JPH0520804B2

JPH0520804B2 -

Info

Publication number: JPH0520804B2
Application number: JP58108870A
Authority: JP
Inventors: Juji Kajama; Toshihiko Minami; Yutaka Hayata; Katsuhiko Akyama
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1983-06-17
Filing date: 1983-06-17
Publication date: 1993-03-22
Also published as: JPS601614A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、電磁誘導型、或いは磁気抵抗効果
（MR）型磁気ヘツド等の薄膜型磁気ヘツドによ
る多素子磁気ヘツドを得る場合に適用して好適な
多素子磁気ヘツドの製法に係わる。

背景技術とその問題点例えばPCM信号を記録または再生する多チヤ
ンネル、すなわち多素子磁気ヘツドとして薄膜型
の多素子磁気ヘツドが用いられる。

この薄膜型多素子磁気ヘツドを第１図及び第２
図を参照して説明する。図中１は、電磁誘導型構
成による多素子磁気ヘツドを全体として示すもの
で、このヘツド１は、例えばMn−Zn系フエライ
ト、Mn−Ni系フエライト等より成る磁性基板２
上に多数の薄膜磁気ヘツド素子ｈが並置配列され
る。この場合、基板２には、その一主面２ａに臨
んで、基板２の長手方向に沿つて溝３が形成さ
れ、これに非磁性材４、例えばガラスが充填され
る。また基板２の面２ａ上には、基板２が導電製
を有する場合にはこれの上にSiO₂等の非磁性絶
縁層５が披着され、これの上に導体手段６が披着
配置される。この導体手段６は、例えば全チヤン
ネル、例えば22チヤンネルに対して共通のバイア
ス線輪となる帯状薄膜導電体７と、各チヤンネル
に対応して設けられる信号線輪となる帯状薄膜導
電体８とよりなる。これら導電体７及び８は、少
なくともその一部が凹部３に設けられ、この凹部
３と、これの上の導体手段６を横切つて各チヤン
ネルに対応するパーマロイ等より成る薄膜磁性層
９が夫々被着される。この場合、導体手段６上に
はSiO₂等の絶縁層５が被着されて薄膜磁性層９
との電気的絶縁がなされる。各磁性層９の一端
は、例えば上述の絶縁層５による非磁性ギヤツプ
スペーサー１０を介して磁性基板２の、凹部３に
沿う一側縁２ｂに臨むように延在される。他端
は、例えば絶縁層５に穿設した窓５ａを通じて基
板２の面２ａに磁気的に密に結合させる。このよ
うにして、共通の基板２と各磁性層９とによつて
夫々閉磁路が形成され、各閉磁路に関して、夫々
薄膜電体８より成る信号線輪と共通の薄膜電体７
よより成るバイアス線輪とを有し、各閉磁路に、
ギヤツプスペーサー１０によつてギヤツプ長が規
定されて作動磁気ギヤツプｇが形成された各チヤ
ンネルの磁気ヘツド素子ｈが構成されるものであ
る。

そして、各磁気ヘツド素子ｈ上には、基板２に
対向して耐摩耗性にすぐれた保護基板１１が接着
剤１２を介して接合させる。

一方、導体手段６の各薄膜導体７及び８の各両
端部７ａ，７ｂ及び８ａ，８ｂは夫々外部回路、
すなわち、この磁気ヘツド１に記録信号を供給す
るシリアル−パラレル変換器等を含む出力回路、
或いはこの磁気ヘツド１よりの再生信号を供給す
るパラレル−シリアル変換器を含む入力回路等の
外部回路に接続される端子として、基板２の側縁
２ｂと対向する他側縁２ｃに延在させる。この場
合、保護基板１１の幅は磁性基板２の幅より小と
して、各端子７ａ，７ｂ及び８ａ，８ｂが保護基
板１１外に露呈するようになされる。

そして、基板２の側縁２ｂ側において両基板２
及び１１の接合体を切削研摩して各ヘツド素子ｈ
の磁気ギヤツプｇが臨む磁気媒体との対接面１３
が形成される。

このような多素子磁気ヘツド１と、上述した外
部回路とは、夫々対応する端子間を例えばフレキ
シブル配線基板によつて接続する。ところが、こ
の場合、互いに別体に構成された多素子磁気ヘツ
ドと外部回路とを磁気ヘツド外で接続すること
は、断線等の事故が生じ易く、信頼性に問題があ
る。

発明の目的本発明は、上述したような多素子磁気ヘツドに
おいて、これをこれに接続させる外部回路と一体
に構成し、信頼性の向上をはかるようにし、更に
特別の手段をとることによつて製造の簡易化と、
より高い信頼性の向上をはかるようにした多素子
磁気ヘツドの製造を提供するものである。

