JPH06334109A - 半導体装置用リードフレームと半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームと半導体装置の製造方法Info
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- JPH06334109A JPH06334109A JP5125855A JP12585593A JPH06334109A JP H06334109 A JPH06334109 A JP H06334109A JP 5125855 A JP5125855 A JP 5125855A JP 12585593 A JP12585593 A JP 12585593A JP H06334109 A JPH06334109 A JP H06334109A
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- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームの板厚が薄い場合でも、樹脂モ
ールド時に半導体チップを金型内の所定位置に固定し
て、ワイヤ等がモールド樹脂から露出することを有効に
防止する。 【構成】予め、リードフレーム１の片面または両面に絶
縁性樹脂からなる位置決め用スペーサ１５を設ける。ス
ペーサ１５の厚さは、モールド金型５内で半導体チップ
２、リードフレーム１のリード先端、およびワイヤ４が
モールド金型内壁５ａと接触しない厚さに設定する。こ
れにより、モールド金型内に樹脂を注入したときに、ス
ペーサにより樹脂の流動抵抗に抗して半導体チップを所
定位置に固定できる。
ールド時に半導体チップを金型内の所定位置に固定し
て、ワイヤ等がモールド樹脂から露出することを有効に
防止する。 【構成】予め、リードフレーム１の片面または両面に絶
縁性樹脂からなる位置決め用スペーサ１５を設ける。ス
ペーサ１５の厚さは、モールド金型５内で半導体チップ
２、リードフレーム１のリード先端、およびワイヤ４が
モールド金型内壁５ａと接触しない厚さに設定する。こ
れにより、モールド金型内に樹脂を注入したときに、ス
ペーサにより樹脂の流動抵抗に抗して半導体チップを所
定位置に固定できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂モールド型の半導体
装置用リードフレーム及び半導体装置の製造方法に係
り、特に樹脂モールド時の不具合を解消したものに関す
る。
装置用リードフレーム及び半導体装置の製造方法に係
り、特に樹脂モールド時の不具合を解消したものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、樹脂モールド型半導体装置の組
立てプロセスは、リードフレーム１に両面接着剤を有す
る絶縁性フィルム３を貼り付け、半導体チップ２をダイ
ボンドした後に金ワイヤ４でチップ２とリードフレーム
１とを接続する（図３参照）。そして、図３に示すよう
に、このリードフレーム１をモールド金型５に組み込ん
で樹脂モールドし、リードを成形して完成する。
立てプロセスは、リードフレーム１に両面接着剤を有す
る絶縁性フィルム３を貼り付け、半導体チップ２をダイ
ボンドした後に金ワイヤ４でチップ２とリードフレーム
１とを接続する（図３参照）。そして、図３に示すよう
に、このリードフレーム１をモールド金型５に組み込ん
で樹脂モールドし、リードを成形して完成する。
【０００３】この組立てプロセスで樹脂モールド工程が
製品の品質を大きく左右する。すなわち、樹脂モールド
時、金型５に組み込んだ組立て中の半導体装置は、金型
５によってダムバー（タイバーともいう）とアウターリ
ード６とを挟まれ、金型５中に浮いた状態で樹脂７を注
入される。したがって、樹脂注入時にリードフレーム１
及び半導体チップ２は樹脂７により大きな流動抵抗を受
けることになり、モールド金型５内でのチップ位置はリ
ードの剛性によって左右されることになる。特に、ＴＳ
ＯＰ（Thin Small Outline Package）のようにリードフ
レームの剛性が低い場合、チップがＺ方向、すなわち樹
脂注入方向（図中矢印方向）に動き、モールド金型５内
の所定位置にモールドできないことがある。
製品の品質を大きく左右する。すなわち、樹脂モールド
時、金型５に組み込んだ組立て中の半導体装置は、金型
５によってダムバー（タイバーともいう）とアウターリ
ード６とを挟まれ、金型５中に浮いた状態で樹脂７を注
入される。したがって、樹脂注入時にリードフレーム１
