JPH06275675A - Ｔａｂパッケージとその接続方法 - Google Patents
Ｔａｂパッケージとその接続方法Info
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- JPH06275675A JPH06275675A JP5059932A JP5993293A JPH06275675A JP H06275675 A JPH06275675 A JP H06275675A JP 5059932 A JP5059932 A JP 5059932A JP 5993293 A JP5993293 A JP 5993293A JP H06275675 A JPH06275675 A JP H06275675A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多ピンおよびマルチチップに対応した高実装
効率ＴＡＢパッケージとその接続方法を提供する。 【構成】 インナーリード３と配線層４と電極６を形成
した第１の樹脂フィルム５と、電極部分に開口部８を有
した第２の樹脂フィルム７を接着し、第１の樹脂フィル
ム５を屈曲させ、第１の樹脂フィルム同士を接着剤９で
接着したＴＡＢパッケージである。 【効果】 多ピンＩＣあるいはマルチチップに対応した
高実装効率のＴＡＢパッケージが得られる。
効率ＴＡＢパッケージとその接続方法を提供する。 【構成】 インナーリード３と配線層４と電極６を形成
した第１の樹脂フィルム５と、電極部分に開口部８を有
した第２の樹脂フィルム７を接着し、第１の樹脂フィル
ム５を屈曲させ、第１の樹脂フィルム同士を接着剤９で
接着したＴＡＢパッケージである。 【効果】 多ピンＩＣあるいはマルチチップに対応した
高実装効率のＴＡＢパッケージが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣチップを配線基板に
実装するＴＡＢパッケージ構造とその接続方法に関する
ものである。
実装するＴＡＢパッケージ構造とその接続方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ＩＣは高速化、多ピン化の
傾向があり、ＴＡＢによる実装も一般的に行われてきて
いる。以下図面を参照しながら従来のＴＡＢによるＩＣ
チップの実装について説明する。図５(a),(b)は従来の
ＴＡＢパッケージの断面図及び上面図である。図５にお
いて２０はＩＣチップ、２１はインナーリード、２２は
アウターリード、２３は樹脂フィルム、２４はバンプ、
２５は配線であり、以上から従来のＴＡＢパッケージは
構成される。
傾向があり、ＴＡＢによる実装も一般的に行われてきて
いる。以下図面を参照しながら従来のＴＡＢによるＩＣ
チップの実装について説明する。図５(a),(b)は従来の
ＴＡＢパッケージの断面図及び上面図である。図５にお
いて２０はＩＣチップ、２１はインナーリード、２２は
アウターリード、２３は樹脂フィルム、２４はバンプ、
２５は配線であり、以上から従来のＴＡＢパッケージは
構成される。
【０００３】以下に図５を用いて、従来のＴＡＢパッケ
ージのパッケージング方法を説明する。従来のＴＡＢの
パッケージング化は、インナーリード２１上に形成した
バンプ２４とＩＣチップ２０を接続し、アウターリード
２２部の樹脂フィルム２３をエッチングにより切取る。
そして、配線基板１５への実装は、アウターリード２２
部を特殊な治具で、基板に圧接し、はんだ１６により実
装していた。
ージのパッケージング方法を説明する。従来のＴＡＢの
パッケージング化は、インナーリード２１上に形成した
バンプ２４とＩＣチップ２０を接続し、アウターリード
２２部の樹脂フィルム２３をエッチングにより切取る。
そして、配線基板１５への実装は、アウターリード２２
部を特殊な治具で、基板に圧接し、はんだ１６により実
装していた。
【０００４】以上のように従来例では、インナーリード
２１にバンプ２４を転写し、ＩＣチップ２０上の電極と
接続した後、放射上に伸びた先端部でアウターリードボ
ンディングしていた。
２１にバンプ２４を転写し、ＩＣチップ２０上の電極と
接続した後、放射上に伸びた先端部でアウターリードボ
ンディングしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、ＩＣチップ２０が多ピンになった場合
や、マルチチップ実装する場合、アウタリードの間隔Ｌ
が配線基板１５の配線形成限界以下にすることができな