発明の概要すなわち、本発明においては、上述した磁気ヘ
ツドに付随する外部回路を構成する集積回路と、
多素子磁気ヘツド、例えば上述した薄膜多素子磁
気ヘツドとを樹脂中に一体に封じ込むものであ
る。そして、また、この場合に、特に本発明にお
いては、樹脂モールド作業と、樹脂注入すなわち
キヤステイング作業とを行うものである。そして
樹脂モールドによつてリードフレームの一部とこ
れに接続される集積回路をモールド体中に封じ込
むと共にこのモールド体に多素子磁気ヘツドの載
置部を形成する。その後この載置部に多素子磁気
ヘツドを載置した後、モールド体上に注形型を合
致させモールド体と、注形型との共働によつて樹
脂の注型、いわゆるキヤステイングを行う。この
ようにして磁気ヘツドのその外部回路とが一体に
構成された磁気ヘツドを得るが、この場合、樹脂
モールドに際して用いられる金型によつて、磁気
ヘツドに欠損を与えることなく、しかも、キヤス
テイングによる場合に比し、耐湿等の封止効果に
すぐれた樹脂モールドによつて集積回路と、これ
が接続されるリード部とを覆うようにしたことに
よつてシール効果の高い、すなわち信頼性の高い
多素子磁気ヘツドを得るものである。

すなわち本発明においては、リードフレームに
集積回路を載置し配線を施す工程と、リードフレ
ームと集積回路の配置部を埋込み、多素子磁気ヘ
ツドと接続されるリード部の各一端部を露出させ
且つ多素子磁気ヘツドの載置部を構成するように
樹脂モールドする工程と、多素子磁気ヘツドを樹
脂モールドによつて得たモールド体の多素子磁気
ヘツド載置部上に載置し磁気ヘツドとリード部の
露出端との配線をなす工程と、モールド体に注形
型を合致させて磁気ヘツドの磁気媒体との対接面
を外部に露呈させるように樹脂を注入し樹脂を硬
化させる工程とを経る。

実施例第３図以下を参照して本発明製法の一例を詳細
に説明する。この例では、例えば第３図に示すリ
ードフレーム２１を設けるこのリードフレーム２
１は、金属板を選択的にエツチングすることによ
つて得るものであり、最終的に集積回路が載置取
着される回路取付部２２と、集積回路より外部に
導出される端子となるリード部２３と、集積回路
と磁気ヘツドとの各接続配線の各一端となるリー
ド部２６と、これらを相互に連結する枠部２４
と、各リード部２３を横切るように配置された樹
脂モールド体の樹脂の流延を制限する制限部２５
とが全体として一体に形成されて成る。

そして、第４図に示すように、このリードフレ
ーム２１の回路取付部２２上に前述した例えばシ
リアル−パラレル変換器等の磁気ヘツドに付随す
る回路を有する集積回路４１をボンデイングし、
更に図示しないが所要のリード部にコンデンサ等
の回路４１を付随する回路部品８０を接続する。
そして、集積回路４１の、磁気ヘツドに接続すべ
き各端子とこれに対応するリードフレーム２１の
リード部２６とをリードワイヤ４２によつて接続
し、回路４１の外部に導出すべき端子を対応する
リード部２３とを同様にリードワイヤ４３によつ
て接続する。

そして、このリードフレーム２１を、モールド
金型内の所定部に配置して樹脂モールド作業を行
つて第５図及び第６図に示すように集積回路４１
と更にこれにコンデンサ等の回路部品８０が付随
して配設される場合はこの部品８０と、各リード
４２及び４３とを包み込むように埋込んで樹脂モ
ールド体３１を成型する。この場合、樹脂モール
ド体３１は、リードフレーム２１のリード部２４
の各外端が外部に導出され、また、リード部２６
の各外端２６ａの一方の面の一部がモールド体３
１から外部に露呈するようにする。またこのモー
ルド体３１には、多素子磁気ヘツドの配置部３４
をその成型時形成する。このヘツド配置部３４
は、リードフレーム２１の配置面に沿いリード部
２６を埋込む底面３４ａを有し、回路４１と対向
する側とは反対側、すなわち前方部が開放され、
更に底面３４ａ上にはモールド体３１の外面３１
ａより低い突堤３３がリード部２６の延長方向を
横切つて設けられて成る。また、このモールド体
３１の外面３１ａは一平坦面に形成される。そし
て、リードフレーム２１は、モールド体３１の成
型後に、枠部２４を切断排除し、各リード部２３
間の制限部２５を切断することによつて各リード
部２３間、２６間を夫々電気的に分離する。

尚、第６図に示すようにリードフレーム２１
の、集積回路の取付部２２の裏面には、熱伝導度
の高い金属放熱体５１を配置し、その外面がモー
ルド体３１の外面に露呈するようになし得る。