及び半導体チップ２は樹脂７により大きな流動抵抗を受
けることになり、モールド金型５内でのチップ位置はリ
ードの剛性によって左右されることになる。特に、ＴＳ
ＯＰ（Thin Small Outline Package）のようにリードフ
レームの剛性が低い場合、チップがＺ方向、すなわち樹
脂注入方向（図中矢印方向）に動き、モールド金型５内
の所定位置にモールドできないことがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体チップを接続したリードフレームは、樹脂注入
時、モールド金型内で樹脂の流動抵抗を受けるため、リ
ードフレームの板厚が薄い場合には、リードの剛性が低
いため、チップを所定位置に固定することができない。
半導体チップを接続したリードフレームは、樹脂注入
時、モールド金型内で樹脂の流動抵抗を受けるため、リ
ードフレームの板厚が薄い場合には、リードの剛性が低
いため、チップを所定位置に固定することができない。
【０００５】特に、リードフレームがＴＳＯＰである場
合にはこのような現象が顕著であり、半導体チップに対
するモールド位置がずれた場合、ワイヤ４と樹脂（パッ
ケージ）７上面の距離は高々０．３ｍｍしか余裕がない
ので、ワイヤ４がモールド樹脂上面に露出してしまうこ
とになる（図４）。さらにひどい場合には、リードの先
端や半導体チップが露出してしまうこともある。
合にはこのような現象が顕著であり、半導体チップに対
するモールド位置がずれた場合、ワイヤ４と樹脂（パッ
ケージ）７上面の距離は高々０．３ｍｍしか余裕がない
ので、ワイヤ４がモールド樹脂上面に露出してしまうこ
とになる（図４）。さらにひどい場合には、リードの先
端や半導体チップが露出してしまうこともある。
【０００６】しかし、従来、このような問題に対して、
リード剛性を向上するとか、リードパターンに応じた最
適なモールド法を見出すとか、チップ位置を改善すると
か、リードパターンを改善するとか等、種々の対策を試
行錯誤的に行なっているに過ぎず、未だ有効な解決策が
見い出せないでいるのが現状である。
リード剛性を向上するとか、リードパターンに応じた最
適なモールド法を見出すとか、チップ位置を改善すると
か、リードパターンを改善するとか等、種々の対策を試
行錯誤的に行なっているに過ぎず、未だ有効な解決策が
見い出せないでいるのが現状である。
【０００７】本発明の目的は、リードフレームに予めス
ペーサを設けることによって、樹脂モールド時、半導体
チップを金型内の所定位置にモールドすることが可能な
半導体装置用リードフレームを提供することにある。
ペーサを設けることによって、樹脂モールド時、半導体
チップを金型内の所定位置にモールドすることが可能な
半導体装置用リードフレームを提供することにある。
【０００８】また、本発明の目的は、樹脂モールド時に
スペーサを挿入することによって、半導体チップを金型
内の所定位置にモールドすることが可能な半導体装置の
製造方法を提供することにある。
スペーサを挿入することによって、半導体チップを金型
内の所定位置にモールドすることが可能な半導体装置の
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレームは、リードフレームの片面または両面にモ
ールド金型内における位置決め用のスペーサを設けたも
のである。
ードフレームは、リードフレームの片面または両面にモ
ールド金型内における位置決め用のスペーサを設けたも
のである。
【００１０】また、本発明の半導体装置用リードフレー
ムは、半導体チップとワイヤ接続されモールド金型内に
組込まれて樹脂モールドされる半導体装置用リードフレ
ームであって、リードフレームの片面または両面に絶縁
性樹脂からなる位置決め用のスペーサを設け、この絶縁
性樹脂からなるスペーサの厚さを、樹脂モールド時、モ
ールド金型内で半導体チップ、リードフレームのリード
先端、およびワイヤが金型内壁と接触しない厚さに設定
したものである。
ムは、半導体チップとワイヤ接続されモールド金型内に
組込まれて樹脂モールドされる半導体装置用リードフレ
ームであって、リードフレームの片面または両面に絶縁
性樹脂からなる位置決め用のスペーサを設け、この絶縁
性樹脂からなるスペーサの厚さを、樹脂モールド時、モ
ールド金型内で半導体チップ、リードフレームのリード
先端、およびワイヤが金型内壁と接触しない厚さに設定
したものである。
【００１１】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体チップを接続したリードフレームをモールド金型
内に組込み、この金型に樹脂を注入して樹脂モールドす
