JPS6394646A - 電子装置 - Google Patents
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- JPS6394646A JPS6394646A JP61240694A JP24069486A JPS6394646A JP S6394646 A JPS6394646 A JP S6394646A JP 61240694 A JP61240694 A JP 61240694A JP 24069486 A JP24069486 A JP 24069486A JP S6394646 A JPS6394646 A JP S6394646A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子装置に関し、特に薄型可撓性基板に半導
体装置を実装した電子装置に関するものである。
体装置を実装した電子装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、このような電子装置としてＩｃカードがあるが、
ＩＣカード用半導体装置は超薄型が要求されるため、可
撓性有機絶縁フィルムを含むパッケージ基板に半導体素
子を搭載し、この半導体素子まわりを封止樹脂で薄（封
止する方法が用いられている。
ＩＣカード用半導体装置は超薄型が要求されるため、可
撓性有機絶縁フィルムを含むパッケージ基板に半導体素
子を搭載し、この半導体素子まわりを封止樹脂で薄（封
止する方法が用いられている。
第３図は、従来のＩＣカード用半導体装置の構造を示す
断面図である。
断面図である。
図において、半導体素子１の表側表面１ａに突起電極２
が形成されている。ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹
脂などからなる可撓性有機絶縁フィルム３０には開口部
３１が形成されており、この可撓性有機絶縁フィルム３
０の表側表面３０ａに、回路配線３２およびこの回路配
置３２の一方端に電気的に接続される、半導体ｌａ＠の
外部電極３３が形成されている。回路配線３２の他方端
にリード端子３４が電気的に接続されており、このリー
ド端子３４は開口部３１へ張り出している。
が形成されている。ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹
脂などからなる可撓性有機絶縁フィルム３０には開口部
３１が形成されており、この可撓性有機絶縁フィルム３
０の表側表面３０ａに、回路配線３２およびこの回路配
置３２の一方端に電気的に接続される、半導体ｌａ＠の
外部電極３３が形成されている。回路配線３２の他方端
にリード端子３４が電気的に接続されており、このリー
ド端子３４は開口部３１へ張り出している。
回路配線３２は、可撓性有機絶縁フィルム３０の表側衣
１１ｉ１３０８に、たとえば膜厚が約３５μｍの銅箔な
どからなる金属膜を形成し、この金属膜を写真蝕刻法な
どによりバターニングして形成される。可撓性有機絶縁
フィルム３０と回路配線３２と外部電極３３とリード端
子３４とはパッケージ基板３を構成する。半導体素子１
は開口部３１下で可撓性有機絶縁フィルム３０の裏側表
面３０ｂ側に位！するように配置されている。リード端
子３４は突起電極２に位置合わせして重ねられるように
配置されており、このリード端子３４は突起電極２に電
気的・機械的に接続されている。半導体素子１の一部、
突起電極２、リード端子３４、回路配線３２の一部は、
外部からの汚染や機械的形Ｗなどを防ぐ目的でエポキシ
樹脂などの封止樹脂４０で封止されている。この封止樹
脂４０は０゜６１Ｉｌｉ程度の薄さになるように成形さ
れており、封止樹脂４０の表側表面４０ａは半導体素子
１の表側表面１ａまわりを平坦化するように平坦になっ
ている。
１１ｉ１３０８に、たとえば膜厚が約３５μｍの銅箔な
どからなる金属膜を形成し、この金属膜を写真蝕刻法な
どによりバターニングして形成される。可撓性有機絶縁
フィルム３０と回路配線３２と外部電極３３とリード端
子３４とはパッケージ基板３を構成する。半導体素子１
は開口部３１下で可撓性有機絶縁フィルム３０の裏側表
面３０ｂ側に位！するように配置されている。リード端
子３４は突起電極２に位置合わせして重ねられるように
配置されており、このリード端子３４は突起電極２に電
気的・機械的に接続されている。半導体素子１の一部、
突起電極２、リード端子３４、回路配線３２の一部は、
外部からの汚染や機械的形Ｗなどを防ぐ目的でエポキシ
樹脂などの封止樹脂４０で封止されている。この封止樹
脂４０は０゜６１Ｉｌｉ程度の薄さになるように成形さ
れており、封止樹脂４０の表側表面４０ａは半導体素子
１の表側表面１ａまわりを平坦化するように平坦になっ
ている。
第４図は、従来のＩＣカードの構成を示す断面図である
。
。
図において、塩化ビニル樹脂などからなる可撓性のカー
ド５０の表側に凹部５１が形成されている。第３図の半
導体＠隨が回路配線３２側を表側にして凹部５１に実装
されており、可撓性有機絶縁フィルム３０の表側表面３
