JP2795069B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に樹脂封止された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層リードフレームを用いた半導体装置
では、チップおよびリードフレームが銅板上に固着され
ることが多い。即ち、図３に示されるように、銅板１上
に絶縁体２を介してリードフレーム３が固着され、銅板
１の中央には導電性接着剤４を介してチップ５が搭載さ
れる。そして、チップ５−リードフレーム間をボンディ
ングワイヤ６により接続した後、全体をモールド樹脂７
により封止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置では、チップとリードフレーム間が直接ボンディン
グワイヤにより接続されているため、ボンディングワイ
ヤが長い場合には、樹脂封止の際にボンディングワイヤ
が変形してしまい、隣り合うボンディングワイヤ同士が
接触してしまうという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
金属板の中央にチップが搭載され、その周辺に絶縁体を
介してリードフレームが固着され、全体がモールド樹脂
により封止されたものであって、チップ−リードフレー
ム間を接続する全てのボンディングワイヤが、チップ−
リードフレーム間の途中で絶縁体上にもボンディングさ
れ、そして、リードフレーム上のワイヤボンディング点
と絶縁体上のワイヤボンディング点とがほぼ同一平面上
に位置している。
【０００５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。この半導体装置は、次のようにして組み立て
られる。銅板１に、予めリードフレーム３が固着されて
いる絶縁体２を接着剤を用いて接着する。この絶縁体２
の内側部分には突起が形成されており、この突起上には
メタライズ層が形成されている。
【０００６】次に、銅板１上に導電性接着剤４を用いて
チップ５をマウントする。次いで、ボンディングワイヤ
６を用いてチップ上のパッド−絶縁体２上のメタライズ
層−リードフレーム３の順にボンディングを行い、最後
にモールド樹脂７にて封止を行う。
【０００７】このように構成された半導体装置では、ボ
ンディングワイヤが中継点を経由しているためフライイ
ングワイヤ長が短くなり、変形されにくくなる。そのた
め、モールド工程でのワイヤ変形による短絡事故が激減
し歩留りが向上する。
【０００８】本実施例では、絶縁体２に突起を設けて絶
縁体のボンディング面と、チップやリードフレームのボ
ンディング面との高低差を少なくしている。この構成に
よりフライイングワイヤ長をより短くすることができ、
また、ボンディング工程も容易化される。リードフレー
ムが多層リードフレームであるとき、リードフレームの
面に合わせて絶縁体の突起の表面にも凹凸を作ることが
できる。
【０００９】図２は、本発明の第２の実施例を示す断面
図である。本実施例は、絶縁体２上で２回ワイヤボンデ
ィングを行っている点が先の実施例と相違しているが、
その他の点では同様である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、チップ−リードフレーム間のワイヤボンディング
を、リードフレームが固着された、表面高さがリードフ
レームの表面高さとほぼ等しい絶縁体を中継点として行
うものであるので、本発明によれば、ボンディングワイ
ヤのフライイングワイヤ長を短くすることができる。従
って、本発明によれば、樹脂封止の際のボンディングワ
イヤの変形を抑制することができ、隣接するボンディン
グワイヤ同士が接触するという事故を防止することがで
きる。また、リードフレーム上のワイヤボンディング点
と中継点との高さをほぼ等しくしたのでボンディングの
作業性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例の断面図。
【図２】 本発明の第２の実施例の断面図。
【図３】 従来例の断面図。
【符号の説明】
１ 銅板 ２ 絶縁体 ３ リードフレーム ４ 導電性接着剤 ５ チップ ６ ボンディングワイヤ ７ モールド樹脂

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁体上にリードフレームが固定され、
    半導体素子上のパッドと前記リードフレーム間がボンデ
    ィングワイヤにより接続され、全体がモールド樹脂によ
    り封止されている半導体装置において、前記ボンディン
    グワイヤの全てが、前記リードフレーム−前記半導体素
    子間において、前記絶縁体上にもボンディングされ、か
    つ、前記リードフレーム上のワイヤボンディング点と前
    記絶縁体上のワイヤボンディング点とがほぼ同一平面上
    に位置していることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記リードフレーム−前記パッド間が同
    一の連続したボンディングワイヤにより接続されている
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記絶縁体上で前記ボンディングワイヤ
    が複数回ボンディングされていることを特徴とする請求
    項２記載の半導体装置。
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