る工程を有し、樹脂モールド時に絶縁性樹脂からなる位
置決め用のスペーサを前記モールド金型内壁とリードフ
レームとの間に挿入するようにしたものである。
半導体チップを接続したリードフレームをモールド金型
内に組込み、この金型に樹脂を注入して樹脂モールドす
る工程を有し、樹脂モールド時に絶縁性樹脂からなる位
置決め用のスペーサを前記モールド金型内壁とリードフ
レームとの間に挿入するようにしたものである。
【００１２】
【作用】リードフレームの片面または両面にモールド金
型内における位置決め用のスペーサを設けてあると、樹
脂モールド時、半導体チップ位置を金型内の所定位置に
固定できる。
型内における位置決め用のスペーサを設けてあると、樹
脂モールド時、半導体チップ位置を金型内の所定位置に
固定できる。
【００１３】また、予めリードフレームに設けたスペー
サの厚さが、モールド金型内において半導体チップ、リ
ードフレームのリード先端、およびワイヤがモールド金
型内壁と接触しない厚さに設定されていると、リードフ
レームの剛性が低くても、モールド金型内に樹脂を注入
したときに、スペーサにより樹脂の流動抵抗に抗して半
導体チップを所定位置に固定できるので、ワイヤあるい
はリード先端、半導体チップがモールド樹脂から露出し
てしまうことがない。また、スペーサは絶縁性であるの
で、リード間の電気的絶縁を損なうこともない。
サの厚さが、モールド金型内において半導体チップ、リ
ードフレームのリード先端、およびワイヤがモールド金
型内壁と接触しない厚さに設定されていると、リードフ
レームの剛性が低くても、モールド金型内に樹脂を注入
したときに、スペーサにより樹脂の流動抵抗に抗して半
導体チップを所定位置に固定できるので、ワイヤあるい
はリード先端、半導体チップがモールド樹脂から露出し
てしまうことがない。また、スペーサは絶縁性であるの
で、リード間の電気的絶縁を損なうこともない。
【００１４】また、半導体装置の製造方法にあっては、
樹脂モールド時に絶縁性樹脂からなるスペーサをモール
ド金型内壁とリードフレームとの間に挿入して、モール
ド金型内に組込んだリードフレームと金型内壁との間に
一定のスペースを確保するようにしたので、予めリード
フレームにスペーサを設ける必要がない。また、リード
フレームの剛性が低くても、モールド金型内に樹脂を注
入したときに、スペーサにより樹脂の流動抵抗に抗して
半導体チップを所定位置に固定できるので、ワイヤ等が
モールドから露出してしまうことがなく、樹脂モールド
工程不良を大幅に減少することができる。
樹脂モールド時に絶縁性樹脂からなるスペーサをモール
ド金型内壁とリードフレームとの間に挿入して、モール
ド金型内に組込んだリードフレームと金型内壁との間に
一定のスペースを確保するようにしたので、予めリード
フレームにスペーサを設ける必要がない。また、リード
フレームの剛性が低くても、モールド金型内に樹脂を注
入したときに、スペーサにより樹脂の流動抵抗に抗して
半導体チップを所定位置に固定できるので、ワイヤ等が
モールドから露出してしまうことがなく、樹脂モールド
工程不良を大幅に減少することができる。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図面を用いて説
明する。図１は本実施例による半導体装置の樹脂モール
ド時の断面図、図２は本実施例によるリードフレームの
部分的拡大斜視図である。
明する。図１は本実施例による半導体装置の樹脂モール
ド時の断面図、図２は本実施例によるリードフレームの
部分的拡大斜視図である。
【００１６】半導体装置を組立てる際に使用するリード
フレーム１は、図２に示すように、ダイパッドをもたな
い構造をしており、リードの上に半導体チップが載るこ
とからＣＯＬ（Chip on Lead）構造と呼ばれる。リード
フレーム１は、金属条をエッチング等によりパターニン
グし、リード先端部に銀めっきを施すことによって形成
され、後に半導体チップ搭載部に絶縁性フィルム３を貼
り付けられる。
フレーム１は、図２に示すように、ダイパッドをもたな
い構造をしており、リードの上に半導体チップが載るこ
とからＣＯＬ（Chip on Lead）構造と呼ばれる。リード
フレーム１は、金属条をエッチング等によりパターニン
グし、リード先端部に銀めっきを施すことによって形成
され、後に半導体チップ搭載部に絶縁性フィルム３を貼
り付けられる。
【００１７】リードパターンは、中央のデバイスホール
８の両側から先端が並列に突き出すインナーリード９
と、このインナーリード９の先端を囲むようにリード方