０ａがカード５０の表側表面５０ａと一致するようにな
っている。この実装は、半導体装置を凹部５１に埋め込
み、または半導体装置を凹部５１に埋め込んだ模この半
導体装置を凹部５１に接着剤で貼付けることによってな
される。半導体装置の表側表面まわりを平坦化するよう
に、この半導体装置の表側表面およびカード５０の表側
表面５０ａに透明のオーバコート躾６０が形成されてい
る。このオーバコート躾６０に開口部６１が形成されて
外部電極３３の一部が露出しており、この外部電極３３
に外部から電気的に接触できるようになっている。
ド５０の表側に凹部５１が形成されている。第３図の半
導体＠隨が回路配線３２側を表側にして凹部５１に実装
されており、可撓性有機絶縁フィルム３０の表側表面３
０ａがカード５０の表側表面５０ａと一致するようにな
っている。この実装は、半導体装置を凹部５１に埋め込
み、または半導体装置を凹部５１に埋め込んだ模この半
導体装置を凹部５１に接着剤で貼付けることによってな
される。半導体装置の表側表面まわりを平坦化するよう
に、この半導体装置の表側表面およびカード５０の表側
表面５０ａに透明のオーバコート躾６０が形成されてい
る。このオーバコート躾６０に開口部６１が形成されて
外部電極３３の一部が露出しており、この外部電極３３
に外部から電気的に接触できるようになっている。
このＩＣカードは、これを曲げても半導体装置が破壊さ
れたり、半導体装置がカード５０から剥離しないような
性質が要求される。
れたり、半導体装置がカード５０から剥離しないような
性質が要求される。
なお、第３図においては、封止樹脂４０が半導体素子１
の一部を封止する構造の半導体装置について示したが、
これ以外に、封止樹脂が半導体素子１の裏側表面１ｂに
も形成されて半導体素子１全体を樹脂封止するような構
造の半導体装置も用いられている。
の一部を封止する構造の半導体装置について示したが、
これ以外に、封止樹脂が半導体素子１の裏側表面１ｂに
も形成されて半導体素子１全体を樹脂封止するような構
造の半導体装置も用いられている。
［発明が解決しようとする問題点〕
従来のＩＣカードにおいては、半導体装置のカードとの
接触面が平坦であるため、ＩＣカードを多数回曲げると
半導体装置がカードから剥離するという問題点があった
。
接触面が平坦であるため、ＩＣカードを多数回曲げると
半導体装置がカードから剥離するという問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、カードの多数回の曲げに対して半導体装置が
カードから剥離しないＩＣカードを得ることを目的とす
る。
たもので、カードの多数回の曲げに対して半導体装置が
カードから剥離しないＩＣカードを得ることを目的とす
る。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る電子装置は、パッケージ基板に半導体素
子を搭載した半導体装置を薄型可撓性塞板に実装した電
子装置において、半導体装置の薄型可撓性基板と接触す
る表面の所定部に凹凸を形成したものである。
子を搭載した半導体装置を薄型可撓性塞板に実装した電
子装置において、半導体装置の薄型可撓性基板と接触す
る表面の所定部に凹凸を形成したものである。
［作用］
この発明においては、半導体装置の薄型可撓性基板と接
触する表面の所定部に凹凸を形成したので、半導体装置
と薄型可撓性基板との接触面積が大きくなり、半導体装
置と薄型可撓性基板との密着強度を上げることができる
。
触する表面の所定部に凹凸を形成したので、半導体装置
と薄型可撓性基板との接触面積が大きくなり、半導体装
置と薄型可撓性基板との密着強度を上げることができる
。
［実席例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
重複する部分については適宜その説明を省略する。
重複する部分については適宜その説明を省略する。
第１図は、この発明の実施例であるＩＣカードの構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
この実施例の構成が第４図のＩＣカードの構成と異なる
点は以下の点である。すなわち、半導体素子１全体が封
止樹脂４１で封止されている。可撓性有機絶縁フィルム
３０のカード５０と接触するｔｍ表面３０ｂには、サン
ドブラスト、ベーパがけなどの機械的方法、または化学
エッチなどの化学的方法により表面が荒されて凹凸３５
が形成されている。さらに、カード５０と接触する、封
止樹脂４１の半導体素子１の裏側表面１ｂにある部分の
表面にも、上記と同様な方法、または樹脂封止のとき封
止樹脂４１表面に凹凸の型を当てる方法によって凹凸４
２が形成されている。この封止樹脂表面の凹凸は、封止
樹脂表面に細かい綱目の、布やガラス布や樹脂布などを
貼付けることによって形成してもよい。
点は以下の点である。すなわち、半導体素子１全体が封
止樹脂４１で封止されている。可撓性有機絶縁フィルム
３０のカード５０と接触するｔｍ表面３０ｂには、サン