いため、ＴＡＢパッケージの大きさが大きくなり、実装
効率が上がらないという問題点を有していた。またＴＡ
Ｂパッケージ内の配線部分は、特性インピーダンスが制
御できないため、伝送特性上、配線が長くなると反射な
どの高速信号の伝送には不都合なことが生じていた。さ
らに、高集積のＩＣチップのように、大量の発熱を伴う
ＩＣチップを実装する場合、ＩＣチップに直接放熱フィ
ンを取り付ける等放熱経路の確保が問題となっていた。
うな構成では、ＩＣチップ２０が多ピンになった場合
や、マルチチップ実装する場合、アウタリードの間隔Ｌ
が配線基板１５の配線形成限界以下にすることができな
いため、ＴＡＢパッケージの大きさが大きくなり、実装
効率が上がらないという問題点を有していた。またＴＡ
Ｂパッケージ内の配線部分は、特性インピーダンスが制
御できないため、伝送特性上、配線が長くなると反射な
どの高速信号の伝送には不都合なことが生じていた。さ
らに、高集積のＩＣチップのように、大量の発熱を伴う
ＩＣチップを実装する場合、ＩＣチップに直接放熱フィ
ンを取り付ける等放熱経路の確保が問題となっていた。
【０００６】また、ＴＡＢパッケージのアウターリード
の配線基板への接続は、熱圧着やはんだにより行うが、
アウターリードのばらつきを抑え、正確な位置ぎめが必
要となるため、ＴＡＢパッケージの接続専用の特別な治
具や装置を必要としていた。
の配線基板への接続は、熱圧着やはんだにより行うが、
アウターリードのばらつきを抑え、正確な位置ぎめが必
要となるため、ＴＡＢパッケージの接続専用の特別な治
具や装置を必要としていた。
【０００７】本発明は、上記の従来の課題を解決するも
ので、多ピンおよびマルチチップ化においても実装効率
を高めることができ、高速信号の伝送が可能であり、さ
らに放熱経路の確保が容易なＴＡＢパッケージを提供
し、特別な装置を必要としない接続方法を提供するもの
である。
ので、多ピンおよびマルチチップ化においても実装効率
を高めることができ、高速信号の伝送が可能であり、さ
らに放熱経路の確保が容易なＴＡＢパッケージを提供
し、特別な装置を必要としない接続方法を提供するもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に本発明のＴＡＢパッケージは、インナーリードと配線
基板に接続する電極、前記インナーリードと前記電極を
電気的に接続する配線層を有した第１の樹脂フィルム
と、この第１の樹脂フィルムの電極部分に開口部を有し
た第２の樹脂フィルムとを有し、前記第１の樹脂フィル
ムを屈曲した構造を有している。
に本発明のＴＡＢパッケージは、インナーリードと配線
基板に接続する電極、前記インナーリードと前記電極を
電気的に接続する配線層を有した第１の樹脂フィルム
と、この第１の樹脂フィルムの電極部分に開口部を有し
た第２の樹脂フィルムとを有し、前記第１の樹脂フィル
ムを屈曲した構造を有している。
【０００９】また本発明のＴＡＢパッケージの接続方法
は、第１の樹脂フィルム上に光硬化性樹脂あるいは熱硬
化性樹脂を塗布し、仮圧着後硬化させる接続方法をと
る。
は、第１の樹脂フィルム上に光硬化性樹脂あるいは熱硬
化性樹脂を塗布し、仮圧着後硬化させる接続方法をと
る。
【００１０】
【作用】上記構成によって、ＩＣチップ部分の下部に配
線基板に接続する電極が構成される構造となり、実装効
率が向上する。
線基板に接続する電極が構成される構造となり、実装効
率が向上する。
【００１１】また、第１の樹脂フィルム上の配線層、電
極が形成された面と反対面に金属層を構成し、電源ある
いはグランドと電気的に接続された構造をとることによ
り、配線層の特性インピーダンスが制御され、信号の反
射を抑えることが可能となり、ノイズの低減が図れ、高
速信号の伝送が可能となる。
極が形成された面と反対面に金属層を構成し、電源ある
いはグランドと電気的に接続された構造をとることによ
り、配線層の特性インピーダンスが制御され、信号の反
射を抑えることが可能となり、ノイズの低減が図れ、高
速信号の伝送が可能となる。
【００１２】さらに、金属板を挟み込んだ構成も容易に
実現できるため、ＩＣチップからの放熱経路が確保さ
れ、ヒートシンク等の放熱部品の取り付けが容易にな
る。特に、ＩＣチップをフェイスアップでインナーリー
ドと接続した場合、ＩＣチップと金属板が直接加圧され
た状態で接触し、ＴＡＢパッケージ外でヒートシンクと
接続するため、ＩＣチップの放熱量に充分対応した放熱
経路を確保することができる。