向に更に突き出ているバスバー１０、パッケージの外に
延出されるアウターリード１３、およびこれらのリード
間を結合しているダムバー１１から主に構成されてい
る。
８の両側から先端が並列に突き出すインナーリード９
と、このインナーリード９の先端を囲むようにリード方
向に更に突き出ているバスバー１０、パッケージの外に
延出されるアウターリード１３、およびこれらのリード
間を結合しているダムバー１１から主に構成されてい
る。
【００１８】なお、半導体チップを固定等した後に、イ
ンナーリード９及びアウターリード１３は枠１２から切
り離される。また、この場合のリードフレーム１は、厚
さが０．１２５ｍｍで４２Ｎｉ−Ｆｅ合金製の２４ピン
ＴＳＯＰ用に構成されている。
ンナーリード９及びアウターリード１３は枠１２から切
り離される。また、この場合のリードフレーム１は、厚
さが０．１２５ｍｍで４２Ｎｉ−Ｆｅ合金製の２４ピン
ＴＳＯＰ用に構成されている。
【００１９】両面に接着剤を有する絶縁性フィルム３
は、丁度、一点鎖線で示したように、インナーリード９
の裏面側に貼り付けられ、その絶縁性フィルム３を介し
て半導体チップが固定される。図１に示すように、半導
体チップ２の電極とインナーリード９との接続は、裏面
側に貼り付けた半導体チップ２より、対向するバスバー
１０間の隙間を通して表面側のインナーリード９の先端
に導かれたワイヤ４によって結線される。
は、丁度、一点鎖線で示したように、インナーリード９
の裏面側に貼り付けられ、その絶縁性フィルム３を介し
て半導体チップが固定される。図１に示すように、半導
体チップ２の電極とインナーリード９との接続は、裏面
側に貼り付けた半導体チップ２より、対向するバスバー
１０間の隙間を通して表面側のインナーリード９の先端
に導かれたワイヤ４によって結線される。
【００２０】ワイヤ４が導かれて結線される表面側のイ
ンナーリード９の先端よりも後方位置に、予め絶縁性樹
脂からなる位置決め用のスペーサ１５がバスバー１０と
平行に直線状に設けられる。この直線状のスペーサ１５
は、図示例ではリードフレーム１の片面、すなわち表面
にデバイスホール８を挟んで一対（２本）設けられてい
るが１本でもよく、さらに両面に設けるようにしてもよ
い。
ンナーリード９の先端よりも後方位置に、予め絶縁性樹
脂からなる位置決め用のスペーサ１５がバスバー１０と
平行に直線状に設けられる。この直線状のスペーサ１５
は、図示例ではリードフレーム１の片面、すなわち表面
にデバイスホール８を挟んで一対（２本）設けられてい
るが１本でもよく、さらに両面に設けるようにしてもよ
い。
【００２１】またスペーサ１５の厚さは、樹脂注入時、
モールド金型５内で半導体チップ２、インナーリード９
のリード先端、バスバー１０、およびワイヤ４が金型内
壁５ａと接触しない厚さに設定される。また、インナー
リード９にスペーサ１５を設けるには、モールド、接着
あるいは嵌合等任意である。
モールド金型５内で半導体チップ２、インナーリード９
のリード先端、バスバー１０、およびワイヤ４が金型内
壁５ａと接触しない厚さに設定される。また、インナー
リード９にスペーサ１５を設けるには、モールド、接着
あるいは嵌合等任意である。
【００２２】このように予めスペーサ１５をインナーリ
ード９の所定位置に設けたリードフレーム１を用いて半
導体装置を組立てるには、図１に示すように、リードフ
レーム１の裏面に貼り付けた絶縁性フィルム３に半導体
チップ２にボンドした後、ボンディングワイヤ４により
半導体チップ２の電極パッドと対応するインナーリード
９の先端とをワイヤボンドする。
ード９の所定位置に設けたリードフレーム１を用いて半
導体装置を組立てるには、図１に示すように、リードフ
レーム１の裏面に貼り付けた絶縁性フィルム３に半導体
チップ２にボンドした後、ボンディングワイヤ４により
半導体チップ２の電極パッドと対応するインナーリード
９の先端とをワイヤボンドする。
【００２３】ワイヤボンド後、このリードフレーム１を
モールド金型５に組み込む。このとき、金型５の外周で
ダムバー１１とアウターリード１３とを挟み付け、金型
５の中ではスペーサ１５により組立て前の半導体装置を
金型５内の所定位置に固定する。スペーサ１５は、リー
ドフレーム１の両面に設けることが好ましいが、両面に
スペーサを設けることが出来ない場合には、モールド金
型５にリードフレーム１を組込んだ時に、リードフレー
ム１の弾性による押付力がスペーサ１５を介して金型内
壁５ａに加わるようにする。
モールド金型５に組み込む。このとき、金型５の外周で
ダムバー１１とアウターリード１３とを挟み付け、金型
５の中ではスペーサ１５により組立て前の半導体装置を