ドブラスト、ベーパがけなどの機械的方法、または化学
エッチなどの化学的方法により表面が荒されて凹凸３５
が形成されている。さらに、カード５０と接触する、封
止樹脂４１の半導体素子１の裏側表面１ｂにある部分の
表面にも、上記と同様な方法、または樹脂封止のとき封
止樹脂４１表面に凹凸の型を当てる方法によって凹凸４
２が形成されている。この封止樹脂表面の凹凸は、封止
樹脂表面に細かい綱目の、布やガラス布や樹脂布などを
貼付けることによって形成してもよい。
このように、半導体装置のカードと接触する表面の所定
部に凹凸を形成することによって、半導体装置とカード
との接触面積が大きくなり、半導体装置とカードとの密
着強度を上げることができる。このため、ＩＣカードの
多数回曲げにより半導体装置がカードから剥離すること
がなくなる。
部に凹凸を形成することによって、半導体装置とカード
との接触面積が大きくなり、半導体装置とカードとの密
着強度を上げることができる。このため、ＩＣカードの
多数回曲げにより半導体装置がカードから剥離すること
がなくなる。
第２図は、この発明の他の実施例であるＩＣカードの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
図において、可撓性有機絶縁フィルム３０のカード５０
と接触する裏側表面３０ｂには、島状もしくは線状で膜
厚が約数１０μｍの金属パターン３６が形成されている
。この金属パターン３６は、可撓性有機絶縁フィルム３
０の裏側表面３０ｂに薄い銅箔などの金属膜を形成し、
この金属膜を写真蝕刻法などによりパターニングして形
成される。
と接触する裏側表面３０ｂには、島状もしくは線状で膜
厚が約数１０μｍの金属パターン３６が形成されている
。この金属パターン３６は、可撓性有機絶縁フィルム３
０の裏側表面３０ｂに薄い銅箔などの金属膜を形成し、
この金属膜を写真蝕刻法などによりパターニングして形
成される。
この場合にも、半導体装置とカードとの密着強度を上げ
て半導体装置のカードからの剥離をなくすことができる
。イして、島の寸法、線幅、島。
て半導体装置のカードからの剥離をなくすことができる
。イして、島の寸法、線幅、島。
ｍ間隔は金属パターン３６の膜厚と同じ程度が最も密着
効果が上がる。
効果が上がる。
なお、上記実施例では、半導体’ＩＡＮをカードに実装
したＩＣカードについて示したが、この発明は、ＩＣカ
ード以外の、半導体装置を薄型可撓性基板に実装するよ
うな他の電子装置にも適用することができる。
したＩＣカードについて示したが、この発明は、ＩＣカ
ード以外の、半導体装置を薄型可撓性基板に実装するよ
うな他の電子装置にも適用することができる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、パッケージ基板に半導
体素子を搭載した半導体１ｉ１！をｗＩ生型可撓基板に
実装した電子装置において、半導体＃！＆置の薄型可撓
性基板と接触する表面の所定部に凹凸を形成したので、
半春休装置と薄型可撓性基板との接触面積が大きくなり
、半導体装置とＷ＃型可撓性暴扱との密着強度を上げる
ことができる。このため、薄型可撓性基板の多数回の曲
げに対して半導体装置が薄型可撓性基板から剥離しない
電子装置を得ることができる。
体素子を搭載した半導体１ｉ１！をｗＩ生型可撓基板に
実装した電子装置において、半導体＃！＆置の薄型可撓
性基板と接触する表面の所定部に凹凸を形成したので、
半春休装置と薄型可撓性基板との接触面積が大きくなり
、半導体装置とＷ＃型可撓性暴扱との密着強度を上げる
ことができる。このため、薄型可撓性基板の多数回の曲
げに対して半導体装置が薄型可撓性基板から剥離しない
電子装置を得ることができる。
第１図は、この発明の実施例であるＩＣカードの構造を
示す断面図である。 第２図は、この発明の他の実施例であるＩＣカードの構
造を示す断面図である。 第３図は、従来のＩＣカード用半導体装置の構造を示す
断面図である。 第４図は、従来のＩＣカードの構造を示す断面図である
。 図において、１は半導体素子、２は突起電極、３はパッ
ケージ基板、３０は可撓性有機絶縁フィルム、３１は開
口部、３２は回路配線、３３は外部電極、３４はリード
端子、３５は凹凸、３６は金属パターン、４１は封止樹
脂、４２は凹凸、５０はカード、５１は凹部、６０はオ
ーバコート膜、６１は開口部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
示す断面図である。 第２図は、この発明の他の実施例であるＩＣカードの構
造を示す断面図である。 第３図は、従来のＩＣカード用半導体装置の構造を示す
断面図である。 第４図は、従来のＩＣカードの構造を示す断面図である
。 図において、１は半導体素子、２は突起電極、３はパッ
ケージ基板、３０は可撓性有機絶縁フィルム、３１は開
口部、３２は回路配線、３３は外部電極、３４はリード
端子、３５は凹凸、３６は金属パターン、４１は封止樹
脂、４２は凹凸、５０はカード、５１は凹部、６０はオ