実現できるため、ＩＣチップからの放熱経路が確保さ
れ、ヒートシンク等の放熱部品の取り付けが容易にな
る。特に、ＩＣチップをフェイスアップでインナーリー
ドと接続した場合、ＩＣチップと金属板が直接加圧され
た状態で接触し、ＴＡＢパッケージ外でヒートシンクと
接続するため、ＩＣチップの放熱量に充分対応した放熱
経路を確保することができる。
【００１３】配線基板端子への接続は、電極あるいは配
線基板端子上の導電性バンプが電極および配線基板端子
に接触した状態に加圧し、第１の樹脂フィルム上の光硬
化性樹脂あるいは熱硬化が配線基板と接触した状態にし
た後、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂を重合させ、
その時のこれらの樹脂の収縮により、第１の樹脂フィル
ムが弾性変形する圧力により導電性バンプが電極、配線
基板端子両方に接触し、電気的に接合される。この接続
方法をとることにより、ＴＡＢパッケージ上の最低２点
の比較的精度が要求されない位置ぎめと簡単な加圧治具
のみで、高精度の接続が実現できる。
線基板端子上の導電性バンプが電極および配線基板端子
に接触した状態に加圧し、第１の樹脂フィルム上の光硬
化性樹脂あるいは熱硬化が配線基板と接触した状態にし
た後、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂を重合させ、
その時のこれらの樹脂の収縮により、第１の樹脂フィル
ムが弾性変形する圧力により導電性バンプが電極、配線
基板端子両方に接触し、電気的に接合される。この接続
方法をとることにより、ＴＡＢパッケージ上の最低２点
の比較的精度が要求されない位置ぎめと簡単な加圧治具
のみで、高精度の接続が実現できる。
【００１４】
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１５】図１(a),(b),(c)は各々本発明の第１の実
施例におけるＴＡＢパッケージの折曲げ前の断面図、上
面図及び折曲げ後の断面図である。
施例におけるＴＡＢパッケージの折曲げ前の断面図、上
面図及び折曲げ後の断面図である。
【００１６】図１のように本発明のＴＡＢパッケージは
構成され、１はＩＣチップ、２はＩＣチップ接続バン
プ、３はインナーリード、４は配線層、５は第１の樹脂
フィルム、６は電極、７は第２の樹脂フィルム、８は開
口部、９は接着剤である。
構成され、１はＩＣチップ、２はＩＣチップ接続バン
プ、３はインナーリード、４は配線層、５は第１の樹脂
フィルム、６は電極、７は第２の樹脂フィルム、８は開
口部、９は接着剤である。
【００１７】本発明のＴＡＢパッケージの製造プロセス
について図１を用いて説明する。まず、第１の樹脂フィ
ルム５上に、通常のＴＡＢパッケージ作成時と同様イン
ナーリード３、配線層４を形成する。配線層４の材質は
様々なものが使用されるが、銅が代表的であり、第１の
樹脂フィルム５の材質も様々なものがあるが一般のＴＡ
Ｂパッケージに用いられるポリイミド等が使用される。
について図１を用いて説明する。まず、第１の樹脂フィ
ルム５上に、通常のＴＡＢパッケージ作成時と同様イン
ナーリード３、配線層４を形成する。配線層４の材質は
様々なものが使用されるが、銅が代表的であり、第１の
樹脂フィルム５の材質も様々なものがあるが一般のＴＡ
Ｂパッケージに用いられるポリイミド等が使用される。
【００１８】通常のプロセスでは、配線基板の接続に使
用するアウターリード部と、フィルム上にテストおよび
バーンイン用端子が形成されるが、本発明では、配線層
４は配線基板に接続するための電極６に接続するよう形
成する。電極６はバーンインおよびテストに使用され
る。このインナーリード３および配線層４および電極６
が形成された第１の樹脂フィルム５の通常のＴＡＢパッ
ケージの場合と同様、インナーリード３にＩＣチップ接
続バンプ２を形成し、ＩＣチップ１を接続する。この状
態で通常のＴＡＢパッケージと同様バーンイン、テスト
を行うことが可能である。
用するアウターリード部と、フィルム上にテストおよび
バーンイン用端子が形成されるが、本発明では、配線層
４は配線基板に接続するための電極６に接続するよう形
成する。電極６はバーンインおよびテストに使用され
る。このインナーリード３および配線層４および電極６
が形成された第１の樹脂フィルム５の通常のＴＡＢパッ
ケージの場合と同様、インナーリード３にＩＣチップ接
続バンプ２を形成し、ＩＣチップ１を接続する。この状