金型５内の所定位置に固定する。スペーサ１５は、リー
ドフレーム１の両面に設けることが好ましいが、両面に
スペーサを設けることが出来ない場合には、モールド金
型５にリードフレーム１を組込んだ時に、リードフレー
ム１の弾性による押付力がスペーサ１５を介して金型内
壁５ａに加わるようにする。
【００２４】しかる後、金型５内に可塑化した熱可塑性
樹脂を注入口５ｂから樹脂を注入する。樹脂注入は、ボ
ンディングワイヤ４を傷つけないようにするため、通
常、ワイヤ４と反対側の方向から注入する。このとき、
予めリードフレーム１に設けたスペーサ１５の厚さがモ
ールド金型５内で半導体チップ２、リードフレーム１の
リード先端、およびワイヤ４がモールド金型内壁５ａと
接触しない厚さに設定されている。したがって、リード
フレーム１の剛性がＴＳＯＰゆえに低くても、モールド
金型５内に樹脂７を注入したときに、リードフレーム１
の弾性による押付力がスペーサ１５を介して金型内壁５
ａに加わっているので、スペーサ１５は樹脂７の流動抵
抗に抗してボンディングワイヤ４の空間を確保するとと
もに、半導体チップ２を所定位置に固定したままモール
ドすることができる。その結果、樹脂封止後、ワイヤ４
やリード先端、バスバー等がモールド樹脂７上面に露出
してしまうことが回避できる。
樹脂を注入口５ｂから樹脂を注入する。樹脂注入は、ボ
ンディングワイヤ４を傷つけないようにするため、通
常、ワイヤ４と反対側の方向から注入する。このとき、
予めリードフレーム１に設けたスペーサ１５の厚さがモ
ールド金型５内で半導体チップ２、リードフレーム１の
リード先端、およびワイヤ４がモールド金型内壁５ａと
接触しない厚さに設定されている。したがって、リード
フレーム１の剛性がＴＳＯＰゆえに低くても、モールド
金型５内に樹脂７を注入したときに、リードフレーム１
の弾性による押付力がスペーサ１５を介して金型内壁５
ａに加わっているので、スペーサ１５は樹脂７の流動抵
抗に抗してボンディングワイヤ４の空間を確保するとと
もに、半導体チップ２を所定位置に固定したままモール
ドすることができる。その結果、樹脂封止後、ワイヤ４
やリード先端、バスバー等がモールド樹脂７上面に露出
してしまうことが回避できる。
【００２５】なお、樹脂封止後、金型５から半導体装置
を取り出し、リードフレーム１からリードを切断し、必
要に応じてリード成形して完成品を得る。
を取り出し、リードフレーム１からリードを切断し、必
要に応じてリード成形して完成品を得る。
【００２６】以上述べたように本実施例によれば、予め
リードフレームに金型内での位置決め用のスペーサを設
けたので、金型内でリードフレームや半導体チップ等を
所定位置に固定することが出来る。したがって、リード
剛性を向上するとか、チップ位置を改善するとかの対策
を施す必要がなくなる。また、リードフレームがＴＳＯ
Ｐであり、しかもワイヤと樹脂上面の距離に余裕がない
場合であっても、ワイヤがモールド樹脂上面に露出して
しまうことがなくなる。
リードフレームに金型内での位置決め用のスペーサを設
けたので、金型内でリードフレームや半導体チップ等を
所定位置に固定することが出来る。したがって、リード
剛性を向上するとか、チップ位置を改善するとかの対策
を施す必要がなくなる。また、リードフレームがＴＳＯ
Ｐであり、しかもワイヤと樹脂上面の距離に余裕がない
場合であっても、ワイヤがモールド樹脂上面に露出して
しまうことがなくなる。
【００２７】また、リード上に設けたスペーサによって
位置決めするので、位置決め効果はリードパターンとは
関係なく、したがってリードパターンによってモールド
法に検討を加える必要がなくなるため、作業性が向上す
る。特に、半導体装置の組立て工程で樹脂モールド工程
の作業性は最も重要な因子の一つであることから、その
ように単一のモールド法で済ますことができるので、作
業性向上の効果は極めて大きい。
位置決めするので、位置決め効果はリードパターンとは
関係なく、したがってリードパターンによってモールド
法に検討を加える必要がなくなるため、作業性が向上す
る。特に、半導体装置の組立て工程で樹脂モールド工程
の作業性は最も重要な因子の一つであることから、その
ように単一のモールド法で済ますことができるので、作
業性向上の効果は極めて大きい。
【００２８】また、リードフレームに設けたスペースの
厚さによって、物理的に樹脂厚さを決めることができる
ため、パッケージ厚さをさらに薄くすることが出来る。
更に、スペーサの位置決め機能により、設定した樹脂厚
さを精度良く確保できるので、信頼性を向上することが
出来る。
