパ
ターン形成しておき、その平面アンテナ８に半導体装置
１を金属細線２により接続している。
装置実装構造を適用した非接触型電子カードの斜視図で
ある。ここでは、裏面にボトム基板４を貼付した回路基
板３の貫通孔３ａに半導体装置１を取り付け、またその
回路基板３の上面に金属配線で平面アンテナ８を予めパ
ターン形成しておき、その平面アンテナ８に半導体装置
１を金属細線２により接続している。
【００３７】なお、この平面アンテナ８はその一端は直
接金属細線２で半導体装置１に接続されているが、他端
はスルホール３ｃを介して裏面の配線を経由して再度ス
ルホール３ｃで表面の配線に引き出されてから、金属細
線２で半導体装置１に接続されている。ここで使用する
半導体装置１としては、ＥＰＲＯＭ等がある。
接金属細線２で半導体装置１に接続されているが、他端
はスルホール３ｃを介して裏面の配線を経由して再度ス
ルホール３ｃで表面の配線に引き出されてから、金属細
線２で半導体装置１に接続されている。ここで使用する
半導体装置１としては、ＥＰＲＯＭ等がある。
【００３８】このように本実施形態の半導体装置実装構
造を適用すれば、薄型でフレキシブルで物理的接触に強
靱な非接触電子カードを実現することができる。
造を適用すれば、薄型でフレキシブルで物理的接触に強
靱な非接触電子カードを実現することができる。
【００３９】
【発明の効果】以上から第１の発明によれば、全体を薄
型に形成でき、また耐湿性とフレキシビリティを有し、
さらに生産時のバラツキも防止することができ低コスト
化できる。さらに折り曲げや他の部材との物理的接触に
対しても強靱となる。
型に形成でき、また耐湿性とフレキシビリティを有し、
さらに生産時のバラツキも防止することができ低コスト
化できる。さらに折り曲げや他の部材との物理的接触に
対しても強靱となる。
【００４０】また、第２，第３の発明によれば、金属細
線のつぶれや厚さへの影響を低減することがで、より薄
型化を実現できる。
線のつぶれや厚さへの影響を低減することがで、より薄
型化を実現できる。
【００４１】また、第４の発明によれば、上記した作用
効果を有する非接触型の電子カードを実現できる。
効果を有する非接触型の電子カードを実現できる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の半導体装置実装構
造の断面図である。
造の断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態の半導体装置実装構
造の断面図である
造の断面図である
【図３】 本発明の第３の実施形態の半導体装置実装構
造の断面図である
造の断面図である
【図４】 本発明の第４の実施形態の半導体装置実装構
造の斜視図である
造の斜視図である
【図５】 従来の半導体装置実装構造の断面図である
【図６】 従来の半導体装置実装構造の断面図である
【図７】 従来の半導体装置実装構造の断面図である
１：半導体装置、２：金属細線、３：回路基板、３ａ：
貫通孔、３ｂ：段差、３ｃ：スルホール、４：ボトム基
板、５：基板電極、６：絶縁性樹脂、７：カバーフィル
ム、８：平面アンテナ。
貫通孔、３ｂ：段差、３ｃ：スルホール、４：ボトム基
板、５：基板電極、６：絶縁性樹脂、７：カバーフィル
ム、８：平面アンテナ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C005 MA07 MA11 MA15 MA18 NA09 NB09 NB34 PA18 TA22 4M109 AA02 BA04 BA05 CA05 DA06 DB12 DB16 EE01 GA03 5B035 AA00 AA04 AA07 AA08 BA03 BB09 CA01 CA02 CA03 CA08 CA23
Claims (4)
- 【請求項１】貫通孔が形成され上面に基板電極が形成さ
れたフレキシブルな回路基板と、該回路基板の前記上面
と反対面に貼付されたフレキシブルな絶縁性テープから
なるボトム基板と、前記貫通孔内の前記ボトム基板上に
ボンディングされた半導体装置と、該半導体装置の電極
と前記基板電極とを接続する金属細線と、前記貫通孔内
に前記半導体装置の全部を覆うよう注入充填された絶縁
性樹脂と、前記回路基板の前記上面、前記絶縁性樹脂の
上面、および前記金属細線を覆うように貼付されたフレ
キシブルな絶縁性テープからなるカバーフィルムとを具
備することを特徴とする半導体装置実装構造。 - 【請求項２】請求項１において、 前記回路基板の前記貫通孔に面する角部分に前記金属細
線の太さと同程度の深さの段差を形成し、該段差の底面
に前記基板電極を形成したことを特徴とする半導体装置
実装構造。 - 【請求項３】請求項１又は２において、 前記絶縁性樹脂を、前記回路基板の前記上面から前記金
属細線の太さと同程度の距離だけ低いレベルの高さにま
で注入充填したことを特徴とする半導体装置実装構造。 - 【請求項４】請求１乃至３において、 前記回路基板の前記上面の周囲に金属配線による平面ア
ンテナを形成し、該アンテナの両端を前記金属細線を経
由して前記半導体装置に接続したことを特徴とする半導
体装置実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19535599A JP2001024107A (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 半導体装置実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19535599A JP2001024107A (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 半導体装置実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001024107A true JP2001024107A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16339803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19535599A Pending JP2001024107A (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 半導体装置実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001024107A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006172190A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Fujitsu Ltd | Ｒｆｉｄタグ |
| CN102105894A (zh) * | 2008-05-23 | 2011-06-22 | 斯迈达Ip有限公司 | 具有多个部件的芯片卡 |
-
1999
- 1999-07-09 JP JP19535599A patent/JP2001024107A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006172190A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Fujitsu Ltd | Ｒｆｉｄタグ |
| JP4676196B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-04-27 | 富士通株式会社 | Ｒｆｉｄタグ |
| US7951249B2 (en) | 2004-12-16 | 2011-05-31 | Fujitsu Limited | RFID tag |
| CN102105894A (zh) * | 2008-05-23 | 2011-06-22 | 斯迈达Ip有限公司 | 具有多个部件的芯片卡 |
| JP2011521367A (ja) * | 2008-05-23 | 2011-07-21 | スマルトラク アイピー ビー．ヴィー． | 複数の部品を有するｉｃチップカード |
| US8415782B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-04-09 | Smartrac Ip B.V. | Chip card having a plurality of components |
| KR101404279B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2014-06-05 | 스마트랙 아이피 비.브이. | 복수의 부품을 구비한 칩 카드 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050704 |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080311 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080708 |