態で通常のＴＡＢパッケージと同様バーンイン、テスト
を行うことが可能である。
【００１９】次に、第１の樹脂フィルム５上の電極６の
配置と同様の配置の開口部８を金型によるパンチングあ
るいはエッチングにより形成した第２の樹脂フィルム７
を用意する。第２の樹脂フィルム７の材質は、通常のＴ
ＡＢパッケージに用いられるものである必要はなく、配
線層４の外部との絶縁層の役割を果たせばよく、開口部
８の形成が容易であれば良い。このような構成の第２の
樹脂フィルム７は第１の樹脂フィルム５の電極６上に接
着する。この接着は、接着剤あるいは熱圧着により行
う。
配置と同様の配置の開口部８を金型によるパンチングあ
るいはエッチングにより形成した第２の樹脂フィルム７
を用意する。第２の樹脂フィルム７の材質は、通常のＴ
ＡＢパッケージに用いられるものである必要はなく、配
線層４の外部との絶縁層の役割を果たせばよく、開口部
８の形成が容易であれば良い。このような構成の第２の
樹脂フィルム７は第１の樹脂フィルム５の電極６上に接
着する。この接着は、接着剤あるいは熱圧着により行
う。
【００２０】その後、第１の樹脂フィルム５の配線層４
を形成した面の裏面側に接着剤９を塗布し、図１(c)に
示すように第１の樹脂フィルム５を屈曲させ接着する。
この接着剤は、ＩＣチップ１とインナーリードボンディ
ング部を封止する役割も果たし、ＩＣチップ１とインナ
ーリード３との接続信頼性を確保する。第２の樹脂フィ
ルム７の大きさは、第１の樹脂フィルム５を屈曲させ、
配線基板と接触する面の大きさがあれば充分である。
を形成した面の裏面側に接着剤９を塗布し、図１(c)に
示すように第１の樹脂フィルム５を屈曲させ接着する。
この接着剤は、ＩＣチップ１とインナーリードボンディ
ング部を封止する役割も果たし、ＩＣチップ１とインナ
ーリード３との接続信頼性を確保する。第２の樹脂フィ
ルム７の大きさは、第１の樹脂フィルム５を屈曲させ、
配線基板と接触する面の大きさがあれば充分である。
【００２１】このように本実施例におけるＴＡＢパッケ
ージは、配線層４とＩＣチップ１を接続するインナーリ
ード３の下部に電極６がある構造を簡単にとることがで
き、簡単なプロセスで、多ピンＩＣ、マルチチップでも
高密度実装が可能となる。
ージは、配線層４とＩＣチップ１を接続するインナーリ
ード３の下部に電極６がある構造を簡単にとることがで
き、簡単なプロセスで、多ピンＩＣ、マルチチップでも
高密度実装が可能となる。
【００２２】第１の実施例における効果を従来例との比
較により（表１）に示す。（表１）において、電極６の
配置を５０MIL格子のグリッドアレイ状に配置した場合
である。チップサイズは（数１）を用いて導出した。ま
た実装領域を正方形と仮定し、従来例の実装領域の一辺
はアウターリードピッチを０.３ｍｍ、実装領域を各辺
６ｍｍのスペースとして導出した。（表１）よりチップ
Ｉ／Ｏ数が多くなればなるほど、従来のＴＡＢパッケー
ジを用いた場合に較べ、大きな効果が得られる。
較により（表１）に示す。（表１）において、電極６の
配置を５０MIL格子のグリッドアレイ状に配置した場合
である。チップサイズは（数１）を用いて導出した。ま
た実装領域を正方形と仮定し、従来例の実装領域の一辺
はアウターリードピッチを０.３ｍｍ、実装領域を各辺
６ｍｍのスペースとして導出した。（表１）よりチップ
Ｉ／Ｏ数が多くなればなるほど、従来のＴＡＢパッケー
ジを用いた場合に較べ、大きな効果が得られる。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【数１】 なお、本実施例では、第１の樹脂フィルム５を屈曲させ
るが、屈曲点での配線層４の断線等が考えられるが、予
め第１の樹脂フィルム５の屈曲する部分にスリットを設
けるか、屈曲部の配線厚みを部分的に増すか、あるいは
両方の対応により信頼性を向上させることができる。
るが、屈曲点での配線層４の断線等が考えられるが、予
め第１の樹脂フィルム５の屈曲する部分にスリットを設
けるか、屈曲部の配線厚みを部分的に増すか、あるいは
両方の対応により信頼性を向上させることができる。
【００２５】また、本発明のＴＡＢパッケージの封止
は、ＩＣチップあるいはＴＡＢパッケージ全体で行い、
従来のＴＡＢパッケージと同じである。さらに本発明の
ＴＡＢパッケージの配線基板への実装は、通常のＳＭＴ
部品の実装と同様に可能である。
は、ＩＣチップあるいはＴＡＢパッケージ全体で行い、
従来のＴＡＢパッケージと同じである。さらに本発明の