厚さによって、物理的に樹脂厚さを決めることができる
ため、パッケージ厚さをさらに薄くすることが出来る。
更に、スペーサの位置決め機能により、設定した樹脂厚
さを精度良く確保できるので、信頼性を向上することが
出来る。
【００２９】なお、上記実施例では、予めスペーサをリ
ードフレームに設けた場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、当初スペーサを取り
付けておかず、樹脂モールド時に、位置決め用のスペー
サを、金型内壁とリードフレームとの間に挿入するよう
にしてもよい。このようにすると、予めリードフレーム
にスペーサを取り付ける作業を省略できる。また、上記
実施例ではダイパッドをもたないリードフレームについ
て説明したが、本発明はダイパッドをもつリードフレー
ムに対しても適用できることは勿論である。
ードフレームに設けた場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、当初スペーサを取り
付けておかず、樹脂モールド時に、位置決め用のスペー
サを、金型内壁とリードフレームとの間に挿入するよう
にしてもよい。このようにすると、予めリードフレーム
にスペーサを取り付ける作業を省略できる。また、上記
実施例ではダイパッドをもたないリードフレームについ
て説明したが、本発明はダイパッドをもつリードフレー
ムに対しても適用できることは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】（１）請求項１に記載の半導体装置用リ
ードフレームによれば、予め位置決め用のスペーサをリ
ードフレームに設けるようにしたので、リードフレーム
等をモールド金型の所定位置に固定することができる。
ードフレームによれば、予め位置決め用のスペーサをリ
ードフレームに設けるようにしたので、リードフレーム
等をモールド金型の所定位置に固定することができる。
【００３１】（２）請求項２に記載の半導体装置用リー
ドフレームによれば、リードフレームに所定厚さの位置
決め用のスペーサを設けるようにしたので、樹脂モール
ド時、半導体チップを金型内の所定位置にモールドする
ことができ、ワイヤ等が樹脂から露出するのを有効に回
避することができる。
ドフレームによれば、リードフレームに所定厚さの位置
決め用のスペーサを設けるようにしたので、樹脂モール
ド時、半導体チップを金型内の所定位置にモールドする
ことができ、ワイヤ等が樹脂から露出するのを有効に回
避することができる。
【００３２】（３）請求項３に記載の半導体装置の製造
方法によれば、樹脂モールド時にスペーサを挿入するよ
うにしたので、予めリードフレームにスペーサを設ける
ことなく、半導体チップ等を金型内の所定位置にモール
ドすることができる。
方法によれば、樹脂モールド時にスペーサを挿入するよ
うにしたので、予めリードフレームにスペーサを設ける
ことなく、半導体チップ等を金型内の所定位置にモール
ドすることができる。
【図１】本発明の実施例による半導体装置用リードフレ
ームの樹脂モールド時の断面図。
ームの樹脂モールド時の断面図。
【図２】本発明の実施例によるスペーサ付き半導体装置
用リードフレームの斜視図。
用リードフレームの斜視図。
【図３】従来例による半導体装置用リードフレームの樹
脂モールド時の断面図。
脂モールド時の断面図。
【図４】従来例によるワイヤが露出した半導体装置の断
面図。
面図。
１ リードフレーム ２ 半導体チップ ３ 絶縁性フィルム ４ ワイヤ ５ モールド金型 ５ａ 金型内壁 ７ 樹脂 ９ インナーリード １３ アウターリード １５ スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 裕寿 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 杉本 洋 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】リードフレームの片面または両面に、モー
ルド金型内における位置決め用のスペーサを設けたこと
を特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】半導体チップとワイヤ接続されモールド金
型内に組込まれて樹脂モールドされる半導体装置用リー
ドフレームであって、前記リードフレームの片面または
両面に絶縁性樹脂からなる位置決め用のスペーサを設
け、この絶縁性樹脂からなるスペーサの厚さを、樹脂モ
ールド時、前記モールド金型内で前記半導体チップ、前
記リードフレームのリード先端、および前記ワイヤが前
記金型内壁と接触しない厚さに設定したことを特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】半導体チップを接続したリードフレームを
モールド金型内に組込み、この金型に樹脂を注入して樹
脂モールドする工程を有し、前記樹脂モールド時に絶縁
性樹脂からなる位置決め用のスペーサを前記モールド金
型内壁と前記リードフレームとの間に挿入したことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125855A JPH06334109A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体装置用リードフレームと半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125855A JPH06334109A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体装置用リードフレームと半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334109A true JPH06334109A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14920614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5125855A Pending JPH06334109A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体装置用リードフレームと半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334109A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995032520A1 (en) * | 1994-05-23 | 1995-11-30 | Toray Industries, Inc. | Electronic device package and its manufacture |
| US8169089B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-05-01 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device including semiconductor chip and sealing material |
| WO2023167229A1 (ja) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185340A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
| JPH0547979A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP5125855A patent/JPH06334109A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185340A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
| JPH0547979A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995032520A1 (en) * | 1994-05-23 | 1995-11-30 | Toray Industries, Inc. | Electronic device package and its manufacture |
| US8169089B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-05-01 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device including semiconductor chip and sealing material |
| WO2023167229A1 (ja) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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