そして、第７図及び第８図に示すようにモール
ド体３１の磁気ヘツド配置部３４の底面３４ａ上
に磁気ヘツド１をその磁気ギヤツプが臨む前方端
を配置部３４より前方に突出させて載置する。こ
の磁気ヘツド１は例えば第１図及び第２図に示し
た薄膜型磁気ヘツドで、その基板２上の各端子７
ａ，７ｂ，８ａ，８ｂが夫々集積回路の対応する
出力若しくは入力端子に接続された対応するリー
ド部２６に、突堤３３を越えて、夫々リードワイ
ヤ４４によつて接続される。

次にこのようにして集積回路４１が埋込まれ磁
気ヘツド１が配置されて樹脂モールド体３１に対
して樹脂の注入、いわゆるキヤステイングを行
う。このキヤステイングは第９図に示すようにモ
ールド体３１の外面３１ａに例えば離型処理が施
された耐熱性樹脂板よりなる注形型６１を衝合さ
せ、この注形型６１によつて、磁気ヘツド配置部
３４を閉蓋する。そして注形型６１によつて閉蓋
された磁気ヘツド配置部３４内に、その前方の開
放端側より溶融樹脂を注入する、すなわち、キヤ
ステイングする。その後、この注入樹脂を硬化さ
せた後、型６１をモールド体３１よりとりはず
す。

このようにすると、第１０図に示すようにモー
ルド体３１の磁気ヘツド配置部３４中に樹脂７１
が充填されて、集積回路４１と磁気ヘツド１と、
更にこれらとリード部２３，２６との接続を行う
各リードワイヤー等が樹脂７１とモールド体３１
とによつて外部と遮断封止された磁気ヘツド装置
が得られる。そして、この場合、この樹脂注入処
理後に、樹脂７１から突設された磁気ヘツド１の
前方を研摩して磁気媒体との対接面１３を形成す
る。

尚、上述した例においては、磁気ヘツド１が、
電磁誘導型磁気ヘツドである場合について説明し
たが、磁気ヘツド１がMR型薄膜ヘツドである場
合に適用することもできることは云う迄もないと
ころである。また再生ヘツドをMRヘツド、記録
ヘツドを電磁誘導型ヘツドとする場合は、夫々上
述した本発明製法によつて得た磁気ヘツド装置を
例えば夫々その放熱体５１を有する側を外面にし
て重ね合せて一体化することによつて相互に所定
の位置関係に保持された記録、再生ヘツドを得る
ことができる。

発明の効果上述したように本発明製法によれば、磁気ヘツ
ドに付随する外部回路を構成する集積回路と、多
素子磁気ヘツドとを樹脂中に一体に封じ込むもの
であるがこの場合に、特に樹脂モールド体中に集
積回路を配置し、その後、このモールド体に多素
子磁気ヘツドをとりつけてこのモールド体と注形
型との共働によつて樹脂の注型、いわゆるキヤス
テイングを行うようにしたので、樹脂モールドに
際して用いられる金型によつて磁気ヘツドに欠損
を与えることなく、しかも、キヤステイングによ
る場合に比し、耐湿等の封止効果にすぐれた樹脂
モールドによつて全体の大半を覆うようにしたこ
とによつて、シール効果の高い、すなわち信頼性
の高い多素子磁気ヘツド装置を得ることができる
もとである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の説明に供する多素子磁気ヘツ
ドの一例の拡大断面図、第２図はその拡大平面
図、第３図及び第４図は夫々本発明装置に用いる
リードフレームの一例とこれに集積回路を配置し
た状態の拡大平面図、第５図及び第６図はモール
ド体の一例の拡大斜視図及びその拡大断面図、第
７図及び第８図は夫々モールド体に磁気ヘツドを
とりつけた状態の拡大平面図及びその拡大断面
図、第９図はモールド体と注形型の組合せ状態の
断面図、第１０図は本発明製法によつて得た多素
子磁気ヘツド装置の一例の拡大斜視図である。１は多素子磁気ヘツド、２１はリードフレー
ム、３１はモールド体、３４は磁気ヘツド配置
部、４１は集積回路、６１は注形型、７１は樹脂
である。

Claims

【特許請求の範囲】

１リードフレームに集積回路を載置し配線を施
す工程と、上記リードフレームの上記集積回路の
配置部を埋込み、多素子磁気ヘツドと接続される
リード部の各一端部を露出させ且つ上記多素子磁
気ヘツドの載置部を構成するように樹脂モールド
を施す工程と、上記多素子磁気ヘツドを上記樹脂
モールドによつて得たモールド体の上記多素子磁
気ヘツド載置部上に載置し該磁気ヘツドと上記リ
ード部の露出端との配線をなす工程と、上記モー
ルド体に注形型を合致させて上記磁気ヘツドの磁
気媒体との対接面を外部に露呈させるように樹脂
を注入し該樹脂を硬化させる工程とを有する多素
子磁気ヘツド装置の製法。