ＴＡＢパッケージの配線基板への実装は、通常のＳＭＴ
部品の実装と同様に可能である。
【００２６】なお、本実施例において、接着剤９を塗布
したが、樹脂シートによりねつ圧着しても良い。この場
合接着剤の塗布と比較して、容易に接着層の厚さが制御
できる。また第２の樹脂フィルム７を用いたが、樹脂の
塗布でもよい。この場合、新たな第２の樹脂フィルム７
を製造する必要がなくなる。
したが、樹脂シートによりねつ圧着しても良い。この場
合接着剤の塗布と比較して、容易に接着層の厚さが制御
できる。また第２の樹脂フィルム７を用いたが、樹脂の
塗布でもよい。この場合、新たな第２の樹脂フィルム７
を製造する必要がなくなる。
【００２７】（実施例２）図２(a),(b)は第２の実施例
におけるＴＡＢパッケージの折り曲げ前の断面図と折り
曲げ後の側断面図である。本実施例が実施例１と異なる
点は、配線層４および電極６の裏面に導体層１１が形成
されており、導体層１１は配線層４の電源あるいはグラ
ンドとスルーホール１０により電気的に接続されている
点である。この場合の導体層１１の大きさは、配線層
４、インナーリード３の下部に存在している大きさであ
れば充分である。このように導体層１１を設けることに
より、配線層４の特性インピーダンスが決まる。特性イ
ンピーダンス値は、配線層４と導体層１１の間に設けら
れた第１の樹脂フィルム５の比誘電率と、その厚みによ
り決定される。
におけるＴＡＢパッケージの折り曲げ前の断面図と折り
曲げ後の側断面図である。本実施例が実施例１と異なる
点は、配線層４および電極６の裏面に導体層１１が形成
されており、導体層１１は配線層４の電源あるいはグラ
ンドとスルーホール１０により電気的に接続されている
点である。この場合の導体層１１の大きさは、配線層
４、インナーリード３の下部に存在している大きさであ
れば充分である。このように導体層１１を設けることに
より、配線層４の特性インピーダンスが決まる。特性イ
ンピーダンス値は、配線層４と導体層１１の間に設けら
れた第１の樹脂フィルム５の比誘電率と、その厚みによ
り決定される。
【００２８】以上のようなＴＡＢパッケージ構造とする
ことにより、従来のＴＡＢパッケージでは、配線層やイ
ンナーリード部の特性インピーダンスが不安定であった
が、本実施例におけるＴＡＢパッケージでは、特性イン
ピーダンス値を任意に設定することが可能となり、伝送
信号の反射が抑えられ、高速信号の高品位伝送が可能と
なる。
ことにより、従来のＴＡＢパッケージでは、配線層やイ
ンナーリード部の特性インピーダンスが不安定であった
が、本実施例におけるＴＡＢパッケージでは、特性イン
ピーダンス値を任意に設定することが可能となり、伝送
信号の反射が抑えられ、高速信号の高品位伝送が可能と
なる。
【００２９】（実施例３）図３(a),(b)は第３の実施例
におけるＴＡＢパッケージの折り曲げ前の断面図と折り
曲げ後の側断面図である。本実施例が実施例１と異なる
点は、屈曲させた樹脂フィルム１５間に金属板１２が挟
み込まれ、第１の樹脂フィルム５外にはみ出した構造を
有している点である。
におけるＴＡＢパッケージの折り曲げ前の断面図と折り
曲げ後の側断面図である。本実施例が実施例１と異なる
点は、屈曲させた樹脂フィルム１５間に金属板１２が挟
み込まれ、第１の樹脂フィルム５外にはみ出した構造を
有している点である。
【００３０】金属板１２を挟み込むことにより、ヒート
シンクやヒートパイプ等の放熱部品１３を容易に取り付
けることができる。図３に示すようにＩＣチップ１をフ
ェイスアップに接続することにより、より放熱効果を高
めることができる。この放熱効果は、従来のＴＡＢの場
合、ＩＣチップ１に放熱部品を直接取り付けるしか方法
が無いため、ＩＣチップ１の発熱量によっては、ＴＡＢ
パッケージ化が不可能なものも存在したが、本実施例で
は、放熱経路が充分に確保でき、放熱部品に制限がなく
なり、かなりの発熱量をもつＩＣチップ１のＴＡＢパッ
ケージ化が可能になる。
シンクやヒートパイプ等の放熱部品１３を容易に取り付
けることができる。図３に示すようにＩＣチップ１をフ
ェイスアップに接続することにより、より放熱効果を高
めることができる。この放熱効果は、従来のＴＡＢの場
合、ＩＣチップ１に放熱部品を直接取り付けるしか方法
が無いため、ＩＣチップ１の発熱量によっては、ＴＡＢ
パッケージ化が不可能なものも存在したが、本実施例で
は、放熱経路が充分に確保でき、放熱部品に制限がなく
なり、かなりの発熱量をもつＩＣチップ１のＴＡＢパッ