ーバコート膜、６１は開口部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (6)
- （１）半導体素子と、 前記半導体素子の表側表面に形成される電極と、可撓性
絶縁フィルムと、 前記可撓性絶縁フィルムの表側表面に形成される、回路
配線および該回路配線の一方端に電気的に接続される外
部電極と、 前記可撓性絶縁フィルムには開口部が形成されており、 前記回路配線の他方端に電気的に接続され、前記開口部
に張り出したリード端子を備え、 前記可撓性絶縁フィルムと、前記回路配線と、前記外部
電極と、前記リード端子とはパッケージ基板を構成し、 前記開口部下で前記可撓性絶縁フィルムの裏側表面側に
前記半導体素子が配置されて、前記リード端子は前記電
極に電気的・機械的に接続されており、 前記半導体素子の一部または全体、前記電極、前記リー
ド端子および前記回路配線の一部を封止する封止樹脂を
備え、 前記半導体素子と、前記電極と、前記パッケージ基板と
、前記封止樹脂とは半導体装置を構成し、薄型可撓性基
板を備え、 前記薄型可撓性基板には凹部が形成されており、前記半
導体装置を前記回路配線側を露出するようにして前記凹
部に実装した電子装置において、前記半導体装置の前記
薄型可撓性基板と接触する表面の所定部に凹凸を形成し
たことを特徴とする電子装置。 - （２）前記凹凸は、前記可撓性絶縁フィルムの前記薄型
可撓性基板と接触する前記裏側表面に形成される特許請
求の範囲第１項記載の電子装置。 - （３）前記凹凸は、前記可撓性絶縁フィルムの前記裏側
表面を機械的方法または化学的方法により荒すことによ
つて形成される特許請求の範囲第２項記載の電子装置。 - （４）前記凹凸は、前記可撓性絶縁フィルムの前記裏側
表面に島状または線状の金属パターンを形成することに
よつて形成される特許請求の範囲第２項記載の電子装置
。 - （５）前記凹凸は、前記封止樹脂の前記半導体素子の裏
側表面にある部分の表面に形成される特許請求の範囲第
１項記載の電子装置。 - （６）前記凹凸は、前記封止樹脂の表面を機械的方法ま
たは化学的方法により荒すことによって形成される特許
請求の範囲第５項記載の電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240694A JPS6394646A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240694A JPS6394646A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394646A true JPS6394646A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=17063308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61240694A Pending JPS6394646A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394646A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0426406A2 (en) * | 1989-10-31 | 1991-05-08 | Citizen Watch Co., Ltd. | IC card having an integrated circuit module |
| US6806560B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-10-19 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating same |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61240694A patent/JPS6394646A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0426406A2 (en) * | 1989-10-31 | 1991-05-08 | Citizen Watch Co., Ltd. | IC card having an integrated circuit module |
| US6806560B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-10-19 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating same |
| US7109067B2 (en) | 2000-07-04 | 2006-09-19 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating same |
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