ケージ化が可能になる。
【００３１】（実施例４）図４は第４の実施例における
ＴＡＢパッケージの配線基板への接続図である。本実施
例が実施例１と異なる点は、第２の樹脂フィルム７の代
わりに光硬化性樹脂１４を塗布して用いた点と、電極６
上あるいは配線基板１５上の配線基板接続端子１６上に
導電性バンプ１７を形成した点にある。
ＴＡＢパッケージの配線基板への接続図である。本実施
例が実施例１と異なる点は、第２の樹脂フィルム７の代
わりに光硬化性樹脂１４を塗布して用いた点と、電極６
上あるいは配線基板１５上の配線基板接続端子１６上に
導電性バンプ１７を形成した点にある。
【００３２】このような構成をとるＴＡＢパッケージの
配線基板１５への接続方法を以下に説明する。
配線基板１５への接続方法を以下に説明する。
【００３３】光硬化性樹脂１４が塗布されたＴＡＢパッ
ケージを、加圧治具１８により、配線基板１５へ仮接続
する。このとき、第１の樹脂フィルム５は、配線層４、
電極６が形成されているため、第１の樹脂フィルム５の
みより高い弾性率をもつ。そこで、加圧治具１８により
第１の樹脂フィルム５を導電性バンプ１７が電極６と配
線基板端子１６に充分接触する圧力で加圧し、固定す
る。加圧治具１８は特殊なものは必要とせず、ＴＡＢパ
ッケージを固定、加圧するだけでよく、加圧力もさほど
必要でない。また導電性バンプ１７の材質は、加圧治具
１８により弾性変形あるいは塑性変形してもどちらでも
よく、導電性の金属あるいは樹脂等いずれでもよい。ま
た、高弾性率金属を用いた場合でも、導電性バンプ１７
が電極６と配線基板端子１６との接触に要する力は大き
くないため、電極６と配線基板端子１６に悪影響を及ぼ
すことはない。
ケージを、加圧治具１８により、配線基板１５へ仮接続
する。このとき、第１の樹脂フィルム５は、配線層４、
電極６が形成されているため、第１の樹脂フィルム５の
みより高い弾性率をもつ。そこで、加圧治具１８により
第１の樹脂フィルム５を導電性バンプ１７が電極６と配
線基板端子１６に充分接触する圧力で加圧し、固定す
る。加圧治具１８は特殊なものは必要とせず、ＴＡＢパ
ッケージを固定、加圧するだけでよく、加圧力もさほど
必要でない。また導電性バンプ１７の材質は、加圧治具
１８により弾性変形あるいは塑性変形してもどちらでも
よく、導電性の金属あるいは樹脂等いずれでもよい。ま
た、高弾性率金属を用いた場合でも、導電性バンプ１７
が電極６と配線基板端子１６との接触に要する力は大き
くないため、電極６と配線基板端子１６に悪影響を及ぼ
すことはない。
【００３４】そして、導電性バンプ１７が電極６と配線
基板端子１６に接触している範囲で、光を照射し、光硬
化性樹脂１４を硬化させる。光硬化性樹脂１４を硬化さ
せることにより、光硬化性樹脂１４は硬化に伴い収縮
し、第１の樹脂フィルム５を弾性変形させながら、配線
基板１５と第１の樹脂フィルム５は接着し、導電性バン
プは電極６と配線基板端子１６に加圧された状態とな
り、電気的、機械的接続が可能となる。
基板端子１６に接触している範囲で、光を照射し、光硬
化性樹脂１４を硬化させる。光硬化性樹脂１４を硬化さ
せることにより、光硬化性樹脂１４は硬化に伴い収縮
し、第１の樹脂フィルム５を弾性変形させながら、配線
基板１５と第１の樹脂フィルム５は接着し、導電性バン
プは電極６と配線基板端子１６に加圧された状態とな
り、電気的、機械的接続が可能となる。
【００３５】以上の接続方法をとることにより、はんだ
を用いた接続のように加熱、洗浄という工程が不要とな
るとともに、従来のＴＡＢパッケージの接続で必要であ
った、高精度位置ぎめ装置、接続治具が不必要となり、
大量生産にも迅速に対応できる。また、微細接続も簡単
に実現できる。さらにＴＡＢパッケージと配線基板への
接続部分が封止された構造になるため、接続信頼性は大
幅に向上する。
を用いた接続のように加熱、洗浄という工程が不要とな
るとともに、従来のＴＡＢパッケージの接続で必要であ
った、高精度位置ぎめ装置、接続治具が不必要となり、
大量生産にも迅速に対応できる。また、微細接続も簡単
に実現できる。さらにＴＡＢパッケージと配線基板への
接続部分が封止された構造になるため、接続信頼性は大
幅に向上する。
【００３６】また本実施例において光硬化性樹脂１４の
代わりに熱硬化性樹脂を用いることも可能である。この
場合光照射しにくい部分への接続も熱により行うことが
できる。また本実施例における接続方法は、パッド状電
極を有する樹脂フィルムの接続に有効である。
代わりに熱硬化性樹脂を用いることも可能である。この
場合光照射しにくい部分への接続も熱により行うことが
できる。また本実施例における接続方法は、パッド状電
極を有する樹脂フィルムの接続に有効である。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明は、配線および基板
に接続する電極を第１の樹脂フィルム上に形成し、電極
部分に開口部を有する第２の樹脂フィルムと第１の樹脂
フィルムを接着し、第１の樹脂フィルムを折り曲げ、接
着し、電極がＩＣチップの下部になるように構成された
ＴＡＢパッケージとすることにより、多ピンＩＣチップ
やマルチチップのＴＡＢ実装においても実装効率が向上
する。
に接続する電極を第１の樹脂フィルム上に形成し、電極
部分に開口部を有する第２の樹脂フィルムと第１の樹脂
フィルムを接着し、第１の樹脂フィルムを折り曲げ、接
着し、電極がＩＣチップの下部になるように構成された
ＴＡＢパッケージとすることにより、多ピンＩＣチップ
やマルチチップのＴＡＢ実装においても実装効率が向上
する。
【００３８】さらに、第１のフィルムに電源あるいはグ
ランドと電気的に接続された導体層あるいは金属板を挟
み込む構成をとることにより、配線の伝送特性の向上
と、放熱特性に優れたＴＡＢパッケージが実現できるも
のである。
ランドと電気的に接続された導体層あるいは金属板を挟
み込む構成をとることにより、配線の伝送特性の向上
と、放熱特性に優れたＴＡＢパッケージが実現できるも
のである。
【００３９】また、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂
により、配線基板とＴＡＢパッケージを接着し接続する
方法をとることにより、従来のＴＡＢパッケージの実装
に必要だった特別な装置を必要とせず、クリーンでかつ
微細ピッチの高信頼性接続が実現できるものである。
により、配線基板とＴＡＢパッケージを接着し接続する
方法をとることにより、従来のＴＡＢパッケージの実装
に必要だった特別な装置を必要とせず、クリーンでかつ
微細ピッチの高信頼性接続が実現できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例におけるＴＡＢパッケー
ジの断面図及び上面図
ジの断面図及び上面図
【図２】本発明の第２の実施例におけるＴＡＢパッケー
ジの断面図及び上面図
ジの断面図及び上面図
【図３】本発明の第３の実施例におけるＴＡＢパッケー
ジの断面図及び上面図
ジの断面図及び上面図
【図４】本発明の第４の実施例におけるＴＡＢパッケー
ジの配線基板への接続図
ジの配線基板への接続図
【図５】従来のＴＡＢパッケージの断面図
１ ＩＣチップ ２ ＩＣチップ接続バンプ ３ インナーリード ４ 配線層 ５ 第１の樹脂フィルム ６ 電極 ７ 第２の樹脂フィルム ８ 開口部 ９ 接着剤
Claims (5)
- 【請求項１】ＩＣチップと接続するためのインナーリー
ドと配線層と、配線基板に接続される電極が同一面上に
形成された可とう性を有する第１の樹脂フィルムと、 この第１の樹脂フィルムの電極位置と同位置に開口部を
有した第２の樹脂フィルムとを有し、前記第１の樹脂フ
ィルムを屈曲した構造を特徴とするＴＡＢパッケージ。 - 【請求項２】請求項１記載の第１の樹脂フィルムの配線
層と電極が形成された裏面に導体層が形成され、配線層
の電源あるいはグランドと前記導体層が電気的に接続さ
れたことを特徴とするＴＡＢパッケージ。 - 【請求項３】請求項１記載の第１の樹脂フィルム上の配
線層の電源あるいはグランドと電気的に接続された金属
板を介して第１の樹脂フィルム同士が接着され、前記金
属板が第１の樹脂フィルム外にはみ出した構造を特徴と
するＴＡＢパッケージ。 - 【請求項４】樹脂フィルム上の電極、あるいは配線基板
端子上に導電性バンプを形成するステップと、 この第１の樹脂フィルム上に光硬化樹脂を塗布するステ
ップと、 加圧治具により前記導電性バンプが前記電極および配線
基板端子に接触する範囲で加圧し、前記導電性バンプを
配線基板に仮接続するステップと、 その後光照射により樹脂フィルムと配線基板を接着し、
前記導電性バンプと配線基板端子とが接続するステップ
とを備えたＴＡＢパッケージの接続方法。 - 【請求項５】請求項４記載の光硬化性樹脂が熱硬化性樹
脂であり、加圧治具による仮接続後、熱により硬化させ
ることにより配線基板端子と接続するＴＡＢパッケージ
接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059932A JP3012753B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Ｔａｂパッケージとその接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059932A JP3012753B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Ｔａｂパッケージとその接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275675A true JPH06275675A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3012753B2 JP3012753B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=13127401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5059932A Expired - Fee Related JP3012753B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Ｔａｂパッケージとその接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3012753B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470144B1 (ko) * | 1997-08-12 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 테이프회로기판및이를사용한칩크기의반도체칩패키지 |
| US7335970B2 (en) | 1996-12-03 | 2008-02-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a chip-size package |
| CN107492525A (zh) * | 2016-06-10 | 2017-12-19 | 三星显示有限公司 | 膜上芯片封装及包括该膜上芯片封装的显示装置 |
| CN112968109A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种驱动背板及其制作方法 |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP5059932A patent/JP3012753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7335970B2 (en) | 1996-12-03 | 2008-02-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a chip-size package |
| US8154124B2 (en) | 1996-12-03 | 2012-04-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a chip-size package |
| KR100470144B1 (ko) * | 1997-08-12 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 테이프회로기판및이를사용한칩크기의반도체칩패키지 |
| CN107492525A (zh) * | 2016-06-10 | 2017-12-19 | 三星显示有限公司 | 膜上芯片封装及包括该膜上芯片封装的显示装置 |
| KR20170140481A (ko) * | 2016-06-10 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN112968109A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种驱动背板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3012753B2 (ja) | 2000-02-28 |
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